JPS5830807B2 - 板状体への溝加工装置 - Google Patents

板状体への溝加工装置

Info

Publication number
JPS5830807B2
JPS5830807B2 JP52041626A JP4162677A JPS5830807B2 JP S5830807 B2 JPS5830807 B2 JP S5830807B2 JP 52041626 A JP52041626 A JP 52041626A JP 4162677 A JP4162677 A JP 4162677A JP S5830807 B2 JPS5830807 B2 JP S5830807B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plate
grooves
cutting
cutter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52041626A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS53126591A (en
Inventor
薫 志水
圭司 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP52041626A priority Critical patent/JPS5830807B2/ja
Publication of JPS53126591A publication Critical patent/JPS53126591A/ja
Publication of JPS5830807B2 publication Critical patent/JPS5830807B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Details Of Cutting Devices (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は例えば圧電セラミックフィルタなどに用いる圧
電セラミック基板などのように、板厚寸法が150μm
以下と小さい板状体を、複数個の個片に分割するための
溝(罫書線も含むものとする)を上記板状体に形成する
装置に関するものである。
通常、片面あるいは両面に複数個の同一パターンの電極
を形成してなる基板を個片に分割し、何個に独立した電
気部品用素子を形成するには、般的に、スクライブマシ
ンで基板表面の所定位置に罫書線を罫書いたのち、円筒
ローラで押圧して分割する方法、あるいは外周刃のダイ
ヤモンド砥石で基板を完全に切断する方法などが用いら
れる1また、基板を完全切断しないまでも基板厚みの途
中の所定深さまで切断刃を切込み、その後、円筒ローラ
で押圧して分割する方法も用いられる。
従来、これらの方法は、分割される基板厚み寸法が30
0μm以上、直径が1インチ以上のシリコン半導体やセ
ラミック基板に適田されるものであった。
基板の板厚寸法が300μm以下たとえば板厚寸法が5
0μm〜150μmで外形寸法が6mm口といった小物
極薄板の溝加工の場合には、第2図a、bに示すごとく
、まず、基板1を溶剤活性あるいは熱可塑性の接着樹脂
4を用いてシリコン部材からなる直径が1インチ以上の
基板3上に接着する。
その後、前記シリコン基板3を矢印X方向及びY方向に
往復動するところの摺動台10に付属する真空吸着用の
テーブル5上に載置し、真空ポンプ20を作動させて環
状溝6、凹部7、貫通穴9、スリット8、貫通穴11を
介して真空吸着する。
さらにダイヤモンド砥粒などを装着した外周切断形のカ
ッター12を所定の方向に高速回転させ、基板1の厚み
方向に所定量だけ切込むことにより、基板1を第1図C
に示すような、それぞれ独立した個片素子100に完全
切断する方法、あるいは第1図a、bのごとく溝切込を
基板厚み途中でとめる不完全切断法が用いられる。
しかし、上述のごとくシリコン等の基板3上に接着剤4
を介して基板1を載置する場合、接着剤4層の塗布厚み
が基板1の全面にわたって均一とならず、テーブル5面
に対する基板1の面平行度が出ない。
すなわち、基板1に対するカッター12の切込深さが場
所により異なることになる。
したがって基板1を完全に切断するには基板1を支持す
るシリコン基板3の表面を成る深さまで切断する程度に
までカッター12を切込む必要があり、それだけ切断時
間を要するうえ、カッターの摩耗が大きくなる。
さらに基板を完全に切断せず、切断溝を基板1の厚み途
中まで形成する場合においても、第1図a、bに示す溝
