JPS5828685B2 - チヨウデンドウ ｖ３ｇａ センザイノ セイゾウホウ - Google Patents
チヨウデンドウ ｖ３ｇａ センザイノ セイゾウホウInfo
- Publication number
- JPS5828685B2 JPS5828685B2 JP49072527A JP7252774A JPS5828685B2 JP S5828685 B2 JPS5828685 B2 JP S5828685B2 JP 49072527 A JP49072527 A JP 49072527A JP 7252774 A JP7252774 A JP 7252774A JP S5828685 B2 JPS5828685 B2 JP S5828685B2
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- JP
- Japan
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- wire
- v3ga
- layer
- superconducting
- composite
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- Expired
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は安定化Ｖ３Ｇａ超電導線材の製造法に関するも
のである。
のである。
近年超電導線は、強磁場に釦ける安定性に関する研究の
進歩により、常伝導金属中に非常に細い超電導体の多数
本を埋め込んだ極細多芯超電導線が主として使用される
様になって来た。
進歩により、常伝導金属中に非常に細い超電導体の多数
本を埋め込んだ極細多芯超電導線が主として使用される
様になって来た。
超電導材料としては、Ｎｂ−Ｔｉ 系、Ｎｂ −Ｚｒ系
合金などの合金系とＮｂ３Ｓｎ、Ｖ３Ｇａなどの化合物
系があるが、現在９０ ＫＧ以上の高磁場を発生するマ
グネットに用いられる線材はほとんど化合物系の超電導
材料である。
合金などの合金系とＮｂ３Ｓｎ、Ｖ３Ｇａなどの化合物
系があるが、現在９０ ＫＧ以上の高磁場を発生するマ
グネットに用いられる線材はほとんど化合物系の超電導
材料である。
これは、化合物系の超電導材料は合金系に比べて超電導
の上部臨界磁場Ｈｃ２ ＞よび臨界電流密度Ｊｃが高
いという理由による。
の上部臨界磁場Ｈｃ２ ＞よび臨界電流密度Ｊｃが高
いという理由による。
しかしこの高磁場発生に適した化合物系の超電導材料は
合金系に比べて脆いという欠点があり、製造に際し引伸
加工がむつかしく、特に上述の極細多芯超電導線の製造
がむつかしいので、テープ状の線材しか作られなかった
。
合金系に比べて脆いという欠点があり、製造に際し引伸
加工がむつかしく、特に上述の極細多芯超電導線の製造
がむつかしいので、テープ状の線材しか作られなかった
。
例えばこのテープ状線材の製造方法としては特公昭４７
−２１３５６号に述べられている。
−２１３５６号に述べられている。
これによるとＶ３Ｇａ 化合物の加工性のないことがら
■テープの表面に溶融Ｇａめつきを施こし、各種組成の
非超電導性Ｖ−Ｇａ化合物に完全に転化することにより
余剰のＧａを残さず、その後その上にＣｕを被覆してＶ
ＢＧａ 層を形成する方法が述べられている。
■テープの表面に溶融Ｇａめつきを施こし、各種組成の
非超電導性Ｖ−Ｇａ化合物に完全に転化することにより
余剰のＧａを残さず、その後その上にＣｕを被覆してＶ
ＢＧａ 層を形成する方法が述べられている。
これにより加工性のないＶＢＧａ 層を持った導体の
製法を可能とし、テープ状導体として実用化されている
。
製法を可能とし、テープ状導体として実用化されている
。
しかしこの方法では後述の如き、極細多芯導体の製造は
困難である。
困難である。
このテープ状の線材の最大の欠点は垂直磁場に対する不
安定性であり、この不安定性の問題を解決するため、超
