JPS583217A - 金属化フイルムコンデンサ - Google Patents
金属化フイルムコンデンサInfo
- Publication number
- JPS583217A JPS583217A JP10214781A JP10214781A JPS583217A JP S583217 A JPS583217 A JP S583217A JP 10214781 A JP10214781 A JP 10214781A JP 10214781 A JP10214781 A JP 10214781A JP S583217 A JPS583217 A JP S583217A
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- Japan
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- film
- capacitor
- deposited
- metal
- mpp
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- Granted
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属化フィルムコンデンサに関するものである
。
。
近年ポリエステルフィルム(以下PETフィルムという
)やポリプロピレンフィルふ(以下PPフィルふという
)にZn金属やA/金金属蒸着したコンデンサが使用さ
れるよう罠なうた。PETフィルムに対しては、一般的
にZn金属が蒸着されたものが使用されているが、この
PETフィルムを用いたコンデンサにおいては、75〜
80℃以上になると誘電圧°接が急激に増加し熱暴走す
る欠点があシ、年々使用温度が過酷になってきているコ
ンデンサには使用できず、おのずと周囲温度および電位
傾度に限界がある。それに反してPPフィルムはフィル
ム0舟の融点以下であれば、誘電正接は非常に安定して
おシ、特に高温、高電圧使用においてはPPフィルムを
使用する傾向忙ある。
)やポリプロピレンフィルふ(以下PPフィルふという
)にZn金属やA/金金属蒸着したコンデンサが使用さ
れるよう罠なうた。PETフィルムに対しては、一般的
にZn金属が蒸着されたものが使用されているが、この
PETフィルムを用いたコンデンサにおいては、75〜
80℃以上になると誘電圧°接が急激に増加し熱暴走す
る欠点があシ、年々使用温度が過酷になってきているコ
ンデンサには使用できず、おのずと周囲温度および電位
傾度に限界がある。それに反してPPフィルムはフィル
ム0舟の融点以下であれば、誘電正接は非常に安定して
おシ、特に高温、高電圧使用においてはPPフィルムを
使用する傾向忙ある。
しかし、第1図に示すようにPPフィルムKA/金属を
蒸着したメタライズドフィルム(以下MPPフィルムと
いう)1を用いたコンデンサにおいては、印加される電
圧が高くなると、コンデンサ端面から発生するコロナに
よりW、極マージン2側に蒸着されたAJ金金属飛散し
、またMPPフィルム自身ブロッキング作用があり、ま
た絶縁油なとの含浸性が非常に悪いため、空気などのボ
イドの混入が非常に起こりやすい。このためコロナが発
生しやすくなり、上述と同様にその部分に蒸着されたA
I!金属が飛散し1.7ISC4908で規定されてい
るコンデンサの耐用性試験における容量減少率±4%を
大幅に上相る結果が実験的に得られ九〇 また、Zn金属を蒸着したMPPフィルムコンデンサに
おいて同様な実験を試みた結果、上述したAJ金金属蒸
着したMPPフィルムコンデンサのような容量減少はほ
とんどみられなかったが、コンデンサの誘電正接が大幅