2A、2Bの深さdが一定せず、このため、基板1にロ
ーラーを押圧して個片素子100に分割した際に、分割
した個片素子100の外形形状が切断溝通りとならず、
形状不良の素子やクラックの入った素子となってしまう
特に基板1の厚みtが50μm程度の場合には、形成す
る溝の深さに関して1011m程度のばらつきがあって
も基板1の個片分割に際して問題となる。
また、接着剤を用いて基板1に溝加工を施した場合、溝
加工後に加熱あるいは溶剤などの手段によりシリコン基
板3から基板1を剥離する必要があるため、わずられし
いうえ、完全切断などの場合は切断した個片素子の整列
状態が乱れたり、素子100の表裏が逆転したりして、
切断後の素子の取扱い自動化の障害となっていた。
本発明は上記問題点を解決するために、溝加工すべき複
数枚の基板(板状体)をシリコン基板上等に接着するこ
となく真空吸着のみでテーブル上の所定位置に保持せし
め、それらの複数枚の基板へ一度に切断用溝(罫書線を
含む)を形成し得る溝加工装置を提供するものである。
以下、本発明を図示の実施例に基いて説明する。
第3図aは本発明の一実施例の要部断面図、第3図すは
第3図aを82−82線から見た要部平面図である。
それらの図面において、複数枚の基板1は、矢印X方向
に往復動及びY方向に所定ピッチで移動する摺動台10
に付属し、所定角度だけ回転可能なテーブル5A上に真
空吸引によって保持されるようになっている。
各基板1の真空吸引は、摺動台10に設けた貫通穴11
及びテーブル5Aの片面に設けた円形あるいは四角形状
の凹部16及び複数個の小径の貫通穴14及び該貫通穴
14と連通しテーブル5Aの表側の主平面に形成した短
冊形状の凹部13を介して真空ポンプ20により行なう
上記テーブル5Aの主平面に設けた凹部13は1枚の基
板1に対し、1枚の基板から分割される各個片のすべて
に分布するごとく配設され、基板1を強力にテーブル5
人面上に真空吸引する第3図a、bの実施例では4枚の
基板を同時に溝加工し、1枚の基板を9個の素子に分割
する場合の例を示すもので基板1の外形と切断溝2A、
2Bの形成位置を図中に鎖線で表示しである。
テーブル5A上に吸着するそれぞれの基板1に対し、各
3個所の短冊形状の凹部13が配設され、それぞれの凹
部13は小径の貫通穴14をほぼ中央に有し真空ポンプ
20と連通している。
ここで、短冊形状の凹部13を基板1の各個片領域毎に
分布するよう配設する理由は、溝2A。
2Bの形成途中で側らかの理由により基板1が加工溝2
A、2Bに沿って破断しても、破断した状態のまま溝加
工が最後まで行なえるようにすると共に、テーブル5A
上から外れた基板の破片によってカッター12が破損す
るのを防止するためである。
デープル5A上に真空吸着される4枚の各基板1は、短
冊形状の凹部13の周辺に複数枚の基板1を取り囲むよ
うに配設した複数本の基板位置決め部材であるところの
円柱状のピン15によって所定の位置関係をもって吸着
される。
すなわち、箇所で見て、1行1夕1泪の基板1aは、基
板の左側面と上側面がピン15に当接する状態に真空吸
着され、同様に1行2夕1泪の基板1bは上側面と右側
面が、2行1夕1泪の基板1cは左側面と下側面が、2
行2夕1泪の基板1dは右側面と下側面がそれぞれピン
15に当接している。
複数個のピン15は各基板1の隣接する2方向の側面と
当接することにより、複数枚の基板配置関係をX方向、
Y方向ともに溝2A、2Bの加工ピッチPの整数倍とな
る位置に位置規制するととく凹部13の周辺の所定位置
に配設されている。
さらに、ピン15は基板1への溝加工に際し、カッター
12と衝突しない位置、すなわち溝加工位置より1/2
ピツチだけずれた位置に配設されている。
ピン15の直径寸法はカッター12と接触しない限り任
意であるが、6山口の基板を50μm〜20μm刃厚の
カッターで2間口に分割する溝加工においては0.5
mmφとした。
テーブル5人面から突出するピン15の高さについても
任意で、基板1の厚みより高くしてもよいし、溝加工深
さdより低くしてもよい。
基板1の側面に当接するピン15の個数は基板の一辺に
対し任意であるが、本実施例では1枚の基板の隣接する
側面にそれぞれ2本づつ計4本とした。
基板の一辺に当接する2本のピンの間隔は大きい方が基
板1の位置決め精度が良くなるうえ、基板をピンセット
などで挟持して取扱うのに有利である。
また、上記ピン15の材質は金属や樹脂など任意で、金
属部材の場合は切削剤に対する防錆対策が必要である。
上述のごとく、テーブル5A上に所定のピッチ間隔で載
置した各基板1に溝加工を施すには、第3図aに示すご
とく、所定方向に高速回転する外周切削形の円板状カッ
