CN1119475A - 间隙中金属和薄膜混合读写头 - Google Patents

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Abstract

一种MIG和薄膜混合读写头使用较少的磁性材料从而降低了磁感应。混合头对探头高度公差较不敏感并对间隙和磁道之类的几何参数更好控制。混合头由各个磁心(210)、软磁层(201)、非磁性层(202)以及C形切口(204)组成。混合头由经过简化的较高成品率的工艺批量地制造。

Description

间隙中金属和薄膜混合读写头
背景技术
薄膜磁头工艺的一个优点是在一个批量工序中能够在一个片子上制造几千个器件然后加工成列以制作滑动触头。它采用复杂的工艺但比MIG(间隙中的金属)工艺所需要的人力资源更少。由于采用了光刻和真空淀积技术，薄膜磁头间隙和磁道宽度的几何清晰度被控制得很好。
然而，薄膜工艺技术是相当复杂的。强烈烘焙的光抗蚀剂产生的大形貌由于薄膜中磁极磁性的变坏和应力的改变而降低了批量成品率；在大形貌薄膜磁头上制作窄间距线圈也有困难，而且在确定对准良好的磁极尖(或采用磁道修整)方面也有困难。光抗蚀剂隔离由于磁性变坏而引起成品率下降并由于后续的强烈烘焙工序中收缩而改变探头高度。
薄膜磁头工艺的成品率也受未固化光抗蚀剂破裂的影响。薄膜磁头成品率下降的另一原因是它对探头高度非常敏感。这就要求用很高级的电子研磨引导工序来改善成品率。
现有技术的MIG磁头的制造更简单，对得到所需的探头高度更不敏感，并且在这方面的资源是丰富的。但其缺点是线圈要手工地一次一个滑动触头地绕制，而且滑动触头也是一次制造一个。这种非批量的制造工艺需要密集的人力资源。另一个缺点是几何控制(例如间隙和磁道宽度)很差。这就限制了MIG在高密磁盘驱动中的应用。关于高密磁盘驱动应用的另一个限制是其高的磁感应引起的。
因此，本发明的目的是提供一种磁感应业已降低且能够批量制造的MIG和薄膜混合读写头。
发明的简述
此处公开的MIG和薄膜混合读写头使薄膜磁头工艺的优点同MIG工艺的优点结合起来以制作高性能、高成品率和低成本的磁头。本发明采用现有的MIG工艺基础并加入了相似于薄膜磁头工艺的批量工序。这一新工艺借助于减小形貌使其成为平面工艺而变得更为简单而成品率高。本新工艺不需要强烈烘焙隔离，使成品率得到进一步提高。
本发明的混合磁头由于采用了MIG工艺而对探头高度公差更不敏感。在批量工序中采用薄膜磁头工艺并在平面形貌中形成了严格的几何参数(例如间隙和磁道)，致使几何控制更好。由于与现有技术的MIG磁头相比减少了磁性材料，这种混合磁头具有降低了的磁感应。
本公开的另一实施例用MIG/薄膜混合磁头来写数据，而用写磁头顶部上的MR磁头来读数据。在现有技术的MR读/写头中，写磁头(相对于旋转介质的滑动触头的尾端)位于MR读磁头(在前端处)的顶部。读间隙同写间隙之间的垂直距离确定了旋转传动装置的与半径有关的歪斜。当写头位于尾端时，此距离增加。这是由于转换被写到更靠近于写磁极的后沿。
而且，在分段MR读写头的现有技术中，当磁盘旋转时，写头(尾部)跟随着读头(头部)。因此，这种头不能读刚刚写入的转换。然而，在此处公开的MR读写头中，感应写头在前面MR读头在尾。亦即，MR头能够读刚刚写入的转换。而且，在新的MR读写头中，写入的转换靠近MR读间隙，这就降低了旋转传动装置与半径有关的歪斜效应。由于写头在其制作中采用了MIG工艺而对探头高度更不敏感，这就成为一种更健全的设计。在现有技术的MR读和感应写头中，是先做MR头然后在其顶部制作感应写头。
因而MR读头要经受薄膜写头的高温工序，由于各层之间可能发生互扩散而影响性能。本新发明先制造写头然后制作MR读头，这就消除了这一不利影响。
