KR920007038Y1 - 메모리 소실방지용 전원회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

메모리 소실방지용 전원회로

제1도는 종래의 메모리 소실방지용 전원회로도.

제2도는 본 고안에 따른 메모리 소실방지용 전원회로의 블럭도.

제3도는 제2도의 상세회로도.

제4도는 제3도의 동작설명을 위한 파형도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 스윗칭부 2 : 전원안정부

3 : 전압검출부 4 : 마이크로 컴퓨터

5 : 충전부

본 고안은 메모리 소실방지용 전원회로에 관한 것으로, 특히 카오디오(Car Audio)에 사용되는 마이크로 컴퓨터에 저장된 수신주파수 메모리, 수신중인 방송주파수 메모리 및 데크콘트를 신호등을 보호하기 위한 메모리소실방지용 전원회로에 관한 것이다.

일반적으로 카오디오의 전원회로는 공급되는 밧데리 전압이 순간적으로 떨어질 경우 슈퍼캐패시터에 충전된 방전전류에 의해 마이크로 컴퓨터에 저장된 메모리의 소실을 방지하였으나, 밧데리 전압이 계속적으로 강하될 경우 마이크로 컴퓨터에 저장된 메모리는 소실되게 될뿐아니라 사용되는 슈퍼캐패시터의 가격이 비싼 단점이 수반되었다.

따라서 본 고안은 상기한 단점을 해소하여 저전압 저전류에서도 마이크로 컴퓨터에 저장된 메모리를 유지시킬뿐 아니라 값비싼 슈퍼캐패시터 대신 값싼 일반 캐패시터로 대치 할 수 있는 메모리 소실방지용 전원회로를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 고안의 메모리 소실방지용 전원회로에 의하면 밧데리의 B＋단자로부터 접속되는 전원안정부(2)와, 점화스위치의 Acc 단자 및 상기 전원안정부의 출력단자로부터 접속되는 스윗칭부(1)와, 상기 스윗칭부(1) 및 전원안정부(2)로부터 접속되는 마이크로 컴퓨터(4)와, 상기 전원안정부(2)로부터 접속되는 충전부(5)로 구성되는 메모리 소실 방지용 전원회로에 있어서, 상기 스윗칭부(1) 및 전원 안정부(2)로부터 접속되는 마이크로 컴퓨터(4)와, 상기 전원안정부(2)로부터 접속되는 충전부(5)로 구성되는 메모리 소실방지용 전원회로에 있어서, 상기 스윗칭부(1) 및 전원 안정부(2)로부터 접속되되 그 출력단자는 상기 마이크로 컴퓨터(7)의 칩인에이블 단자에 접속되는 전압검출부(3)를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명하기로 한다.

제1도는 종래의 메모리 소실 방지용 전원회로도로서, 스위치 SW1이 ON되면 트랜지스터 TR1이 ON되는 동시에 밧데리(도면에 도시않됨) 전원으로부터 접속되되, 다이오드 D1, 저항 R1 및 R2, 캐패시터 C1, 제너다이오드 ZD 및 트랜지스터 TR2로 구성되는 전원안정부의 출력이 마이크로 컴퓨터(4)의 칩인에이블단자 및 VDD단자에 공급되는데, 상기 밧데리 전압이 떨어질 경우 슈퍼캐패시터 C2에 충전된 전전압이 방전을 시작하여 상기 마이크로 컴퓨터(4)에 저장된 메모리가 유지 되도록한다. 그런데 상기 밧데리 전압이 계속해서 떨어질 경우 상기 슈퍼캐패시터 C2에 송전된 충전전압이 완전히 방전되어 상기 마이크로 컴퓨터(4)에 저장된 메모리는 소실되게 되는데, 그이유는 상기 밧데리 전압이 계속하여 강하되어도 상기 마이크로 컴퓨터(4)는 인에이블되어 전류소모가 많기 때문이다.

제2도는 본 고안에 따른 메모리 소실방지용 전원회로의 블럭도로서, 점화스위치(도면에 도시않됨)의 Acc단자로부터 접속된 스윗칭부(1)는 전압검출부(3)를 경유하여 마이크로 컴퓨터(4)의 칩인에이블단자(CE)에 접속되고, 밧데리(도면에 도시않됨)의 B＋단자는 전원안정부(2)를 경유하여 상기 마이크로컴퓨터(4)의 VDD단자, 상기 전압검출부(3)의 입력단자 및 충전부(5)에 접속구성된다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 동작을 설명하면, 점화스위치(도면에 도시않됨)의 Acc단자로부터 접속된 스윗칭부(1)가 ON되면 전압검출부(3)가 인에이블된다.

상기 전압검출부(3)가 인에이블된 상태에서 전원안정부(2)에서 안정화된 전원이 마이크로 컴퓨터(4)의 VDD단자 및 충전부(5)에 공급되는 동시에 상기 전압검출부(3)에서 상기 전원안정부(2)의 출력전압을 검출한다음 입력되는 전원이 일정전압 예를 들어 3.2V 이상일때만 5V를 출력하여 상기 마이크로 컴퓨터(4)가 칩인에이블되게 한다.