電導材料を細かく多芯化するととにより、方向性を持た
ない、かつ磁化の少ない安定な超電導線材を製造するこ
とが必要である。
安定性であり、この不安定性の問題を解決するため、超
電導材料を細かく多芯化するととにより、方向性を持た
ない、かつ磁化の少ない安定な超電導線材を製造するこ
とが必要である。
この安定化多芯■３Ｇａ 超電導線材の製造法としては
例えば金属材料技術研究所が開発した次の如き方法があ
る。
例えば金属材料技術研究所が開発した次の如き方法があ
る。
即ち１８原子係のＧａを含むＣｕ−Ｇａ合金中に多数本
の■を埋め込んで線引き加工し、最後に熱処理して超電
導ＶＢＧａ 層を■の表面に得る方法である。
の■を埋め込んで線引き加工し、最後に熱処理して超電
導ＶＢＧａ 層を■の表面に得る方法である。
この方法の欠点は線引き加工によるＣｕ−Ｇａ合金の加
工硬化が著しく、１回５０％程度の加工度しかとれない
ので、加工時何回も熱処理を必要とし、又上記加工硬化
によりＶの不均一変形および長さ方向での特性のバラツ
キが生じ易い欠点がある。
工硬化が著しく、１回５０％程度の加工度しかとれない
ので、加工時何回も熱処理を必要とし、又上記加工硬化
によりＶの不均一変形および長さ方向での特性のバラツ
キが生じ易い欠点がある。
本発明はＶ上の溶融Ｇａめつきに釦いて、ｖまたは■合
金表面にＶ−Ｇａ化合物層を被覆すると共に余剰のＧａ
層を被覆せしめることにより、従来から困難とされてい
たＶ−Ｇａ化合物の機械的加工を可能にするもので、Ｃ
ｕパイプ中に挿入後の減面加工時Ｖ−Ｇａ化合物層を粉
砕し、かつｖ−Ｇａ化合物粒界に余剰に被覆したＧａを
浸透させることにより、化合物層の減面加工を行なって
単芯または多芯Ｖ３Ｇａ 超電導線材を容易に製造し
うる方法を提供せんとするものである。
金表面にＶ−Ｇａ化合物層を被覆すると共に余剰のＧａ
層を被覆せしめることにより、従来から困難とされてい
たＶ−Ｇａ化合物の機械的加工を可能にするもので、Ｃ
ｕパイプ中に挿入後の減面加工時Ｖ−Ｇａ化合物層を粉
砕し、かつｖ−Ｇａ化合物粒界に余剰に被覆したＧａを
浸透させることにより、化合物層の減面加工を行なって
単芯または多芯Ｖ３Ｇａ 超電導線材を容易に製造し
うる方法を提供せんとするものである。
本発明ばＶｔたはＶ合金よりなる棒の表面に溶融Ｇａめ
つきを施こし、Ｃｕパイプ中に挿入した複合棒を減面加
工して引伸する工程と、上記引伸した線を最終寸法で５
０００〜９００℃で加熱処理することによりＶ３Ｇａ
超電導体を生成させる工程とより戒り、必要に応じ、
更に上記引伸した複合線の複数本を束ねてＣｕパイプ中
に挿入し減面加工して引伸する工程を、上記複合線のＶ
線が所望の本数に達する昔で繰り返して後、最終所望寸
法の線に減面加工を施こす工程を含む超電導Ｖ３Ｇａ
線材の製造法に３いて、上記溶融ＧａめつきによりＶ
ｔたば■合金表面にＶ−Ｇａ化合物および余−ＪＩＪＯ
Ｇａ層を被覆せしめて、上記複合線の減面加工時Ｖ−Ｇ
ａ化合物層を粉砕し、かつＶＧａ化合物粒界にＧａを浸
透させることにより、最終的に得られるＶ３Ｇａ 層の
連続性をそこなうことなく、上記■−Ｇａ化合物層の減
面加工を容易ならしめることを特徴とするものである。
つきを施こし、Ｃｕパイプ中に挿入した複合棒を減面加
工して引伸する工程と、上記引伸した線を最終寸法で５
０００〜９００℃で加熱処理することによりＶ３Ｇａ
超電導体を生成させる工程とより戒り、必要に応じ、
更に上記引伸した複合線の複数本を束ねてＣｕパイプ中
に挿入し減面加工して引伸する工程を、上記複合線のＶ
線が所望の本数に達する昔で繰り返して後、最終所望寸
法の線に減面加工を施こす工程を含む超電導Ｖ３Ｇａ
線材の製造法に３いて、上記溶融ＧａめつきによりＶ
ｔたば■合金表面にＶ−Ｇａ化合物および余−ＪＩＪＯ
Ｇａ層を被覆せしめて、上記複合線の減面加工時Ｖ−Ｇ
ａ化合物層を粉砕し、かつＶＧａ化合物粒界にＧａを浸
透させることにより、最終的に得られるＶ３Ｇａ 層の
