JPS5830026A - 近接スイツチ - Google Patents
近接スイツチInfo
- Publication number
- JPS5830026A JPS5830026A JP56127511A JP12751181A JPS5830026A JP S5830026 A JPS5830026 A JP S5830026A JP 56127511 A JP56127511 A JP 56127511A JP 12751181 A JP12751181 A JP 12751181A JP S5830026 A JPS5830026 A JP S5830026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- magnet
- permalloy
- bridge circuit
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はとくにパーマロイ素子を用いた近接スイッチ
に関する。
に関する。
従来、鉄−ニッケル合金により構成されるパーマロイ素
子はこれに磁界が与えられ九とき、その磁界による異方
性磁気抵抗効果を持っていることが知られている。第１
図はこの異方性磁気抵抗効果の特性を示している。
子はこれに磁界が与えられ九とき、その磁界による異方
性磁気抵抗効果を持っていることが知られている。第１
図はこの異方性磁気抵抗効果の特性を示している。
近年、半導体技術の進歩に伴ってこのパーマロイなシリ
コンウェハー上１＝薄膜蒸着したものが発表されている
。ところ・がパーマロイは温度変化に対して、非常に敏
感で、温度による変化は磁界による変化エリＬるかに大
きいので、これをブリッジに組んで使用するのが普通で
ある。１８２図はパーマロイ素子でブリッジ回路を形成
した従来の回路を示すものである。このブリッジ回路は
パーマロイの異方性磁気抵抗効果のため磁界Ｈ１が矢印
方向に加わつ九時には、その磁界と交差するパーマロイ
素子Ｒ１お工びＩ’Ｌ３は磁界Ｈ１の影響をうけて、そ
の抵抗値が減少するが、磁界Ｈ１と平行なパーマロイ素
子Ｒ２，Ｒ４は変化しないためブリッジ出力が得られる
。このブリッジ出力対磁束密度のグラフを第３図に示す
。しかし、このグラフから明らかなように、このブリッ
ジ出力はヒステリシスを持っている。今、たとえば、タ
ーゲットが近接スイッチから十分遠方にある時出力は内
部磁石にバイアスされ１点Ａであったとする。そしてタ
ーゲットが近接スイッチに近づいて点Ｂになったら出力
回路が働くように設定されているとする。このときここ
に外部から内部磁界に対して９０°の傾きを持つ磁界が
加わると出方は点Ｃの方向へ移動し、この状態で外部磁
界が取抄去られた後は、点Ａ１に行き、点Ａにはもどら
ない。これはブリッジ出力のドリフトを倉味し、感応距
離に大きな影響を与える。またこの様な外部の磁界は、
実際の近接スイッチ使用場所では、モーターソレノイド
等にエリ、容易に発生される。
コンウェハー上１＝薄膜蒸着したものが発表されている
。ところ・がパーマロイは温度変化に対して、非常に敏
感で、温度による変化は磁界による変化エリＬるかに大
きいので、これをブリッジに組んで使用するのが普通で
ある。１８２図はパーマロイ素子でブリッジ回路を形成
した従来の回路を示すものである。このブリッジ回路は
パーマロイの異方性磁気抵抗効果のため磁界Ｈ１が矢印
方向に加わつ九時には、その磁界と交差するパーマロイ
素子Ｒ１お工びＩ’Ｌ３は磁界Ｈ１の影響をうけて、そ
の抵抗値が減少するが、磁界Ｈ１と平行なパーマロイ素
子Ｒ２，Ｒ４は変化しないためブリッジ出力が得られる
。このブリッジ出力対磁束密度のグラフを第３図に示す
。しかし、このグラフから明らかなように、このブリッ
ジ出力はヒステリシスを持っている。今、たとえば、タ
ーゲットが近接スイッチから十分遠方にある時出力は内
部磁石にバイアスされ１点Ａであったとする。そしてタ
ーゲットが近接スイッチに近づいて点Ｂになったら出力
回路が働くように設定されているとする。このときここ
に外部から内部磁界に対して９０°の傾きを持つ磁界が
加わると出方は点Ｃの方向へ移動し、この状態で外部磁
界が取抄去られた後は、点Ａ１に行き、点Ａにはもどら
ない。これはブリッジ出力のドリフトを倉味し、感応距
離に大きな影響を与える。またこの様な外部の磁界は、
実際の近接スイッチ使用場所では、モーターソレノイド
等にエリ、容易に発生される。
この発明は、このような従来の欠点を解決するためのも
のである。
のである。
オず、そのヒステリシスであるが、ブリッジ回路を構成
する各素子のパーマロイのヒステリシスが避けられない
ものとすると、これがブリッジ出力に出ないようにしな
ければならない。そこで、＄２−において、このブリッ
ジに外部磁界がＨｌに垂直に加わったとすると、パーマ
ロイ素子Ｒ，２お↓びＲ４は磁界の影響を受けるが、他
のパーマロイ素子ｆＬ１お工びＲ３はその影響を受けな
い。
する各素子のパーマロイのヒステリシスが避けられない
ものとすると、これがブリッジ出力に出ないようにしな
ければならない。そこで、＄２−において、このブリッ
ジに外部磁界がＨｌに垂直に加わったとすると、パーマ
ロイ素子Ｒ，２お↓びＲ４は磁界の影響を受けるが、他
のパーマロイ素子ｆＬ１お工びＲ３はその影響を受けな
い。
ここにブリッジ出力のヒステリシスの原因がある。ここ
で、４つの素子が全て外部磁界に対して同じ影等を受け
るようにするとこのヒステリシスがなくなるはずである
。全てが同じように働くだめには、同じ方向にパーマロ
イ素子が配置されなければならない。しかし、全ての素
子が同じ向きに配置されるということは、内部磁界の変
