JPS5831214Y2 - 記憶装置用電源回路 - Google Patents

記憶装置用電源回路

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JPS5831214Y2
JPS5831214Y2 JP12800279U JP12800279U JPS5831214Y2 JP S5831214 Y2 JPS5831214 Y2 JP S5831214Y2 JP 12800279 U JP12800279 U JP 12800279U JP 12800279 U JP12800279 U JP 12800279U JP S5831214 Y2 JPS5831214 Y2 JP S5831214Y2
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JP
Japan
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power
storage device
diode
resistor
power supply
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JP12800279U
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JPS5645932U (ja
Inventor
康二 野田
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株式会社東芝
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は停電に際しても確実に電力を供給し記憶装置
のセット状態を保持し得る記憶装置用電源回路に関する
たとえばFM放送局の多局化に伴い、受信機における選
局操作も煩雑化してくる。
このため選局動作のプリセット化が行われるが、従来よ
り行われている同調素子の固定化によるプリセット化は
その数に制限されてしまい、限度がある。
そこで局部発振周波数を分局器により作り、この分周器
の分周数を電子的に変化させることによって選局動作を
行わせることが考えられている。
そしてこの分局器の分周数を決定するのに記憶装置の出
力を用い、この記憶装置に予め選局内容をプリセットす
るようにする。
このような構成によれば純電子的にプリセットし且つ選
局動作が行われるので、プリセットする局数も殆んど無
限に設定し得、その操作も簡単に行うことができる。
ところでこの記憶装置を用いた場合、純電子的なプリセ
ットであるため、電源がオフになると全てがリセットさ
れてしまう。
このため、非選局操作時でも記憶装置に電力を供給し続
けなければならないが、停電の場合にはリセットされて
しはう事故が生じる。
そこで、従来では第1図に示すような回路を用いて記憶
装置の記憶内容を保持するようにしていた。
すなわち、交流入力端となるプラグ1の一端は電源スィ
ッチ2及び接続端子3を介して図示しない受信機の整流
回路の入力端に接続されるとともに、電撃防止用の抵抗
R1,R2を介して接地されている。
また、上記プラグ1の他端は抵抗R3及び図示極性のダ
イオードD1を直列に介して例えばCMO8記憶装置4
の電源端(VDD)に接続されている。
さらに抵抗R□3とダイオードD1との接続点は、図示
極性のダイオードD2を介して接地され、ダイオードD
1とCMO8記憶装置4の電源端(VDD)との接続点
は、並列接続されたコンデンサC1及び図示極性のツエ
ナーダイオードD2を介して接地されるとともに、抵抗
R4を介してCMO3記憶装置4のインヒビット端(I
NH)に接続されている。
そして、電源スイツチ20オン、オフにかかわらずプラ
グ1からの交流電流が常時、抵抗R3を介してダイオー
ドDI、D2で整流されコンデンサCIに充電されると
ともにツェナーダイオードD3で規定電圧に安定化され
て、CMO8記憶装置4の電源端(VDD)に供給され
ることにより、記憶内容が保持されるものである。
寸た、停電時にはコンデンサC1の放電電圧により長時
間にわたってCMO8記憶装置4に所要電力を供給する
ことができるものである。
しかしながら、上記のような従来の電源回路では、漏洩
電流を安全規格に適合させるため、抵抗R3の値を例え
ば1[MΩ〕等のように極めて大きな値に設定する必要
がある。
このため、CMOS記憶装置4への供給電流が極めて小