連続性をそこなうことなく、上記■−Ｇａ化合物層の減
面加工を容易ならしめることを特徴とするものである。
本発明に使用するＶｔたは■合金よりなる棒とは、純ｖ
または０．１〜１０原子咎のＴ １ ｓ Ｚ ｒ若しく
ばＨｆなどの元素を含むＶ合金であり、■に添加するこ
れらの元素は■へのＧａの拡散を促進させてＶ３Ｇａを
生成し易くして前記Ｉｃを向上し、また線材の機械的性
質を改善する効果がある。
または０．１〜１０原子咎のＴ １ ｓ Ｚ ｒ若しく
ばＨｆなどの元素を含むＶ合金であり、■に添加するこ
れらの元素は■へのＧａの拡散を促進させてＶ３Ｇａを
生成し易くして前記Ｉｃを向上し、また線材の機械的性
質を改善する効果がある。
又本発明に使用するＣｕパイプは電導性の良い例えば無
酸素銅、タブピッチ銅、脱酸銅など製のものである。
酸素銅、タブピッチ銅、脱酸銅など製のものである。
本発明にむいて、ＶまたはＶ合金表面に溶融めっきする
Ｖ−Ｇａ化化合物層上び余剰のＧａ層の厚さは爾後の減
面加工に釦ける加工性お・よび熱処理によるＶ３ Ｇａ
の生成上重要な因子である。
Ｖ−Ｇａ化化合物層上び余剰のＧａ層の厚さは爾後の減
面加工に釦ける加工性お・よび熱処理によるＶ３ Ｇａ
の生成上重要な因子である。
本発明者らは本発明に到る過程に釦いて、とのＶ−Ｇａ
化合物層を被覆する段階に釦いて、後述する温度と時間
でこの化合物層にクラックの発生のあることを見付けて
いるが、本発明に訟ける余剰のＧａは、このクラックの
空隙を満たすように被覆され、更にＶ−Ｇａ化合物層の
表面に、爾後の減面加工において発生するＶ−Ｇａ化合
物層のクラックの空隙を充分溝たしてめっき層の連続性
をそこなわないような厚さのＧａ層が被覆されることが
必要で、通常この厚さは約１μ以上あれば充分その効果
が認められる。
化合物層を被覆する段階に釦いて、後述する温度と時間
でこの化合物層にクラックの発生のあることを見付けて
いるが、本発明に訟ける余剰のＧａは、このクラックの
空隙を満たすように被覆され、更にＶ−Ｇａ化合物層の
表面に、爾後の減面加工において発生するＶ−Ｇａ化合
物層のクラックの空隙を充分溝たしてめっき層の連続性
をそこなわないような厚さのＧａ層が被覆されることが
必要で、通常この厚さは約１μ以上あれば充分その効果
が認められる。
又Ｖ−Ｇａ化合物層については、Ｖ−Ｇａ化合物面積／
■面積は０．１〜０．５が適当で、約０．３程度が最も
良い。
■面積は０．１〜０．５が適当で、約０．３程度が最も
良い。
この比が０．１以下ではＶ３Ｇａ 生成に必要なＧａが
不足となって充分なＶ３Ｇａ の生成かむつかしく、
０．５以上になると加工中粉砕されたＶ−Ｇａ化合物層
の粒界へのＧａの浸透が充分でなくなり、複合材料自体
の延性不足から加工性が悪くなると共に１得られる最終
Ｖ３Ｇａ 層の連続性をそこなう。
不足となって充分なＶ３Ｇａ の生成かむつかしく、
０．５以上になると加工中粉砕されたＶ−Ｇａ化合物層
の粒界へのＧａの浸透が充分でなくなり、複合材料自体
の延性不足から加工性が悪くなると共に１得られる最終
Ｖ３Ｇａ 層の連続性をそこなう。
これらのＶ−Ｇａ化合物層とＧａ層の厚さは溶融めっき
にむけるＧａの温度、浸漬時間などの条件を適当に選択
することにより、所望の厚さのものが得られる。
にむけるＧａの温度、浸漬時間などの条件を適当に選択
することにより、所望の厚さのものが得られる。
又本発明に釦いてマトリックスとなるＣｕとＶなどの芯
との面積比ば１：１程度以上が適当で、Ｃｕが多くなる
程伸線加工における加工性は良くなる。
との面積比ば１：１程度以上が適当で、Ｃｕが多くなる
程伸線加工における加工性は良くなる。
本発明にお・いて複合棒または複合線に施こされる減面
加工は伸線、圧延またはスェージング加工の倒れでも良
く、又減面加工後の形状は丸線、平角線筐たはテープの
何れでも良い。
加工は伸線、圧延またはスェージング加工の倒れでも良