に増大し品質の安定したコンデンサを得ることはできな
かった。そこでこの原因を調査した結果、Zn金属を蒸
着したMPPフィルムコンデンサにおけるコロナ発生は
、基本的にはA l 、Z n蒸着MPPフィルムコン
デンサともかわらないが、コロナを受けた影響に差があ
ることが判明した。
蒸着したメタライズドフィルム(以下MPPフィルムと
いう)1を用いたコンデンサにおいては、印加される電
圧が高くなると、コンデンサ端面から発生するコロナに
よりW、極マージン2側に蒸着されたAJ金金属飛散し
、またMPPフィルム自身ブロッキング作用があり、ま
た絶縁油なとの含浸性が非常に悪いため、空気などのボ
イドの混入が非常に起こりやすい。このためコロナが発
生しやすくなり、上述と同様にその部分に蒸着されたA
I!金属が飛散し1.7ISC4908で規定されてい
るコンデンサの耐用性試験における容量減少率±4%を
大幅に上相る結果が実験的に得られ九〇 また、Zn金属を蒸着したMPPフィルムコンデンサに
おいて同様な実験を試みた結果、上述したAJ金金属蒸
着したMPPフィルムコンデンサのような容量減少はほ
とんどみられなかったが、コンデンサの誘電正接が大幅
に増大し品質の安定したコンデンサを得ることはできな
かった。そこでこの原因を調査した結果、Zn金属を蒸
着したMPPフィルムコンデンサにおけるコロナ発生は
、基本的にはA l 、Z n蒸着MPPフィルムコン
デンサともかわらないが、コロナを受けた影響に差があ
ることが判明した。
つt リAJI着MPPフィルムコンデンサはコロナを
受けた時、コロナによるエネルギーによりA7が飛散し
PPフィルムより消失するが、Zn・蒸着MPPフィル
ムコンデンサは蒸着強度を4たすためCuが波付される
。このためZn金属の機械的、亙気的ストレスに対する
強度が増すため、A7の場合のようにPPフィルムより
の消失現象ハ起こらないが、ベースフィルムでアルP
P フィルムを劣化させるため誘電正接を悪くしている
ことがわかった。
受けた時、コロナによるエネルギーによりA7が飛散し
PPフィルムより消失するが、Zn・蒸着MPPフィル
ムコンデンサは蒸着強度を4たすためCuが波付される
。このためZn金属の機械的、亙気的ストレスに対する
強度が増すため、A7の場合のようにPPフィルムより
の消失現象ハ起こらないが、ベースフィルムでアルP
P フィルムを劣化させるため誘電正接を悪くしている
ことがわかった。
そこで本発明者等は上述の膚に艦みて種々実験を縁返し
た結果、負荷寿命特性が優れ、信lfl性の高い金属化
フィルムコンデンサ′が得られることを見出した。
た結果、負荷寿命特性が優れ、信lfl性の高い金属化
フィルムコンデンサ′が得られることを見出した。
すなわち、本発明の要旨とするところは、Zn蒸着膜を
有するプラスチックフィルムトAI!蒸着膜ヲ有するプ
ラスチックフィルムとを積層巻回してコンデンサ素子を
形成し、該コンデンサ素子の咽部にメタリコンを施こし
て電極導出部を購成した仁とを特徴とする金属化フィル
ムコンデンサである。
有するプラスチックフィルムトAI!蒸着膜ヲ有するプ
ラスチックフィルムとを積層巻回してコンデンサ素子を
形成し、該コンデンサ素子の咽部にメタリコンを施こし
て電極導出部を購成した仁とを特徴とする金属化フィル
ムコンデンサである。
以下1本発明をさらに詳述する。
第2図はコンデンサ素子の要部展開斜視図で、A/金金
属蒸着したMPPPPフィルム°3n金属を蒸着したM
PPフィルム4とを積層巻回してコンデンサ素子を形成
し、該コンデンサ素子の咽部にメタリコンを施こして電
極導出部5が形成されたものである。
属蒸着したMPPPPフィルム°3n金属を蒸着したM
PPフィルム4とを積層巻回してコンデンサ素子を形成
