JPS5832217A - 薄膜磁気ヘツド基板の製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツド基板の製造方法Info
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- JPS5832217A JPS5832217A JP12927681A JP12927681A JPS5832217A JP S5832217 A JPS5832217 A JP S5832217A JP 12927681 A JP12927681 A JP 12927681A JP 12927681 A JP12927681 A JP 12927681A JP S5832217 A JPS5832217 A JP S5832217A
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- Japan
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- substrate
- layer
- parts
- thin film
- signal conductor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ヘッド基板面に形成される溝部内に信号導体
等を精度よく形成するようにした薄膜磁気ヘッド基板の
製造方法に関するものである。
等を精度よく形成するようにした薄膜磁気ヘッド基板の
製造方法に関するものである。
従来、薄膜磁気ヘッド基板の製造方法（以、下、単に薄
膜ヘッドの製法という。）としては、例えば第１図に示
すようにフェライト等の材料より成る１枚の基板１の一
つの面２に、複数の単位磁気ヘッドを並設するための溝
部３を機械加工方法またはフォトエツチング方法等によ
り互いに所定の間隔を置いて形成し、次に、この溝部３
丙に、基板１の面２を平坦化するためにガラス４等の非
磁性材料を充填し、壱の後に、信号導体５及び上部磁性
コア６をフォトエツチング技術により形成することによ
り行なうようにしている。
膜ヘッドの製法という。）としては、例えば第１図に示
すようにフェライト等の材料より成る１枚の基板１の一
つの面２に、複数の単位磁気ヘッドを並設するための溝
部３を機械加工方法またはフォトエツチング方法等によ
り互いに所定の間隔を置いて形成し、次に、この溝部３
丙に、基板１の面２を平坦化するためにガラス４等の非
磁性材料を充填し、壱の後に、信号導体５及び上部磁性
コア６をフォトエツチング技術により形成することによ
り行なうようにしている。
しかし、このような従来の薄膜ヘッドの製法によると、
溝部３内にガラス４を充填する際、ガラス気泡によるい
わゆるガラス穴及びガラス抜けなどと称されている現象
が発生し、そのため信号導体５の導体切れやいわゆるト
ラック欠けなどの問題が発生することが多々あった。
溝部３内にガラス４を充填する際、ガラス気泡によるい
わゆるガラス穴及びガラス抜けなどと称されている現象
が発生し、そのため信号導体５の導体切れやいわゆるト
ラック欠けなどの問題が発生することが多々あった。
このような問題は、例えば第２図に示すように、比較的
幅広の溝部８内にガラス９を充填し、その上に信号導体
とバイアス信号導体の２本の信号導体１０．１１を並設
し、さらにその主に絶縁層１２を形成して成る薄膜ヘッ
ドの製法の場合にも、同様に発生することがあった。ま
た、第３図に示すように、信号導体１３と並設してバイ
アス信号導体１４を溝部１５内のガラス１６の上部に埋
め込む方式の薄膜ヘッドの製法の場合には、そのほかに
、次のような問題も発生することがあった。
幅広の溝部８内にガラス９を充填し、その上に信号導体
とバイアス信号導体の２本の信号導体１０．１１を並設
し、さらにその主に絶縁層１２を形成して成る薄膜ヘッ
ドの製法の場合にも、同様に発生することがあった。ま
た、第３図に示すように、信号導体１３と並設してバイ
アス信号導体１４を溝部１５内のガラス１６の上部に埋
め込む方式の薄膜ヘッドの製法の場合には、そのほかに
、次のような問題も発生することがあった。
すなわち、この第３図に示す薄膜ヘッドの製法の場合に
は、ガラス１６の上面に、バイアス信号導体１４を埋め
込むためのバイアス信号導体用溝部１４ａを砥石加工方