本发明的实施例这样就给出了一种新的有用的MIG和薄膜混合读写头及其新的有效的制造方法。磁心的制造及同滑动触头的接合以批量方式完成。含有MIG型材料的用玻璃接合分隔层分开的各个磁条被接合于制作滑动触头的衬底上。这种接合可在高温下完成，致使后续的热处理不影响接合的牢固性。这些磁条可以是多层MIG型材料或带有森达斯特合金的铁氧体或沉积于其上的高饱和材料。其上可沉积间隙材料和另一层磁性材料。然后以特定的间距制作C形切口，如果需要，可带一斜台。如果需要，可用机械研磨来确定磁道宽度。C形切口只部分进入磁条，但借助于从磁道方向清除所有的磁性材料而具有磁道清晰度。可用低熔点玻璃或任何非磁性材料来填充所有缝隙和空腔，然后磨平。这就形成一个埋置在衬底中的带有确定间隙和极尖的C形磁心。在被隔离层(例如氧化铝或二氧化硅型材料)分开的平坦表面上制作线圈层。将隔离材料从极尖和后罩区清除。然后制作顶部磁轭(最好是NiFe)以使顶部极尖同磁轭的后罩区接合从而形成完整的磁路。这就制成了高质量的批量生产的感应MIG型读写头。
在一个变换实施例中，接合的磁条借助于接合上述磁条的方法来形成，或者借助于把磁性衬底接合于制作滑动触头的衬底上并切割和清除磁性材料来形成。
C形切口和斜台用机械方法来制作。C形切口缝隙用低熔点玻璃或另一种非磁性材料填充，然后磨平。沉积间隙材料和另一层磁性材料。然后用光刻方法对极尖、后罩和对准标志进行图形化，然后对其进行腐蚀以形成磁道宽度至少进入部分底部磁心。(此图形也可借助于用可移走的金属掩模进行掩蔽然后腐蚀的方法来制作)。这造成一个抬高了的极尖、后罩和对准标志，所有其它区域都为高程较低的平坦状。再在平坦表面上制作由隔离材料(例如氧化铝或二氧化硅)分开的各线圈层。
本发明的另一实施例中，MR读头制作在写头的顶部上。磁心棒(最好是由玻璃接合材料以特定的间距分开的多层MIG棒)接合于制作滑动触头的衬底上。磁性材料的厚度确定了磁道宽度。C形切口和斜台用机械方法制作。C形切口缝隙用低熔点玻璃或任一种其它非磁性材料填充并磨平。沉积写头间隙材料和一层森达斯特合金并退火。然后对森达斯特合金膜进行图形化以形成MR读头的顶极/底屏蔽。在此屏蔽上制作带引线的MR结构。制作写线圈并沉积写头的磁轭部分以及顶屏蔽。其它的制作接合焊盘和封装步骤用常规方法进行。
在本发明的又一实施例中，线圈周围制作了一个多圈磁轭头，其下极用埋置一对C形切口磁心的方法来制作。
结合附图参照下列描述可更好地理解本发明的上述和其它优点，图中共用的数字表示公共的部件，其中：
图1A是C形切口单个磁心的透视图，磁道宽度示为多层磁性(森达斯特合金)膜的厚度。
图1B是合有C形切口行的棒的透视图。
图2是制作滑动触头的衬底的透视图，示出了X切口和Y切口沟槽。
图3示出了被玻璃接合/分隔层条分开的各个磁条。
图4是待要接合到一起的制作滑动触头的初底和磁性衬底的示意图。
图5A是接合在一起的磁性衬底和制作滑动触头的衬底的示意图。一行中的磁性材料被清除以形成接合的磁条。制作了C形切口以形成定位良好的C形切口磁心的列和行。
图5B是图5A沿A-A′的剖面图。
图6示出了片子上的C形切口沟槽。
图7是本发明的感应磁头的示意图。
图8是图7沿A-A′的剖面图。
图9是图7中的空气支撑表面(ABS)图(沿图B-B′剖面)。
图10A剖面示出了C形切口沟槽、间隙层、森达斯特合金层，它被图形化并腐蚀以形成感应写头的顶极尖和MR读头的底屏蔽。
图10B是位于感应写头顶部的MR读头的剖面图。
图11是图10B的ABS示意图。
图12是交错接合在一起的二个C形切口磁心的示意图。
图13是根据本发明形成在一个线圈周围的多圈磁轭头的示意图。
图14A-F是根据本发明形成在一个线圈周围的多圈磁轭头的示意图。