し、該コンデンサ素子の咽部にメタリコンを施こして電
極導出部5が形成されたものである。
まずAJ金金属蒸着し九MPPフィルムおIよびZn金
属を蒸着し九MPPフィルムをそれぞれクリア試験、絶
縁破壊電圧、膜抵抗測定および誘電正接測定を行なった
結果を第1表に示す。
属を蒸着し九MPPフィルムをそれぞれクリア試験、絶
縁破壊電圧、膜抵抗測定および誘電正接測定を行なった
結果を第1表に示す。
第1表
(
(各試料群の数は10個である)
第1表においてクリア個数は100 VDC/μの電圧
を印加し、2111’中の絶繰債数をかぞえI当りに換
算した値、絶縁破壊電圧(B、D、V、)値はJISC
2319,233oに準じて測定した値を示す。また誘
電正接はコンデンサの誘電正接を示す。Zn金属を蒸着
したMPPフィルムの場合、膜抵抗値が2Ω/口未満ま
たAI!金属を蒸着したMPPフィルムの場合膜抵抗値
が3Ω/口未満のものを使用すると、MPPフィルムの
絶縁欠陥個数が増加するとともに、蒸着膜圧が厚くなっ
ているため自己回復時のエネルギーが大きくなシ、この
ためベースフィルムであるPPフィルムの溶融も大きく
なり自己回復がしにくくなる。つまり異常破壊を起こす
確率が大きくなる。またZn金属を蒸着したMPPフィ
ルムの場合、膜抵抗値が60/口を越え、AI!金属を
蒸着したMPPフィルムの場合15Ω/口を越えたもの
を使用すると、メタリコンの接触が悪くなシ誘電正接が
増加し、またメタリコンの下部よシ発熱しゃすくなり異
常破壊を起こす原因となる。
を印加し、2111’中の絶繰債数をかぞえI当りに換
算した値、絶縁破壊電圧(B、D、V、)値はJISC
2319,233oに準じて測定した値を示す。また誘
電正接はコンデンサの誘電正接を示す。Zn金属を蒸着
したMPPフィルムの場合、膜抵抗値が2Ω/口未満ま
たAI!金属を蒸着したMPPフィルムの場合膜抵抗値
が3Ω/口未満のものを使用すると、MPPフィルムの
絶縁欠陥個数が増加するとともに、蒸着膜圧が厚くなっ
ているため自己回復時のエネルギーが大きくなシ、この
ためベースフィルムであるPPフィルムの溶融も大きく
なり自己回復がしにくくなる。つまり異常破壊を起こす
確率が大きくなる。またZn金属を蒸着したMPPフィ
ルムの場合、膜抵抗値が60/口を越え、AI!金属を
蒸着したMPPフィルムの場合15Ω/口を越えたもの
を使用すると、メタリコンの接触が悪くなシ誘電正接が
増加し、またメタリコンの下部よシ発熱しゃすくなり異
常破壊を起こす原因となる。
次に上述とZn金属を蒸着したMPPフィルムの試料群
Bと、AI!金属を蒸着し九MPPのフィルム試料群E
とを組合せて第2図に示すように積層巻回してコンデン
サ素子を形成し、該素子の端部に組成比Pb77wt%
、Sn20wt%、Sb1wt’4、Z n 2 w
t%からなる溶融金属を吹付けてメタリコンを施こして
IEfM導出部を形成し、バフフィン系ワックスを含浸
した後、ケースに収納して定格400WVAC,12μ
F O金II 化フィルムコンデンサを製作した。
Bと、AI!金属を蒸着し九MPPのフィルム試料群E
とを組合せて第2図に示すように積層巻回してコンデン
サ素子を形成し、該素子の端部に組成比Pb77wt%
、Sn20wt%、Sb1wt’4、Z n 2 w
t%からなる溶融金属を吹付けてメタリコンを施こして
IEfM導出部を形成し、バフフィン系ワックスを含浸
した後、ケースに収納して定格400WVAC,12μ
F O金II 化フィルムコンデンサを製作した。
上記金属化フィルムコンデンサをJISC4908に準
じ温度80℃、試験電圧60VAC/μ にて連続通電
し、24時間後の測定値を初期値とし、500時間後、
1000時間後の静電容量および高温損失率(誘電圧!