法またはエツチング方法等により形成しなければならな
いが、このとき、第４図に示すように、ガラス１６の上
面への砥石加工方法によるいわゆるエッヂ欠けやエツチ
ング方法の乱れにより、バイアス信号導体１４がガラス
１６の欠けた部分１６ａから漏れそのバイアス信号導体
１４と基板１とが電気的に接続されてしまうようなこと
もあった。
は、ガラス１６の上面に、バイアス信号導体１４を埋め
込むためのバイアス信号導体用溝部１４ａを砥石加工方
法またはエツチング方法等により形成しなければならな
いが、このとき、第４図に示すように、ガラス１６の上
面への砥石加工方法によるいわゆるエッヂ欠けやエツチ
ング方法の乱れにより、バイアス信号導体１４がガラス
１６の欠けた部分１６ａから漏れそのバイアス信号導体
１４と基板１とが電気的に接続されてしまうようなこと
もあった。
本発明の一つの目的は、このような従来の薄膜ヘッドの
製法における問題点を除去することにある。
製法における問題点を除去することにある。
また、本発明の他の目的は、絶縁膜の形成時や導体膜成
形時における基板のそりを除去することにある。
形時における基板のそりを除去することにある。
すなわち、薄膜磁気ヘッド基板は、前述したようにＭｎ
−Ｚｎフェライト等より成る１枚の基板上面に、例え
ば５ｉＣｈ 、 Ａｌ２Ｏ３等より成る絶縁膜やｃｕ
、 ＡＩ 等より成る信号導体膜を順次形成することに
より製造されるものであるが、第５図に冑 示すように上！１７ａが平坦な基板１７をヘッド基板と
して用いても、この基板１７の構成材料がＭｎ−Ｚｎフ
ェライトであり、この上面ｉ７ａ！’Ｃ形成される絶縁
膜の構成材料が８１０２またはＡｔ ２０３、信号導体
膜の構成材料がＣｕまたはＡｕの場合には、それらあ材
料の熱膨張係数αはそれぞれ、Ｍｎ＝Ｚｎ７７エライト
は１１０×１０．５Ｉ０２ は５Ｘ １０−’ 、Ａ１
２０３−は５０〜６５−、Ｘ（０−’、Ｃｕは１５０〜
１６０Ｘ１０ 、ＡＩは２３０ Ｘ １０−’である
から、Ｍｎ−Ｚｎフェライトに比して、各絶縁膜構成材
料の場合は熱膨張係数αは小さく、従って第６図に水子
ように絶縁膜の形成時に、基板１Ｔと絶縁膜°１８λの
熱ｍｌｌ張込よ−り絶縁膜１８側に基板１７がそってし
まい、また、逆にそれが各信号導体膜構成材料の場合は
、Ｍｎ−Ｚｎフェライトに比し、熱膨張係数αは大きく
、従って第７図に示すように信号導体膜の形成時に、基
板１７と信号導体膜１９との熱膨張差により、その導体
膜１９とは反対側に基板１７がそってしまうことがあっ
た。そのため、後加工での基板１７の平面研摩工程の際
、多大の悪影響を与え、基板１７の上面１７ａ全体を均
一に研摩化、鏡面化した状態にすることを不可能とする
問題点があった。
−Ｚｎフェライト等より成る１枚の基板上面に、例え
ば５ｉＣｈ 、 Ａｌ２Ｏ３等より成る絶縁膜やｃｕ
、 ＡＩ 等より成る信号導体膜を順次形成することに
より製造されるものであるが、第５図に冑 示すように上！１７ａが平坦な基板１７をヘッド基板と
して用いても、この基板１７の構成材料がＭｎ−Ｚｎフ
ェライトであり、この上面ｉ７ａ！’Ｃ形成される絶縁
膜の構成材料が８１０２またはＡｔ ２０３、信号導体
膜の構成材料がＣｕまたはＡｕの場合には、それらあ材
料の熱膨張係数αはそれぞれ、Ｍｎ＝Ｚｎ７７エライト
は１１０×１０．５Ｉ０２ は５Ｘ １０−’ 、Ａ１
２０３−は５０〜６５−、Ｘ（０−’、Ｃｕは１５０〜
１６０Ｘ１０ 、ＡＩは２３０ Ｘ １０−’である
から、Ｍｎ−Ｚｎフェライトに比して、各絶縁膜構成材
料の場合は熱膨張係数αは小さく、従って第６図に水子
ように絶縁膜の形成時に、基板１Ｔと絶縁膜°１８λの
熱ｍｌｌ張込よ−り絶縁膜１８側に基板１７がそってし
まい、また、逆にそれが各信号導体膜構成材料の場合は
、Ｍｎ−Ｚｎフェライトに比し、熱膨張係数αは大きく
、従って第７図に示すように信号導体膜の形成時に、基
板１７と信号導体膜１９との熱膨張差により、その導体
膜１９とは反対側に基板１７がそってしまうことがあっ
た。そのため、後加工での基板１７の平面研摩工程の際
、多大の悪影響を与え、基板１７の上面１７ａ全体を均
一に研摩化、鏡面化した状態にすることを不可能とする
問題点があった。
本発明は、このような問題点をも除去するために提案さ
れたものである。