如下所述，本发明可制作MIG磁头或铁氧体磁头。如图1(A、B)所示，单个的磁心210或磁棒220组成一个多层MIG磁心，其制作方法是在衬底材料200上沉积一个被薄的(0.1μm)非磁性材料例如氧化铝202分隔开的软磁层例如森达斯特合金201。制作C形缝隙204(可以拔梢即倒角以形成斜台)。磁心210和磁棒220也可由铁氧体构成并在切出C形切口204之后沉积森达斯特合金。这些磁心210或磁棒220被接合到制作滑动触头的衬底230上。
在图2的方法中，衬底230带有一系列以完全确定的间距分布的局部X切口231和局部Y切口232。磁棒220被接合到缝隙231中，使C形切口204同缝隙232准确地对准。玻璃分隔层条和接合材料(未示出)填充C形切口204并使磁棒的参考表面215对准衬底230上的另一个，调整上述填充料并熔融以便将磁棒接合于衬底上。接合之后，可磨平衬底230并暴露磁心表面218或其附近部位。磁棒220也可以相互堆叠并参考制作滑动触头的衬底上的表面215而相互对准，然后接合，而且理想情况下最好再磨平。这就形成了一个平整的片子，其中埋置了C形磁心棒，形成底极(磁轭和端)。再制作间隙材料235(图8)，然后沉积另一层森达斯特合金236(图10A)并退火以便稍后制作顶磁极尖。第二磁极如下形成。
下一工序中，如图2所示将角落234处的森达斯特合金腐蚀掉，暴露出参考表面218和215，或者暴露出对准标志233(在前面步骤中可能已经确定了)。可对准后续各层掩模并用这些作为参考进行精确加工。
图3示出了被玻璃接合分隔层305分开的堆叠在制作滑动触头的衬底230上并熔连在一起的磁条301(可能是多层)。为得到更好的接合牢固性，在堆叠条301和分隔层305之前可在衬底230上沉积玻璃。拼合的表面被研磨或抛光以避免任何不规则性。
图4和图5示出了本发明的另一实施例。同磁性衬底300(例如由单晶铁氧体构成)一起示出了一个制作滑动触头的衬底299。在衬底299和300的拼合表面上沉积了接合材料玻璃289并在高温下熔合以将它们粘接在一起。衬底299本身可以是磁性的，此时无需衬底300。
在一种方法中，森达斯特合金或高饱和材料340(形成底磁极)、间隙材料235和高饱和或森达斯特合金材料239(形成顶部磁极尖)被相继沉积在磁性衬底300上。借助于研磨间隔320中的所有磁性材料而制作行310。行310的宽度可用来确定磁道宽度。行310的宽度也可以大于所需的磁道宽度，然后在后续步骤中可用光刻和离子研磨来确定最终的磁道宽度。C形切口330做成部分进入磁性材料300。例如，图6示出了这种C形切口磁心阵列。磁极尖区290和后罩区291为图所示。制作了被氧化铝隔离层226分开的线圈层241，并制作了例如NiFe的磁轭242(图7、8)，从而完成了磁路。
在一个变换实施例中，用光学图形化和离子研磨来确定磁道宽度。如前所述，参照图7和8，C形磁心210可由接合于制作滑动触头的衬底299上的多层磁性膜棒或磁性条构成，或者借助于接合磁性衬底300并用机械方法形成磁性条来制作。间隙材料235和一层最好是片状森达斯特合金材料236(图10A)被相继沉积。然后可在这些磁条中制作深入到磁性层300的C形切口330。然后用低熔点玻璃填充腔或沟道320和330并整平(即研磨)。
为确定磁道宽度，参照图7和8，制作了磁极尖区290、后罩区291和对准标志283的掩模图形，并进行离子研磨使磁心210中的深度最好等于探头的高度。这就得到一个除投影面308、307和对准标志283之外的平坦表面360。然后可制作被氧化铝隔离层226分开的多层线圈241。后间隙罩间隙材料227可能在前面步骤中已被清除。在隔离层226之后，最好镀以NiFe顶部磁轭242同246部位(顶磁极239的顶部)和247(后罩部分248的顶部)磁接触。图9示出了这种磁头的ABS示意图。