化も受けないということになり、ブリッジ出力は変化し
ないことに々る。ここで、磁石２の１匣の磁束密度のタ
ーケパット６による変化を第４図に示す。この図は磁石
２から４ｍｍ離れた点の磁束密度のターゲラ）６ｊ：よ
る変化を示している。このグラフによるとターゲット６
の接近のために、磁石２の中心からターゲット６側の磁
束密度は増加し、逆に反対側は減少する。
で、４つの素子が全て外部磁界に対して同じ影等を受け
るようにするとこのヒステリシスがなくなるはずである
。全てが同じように働くだめには、同じ方向にパーマロ
イ素子が配置されなければならない。しかし、全ての素
子が同じ向きに配置されるということは、内部磁界の変
化も受けないということになり、ブリッジ出力は変化し
ないことに々る。ここで、磁石２の１匣の磁束密度のタ
ーケパット６による変化を第４図に示す。この図は磁石
２から４ｍｍ離れた点の磁束密度のターゲラ）６ｊ：よ
る変化を示している。このグラフによるとターゲット６
の接近のために、磁石２の中心からターゲット６側の磁
束密度は増加し、逆に反対側は減少する。
そこで複数個のパーマロイ素子Ｒ１，Ｒ２，ｆＬ３、Ｒ
４を第５図に示すよう（二たがいに平行に配設するとと
本に、これらの素子によってブリッジ回路を形成し、こ
のブリッジ回路に、磁石２に工っで磁気バイアスを与え
、しか本ブリッジ回路中、たがいに対向する第１組の辺
の素子Ｒ１，Ｒ３を、磁石２の中心からターゲット６側
に、またたがいに対向する第２組の辺の素子Ｒ２，Ｒ４
を、磁石２の中心からターゲット６とは反対側に配設し
ている。
４を第５図に示すよう（二たがいに平行に配設するとと
本に、これらの素子によってブリッジ回路を形成し、こ
のブリッジ回路に、磁石２に工っで磁気バイアスを与え
、しか本ブリッジ回路中、たがいに対向する第１組の辺
の素子Ｒ１，Ｒ３を、磁石２の中心からターゲット６側
に、またたがいに対向する第２組の辺の素子Ｒ２，Ｒ４
を、磁石２の中心からターゲット６とは反対側に配設し
ている。
このブリッジ回路の働きを第６図を参照して説明する。
今、ターゲット６がブリッジ回路より十分遠方にあると
き、素子Ｒ１，Ｒ３が配置されている場所を点Ａ１点Ｂ
とし、また素子Ｒ２，８，４が配置されている場所を点
Ｃ１点りとする。すると各素子Ｒ１，Ｒ２，ｆＬ３．Ｒ
４はその点の磁束密度でバイアスされ、ブリッジ出力が
出る。ここにターゲットが接近すると磁束密度が変化し
、各素子のバイアスはＡＩ、Ｂｌ、０１．ＤＩとなり、
ブリッジ回路４素子の中、たがいに対向する第１組の辺
の２素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗は減少し、逆に喪がいに対向
する第２組の辺の２素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗は増加する。
き、素子Ｒ１，Ｒ３が配置されている場所を点Ａ１点Ｂ
とし、また素子Ｒ２，８，４が配置されている場所を点
Ｃ１点りとする。すると各素子Ｒ１，Ｒ２，ｆＬ３．Ｒ
４はその点の磁束密度でバイアスされ、ブリッジ出力が
出る。ここにターゲットが接近すると磁束密度が変化し
、各素子のバイアスはＡＩ、Ｂｌ、０１．ＤＩとなり、
ブリッジ回路４素子の中、たがいに対向する第１組の辺
の２素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗は減少し、逆に喪がいに対向
する第２組の辺の２素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗は増加する。
このためにブリッジ出力に変化が現われる。
第７図および第８図はこの発明における近接スイッチの
具体的な構造を示すものでケース３には中ヤツプ４が嵌
合され、このキャップの端面によって感応面が形成され
る。ケース３内には電子回路部品を取付けるプリント回
路基板５が収容され、この基板に上記ブリッジ回路を設
けた回路素子１が設けられる。ｔたケース３内には回路
素子１に磁気バイアスを与える磁石２がその回路素子１
に所定の距離近接して設けられている。
具体的な構造を示すものでケース３には中ヤツプ４が嵌
合され、このキャップの端面によって感応面が形成され
る。ケース３内には電子回路部品を取付けるプリント回
路基板５が収容され、この基板に上記ブリッジ回路を設
けた回路素子１が設けられる。ｔたケース３内には回路
素子１に磁気バイアスを与える磁石２がその回路素子１
に所定の距離近接して設けられている。
この発明は上述のように複数個のパーマロイ素子をたが
いに平行に配設するとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を形成し、このブリッジ回路に磁石によって
磁気バイアスを与え、しかもブリッジ回路中、たがいＣ
二対向する第１組の辺を、磁石の中心からターゲット側
に、またたがいに対向する第２組の辺を、磁石の中心か
らターゲットとは反対的Ｃ二配設しているので、パーマ
ロイ素子の磁気抵抗効果によるヒステリシスを除去する
ことができる利点がある。
いに平行に配設するとともに、これらの素子によってブ
リッジ回路を形成し、このブリッジ回路に磁石によって
磁気バイアスを与え、しかもブリッジ回路中、たがいＣ
二対向する第１組の辺を、磁石の中心からターゲット側
に、またたがいに対向する第２組の辺を、磁石の中心か
らターゲットとは反対的Ｃ二配設しているので、パーマ
ロイ素子の磁気抵抗効果によるヒステリシスを除去する
ことができる利点がある。
第１図はパ・−マロイの異方性磁気抵抗効果を示す特性
図、第２図は従来の近接スイッチのブリッジ回路を示す