れたものである。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第８図ないし第１２図ｉま本発明に係る薄膜へ・ンドの
製法の工程を示すものである。この実施例では、基板の
溝部内に充填される材料層として信号導体を充填するよ
゛うにした例を示したものである。
製法の工程を示すものである。この実施例では、基板の
溝部内に充填される材料層として信号導体を充填するよ
゛うにした例を示したものである。
まず、第８図に示すように、Ｍｎ −Ｚｎフェライト等
により形成された１枚の基板２０の上面２０ａに、所定
の間隔を置いて複数の溝部２１，２１、・・・を例えば
機械的加工方法またはフォトエツチング方法等により形
成する。次に、上°記名溝部２１．２１．・・・以外の
基板２０の上面２０ａ全域に亘って、フォトレジスト層
２３を形成する。次に、上記各溝部２１．２１ 、・・
・を含めた基板２０上に、スパッタリング方法あるいは
蒸着方法などの薄膜成形方法により、例えばＳｉ・０２
または８ｉ０等の絶縁材料から成る材料層２４を形成す
る。従って、各溝部２１，２１．・・・内のほか、上記
レジの絶縁材料層２４，２４．・・・を残して各溝部２
１゜２１、・・・外の絶縁材料層２４を全てリフトオフ
方法により、フォトレジスト層２３と共に除去する。
により形成された１枚の基板２０の上面２０ａに、所定
の間隔を置いて複数の溝部２１，２１、・・・を例えば
機械的加工方法またはフォトエツチング方法等により形
成する。次に、上°記名溝部２１．２１．・・・以外の
基板２０の上面２０ａ全域に亘って、フォトレジスト層
２３を形成する。次に、上記各溝部２１．２１ 、・・
・を含めた基板２０上に、スパッタリング方法あるいは
蒸着方法などの薄膜成形方法により、例えばＳｉ・０２
または８ｉ０等の絶縁材料から成る材料層２４を形成す
る。従って、各溝部２１，２１．・・・内のほか、上記
レジの絶縁材料層２４，２４．・・・を残して各溝部２
１゜２１、・・・外の絶縁材料層２４を全てリフトオフ
方法により、フォトレジスト層２３と共に除去する。
従って、各溝部２１，２１．内の絶縁材料層２４からそ
れ以外の絶縁材料層２４は分断されることとな）。
れ以外の絶縁材料層２４は分断されることとな）。
次に、上記各溝部２１，２１．・・・内に充填された絶
縁材料層２４の上面に形成された導体用の各溝部２２ａ
、２２ａ、・・・を含む基更２０の上面２０ａに、各溝
部２２ ａ 、 １１２２ ａ 、−ｃｖ深さ１１を充
分に埋めつくすに足りる膜厚により、例えばＣｕ。
縁材料層２４の上面に形成された導体用の各溝部２２ａ
、２２ａ、・・・を含む基更２０の上面２０ａに、各溝
部２２ ａ 、 １１２２ ａ 、−ｃｖ深さ１１を充
分に埋めつくすに足りる膜厚により、例えばＣｕ。
面２０ａに平面研摩を施こすことにより、薄膜磁気ヘッ
ド基板Ｈの製造は完了する。
ド基板Ｈの製造は完了する。
本発明は、このような各工程を経て薄膜磁気ヘッド基板
Ｈを製造するものである。従って、従来のように基板の
各溝部内にガラスを充填しその上に信号導体を形成する
方法と異なり、スパッタリング方法等により各溝部内に
所要の厚膜の絶縁材料層を充填しその上に信号導体を形
成するものであるから、いわゆるガラス穴あるいはガラ
ス抜は等の問題が全くなく、シかも信号導体の一部が基
板側に漏れることも、また、溝部の一部が欠けることも
・なく・極めて良好な信号一体の”″ヂ部あるいは溝部
のエッヂ部を形成することができる。
Ｈを製造するものである。従って、従来のように基板の
各溝部内にガラスを充填しその上に信号導体を形成する
方法と異なり、スパッタリング方法等により各溝部内に
所要の厚膜の絶縁材料層を充填しその上に信号導体を形
成するものであるから、いわゆるガラス穴あるいはガラ
ス抜は等の問題が全くなく、シかも信号導体の一部が基
板側に漏れることも、また、溝部の一部が欠けることも
・なく・極めて良好な信号一体の”″ヂ部あるいは溝部
のエッヂ部を形成することができる。
また、基板上面に絶縁材料層及び信号導体層を形成した
後は、それらの各層のうち、各溝部以外の絶縁材料層及
び信号導体層は全て除去してしまうものであるから、上
記各層と基板との熱膨張差により基板にそりなどの歪が
生ずるようなことがなく、従って、その後に行なわれる