상기 밧데리 전원이 계속하여 강하되면(예를 들어 3.2V이하)상기 전압검출부(3)에서는 어떠한 전압도 출력되지 않아 상기 마이크로 컴퓨터(4)가 디스에이블 되며 단지 상기 충전부(5)의 방전전류에 의해 상기 마이크로컴퓨터(4)에 저장된 메모리를 유지시켜 준다.

제3도는 제2도의 상세회로도로서, 그 구성은 다음과 같다.

점화스위치(도면에 도시않됨)의 Acc단자로 부터 접속되어 이와 연동되는 파워스위치 SW2는 저항 R1을 경유해 에미터단자는 접지되고 컬렉터 단자는 전압검출부(3)의 인에이블 단자에 접속되는 트랜지스터 Q2의 베이스 단자에 접속된다.

밧데리의 B＋단자는 다이오드 미을 경유해 트랜지스터 Q1의 컬렉터 단자에 접속되고 다이오드 D1 및 트랜지스터 Q1의 컬렉터 단자 접속점은 캐패시터 C1을 경유해 접지되는 동시에 저항 R3 및 캐패시터 C2를 통해 접지된다. 상기 트랜지스터 Q1의 베이스단자는 제너다이오드 D2를 경유해 접지되는 동시에 상기 저항 R3 및 캐패시터 C2접속점에 접속된다. 상기 다이오드 D3 및 캐패시터 C3의 접속점은 전압검출부(3)를 경유해 상기 마이크로 컴퓨터(4)의 칩인에이블 단자에 접속구성된다.

상기와 같이 구성된 회로의 동작을 제4a도 내지 제4d도를 참조하여 설명하기로 한다.

상기 파워스위치 SW2가 ON되면 상기 트랜지스터 Q2가 ON동작하여 상기 전압검출부(3)가 인에이블되어 입력되는 전압을 감지하게 된다.

이때 밧데리 B＋ 단자로부터 공급되는 전압은 다이오드 D1 및 D3, 캐패시터 C1 및 C2, 저항 R3 및 제너다이오드 D2에 의해 일정전압으로 안정화되어 상기 전압 검출부(3) 및 상기 마이크로 컴퓨터(4)의 VDD 단자에 공급되는 동시에 캐패시터 C3에 충전되는데. 상기 다이오드 D3의 출력전압이 일정전압 예를 들어 3.2V이상이면 상기 전압검출부(3)의 출력전압에 의해 상기 마이크로 컴퓨터(4)가 칩인에이블되어 정상동작되며, 상기 다이오드 D3를 경유한 전압이 일정전압 예를 들어 3.2V이하이면 상기 전압검출부(3)의 출력이 Off되어 마이크로 컴퓨터(4)의 메모리 유지를 위한 전류가 상기 캐패시터 C3에 충전된 전압의 방전에 의해 흐르게 된다.

즉 파워스워치 SW2가 ON되면 (제4a도의 T1시간)전압검출부(3)의 출력이 논리적 "고"상태(저4b도의 T1시간)가 되어 상기 마이크로 컴퓨터(4)는 정상 동작상태가 되고, 밧데리가 방전되어 예를들어 5.5V 이하가 되면 상기 다이오드 D3 경유하는 전압이 약 3.25V 이하로 강하(제4c도의 T2시간)되어 상기 마이크로 컴퓨터(4)는 디스에이블 된다. 이때 상기 캐패시C3에는 3.25V정도로 충전된 총전전압이 방전을 시작(제4c도의 T2시간 이후)하여 상기 마이크로 컴퓨터의 VDD단자에 메모리를 유지시킬 수 있는 10μA(제4d도의 T2시간 이후)정도의 전류가 흐르게 된다.

상술한 바와같이 본 고안에 의하면 저전압 저전류에서도 마이크로 컴퓨터에 저장된 메모리를 유지시킬 뿐만아니라 값비싼 슈펴캐패시터 대신 값싼 일반캐패시터로 대치할 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

1. 밧데리의 B＋단자로부터 접속되는 전원안정부(2)와, 점화스위치의 Acc단자 및 상기 전원안정부의 출력단자로부터 접속되는 스윗칭부(1)와, 상기 스윗칭부(1) 및 전원안정부(2)로부터 접속되는 마이크로 컴퓨터(4)와, 상기 전원안정부(2)로부터 접속되는 충전부(5)로 구성되는 메모리 소실 방지용 전원회로에 있어서, 상기스윗칭부(1)에 및 전원안정부(2)로부터 접속되되 그 출력단자는 상기 마이크로 컴퓨더(7)의 칩인에이블 단자에 접속되는 전압검출부(3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소실방지용 전원회로.
2. 제1항에 있어서, 상기 충전부(5)가 일반충전용 캐패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소실방지용 전원회로.
3. 제1항에 있어서, 상기 충전부(5)가 슈퍼캐패시터로 구성되는 것을 특징으로 하는 메모리 소실방지용 전원회로.