く、又減面加工後の形状は丸線、平角線筐たはテープの
何れでも良い。
又本発明により得られる超電導ｖ３Ｇａ 線材は超電導
Ｖ３Ｇａ が単芯のものでも多芯のものでも良く、多
芯の場合は上述の複数本の複合線束ね、Ｃｕパイプ挿入
、引伸加工を、芯線が所望の本数に達する１で繰返えさ
れる。
Ｖ３Ｇａ が単芯のものでも多芯のものでも良く、多
芯の場合は上述の複数本の複合線束ね、Ｃｕパイプ挿入
、引伸加工を、芯線が所望の本数に達する１で繰返えさ
れる。
又単芯または多芯の引伸加工した線を撚線曾たは編組線
等に仕上げることも可能であり、その際のｖ３Ｇａ 生
成のための熱処理は撚線または編組の前または後に実施
すれば良い。
等に仕上げることも可能であり、その際のｖ３Ｇａ 生
成のための熱処理は撚線または編組の前または後に実施
すれば良い。
以下本発明を図面により実施例について説明する。
第１図イル二は本発明方法の実施例を工程順に示す斜視
図である。
図である。
先ず所定のサイズに線引きしたＶ棒１または■合金棒１
とこのＶ棒が挿入できるサイズのＣｕパイプを準備する
。
とこのＶ棒が挿入できるサイズのＣｕパイプを準備する
。
次にＶ棒１を例えば８０００〜１０００’Ｃで真空中で
焼鈍し、これを針状結晶（■とＧａの化合物）が析出し
ない程度に昇温した溶融Ｇａ中に真空中で適当な時間浸
漬して引上げ、■棒１表面にＶ−Ｇａ化合物層むよび余
剰のＧａ層とよりなるめっき層３を被覆する。
焼鈍し、これを針状結晶（■とＧａの化合物）が析出し
ない程度に昇温した溶融Ｇａ中に真空中で適当な時間浸
漬して引上げ、■棒１表面にＶ−Ｇａ化合物層むよび余
剰のＧａ層とよりなるめっき層３を被覆する。
この溶融めっきしたＶ棒１をＣｕパイプ２中に挿入しく
イ図）この複合棒を所要サイズ１でスェージング、伸線
、または圧延などの引伸加工を行なって複合線４とする
（四回）。
イ図）この複合棒を所要サイズ１でスェージング、伸線
、または圧延などの引伸加工を行なって複合線４とする
（四回）。
この減面加工中Ｖ−Ｇａ化合物層は粉砕されるが、その
粒界にＧａが浸透するのでめっき層の連続性が破壊され
ず、加工性が良い。
粒界にＧａが浸透するのでめっき層の連続性が破壊され
ず、加工性が良い。
単芯の場合はこの複合線４に後述の熱処理を施こして超
電導Ｖ３Ｇａ を生成させる。
電導Ｖ３Ｇａ を生成させる。
多芯の場合は、このようにして作った複合線４を適当数
、例えば７本束ねて、その束の外径に合ったＣｕパイプ
５中に挿入しくハ図）、引伸加工して複合線６とする（
二図）。
、例えば７本束ねて、その束の外径に合ったＣｕパイプ
５中に挿入しくハ図）、引伸加工して複合線６とする（
二図）。
この複合線６におけるＶ線１の本数が所望の本数に達し
ない場合は更に複合線６を複数本束ねてＣｕパイプに挿
入して引伸加工するハ図〜二図の工程を繰返し、マトリ
ックスのＣｕの割合を考慮した目的の■本数に達した時
点で、最終所望寸法の線径又はテープ曾で伸線渣たは圧
延加工を施こす。
ない場合は更に複合線６を複数本束ねてＣｕパイプに挿
入して引伸加工するハ図〜二図の工程を繰返し、マトリ
ックスのＣｕの割合を考慮した目的の■本数に達した時
点で、最終所望寸法の線径又はテープ曾で伸線渣たは圧
延加工を施こす。
このようにして作った複合線またはテープを真空中で５
０００〜９００℃の温度で２〜２００時間加熱処理する
ことにより、マトリックスＣｕとＶ線１の境界に超電導
Ｖ３Ｇａ 層を生成させ、第２図に示す如き超電導多芯
ｖ３Ｇａ 線７捷たはテープを得る。
０００〜９００℃の温度で２〜２００時間加熱処理する
ことにより、マトリックスＣｕとＶ線１の境界に超電導
Ｖ３Ｇａ 層を生成させ、第２図に示す如き超電導多芯
ｖ３Ｇａ 線７捷たはテープを得る。
第２図において１１はＶｔたばＶ合金、１２はマトリッ
クスＣｕ、１３は超電導■３Ｇａ 層である。
クスＣｕ、１３は超電導■３Ｇａ 層である。