基板の平面研摩工程に悪影響を与えるようなことがない
。そのため、基板の特性劣化を未然に防止することがで
きる。
後は、それらの各層のうち、各溝部以外の絶縁材料層及
び信号導体層は全て除去してしまうものであるから、上
記各層と基板との熱膨張差により基板にそりなどの歪が
生ずるようなことがなく、従って、その後に行なわれる
基板の平面研摩工程に悪影響を与えるようなことがない
。そのため、基板の特性劣化を未然に防止することがで
きる。
なお、この実施例では、絶縁材料層を形成するＳｉｇｈ
を除去するのに、リフトオフ方法を用いてしλるが、こ
れは５ｉＣｈは電解エツチングが行ない難いことと、そ
れが厚膜となった場合には、このリフトオフ方法が効果
的な除去方法となることからである。
を除去するのに、リフトオフ方法を用いてしλるが、こ
れは５ｉＣｈは電解エツチングが行ない難いことと、そ
れが厚膜となった場合には、このリフトオフ方法が効果
的な除去方法となることからである。
次に、第１３図以下は本発明の薄膜ヘッドの製法の他の
例を示したものである。
例を示したものである。
この実施例では、基板２０の面２０ａに形成した複数の
溝部２．Ｌ２１．・・・の内部に充填される材料層とし
てガラスを充填するようにした例を示したものである・ ・まず、第１３図に示すように、Ｍｎ −７Ｊｎフエラ
イト等の磁性材料より成る基板２０の上面２０ａに、所
定の間隔を置いて複数の溝部２１ 、２１゜・・・を例
えば機械的加工方法等により形成する。次に、第１４図
に示すように、上記各溝部２１，２１、・・・を含めた
基板２０上に、スパッタリング方法等の薄膜成形方法に
より、ガラス層２６を形成する。次に、各溝部２１，２
１；・何のガラス層２６．２６．・・−を残してその溝
部２１，２１．・・・以外のガラス層２６は第１５図に
示すように全てリフトオフ方法により除去する。
溝部２．Ｌ２１．・・・の内部に充填される材料層とし
てガラスを充填するようにした例を示したものである・ ・まず、第１３図に示すように、Ｍｎ −７Ｊｎフエラ
イト等の磁性材料より成る基板２０の上面２０ａに、所
定の間隔を置いて複数の溝部２１ 、２１゜・・・を例
えば機械的加工方法等により形成する。次に、第１４図
に示すように、上記各溝部２１，２１、・・・を含めた
基板２０上に、スパッタリング方法等の薄膜成形方法に
より、ガラス層２６を形成する。次に、各溝部２１，２
１；・何のガラス層２６．２６．・・−を残してその溝
部２１，２１．・・・以外のガラス層２６は第１５図に
示すように全てリフトオフ方法により除去する。
次に、上記基板２０の上面２０ａに第１６図に示すよう
に平面研摩を施こす。この工程以降は従来の同様の各工
程で、例えば第１７図に示すように第１の絶縁層２７、
その上に導体層２８、その上に第２の絶縁層２９、さら
にその上に上部磁性コア層３０を形成することにより薄
膜磁気ヘッド基板Ｈｉを製造したり、あるいは第１８図
に示すように、第１の絶縁層２７、その上にバイアス信
号導体層３１及び信号導体層２８、それらの上に第２の
絶縁層２９、そしてその上に上記磁性コア 。
に平面研摩を施こす。この工程以降は従来の同様の各工
程で、例えば第１７図に示すように第１の絶縁層２７、
その上に導体層２８、その上に第２の絶縁層２９、さら
にその上に上部磁性コア層３０を形成することにより薄
膜磁気ヘッド基板Ｈｉを製造したり、あるいは第１８図
に示すように、第１の絶縁層２７、その上にバイアス信
号導体層３１及び信号導体層２８、それらの上に第２の
絶縁層２９、そしてその上に上記磁性コア 。
層３０を形成することにより薄膜磁気ヘッド基板Ｈ２を
製造する。
製造する。
以上のような工程を経て薄膜磁気ヘッド基板を製造した
場合でも、各溝部２１，２１以外の基板２０の面２０ａ
からガラス層２６を直ちに除去してしまうものであるか
ら、基板２０のそりや歪等を未然に防止することができ
る。
場合でも、各溝部２１，２１以外の基板２０の面２０ａ
からガラス層２６を直ちに除去してしまうものであるか
ら、基板２０のそりや歪等を未然に防止することができ
る。
以上の説明から明らかなように、本発明は、基板面に複
数の溝部を形成する工程と、上記溝部を含む基板面の全
面に上記溝部に充填するための材料層を形成する工程と
、上記材料層のうち、上記溝部以外に形成された材料層