ター12を基板1の厚さ方向に所定量だけ降下させ、す
なわち切込ませ、その後、テーブル5Aをカッター12
と平行に矢印のX方向に往復動させると共に、テーブル
5Aの往復動を直角なY方向〔第3図す参照〕にも所定
ピッチPでピッチ送りすることにより、基板1のX方向
に所定の深さdで所定ピッチPの切断溝2Bが形成され
る その後、テーブル5Aを90度回転させ、基板1のY方
向にも上記と同一手順で切断溝2Aを形成することによ
り、基板1には個片素子に分割すべき素子外形に沿った
所定の切断溝2A、2Bが第1図a7bに示すごとく形
成される。
本発明の実施例においては、基板1へのカッター12の
切込み深さは例えば10μm単位毎に実施され、かつ、
摺動台10のX方向、Y方向送り、及びカッター12の
切込送りとの関係あるいは基板1の所定の深さにまでカ
ッター12が切込んだ後のテーブル停止などは、切断加
工前の設定値に従って自動制御される構成になっている
それぞれの基板1に、所定の深さd、所定のピッチPの
溝2A、2Bを形成したのち、真空吸引を切り、テーブ
ル5Aから基板1を外し、さらに、図示していないが、
基板1を2枚の塩化ビニールシートなどで挟持したのち
、弾性ゴム部材上で上記塩化ビニールシート間に挟持さ
れた基板1に円筒ローラで押圧力を与えれば、基板1を
第1図Cに示すごとき個片素子100に分割することが
出来る。
上記実施例は、基板1に形成する溝2A、2Bの深さd
を基板1の厚さtの途中までとした不完全切断の場合で
あるが、個片素子の外形寸法や板厚あるいは真空吸引力
の強さによっては、基板1をほぼ完全に切断する深さに
までカッター12を切込んでもさしつかえない。
しかし、基板1の厚さが50μm〜150μmの場合や
、個片素子に分割した後の素子の取扱いなどを考慮した
場合には、基板1を完全に切断することは望ましくない
テーブル5Aの主平面に形成する凹部13の形状につい
ては環状、格子状、短形、丸形等任意である。
さらに、その凹部13の数やテーブル上に載置する基板
1の枚数についても任意である。
また、基板1を位置規制するピン15の配設位置につい
ても図示の実施例のごとく複数枚の基板を取り囲む場合
だけに限定されるものでなく、基板の同一方向の側面に
所定ピッチで形成してもよい。
複数枚の基板を同一方向の側面でピンにより位置規制す
る場合には、カッター送りピッチとの関係で、テーブル
面から突出するピンの高さやピンの材質を配慮する必要
がある。
すなわち、カッター切込最大深さdよりもピン15の突
出高さが大きい場合にはピン15はカッター12により
切断されることになる。
その点、本実施例のごとく基板1の周囲にピンを配設す
ればカッター12の送り範囲を制御することにより、ピ
ンを切断するようなことは無く、ピンの突出高さは任意
でよい。
第4図aは本発明で使用し得るテーブルの他の例を示す
平面図、第4図すは第4図aにおけるS3−83線断面
図である。
この第4図の場合は、第3図の場合の短冊形状の凹部1
3及び小径の貫通穴14に代え、複数個の小径の貫通穴
17を1枚の基板1から分割すべき個片数と同数だけ形
成することにより、基板をテーブル5B上に真空吸着す
るようにしたものである。
貫通穴17は凹部16を介して第3図で使用したと同様
の真空ポンプ20と連通している。
ここで、貫通穴17を基板1の各個片数と同数だけ配設
する理由は、前述した短冊形状の凹部13を基板1の各
個片領域毎に分布するように配設したのと同じ理由であ
る。
すなわち溝2A、2Bの形成途中で側らかの原因により
基板1が加工溝2A、2Bに沿って破断しても、破断し
た状態のまま基板1に対する溝加工が最後まで行なえる
よう基板1を真空吸着すると共に、テーブル5A上から
外れた基板の破片によつてカッター12が破損するのを
防止するためである。
第4図の場合、4枚の基板1を同時に吸着し、それぞれ
の基板を9個の個片素子に分割するため、合計36個の
貫通穴17を形成した例を示している。
基板1の外形及び切断溝2A、2Bの形成位置を鎖線で
示している。
複数枚の基板の配置関係は、第3図の場合と同様に、小
径の貫通穴17の周辺に配設した複数本のピン15によ
り実施するが、第4図a及び第4図すの右側部分の一部
に示すごとく、ピン15に代えてL字形のプレート18
を使用して基板1を位置規制してもよい。
上記り字形のプレート18は一体的に加工したものを用
いてもよいし、矩形板をL字形にテーブル5B上に配設
してもよい。
プレート18を用いて基板を位置規制する場合、ピン1
5と並用してもよいし、プレート18のみで複数枚の基
板を位置規制してもよい。