第２図は芯■が７本の場合を示しているが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、多本数の場合には第１図
ハル二の工程を何回も繰返せば良い。
れに限定されるものではなく、多本数の場合には第１図
ハル二の工程を何回も繰返せば良い。
又■３Ｇａ 生成熱処理の前または後に必要によりツイ
スト加工を行なっても良い。
スト加工を行なっても良い。
実施例：
この実施例は上述に説明した方法と同様の方法により行
った。
った。
９００℃で２時間真空焼鈍を施こした３４ｍｍ＄、長さ
３００ｍｍの■棒２本を真空中で５５０’Ｃに昇温した
溶融Ｇａ中に６時間浸漬して引上げて溶融めっきを施こ
した。
３００ｍｍの■棒２本を真空中で５５０’Ｃに昇温した
溶融Ｇａ中に６時間浸漬して引上げて溶融めっきを施こ
した。
この場合のめつき層のＶ−Ｇａ化合物層の厚さは２３０
μ、 Ｖの寸法は３．２０５ ｎｌｍｐで断面にむけ
るＶ−Ｇａ化合物面積／Ｖ面積は０．３０８であった。
μ、 Ｖの寸法は３．２０５ ｎｌｍｐで断面にむけ
るＶ−Ｇａ化合物面積／Ｖ面積は０．３０８であった。
又余剰のＧａ層は生成されたｖ−Ｇａ化合物のクラック
による空隙を充分溝たし、更に表面に厚さ１μ以上被覆
した。
による空隙を充分溝たし、更に表面に厚さ１μ以上被覆
した。
この２本の■棒を夫々外径６ ｍｍ 、内径４ｍｍ、長
さ３００ｍｍのＣｕパイプに挿入し、この２本の複合棒
を夫々１．９６ｍｍ〆まで伸線加工した。
さ３００ｍｍのＣｕパイプに挿入し、この２本の複合棒
を夫々１．９６ｍｍ〆まで伸線加工した。
この伸線加工中、粉砕されたＶＧａ化合物層の粒界にＧ
ａが浸透した結果、めっき層の連続性がそこなわれるこ
となく、支障なく伸線可能であった。
ａが浸透した結果、めっき層の連続性がそこなわれるこ
となく、支障なく伸線可能であった。
この１．９６ｍｍｏの複合線を夫々長さ３００ｍｍ宛に
切断して７本の複合線を準備した。
切断して７本の複合線を準備した。
次にこの７本の１．９６ｍｍ〆の複合線を束ねて外径８
ｒｒＩｍ１内径６ｍｍ、長さ３００ｍｍ中に挿入し、こ
の複合棒を０．３８５ｒｒｏｌｔで伸線加工した。
ｒｒＩｍ１内径６ｍｍ、長さ３００ｍｍ中に挿入し、こ
の複合棒を０．３８５ｒｒｏｌｔで伸線加工した。
この場合もｖ−Ｇａ層が存在するための破壊による支障
はなく、伸線加工性は良好で、中間焼鈍を施こすことな
く、支障なく伸線可能であった。
はなく、伸線加工性は良好で、中間焼鈍を施こすことな
く、支障なく伸線可能であった。
その後この０．３８５ ｍｍｉの複合線を真空中で、６
５０°Ｃで５０時間熱処理を行ない、マトリックスＣｕ
とＶ線との境界に超電導Ｖ３Ｇａ 層を生成させた。
５０°Ｃで５０時間熱処理を行ない、マトリックスＣｕ
とＶ線との境界に超電導Ｖ３Ｇａ 層を生成させた。
得られた超電導多芯■３Ｇａ 線の断面は第２図と同様
のもので、この場合の各芯■線上の超電導Ｖ３Ｇａ
層の厚さは約２μであった。
のもので、この場合の各芯■線上の超電導Ｖ３Ｇａ
層の厚さは約２μであった。
得られた線について、４．２ Ｋにおいて３０ＫＧおよ
び５０ＫＧの垂直磁場中で臨界電流密度を測定した結果
は下表むよび第３図に示す如くである。
び５０ＫＧの垂直磁場中で臨界電流密度を測定した結果
は下表むよび第３図に示す如くである。
第３図は磁場の磁束密度Ｈｃと臨界電流密度Ｊｃとの関
係を示す図で、横軸にＨＣ１縦軸にＪｃを示す。
係を示す図で、横軸にＨＣ１縦軸にＪｃを示す。
尚、比較のため従来のＣｕめつき表面拡散法（金属材料
技術研究所、特公昭４７−２１３５６号による方法）で
作成した１ ２．７ｎｏＸ Ｏ，１２ｍｍの超電導Ｖ３
Ｇａ テープと比較した。
技術研究所、特公昭４７−２１３５６号による方法）で
作成した１ ２．７ｎｏＸ Ｏ，１２ｍｍの超電導Ｖ３
Ｇａ テープと比較した。
即ち、本発明による品は従来品（テープ）に比べ、高、
低磁場共、高い臨界電流密度を示し、前述のＣｕ−Ｇａ
合金埋込み法によって作成した超電導多芯Ｖ３Ｇａ