这种制造工艺有下列优点。所有关键工艺都主要在平坦表面上完成，而不像常规的薄膜磁头。例如，由磁道修整进行的磁道确定在平坦表面上完成；线圈层241在平坦表面上；顶部磁轭242也在平坦表面上。如果需要，强烘焙的光抗蚀剂可用作隔离材料，但氧化铝型材料更好。
由于上述MIGC形磁心提供的导磁面积大，故比之常规的薄膜磁头，这种磁头对探头高度的变化更不敏感。而且，磁极尖239和307由森达斯特合金制成，它比薄膜磁头NiFe磁极尖的衰退和损坏更小。根据此处公开的新的磁头工艺，所有这些特征都明显地改善了工艺成品率。
本发明的另一实施例是在上述用于写的感应磁头的顶部制作一个MR读头，如图10B所示。一个更简单的方法是如上所述制作一个埋置在片子中的最好由多层MIG构成的C形磁心。在用玻璃填充空腔330并整平之后，如果表面309相对于表面307凹下，则沉积一额外的非磁性材料层(光抗蚀剂、氧化铝、非磁性金属如铜之类)并腐蚀掉区域307、247等。这是为了避免区域309中磁极尖239附近发生翘曲。在沉积写间隙235和森达斯特合金层236(小片239和248由层236构成)之后，借助于对准标志233(图2)，在层236中制作图形239并进行腐蚀以暴露表面238。
如果由于某种原因而在行之间的定位中出现某种随机的不对准，利用光学图形中的分步技术和参考面238，后续各层图形可相对于底磁极的磁道形成部位225而准确地确定在片子上。在制作线圈241之后，可沉积隔离氧化铝226并从247处表面和239处顶部腐蚀掉。然后沉积第一MR读间隙248、MR薄膜结构及其引线240和第二MR读间隙249。再从246和247腐蚀间隙材料从而暴露线圈接触区282、280、281等(图7)。然后镀NiFe顶部磁轭242、顶部MR屏蔽245和引线280等。完成磁头的其它步骤用常规方法执行。
图11是图10B所示磁头的ABS示意图。如所示，部位225的宽度(TW)确定了写磁道的宽度。由于在多层MIG中，厚度TW控制得非常精确，故能制作磁道非常窄的写头。
这就制成了一种用于写的MIG/薄膜混合磁头和一种位于写头顶部的用于读数据的MR磁头。在这种新的MR读写磁头中，相对于旋转介质上的数据，感应写头在前面MR读头在后。亦即，MR头能够读出刚刚写入的转换。而且，在这种新的磁头中，写入的转换靠近MR读间隙，这就降低了在典型的旋转装置中与半径有关的歪斜效应。由于在制作写头时采用了MIG工艺而使写头对探头高度的改变更不敏感，故这是一种更健全的设计。
在此处公开的新发明中，首先制造写头然后制作MR读头，从而消除了对多层、薄且灵敏的MR薄膜结构的不利温度影响。
在本发明的另一实施例中，借助于以不同的线圈区段多次折叠磁轭而使同一线圈层多层与磁轭耦合的方法来制作磁头。图12示出了被分隔层400分开并同C形磁心411连在一起的C形磁头410。图13示出了以同一个线圈241多次折叠磁轭。磁轭410进入线圈241的前段250之下；磁轭442进入线圈241的背侧251之上；磁轭411进入线圈241的背侧251之下；而磁轭443进入线圈241的前段250之上。于是磁轭同线圈连结二次，从而增加了有效圈数而改善了磁通耦合。
磁轭区段中的磁化被确定为使磁力线基本上垂直于磁化而行进以提高磁头效率。磁轭区段442和443可用铁氧体材料、镀制NiFe或任何其它软磁材料制作。
磁轭区段442分别在部件431和430处磁耦合到磁轭区段410和411。磁轭区段443在部件432处磁耦合到磁轭区段411。在制造工序中，C形切口磁心410和411接合，而且空腔被填充并整平。沉积间隙材料235和软磁材料236。为了确定磁道宽度420，制作了磁极尖区290、后罩区431、430、432和对准标志283的掩模图形，并进行腐蚀使进入磁心410和411一个最好等于探头高度的深度。这样，除去投影表面420、430、431、432和对准标志283之外，就得到一个平坦的表面360。再制作被氧化铝隔离层226分开的多层线圈241。在隔离层226之后，最好镀一个NiFe顶部磁轭442和443与部件431、430和432磁接触。