を除去して上記溝部に充填された材料層から上記溝部以
外に形成された材料層を分断する工程と、上記基板面に
平面研摩を施こす工程とを経て薄膜磁気ヘッド基板を製
造するようにしたものであるから、基板面への信号導体
層の形成時あるいは絶縁材料層の形成時において、その
信号導体層や絶縁材料層と基板との熱膨張差による基板
のそりや歪の発生を未然に防止することができ、従って
、後加工での基板面の平面研摩工程を円滑かつ確実に行
なうことができる。従って、信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ド基板を製造することができる。
数の溝部を形成する工程と、上記溝部を含む基板面の全
面に上記溝部に充填するための材料層を形成する工程と
、上記材料層のうち、上記溝部以外に形成された材料層
を除去して上記溝部に充填された材料層から上記溝部以
外に形成された材料層を分断する工程と、上記基板面に
平面研摩を施こす工程とを経て薄膜磁気ヘッド基板を製
造するようにしたものであるから、基板面への信号導体
層の形成時あるいは絶縁材料層の形成時において、その
信号導体層や絶縁材料層と基板との熱膨張差による基板
のそりや歪の発生を未然に防止することができ、従って
、後加工での基板面の平面研摩工程を円滑かつ確実に行
なうことができる。従って、信頼性の高い薄膜磁気ヘッ
ド基板を製造することができる。
第１図はガラス層上に信号導体層を形成した従来の薄膜
磁気ヘッド基板を示す要部断面図、第２図はガラス層上
にバイアス信号導体層と信号導体層を横に並設した従来
の薄膜磁気ヘッド基板を示す要部断面図、第３図はガラ
ス層上にバイアス信号導体層と信号導体層とを縦方向に
重畳した従来の薄膜磁気ヘッド基板を示す要部断面図、
第４図は上記第３図に示したヘッド基板を切断して示す
要部平面図、第５図は従来のヘッド基板を製造する場合
の説明に供するために示した基板の側面図、第６図は基
板上に絶縁材料層を形成した場合を示す側面図、第７図
は基板上に導悴１層を形成した場合を示す側面図である
。 第８図ないし第１２図は采発明に係る薄膜磁気ヘッド基
板の製造の一実施例を示すもので、第８図は溝部を有す
る基板上にホトレジスト層・絶縁材料層を形成した状態
を示す要部断面図、第９図は上記溝部以外のホトレジス
ト層及び絶縁材料層を除去した後の状態を示す要部断面
図、第１Ｏ図は上記第９図に示す基板上に信号導体層を
形成した状態を示す要部断面図、第１１図は第１Ｏ図に
示す基板の溝部以外の信号導体層を除去した状態を示す
要部断面図、第１２図は上記第１１図に示す基板に平面
研摩を施こした後の状態を示す要部断面図である。 第１３図ないし第１８図は本発明の他の実施例を示すも
ので、第１３図は基板面に溝部を形成した状態を示す要
部断面図、第１４図は上記第１３図に示す基板上にガラ
ス層を形成した状態を示す要部断面図、第１５図は溝部
以外のガラス層を除去した状態を示す要部断面図、第１
６図は基板面に平面研摩を施こした後の状態を示す要部
断面図、第１７図は第１６図、に示した基板上に信号導
体層等を形成した状態を示す要部断面図、第１８図は第
１６図に示す基板上にバイアス信号導体層及び信号導体
層等を形成した状態を示す要部断面図である。 ２０・・・基板、２ｏａ・・・基板面、２１．２１・・
・溝部、２４・・・絶縁性の材料層、２５・・・信号導
体層、２６・・・ガラス層。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − １１ 第３ｍ 第５１！Ｉ １７ 第６ｍ ８ ｓ７図 ９ ｓ８図 ２１ ２７ 第９図 第１０図 第１２図 第１３ｆｆｌ 第１５図 第１６図 第１７図 Ｈ，＼ ２８ ＼ 、ｌ 第１８図 ２６
磁気ヘッド基板を示す要部断面図、第２図はガラス層上
にバイアス信号導体層と信号導体層を横に並設した従来
の薄膜磁気ヘッド基板を示す要部断面図、第３図はガラ
ス層上にバイアス信号導体層と信号導体層とを縦方向に
重畳した従来の薄膜磁気ヘッド基板を示す要部断面図、
第４図は上記第３図に示したヘッド基板を切断して示す
要部平面図、第５図は従来のヘッド基板を製造する場合
の説明に供するために示した基板の側面図、第６図は基
板上に絶縁材料層を形成した場合を示す側面図、第７図
は基板上に導悴１層を形成した場合を示す側面図である