とほぼ同等の性能を示した。
低磁場共、高い臨界電流密度を示し、前述のＣｕ−Ｇａ
合金埋込み法によって作成した超電導多芯Ｖ３Ｇａ
とほぼ同等の性能を示した。
以上述べたように、本発明は超電導ＶＢＧａ 線を製
造する方法にむいて、Ｃｕパ゛イ）プ中に挿入する溶融
ＧａめっきしたＶ棒筐たはＶ合金棒のめつき層をＶ−Ｇ
ａ化合物層と余剰のＧａ層とより構成せしめて、複合線
の減面加工時ｖ−Ｇａ化合物層が粉砕しても、その■−
Ｇａ化合物粒界にＧａを浸透させることにより、■−Ｇ
ａ化合物層の連続性をそこなうことなく、支障なく引伸
することかでき、引伸加工を容易ならしめる利点がある
。
造する方法にむいて、Ｃｕパ゛イ）プ中に挿入する溶融
ＧａめっきしたＶ棒筐たはＶ合金棒のめつき層をＶ−Ｇ
ａ化合物層と余剰のＧａ層とより構成せしめて、複合線
の減面加工時ｖ−Ｇａ化合物層が粉砕しても、その■−
Ｇａ化合物粒界にＧａを浸透させることにより、■−Ｇ
ａ化合物層の連続性をそこなうことなく、支障なく引伸
することかでき、引伸加工を容易ならしめる利点がある
。
又途中の加工工程に釦いてＣｕ−Ｇａ合金の生成がない
ので、Ｃｕ−Ｇａ合金の低加工性をも克服し得、高い加
工度を施こすことができる利点がある。
ので、Ｃｕ−Ｇａ合金の低加工性をも克服し得、高い加
工度を施こすことができる利点がある。
従って本発明により超電導多芯Ｖ３Ｇａ線を工業的に製
造することが可能となり、超電導特性の優れた均一な超
電導多芯線が得られる利点がある。
造することが可能となり、超電導特性の優れた均一な超
電導多芯線が得られる利点がある。
更にＣｕ−Ｇａ合金中にＶ又はＶ合金棒に挿入して作る
複合多芯法に比較すると、製造に必要なＧａ量は桁違い
に少なくてすみ、ロスが少ないためＧａ量を必要最小限
に制御することができるので、非常に経済的に製造しう
る利点がある。
複合多芯法に比較すると、製造に必要なＧａ量は桁違い
に少なくてすみ、ロスが少ないためＧａ量を必要最小限
に制御することができるので、非常に経済的に製造しう
る利点がある。
又本発明は引伸加工にまり長尺の超電導線材を得ること
ができ、又多本数の複合線束ね→Ｃｕ−々イブ挿入→引
挿入上引伸加工ことにより、多本数の芯を有する安定化
超電導多芯線材を任意に製造しうる利点がある。
ができ、又多本数の複合線束ね→Ｃｕ−々イブ挿入→引
挿入上引伸加工ことにより、多本数の芯を有する安定化
超電導多芯線材を任意に製造しうる利点がある。
第１図イル二は本発明方法の実施例を工程順に示す斜視
図である。 第２図は第１図に示す方法により製造した超電導多芯Ｖ
３Ｇａ線の断面図である。 第３図は本発明による品と従来品（テープ）との磁場の
磁束密度と臨界電流密度との関係を示す図である。 １・・・・・・Ｖ棒（又は■合金棒）、２・・・・・・
Ｃｕ−ζイブ、３・・・・・・Ｖ−Ｇａ化合物層むよび
Ｇａ層とよりなるめっき層、４，６・・・・・・複合線
、５・・・・・・Ｃｕ”イブ、７・・・・・・超電導多
芯■３Ｇａ 線、１１・・・・・・Ｖまたは■合金、１
２・・・・・・マトリックスＣｕ、１３・・・・・・超
電導Ｖ３Ｇａ層。
図である。 第２図は第１図に示す方法により製造した超電導多芯Ｖ
３Ｇａ線の断面図である。 第３図は本発明による品と従来品（テープ）との磁場の
磁束密度と臨界電流密度との関係を示す図である。 １・・・・・・Ｖ棒（又は■合金棒）、２・・・・・・
Ｃｕ−ζイブ、３・・・・・・Ｖ−Ｇａ化合物層むよび
Ｇａ層とよりなるめっき層、４，６・・・・・・複合線
、５・・・・・・Ｃｕ”イブ、７・・・・・・超電導多
芯■３Ｇａ 線、１１・・・・・・Ｖまたは■合金、１
２・・・・・・マトリックスＣｕ、１３・・・・・・超
電導Ｖ３Ｇａ層。
Claims (1)
- Ｉ ＶｔたはＶ合金よりなる棒の表面に溶融Ｇａめつ
きを施こし、Ｃｕパイプ中に挿入した複合棒を減面加工
して引伸する工程と、上記引伸した線を最終寸法で５０
０ 〜９００℃で加熱処理することによりＶ３Ｇａ 超