f?)を測定し、それぞれの変化率を求めた結果を98
3図および第4図に示す。
じ温度80℃、試験電圧60VAC/μ にて連続通電
し、24時間後の測定値を初期値とし、500時間後、
1000時間後の静電容量および高温損失率(誘電圧!
f?)を測定し、それぞれの変化率を求めた結果を98
3図および第4図に示す。
第4図中誘電正接は75tにおいて測定した値である。
なお、図中曲線aおよびbは比較のための試料で、曲線
aはZn金属を蒸着し九MPPフィルムを2枚積層巻回
して製作したコンデンサ、曲線すはAJ金金属蒸着した
MPPフィルムを2枚積層巻回して製作したコンデンサ
である0曲Iscは本発明の実施例によるAJ金金属蒸
着し九MPP74yvムとZn金属を蒸着したMPPフ
ィルムとを積層巻回して製作したコンデンサである。
aはZn金属を蒸着し九MPPフィルムを2枚積層巻回
して製作したコンデンサ、曲線すはAJ金金属蒸着した
MPPフィルムを2枚積層巻回して製作したコンデンサ
である0曲Iscは本発明の実施例によるAJ金金属蒸
着し九MPP74yvムとZn金属を蒸着したMPPフ
ィルムとを積層巻回して製作したコンデンサである。
第3図および第4図から明らかなように本発明品は誘電
正接の賢化が少なくかつ容量変化率も規格値を充分満足
し、Zn金属およびA/金金属欠点を除去し九信籾性の
高い金属化コンデンサが得られた。
正接の賢化が少なくかつ容量変化率も規格値を充分満足
し、Zn金属およびA/金金属欠点を除去し九信籾性の
高い金属化コンデンサが得られた。
第2表は上述の*施例においてメタリコン用金属の組成
比を種々変えて試験した結果を比較し丸ものである。
比を種々変えて試験した結果を比較し丸ものである。
第2表
(各試料群の数は10個である)
第2表中断続寿命試験はJIS C4908に準拠して
行なった。また充放電試験はメタリコン接続部の耐電流
性を評価するためにMPPフィルム長さ方向1′rrL
当り16A流れるように設定し、2秒ON12秒OFF
の繰返しを10万回行なった後、I KHz におけ
る誘電正接の変動により判定したものである。412表
から試料群Y、ZK区分された組成比によるメタリコン
金属を施こし九本発明に係る金属化フィルムコンデンサ
は断続寿命試験および充放電試験においても異常品は発
生せず、安定した特性が得られることが立証された。な
お試料群2に用いたメタリコン金属はSnの含有量が比
較的多くコスト高になる。
行なった。また充放電試験はメタリコン接続部の耐電流
性を評価するためにMPPフィルム長さ方向1′rrL
当り16A流れるように設定し、2秒ON12秒OFF
の繰返しを10万回行なった後、I KHz におけ
る誘電正接の変動により判定したものである。412表
から試料群Y、ZK区分された組成比によるメタリコン
金属を施こし九本発明に係る金属化フィルムコンデンサ
は断続寿命試験および充放電試験においても異常品は発
生せず、安定した特性が得られることが立証された。な
お試料群2に用いたメタリコン金属はSnの含有量が比
較的多くコスト高になる。
なお、上述の実施例は含浸剤にバフフィン系ワックスを
用いた例について述べたが、ポリエチレン系ワ呼りス、
アタックチックポリプロピレン系ワックスなど融点が7
0〜120℃の範囲の固形状絶縁剤を用いたものについ
ても同様な結果が得られた。また固形状絶縁剤を用いず
非含浸あるいは液状絶徽剤を含浸したコンデンサ素子を
用いて構成したものについても同様な結果が得られた。
用いた例について述べたが、ポリエチレン系ワ呼りス、
アタックチックポリプロピレン系ワックスなど融点が7
0〜120℃の範囲の固形状絶縁剤を用いたものについ
ても同様な結果が得られた。また固形状絶縁剤を用いず
非含浸あるいは液状絶徽剤を含浸したコンデンサ素子を
用いて構成したものについても同様な結果が得られた。
叙上のように本発明の金属化フィルムコンデンサは、寿
命特性、充放電特性などコンデンサの電気特性を著しく
向上せしめ、工業的ならびに実用の要部展開斜視図、第
2図は本発明の一実施例の金属化フィルムコンデンサ素
子の要部展開斜視図、第3図は本発明品と従来品とを比
較した金属化フィルムコンデンサの容量変化率−通電時
間特性図、第4図は本発明品と従来品とを比較した金属
化フィルムコンデンサの誘電正接−通電時間特性図であ
る。
命特性、充放電特性などコンデンサの電気特性を著しく
向上せしめ、工業的ならびに実用の要部展開斜視図、第
2図は本発明の一実施例の金属化フィルムコンデンサ素
子の要部展開斜視図、第3図は本発明品と従来品とを比
較した金属化フィルムコンデンサの容量変化率−通電時
間特性図、第4図は本発明品と従来品とを比較した金属
化フィルムコンデンサの誘電正接−通電時間特性図であ
る。
3:Al!金属を蒸着したポリプロピレンフィルム4:
Zn金属を蒸着し九ポリプロピレンフィルム5:電極導
出部 特許出願人 日本コンデンサ工業株式会社′
Zn金属を蒸着し九ポリプロピレンフィルム5:電極導
出部 特許出願人 日本コンデンサ工業株式会社′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) ZnN着Fljを有するプラスチックフィル
ムとAI!蒸着輯を有するプラスチックフィルムとを積