テーブル5Bに形成する小径の貫通穴17は、本実施例
では個片素子のほぼ中央に位置するように、個片数と同
数だけ設けたが、貫通穴18の数、大きさ、位置につい
ては任意である。
なお、第4図において、テーブル5Bの中央に位置する
十字形の溝19は、分割用の切断溝加工を終えた基板1
を、真空吸着を切った後にピンセット等で挟持する場合
に便利なように設けたもので、基板1を溝19をまたぐ
状態にまでテーブル5B上で移動させたのち、ピンセッ
トで挟持できるようにしたものである。
以上述べたことく、本発明は、個片に分割すべき板状体
をシリコン基板上などに接着剤を用いて固定する必要が
ないため、いたって簡単に能率よく複数枚の板状体に溝
加工を施すことができるうえ、分割後の個片素子の取扱
い自動化をも容易にするなど、多大の効果を有するもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図aは切断用溝を形成した板状体の一例を示す平面
図、第1図すは第1図aの正面図、第1図Cは分割した
個片素子の斜視図、第2図aは従来の溝加工法または切
断法を説明するための装置の断面図、第2図すは第2図
aをS、−S1線から見た要部平面図、第3図aは本発
明の一実施例の断面図、第3図すは第3図aを82−8
2線から見た平面図、第4図aは本発明で使用し得るテ
ーブルの他の例を示す平面図、第4図すは第4図aの8
3−83線断面図である。 1・・・基板、2A、2B・・・切断溝、100・・・
個片素子、5.5A、5B・・・テーブル、10・・・
摺動台、12・・・カッター 13・・・凹部、14・
・・貫通穴、15・・・ピン、16・・・凹部、17・
・・貫通穴、18・・・プレート、20・・・真空ポン
プ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 上面部に、溝を形成すべき複数枚の四角形状の板状
    体を、それぞれ隣り合う2つの側面を複数個の位置規制
    剛部材にて位置決めして所定の箇所に載置することがで
    き、かつ、前記各板状体の載置面部には、前記各板状体
    の分割すべき個片数に対応した真空吸引用穴がそれぞれ
    設けられた回転可能なテーブルと、前記テーブル上の各
    板状体に溝を形成するための外周切削形の円板状カッタ
    ーと、前記テーブルを前記円板状カッターに対して平行
    に往復動させるとともに、その往復動の方向と直角方向
    に所定のピッチで移動させ得る移動機構を具備してなる
    板状体への溝加工装置。
JP52041626A 1977-04-11 1977-04-11 板状体への溝加工装置 Expired JPS5830807B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52041626A JPS5830807B2 (ja) 1977-04-11 1977-04-11 板状体への溝加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52041626A JPS5830807B2 (ja) 1977-04-11 1977-04-11 板状体への溝加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS53126591A JPS53126591A (en) 1978-11-04
JPS5830807B2 true JPS5830807B2 (ja) 1983-07-01

Family

ID=12613533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52041626A Expired JPS5830807B2 (ja) 1977-04-11 1977-04-11 板状体への溝加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5830807B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH034204U (ja) * 1989-06-02 1991-01-17
KR20200015695A (ko) 2017-07-10 2020-02-12 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 그것을 사용한 프린트 배선판, 플렉서블 프린트 배선판 및 성형품