図、第３図は第２図におけるブリッジ回路の出力と磁束
密度との関係を示すグラフ、第４図は磁石の開閉の磁束
密度のターゲットによる変化を示す図、第５図はこの発
明の近接スイッチにおけるブリッジ回路を示す図、第６
図は第５図におけるブリッジ回路の動作を説明する図、
第７図はこの発明を適用した近接スイッチの正断面図、
第８図は同側断面図である。 】・・・ブリッジ回路素子、２・・・磁石、３・・・ケ
ース、４・・・キャップ、５・・・プリント回路基板、
６・・・ター’７’ツ）、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４・・
・パーマロイ素子。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 櫨束密度（か′ウス）→ 第 ３ 図 ＃Ｉ４図 φ−−−÷距富市Ｘ（ｍｍ） Ｗ２Ｂ図 Ｘｃ−ｍ）
図、第２図は従来の近接スイッチのブリッジ回路を示す
図、第３図は第２図におけるブリッジ回路の出力と磁束
密度との関係を示すグラフ、第４図は磁石の開閉の磁束
密度のターゲットによる変化を示す図、第５図はこの発
明の近接スイッチにおけるブリッジ回路を示す図、第６
図は第５図におけるブリッジ回路の動作を説明する図、
第７図はこの発明を適用した近接スイッチの正断面図、
第８図は同側断面図である。 】・・・ブリッジ回路素子、２・・・磁石、３・・・ケ
ース、４・・・キャップ、５・・・プリント回路基板、
６・・・ター’７’ツ）、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４・・
・パーマロイ素子。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 櫨束密度（か′ウス）→ 第 ３ 図 ＃Ｉ４図 φ−−−÷距富市Ｘ（ｍｍ） Ｗ２Ｂ図 Ｘｃ−ｍ）
Claims (1)
- 複数個のパーマロイ素子をたがいに平行に配設するとと
もに、これらの素子によってブリッジ回路を形成し、こ
のブリッジ回路に磁石によって磁気バイアスを与え、し
がも上記ブリッジ回路中、たがいに対向する第１組の辺
を、上記磁石の中心からターゲット側に、またたがいに
対向する第２組の辺を、上記磁石の中心から上記ターゲ
ットと祉反対側に配設させたこと゛を特徴とする近接ス
イッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127511A JPS5830026A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 近接スイツチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56127511A JPS5830026A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 近接スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5830026A true JPS5830026A (ja) | 1983-02-22 |
| JPS6331117B2 JPS6331117B2 (ja) | 1988-06-22 |
Family
ID=14961802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56127511A Granted JPS5830026A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 近接スイツチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5830026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416977A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Ckd Controls | Method for stabilizing output of sensor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
| JPS55130186A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP56127511A patent/JPS5830026A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130187A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
| JPS55130186A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Sony Corp | Magnetoelectric transducer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416977A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Ckd Controls | Method for stabilizing output of sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331117B2 (ja) | 1988-06-22 |
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