電導体を生成させる工程とより成り、必要に応じ更に上
記引伸した複合線の複数本を束ねてＣｕパイプ中に挿入
し減面加工して引伸する工程を、上記複合線のＶ線が所
望の本数に達する昔で繰り返して後、最終所望寸法の線
に減面加工を施こす工程を含む超電導Ｖ３Ｇａ 線材
の製造法にむいて、上記溶融ＧａめつきによりＶまたは
Ｖ合金表面にＶ−Ｇａ化化合物上び余剰のＧａ層を被覆
せしめて、上記複合線の減圧加工時Ｖ−Ｇａ化合物層を
粉砕し、かつＶ−Ｇａ化合物粒界にＧａを浸透させるこ
とにより、最終的に得られるＶ３Ｇａ 層の連続性を
そこなうことなく、上記Ｖ−Ｇａ化合物層の減面加工を
容易ならしめることを特徴とする超電導Ｖ３Ｇａ 線材
の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49072527A JPS5828685B2 (ja) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | チヨウデンドウ ｖ３ｇａ センザイノ セイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49072527A JPS5828685B2 (ja) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | チヨウデンドウ ｖ３ｇａ センザイノ セイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS513595A JPS513595A (en) | 1976-01-13 |
| JPS5828685B2 true JPS5828685B2 (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=13491884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49072527A Expired JPS5828685B2 (ja) | 1974-06-26 | 1974-06-26 | チヨウデンドウ ｖ３ｇａ センザイノ セイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5828685B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013184U (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-29 | コスモ株式会社 | 操作盤 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54101675U (ja) * | 1977-12-28 | 1979-07-18 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS496893A (ja) * | 1972-05-08 | 1974-01-22 |
-
1974
- 1974-06-26 JP JP49072527A patent/JPS5828685B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS496893A (ja) * | 1972-05-08 | 1974-01-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6013184U (ja) * | 1983-07-05 | 1985-01-29 | コスモ株式会社 | 操作盤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS513595A (en) | 1976-01-13 |
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