KR20200015697A (ko) 2017-07-10 2020-02-12 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 그것을 사용한 프린트 배선판, 플렉서블 프린트 배선판 및 성형품
KR20220119375A (ko) 2019-12-24 2022-08-29 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 프린트 배선판, 플렉시블 프린트 배선판, 전자파 실드 및 성형품

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0655492A (ja) * 1992-08-10 1994-03-01 Sekisui Chem Co Ltd 発泡体のスライス装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH034204U (ja) * 1989-06-02 1991-01-17
KR20200015695A (ko) 2017-07-10 2020-02-12 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 그것을 사용한 프린트 배선판, 플렉서블 프린트 배선판 및 성형품
KR20200015697A (ko) 2017-07-10 2020-02-12 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 그것을 사용한 프린트 배선판, 플렉서블 프린트 배선판 및 성형품
KR20220119375A (ko) 2019-12-24 2022-08-29 디아이씨 가부시끼가이샤 적층체, 프린트 배선판, 플렉시블 프린트 배선판, 전자파 실드 및 성형품

Also Published As

Publication number Publication date
JPS53126591A (en) 1978-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7384859B2 (en) Cutting method for substrate and cutting apparatus therefor
US7608523B2 (en) Wafer processing method and adhesive tape used in the wafer processing method
CN108356706B (zh) 层叠修整板的使用方法
US20060244096A1 (en) Semiconductor wafer and processing method for same
KR100709457B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 연삭방법
TWI663644B (zh) 磨削裝置及保護膠帶貼著方法
US6498075B1 (en) Dicing method
KR20170113117A (ko) 척 테이블
DE102010008975A1 (de) Werkstückbearbeitungsverfahren und -vorrichtung
JPS5830807B2 (ja) 板状体への溝加工装置
TWI789474B (zh) 工件的切割方法以及切割裝置的卡盤台
JP7108429B2 (ja) 板状物の加工方法
JPH01101112A (ja) 半導体ウエハのダイシング方法
JP4590064B2 (ja) 半導体ウエーハの分割方法
JP2013058653A (ja) 板状物の分割方法
TW201727814A (zh) 板狀構件之分割裝置及板狀構件之分割方法
JP7538034B2 (ja) 加工方法
US6033289A (en) Detailing and cleaning apparatus for green ceramic dry dicing process
JP2016101749A (ja) 基板加工用ツールのツールホルダ及び基板加工装置
CN110919881A (zh) 切割设备
JP2007206783A (ja) メモリーカード成型装置及びメモリーカードの成型方法
TW201911396A (zh) 金屬露出之基板的加工方法
WO2016084884A1 (ja) 基板加工用ツール
US20220336283A1 (en) Wafer adaptors, including systems and methods, for adapting different sized wafers
JP2009126006A (ja) ワークの切削加工方法