さくなり、ツェナーダイオードD3へのツェナー電流を
所望の値だけ流すことができなくなるという問題があっ
た。
したがって、CMO8記憶装置4の電源端(VDD)に
印加される電圧が不安定になり勝ちで、記憶内容を安定
に保持することができないものであった。
また、この外にも記憶装置のために乾電池や充電式の電
池を使用することが考えられているが、電力供給時間や
取り換えなどの保守作業の点で難点があり実用上さらに
改良が望まれていた。
この考案は上記事情を考慮してなされたもので、電池類
を使用することなく停電にあっても長時間にわたって必
要な電力を供給し続は記憶装置を常にセット状態に保持
し得る極めて良好な記憶装置用電源回路を提供すること
を目的とする。
以下、この考案の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
1第2図において、交流入力端となるプラグ11の一端
は電源スィッチ12を介して電源トランス13の一次側
巻線13aの一端に接続されるとともに、電撃防止用の
抵抗R1□。
R]2を直列に介して接地されている。
また、上記プラグ11の他端は上記電源トランス13の
一次側巻線13aの他端に接続されるとともに、抵抗R
13,R14及び図示極性のグイオート′D11D12
を直列に介して、CMO8記憶装置14の電源端(VD
D)に接続されている。
さらに、上記ダイオードD11とD12との接続点は、
図示極性のツェナーダイオードD1.3を介して接地さ
れ、ダイオードD12とCMO8記憶装置14の電源端
(VDD)との接続点は例えば470〔μF′″Jまた
は1000(μF〕の容量を有するコンデンサC1lを
介して接地されるとともに、抵抗R15を介してCMO
8記憶装置14のインヒビツト端(INH)に接続され
ている。
一方、前記電源トランス13の二次側巻線13bの両端
は整流回路15及び接続端子16.17を介して、図示
しない受信機の各回路部の電源端に接続されている。
また、上記二次側巻線13bの中間タップ点は接地され
ている。
さらに、上記二次側巻線13bの一端は、抵抗R16及
び図示極性のツェナーダイオードD14を(査列に介し
て接地されている。
この抵抗R16とツェナーダイオードD14との接続点
は、図示極性のダイオードD15を介してCMO8記憶
装置14の電源端(VDD)とダイオードD12との接
続点に接続されている。
ここで、上記0MO8記憶装置14はいわゆるCMO8
(相補対称形MO8)ICで構成されるもので、消費電
力が非常に少ないものである。
すなわち、このCMO8ICは論理レベルの変化の際の
み電力を消費し、論理レベルが固定している場合は消費
電力が殆んどない(Iゲート当り数10mW)と言う特
徴を有するものである。
このため待機時の消費電力は非常に少く、したがって抵
抗R13,R14の値を非常に大きくすることができ、
電灯線電圧の漏洩による電撃は無視できる程度になる。
上記のような構成となされた記憶装置用電源回路におい
て、その動作を説明する。
寸ず、プラグ11がコンセント(図示せず)に差込まれ
ると、電源スィッチ12がオフのとき抵抗R13,R1
4を介してダイオードDllに交流電力が取り出され、
ここで整流されるとともにツェナーダイオードD13で
安定化され、その整流出力がダイオードD12を介して
コンデンサC11に加えられ、ここに充電されるととも
にCMO8記憶装置14の電源端(VDD)に導ひかれ
る。
曾た、電源スィッチ12をオンにすると、電源トランス
13により変圧された電圧が抵抗R16を介してツェナ
ーダイオードD14で安定化されるとともにダイオ−ド
D1.で整流され、0MO8記憶装置14の電源端(V
DD)に導ひかれる。
このとき、電源トランス13で変圧された上記電圧は、
整流回路15で整流され接続端子16,17を介して前
記受信機の各回路部に印加される。
同時に、このときはダイオードD11側には抵抗R13
、R14によって電流が実質的に阻止される。
すなわち通常の動作時は0MO8記憶装置14にはダイ
オードD15の出力が加わり、電源スィッチ12がオフ
状態の時はダイオードD12の出力のみが0MO8記憶
装置14に加わるようになる。
このように電源スイツチ120オン、オフに関係なく0
MO8記憶装置14に電源が供給される。
めで、予めセットされている0MO8記憶装置14はそ
のセット状態が常時保持され、必要な時に電源スィッチ
12をオンにするだけで、所期の選局動作を行わせるこ
とができる。