。 第８図ないし第１２図は采発明に係る薄膜磁気ヘッド基
板の製造の一実施例を示すもので、第８図は溝部を有す
る基板上にホトレジスト層・絶縁材料層を形成した状態
を示す要部断面図、第９図は上記溝部以外のホトレジス
ト層及び絶縁材料層を除去した後の状態を示す要部断面
図、第１Ｏ図は上記第９図に示す基板上に信号導体層を
形成した状態を示す要部断面図、第１１図は第１Ｏ図に
示す基板の溝部以外の信号導体層を除去した状態を示す
要部断面図、第１２図は上記第１１図に示す基板に平面
研摩を施こした後の状態を示す要部断面図である。 第１３図ないし第１８図は本発明の他の実施例を示すも
ので、第１３図は基板面に溝部を形成した状態を示す要
部断面図、第１４図は上記第１３図に示す基板上にガラ
ス層を形成した状態を示す要部断面図、第１５図は溝部
以外のガラス層を除去した状態を示す要部断面図、第１
６図は基板面に平面研摩を施こした後の状態を示す要部
断面図、第１７図は第１６図、に示した基板上に信号導
体層等を形成した状態を示す要部断面図、第１８図は第
１６図に示す基板上にバイアス信号導体層及び信号導体
層等を形成した状態を示す要部断面図である。 ２０・・・基板、２ｏａ・・・基板面、２１．２１・・
・溝部、２４・・・絶縁性の材料層、２５・・・信号導
体層、２６・・・ガラス層。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 晃 同 １） 村 榮 − １１ 第３ｍ 第５１！Ｉ １７ 第６ｍ ８ ｓ７図 ９ ｓ８図 ２１ ２７ 第９図 第１０図 第１２図 第１３ｆｆｌ 第１５図 第１６図 第１７図 Ｈ，＼ ２８ ＼ 、ｌ 第１８図 ２６
Claims (1)
- 基板面に複数の溝部を形成する工程と、上記溝部を含む
基板面の全・面に上記溝部に充填するための材料層を形
成する工程と、上記材料層のうち、上記溝部以外の基板
上に形成′された材料層を除去板面に平面研摩を施こす
工程とより成る薄膜磁気ヘッド基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12927681A JPS5832217A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 薄膜磁気ヘツド基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12927681A JPS5832217A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 薄膜磁気ヘツド基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832217A true JPS5832217A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15005579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12927681A Pending JPS5832217A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | 薄膜磁気ヘツド基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743988A (en) * | 1985-02-01 | 1988-05-10 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin-film magnetic head |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP12927681A patent/JPS5832217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4743988A (en) * | 1985-02-01 | 1988-05-10 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Thin-film magnetic head |
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