作为一个例子，图14示出了折叠磁轭头的制作工艺顺序。图14A示出了粘接在制作滑动触头的衬底299上的磁条310。这可如前所述那样利用将磁性衬底300同制作滑动触头的衬底299接合起来并加工出部位320的办法来制作。如图14B所示，对区域451进行加工以清除磁性材料，然后如图14C所示将磁条453同衬底299接合，用分隔层400同区域452分隔开。分隔层400可在表面401上于453上沉积玻璃来制作。磁条453被接合在相对于452更高的高程上，致使当在磁片452中制作C形切口330时，可以清除图14D所示区域457中的全部磁性材料。
为了如图12所示制作交错的C形切口磁心对，沟道454切穿磁条453，清除其中的磁性材料。还制作了C形切口330和461。由于磁条453接合在较高的高程处，故当制作C形切口330时，也从区域457中清除全部磁性材料。然后制作C形切口461。制作C形切口461过程中剩余的材料459不会有任何不良影向。这就制成了图12所示的交错的C形切口磁心对。部位455将构成底磁极尖。如果需要，可在滑动触头制造工序中清除附着物456。
此时可在凸出部431-432的周围沉积线圈241，如图14E所示。线圈241可以机械绕制而不用光刻和镀膜技术批量地沉积。手绕线圈的优点是线圈电阻低。绕制线圈之后，可用强烘焙光抗蚀剂、环氧树脂或氧化铝型材料填充凹下的区域。然后制作顶部磁轭部件442和443以完成图14F所示的磁路。此磁轭可以接合铁氧体、镀制NiFe或任何其它软磁材料。
前面的描述均限于本发明的特定实施例。然而，显然对本发明可作各种改变和修正而获得本发明的某些或全部优点。因此，所附权利要求的目的是覆盖不超越本发明的构思与范围的全部这种变化。本发明用下列权利要求细目来提出。

Claims (49)

1.一种制造磁性存储器件的方法，此存储器件用来以磁通量的形式对相对于它而运动的磁性介质上的数据进行读或写，它包含下列步骤：
在制作滑动触头的衬底上制作一个C形切口的磁心，并藉以在批量工艺中制作磁头。
2.权利要求1的方法还包含制造作为上述批量工艺片子的衬底的步骤。
3.权利要求2的方法还包含在片子上制作一个线圈和一个第二磁极的步骤。
4.权利要求3的方法，其中所述的制作包括制作一个读写感应磁头或MR读写磁头的写头，其中的磁头是一种MIG/薄膜混合磁头。
5.一种磁性存储器件的读写磁头，它包含：
一种感应写头和一个MR头，MR头制作在写头的顶部。
6.权利要求1的方法包含在片子上用下列方法制作C形切口磁心的步骤：
A.在制作滑动触头的衬底上堆叠以固定间隔距离的各磁条，
B.在制作滑动触头的衬底上接合各磁条，
C.在磁条中制作一个C形切口以形成一个缝隙，以及
D.用非磁性材料填充此缝隙并整平。
7.权利要求1的方法包括用下列方法使C形切口磁心形成为一个片子：
A.使磁性衬底同制作滑动触头的衬底接合，
B.切出很多行或沟道以清除磁性材料从而在制作滑动触头的衬底上形成接合的各磁条，
C.在条中制作C形切口以形成缝隙，以及
D.用非磁性材料填充缝隙并整平。
8.权利要求1的方法包括下列步骤：
A.使磁性衬底同制作滑动触头的衬底接合，
B.沉积间隙材料，
C.沉积森达斯特合金材料，
D.切出沟道以清除磁性材料从而形成磁条，
E.在各磁条中制作C形切口缝隙至少部分进入第一磁性材料层，
F.填充缝隙并整平，
G.至少制作一个由隔离分开的线圈层，以及