また停電があっても、大容歇コンデンサC1lに充電さ
れているため、充分長い時間たとえば24時間以上にわ
たって0MO8記憶装置14に電圧を印加し続けること
ができる。
現今において停電が24時間に及ぶことはほとんどない
のでプラグ11をコンセントに差し込んでおくかぎり、
殆んど常時、0MO8記憶装置14は動作し続け、セッ
ト状態を保持し続けることが可能になる。
これは前述した如くCMO8ICを用いた場合、待機峙
の消費電力が非常に少いことによるものである。
そして書き込み動作などによって0MO8記憶装置14
の論理レベルが変化するときは消費電力が増大するので
、ダイオードD12側からも0MO8記憶1装置14に
電力を与えるようにす礼m言すればダイオードD12の
出力は0MO8記憶装置14のセット状態を保持し得る
だけの容量で良く、したがって常時使用するものであっ
てもその消費電力は非常に少く経済的でもある。
また、安全規格に対しては抵抗R13tR14の値をリ
ーク電流値に影響しないように選定することにより、ダ
イオードD1□以降の回路は電源トランス13の一次側
とはみなされないので、安全である。
ここで、停電時に釦ける0MO8記憶装置14の保護時
間Tを求めてみると、コンデンサC1lの放電によるダ
イオードDI 2 、DI 5への逆電流を無祝し、0
MO8記憶装置14へのインヒピット電流IINHを5
0(μA〕とした場合、上記Tは と表わすことができる。
但し、E;ツェナーダイオードD13.D14め電位(
約7.6 (V) ) Vc(t);0MO8記憶装置14の最低インヒビット
電圧(約3〔■〕) C11; 100OXIO−6CF) 、°、T=4oo(h) となり、約16日間は保持することができるものである
なお、この考案は上記実施例に限定されるものではなく
、この外その要旨を逸脱しない範囲で種種変形して実施
することができる。
したがって、以上詳述したようにこの考案によれば、電
池類を使用することなく停電にあっても長時間にわたっ
て必要な電力を供給し続は記憶装置を常にセット状態に
保持し得る極めて良好な記憶装置用電源回路を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の記憶装置用電源回路を示す回路構成図、
第2図はこの考案に係る記憶装置用電源回路の一実施例
を示す回路構成図である。 11・・・プラグ、12・・・電源スィッチ、13・・
・電源トランス、14・・・CMO8記憶装置、15・
・・整流回路、16,1γ・・・接続端子。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電源スィッチの前の交流入力端の一方の極性側と接地間
    に介挿接続された電撃防止用の第1の抵抗と、前記交流
    入力端の他方の極性側に前記電源スィッチがオフの時に
    交流電流を取り出す第2゛の抵抗を介して直列接続され
    た整流用の第1及び第2′のダイオードと、この第1及
    び第2のダイオード間と接地間に介挿接続された電圧安
    定化用の第1のツェナーダイオードと、前記電源スィッ
    チがオンの時に前記交流入力端からの交流電流が一次側
    巻線に供給される電源トランスと、この電源トランスの
    二次側巻線の一端に直列接続された第3の抵抗及び前記
    第1のツェナーダイオードと同電位を供給する電圧安定
    化用の第2のツェナーダイオードと、この第3の抵抗と
    第2のツェナーダイオード間に接続された整流用の第3
    のダイオードと、前記第2のダイオードと第3のダイオ
    ードとの出力端に共通に接続されたコンデンサとを具備
    し、前記電源スィッチがオンの状態では前記第3のダイ
    オードを介して記憶装置に電力を供給し、前記電源スィ
    ッチがオフの状態では前記第2のダイオードを介して前
    記記憶装置に電力を供給するようにしたことを特徴とす
    る記憶装置用電源回路。
JP12800279U 1979-09-14 1979-09-14 記憶装置用電源回路 Expired JPS5831214Y2 (ja)

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JPS5645932U JPS5645932U (ja) 1981-04-24
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