層巻回してコンデンサ素子を形成し、該コンデンサ素子
の端部にメタリコンを施こしてt極導出部を形成したこ
とを特徴とする金属化フイAI!蒸着の場合3〜150
/口であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の金属化フィルムコンデンサ。 (3)上記メタリコンの金属は次や組成からなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の金属化フイtv
ムコンデンサ。 Pb 80.5〜7311景% 8n 18〜22重景% 8b O,5〜 2重量% Zn 1〜3重量形
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10214781A JPS583217A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 金属化フイルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10214781A JPS583217A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 金属化フイルムコンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS583217A true JPS583217A (ja) | 1983-01-10 |
JPH0232769B2 JPH0232769B2 (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=14319626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10214781A Granted JPS583217A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 金属化フイルムコンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS583217A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60725A (ja) * | 1983-04-02 | 1985-01-05 | オ−・デ・ア−・エム−オフイス・ドウ・デイストリビユ−シヨン・ダアツパレイユ・メデイカウツクス | 高エネルギで高直流電圧の放電コンデンサ |
JPS60101734U (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-11 | ニチコン株式会社 | 金属化フイルムコンデンサ |
JPH02127023U (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-19 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5385365A (en) * | 1977-01-03 | 1978-07-27 | Siemens Ag | Selffhealing capacitor |
JPS5748615U (ja) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4140302A (en) * | 1978-02-27 | 1979-02-20 | Lynch Roland H | Jet impingement cooling device |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10214781A patent/JPS583217A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5385365A (en) * | 1977-01-03 | 1978-07-27 | Siemens Ag | Selffhealing capacitor |
JPS5748615U (ja) * | 1980-09-03 | 1982-03-18 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60725A (ja) * | 1983-04-02 | 1985-01-05 | オ−・デ・ア−・エム−オフイス・ドウ・デイストリビユ−シヨン・ダアツパレイユ・メデイカウツクス | 高エネルギで高直流電圧の放電コンデンサ |
JPS60101734U (ja) * | 1983-12-14 | 1985-07-11 | ニチコン株式会社 | 金属化フイルムコンデンサ |
JPH0227553Y2 (ja) * | 1983-12-14 | 1990-07-25 | ||
JPH02127023U (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0232769B2 (ja) | 1990-07-23 |
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