H.制作使前端同后罩接合的上部磁极以形成完整的磁路。
9.权利要求1的方法还包括下列步骤：
A.在制作滑动触头的衬底上堆叠以固定间隔距离的磁条，
B.在制作滑动触头的衬底上接合各磁条，
C.在各磁条中制作C形切口以形成缝隙，
D.用非磁性材料填充缝隙并整平，
E.沉积间隙材料并沉积软磁材料，
F.对极尖结构进行图形化以确定磁道宽度和背面区域结构，并进行腐蚀以形成这种结构，
G.沉积由隔离分开的线圈层，以及
H.沉积使尖区同后罩磁接合的软磁材料以形成完整的磁路。
10.一种制作磁性存储器件的方法，此存储器件用来以磁通量的形式对相对于磁头而运动的磁性介质上的数据进行读或写，此方法包含下列步骤：
借助于以不同的线圈区段多次折叠线圈使线圈层多次同磁轭耦合而制成一个MIG和薄膜混合型磁头。
11.权利要求10的方法，其中的线圈是多层的。
12.权利要求10的方法，其中的磁头由下述方法制作：
A.在制作滑动触头的衬底上堆叠以固定距离由间隔材料分开的磁心，
B.在制作滑动触头的衬底上粘接各磁心，
C.用非磁性材料填充缝隙并整平，
E.沉积间隙材料并沉积软磁材料，
F.对极-尖结构进行图形化以确定磁道宽度、背面区和对准图形，并进行腐蚀以形成图形，
G.沉积由隔离分开的线圈层，以及
H.沉积磁接合的软磁轭材料以形成完整的磁路。
13.一种用来以磁通量的形式对相对于磁头而运动的磁性介质上的数据进行读写的磁性存储头器件，它包含：
一个在制作滑动触头的衬底上构成一个底磁极、一个间隙材料层、一个顶极尖区和一个后罩区的C形切口磁心，顶磁极尖区和后罩区由相同的沉积薄层组成并由上部磁性层接合以形成磁路。
14.权利要求13的器件，包含一个感应写头和一个MR读头，其中的MR读头制作在感应写头的顶部。
15.权利要求13的器件，其中的C形切口磁心包含制作滑动触头的衬底上的一叠以固定距离间隔开的磁条，这些磁条接合在制作滑动触头的衬底上，而且在各磁条中至少制作了一个C形切口以形成缝隙，此缝隙用非磁性材料填充。
16.权利要求13的器件，其中的C形切口磁心制作成接合于制作滑动触头的衬底上的磁性衬底，其衬底上切出的行或沟道用来清除磁性材料以便在制作滑动触头的衬底上形成接合的磁条，磁条中有C形切口，而C形切口的缝隙用非磁性材料填充。
17.权利要求13的器件，其中的磁性衬底同制作滑动触头的衬底接合，其上制作了一个间隙材料层，其上形成了森达斯特合金(例如290、291、283)，在各磁条中形成了C切口缝隙且缝隙被填充并整平，其上形成线圈层和隔离，其顶磁极使前尖同后罩接合以完成磁路。
18.权利要求13的器件还包含：
制作滑动触头的衬底上的一叠由接合材料以固定的距离分开的磁条。
19.权利要求18的器件，还包含制作滑动触头的衬底上的接合的磁条，磁条中有C形切口缝隙，缝隙用非磁性材料填充，其上制作了软磁材料层，其上形成了图形化磁极尖、后罩区和对准图形，其上带有一个由隔离分开的线圈层，并盖以软磁材料使尖区同后罩磁接合以完成磁路。
20.权利要求13的器件，还包含一个MIG和薄膜混合型磁头，此磁头具有一个通过以不同的线圈区段多次折叠磁轭而同磁轭多次耦合的线圈层。
21.一种磁性存储设备的读写头，它包含一个感应写头和一个MR头，此MR头制作在写头顶部。
22.权利要求21的器件，还包含一个衬底和一个埋置于衬底中的磁心。
23.权利要求22的器件，其中的写磁道宽度由磁心的厚度确定。
24.权利要求22的器件，其中的埋置磁心确定了写磁道宽度。
25.权利要求22的器件，其中的埋置磁心确定了写磁道宽度并且是写头的引线极。
26.权利要求22的器件，其中的埋置磁心由多层磁性膜构成。
27.权利要求13的器件，其中至少一个极由多层磁性膜构成。
28.权利要求13的器件，其中的各个极尖以它们之间的间隙在空气支撑表面(ABS)处终止，其中至少一个磁心在ABS处宽于所需的磁道宽度，且其中间隙周围的各极尖为确定磁道宽度基本上尺寸相同。
29.权利要求13的器件，其中的各个极尖终止于空气支撑表面(ABS)处，且ABS处的极尖由森达斯特合金构成。
30.权利要求13的器件，其中至少一个磁心由多层森达斯特合金构成。
31.权利要求9的方法，还包含对第一极进行腐蚀至少达到等于探头高度的深度的步骤。
32.权利要求9的方法，还包含制作多层软磁膜埋置磁心的步骤。
33.权利要求32的方法，还包含使多层埋置磁心的厚度大于所需磁道宽度的步骤。
34.权利要求32的方法，还包含制作森达斯特合金膜的步骤。
35.权利要求31的方法，还包含离子束腐蚀的步骤。
36.一种制作磁性存储器件读写头的方法，它包含：
a.制作一个埋置于衬底中的磁心，
b.在磁条中制作一个C形切口以形成一个缝隙，
c.用非磁性材料填充缝隙并整平，
d.沉积写间隙材料，并从后罩区清除写间隙材料，
e.沉积一薄层磁性材料，
f.对磁性材料的顶部进行图形化和腐蚀以形成写头的顶部极尖和MR头的底屏蔽，
g.至少制作一个线圈和隔离层，
h.制作一个第一读间隙、一个MR结构和一个第二读间隙，以及
i.制作使后罩同底屏蔽接合的顶部MR屏蔽和磁轭区。
37.权利要求36的方法，还包含制作森达斯特合金膜构成的底屏蔽。
38.权利要求36的方法，还包含制作多层磁性膜构成的埋置磁心的步骤。
39.权利要求36的方法，还包含经由埋置磁心的厚度确定写磁道宽度的步骤。
40.一种制作带有同磁轭多次耦合的线圈层的磁头的方法，它包含：
以不同线圈区段多次折叠磁轭，从而借助于在衬底中形成一个交错的埋置磁心而实现磁轭的折叠。
41.权利要求40的方法，还包含下列步骤：埋置一对彼此相邻且被非磁性材料分隔开的磁心的步骤，其中一个磁心同另一个磁心所处的高度不同，以致当在高度较高的磁心中制作C形切口时，C形切口经过的另一磁心的磁性材料区段被清除；
在邻近并平行于第一C形切口的高程较高的磁心中制作C形切口以形成二个相邻的彼此分开的磁柱；
用非磁性材料填充缝隙并整平，致使围绕着相邻的磁柱至少形成一层线圈和隔离层；以及
沉积一个软磁层，使磁心的前部同相邻磁心的背部接合以完成磁路。
42.权利要求41的方法，还包含至少制作一个多层膜构成的磁心的步骤。
43.权利要求40的方法，还包含在磁心材料的ABS处制作宽度大于所需磁道宽度的极尖，然后用腐蚀制作所需磁道宽度的步骤。
44.权利要求41的方法，还包括用接合材料分隔层使磁条分开的步骤。
45.权利要求9的方法，还包括使磁条同接合材料分隔层分开的步骤。
46.一种用来以磁通量的形式对相对于磁头而运动的磁性介质上的数据进行读写的磁性存储头器件，它包含一个制作滑动触头的衬底上的C形切口磁心，形成一个底极、一个间隙材料层、一个顶极尖区和一个后罩区，顶极尖区和后罩区由同一沉积层构成且用磁性上层接合以形成磁路，其中的C形切口磁心包含制作滑动触头的衬底上的一叠以固定距离隔开的磁条，各磁条接合在制作滑动触头的衬底上，而且在磁条中至少制作一个C形切口以形成一个缝隙，此缝隙用非磁性材料填充，其中的磁轭确定为带有多个彼此由隔离层分开的线圈层，其上形成有磁性层以形成磁力线流通的磁路。
47.权利要求46的器件，还包含一个MIG和薄膜的混合型磁头，此磁头带有一个经由以不同的线圈区段多次折叠磁轭而同磁轭多次耦合的线圈层。
48.一种制作磁性存储设备读写磁头器件的方法，此磁头器件制作在片子上，该方法包含至少制作一个埋置在片子中的磁心的步骤。
49.权利要求48的方法还包含制作多层软膜构成的埋置磁心的步骤。
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