JPS5827973A - 光導電性感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非晶質シリコンを用いた光導電性感光体の！ｌ
１ｌｌ造方法に関するものである。

第１図はこの種の光導電性感光体の典型的な構造を示す
断面図で、（１）はアルミニウム等の導電性基板、（２
）はこの導電性基板（１）に形成されたＮ型の非晶質シ
リコン膜である（以下、単にＮ型層という）。このＮ型
層（２）の上面には、エヤ（ノンドー１）の非晶質シリ
コン膜（３）（以下、単にエヤ層という）が形成され、
更にその上面にはＰ型の非晶質シリコン膜（４）（以下
、単にＰ型層という）が形成される。そして、これら各
層（２）　（３）　（４）は、夫々適当な不純物を含む
シランガス中での１ラズマ反応により堆積形成される。

第２図は上記非晶質シリコン膜（２）　（３）（４）を
形成するための従来の１ラズマ反応装置を示し、（８）
はアラズマ反応室、（９）、０１は夫々該反応室内にお
いて上下に対向配置された第１、第２に極、αυは該両
市１極間に高周波電場を発生させるための高周波電源、
０９〜ＯＧは夫々反応室（８）内に各種反応ガスを導入
するための第１〜第４バルブ、ｏｆ９は第２バルブ（至
）に連なるシランガス発生器、　（１７）は第６バルブ
α→に連なるジボランガス発生器、（ト）は第４バルブ
（ハ）に連なるフォスフインガス発生器、Ｑ傷は反応室
（８）内の雰囲完を排気するだめの第５パルプで該バル
ブには真空排気系が接続されている。

上記の装置により第１図の非晶質シリコン腺（２）（３
）（４）を形成するには、まずアルミニウム基板（１）
を第２Ｗ、極ａ１上に載置し、次いで第１〜第４バμプ
（ロ）〜０均を適宜調節して反応室（８）内に所定の反
応ガヌを導入後、第１、第２′ｆ１．極（９）、００間
に高周波電場を印加して１ラズマ反応を生起させる。即
ち、反応室（８）内に反応ガスがシランとフォスフイン
とからなる場合にＮ型層（２）が、又シランのみの場合
にエヤ層（３）が、更にシランとシボランとからなる場
合にＰ型層（４）が夫々形成されるのである。

然るに上記従来方法では、異種光導電性非晶質シリコン
層を同一のフ゛ラズマ反応室で形成するため、例えばＮ
型層（２）に次いでエヤ層（３）ｆ形成する際、第５バ
ルブ０Ｉを開いて一旦反応室（８）内を排気しても、反
応室壁に付着したり、反応室の隅に溜まっているＮ型不
純物が完全に排気され、ず残留し、従ってエヤ層（３）
の形成時に斯る残留不純物により該層が影響を受は光導
電特性の低化をもたらす。

本発明は上記点に鑑みてかされたもので、上記各層（２
）　（ａ）　（４）の各形成工程の実行に際し、前工程
に用いた光導電特性を決定する不純物が用いられない工
程では、前工程とは異なるフ゛ヲズマ反応室で非晶質シ
リコン層を形成することを特徴とし、これによシ上記の
如き残留不純物の影響を無くするものである。

第３図は本発明実施例としての製造装置を示し、（２０
ａ）〜（ＺＯＣ）は互いに隔離されて並設された第１〜
第６反応室、（２７ａ）　〜（２／ｃ）は夫々該各反応
室に所定の反応ガスを導入するだめの第１〜第６パルブ
で、第１パルプ（２１ａ）を通じてシランガスとフォス
フインガス力、第２　／＜Ａ／７”（２１ｂ）を通じて
シランガスが、更に第６バμブ（２１Ｃ）を通じてシラ
ンとシボランガスが夫々供給される。（２２ａ）〜（２
２ｃ）は各反応室（２０ａ）〜（２０ｃ）を排気するた
めの第４〜第６バルブで、これら各バルブは真空排気系
に接続されている。

（財）及び（ハ）は上記各反応室において、対向配置さ
れた第１及び第２電極で、これら冒、棒には高周波電源
に）より高周波電場が印加される。（イ）は上記各反応
室において第１、第２電極（イ）、（ハ）間に配された
ロー、ラコンベアである。該ローラコンベアはそれ自体
周知であυ、モータ等によシ各ローヲが回転駆動されて
なり、斯るコンベア上に載置された物品を、本装置では
第１反応室（２［１１ａ）よシ第６反応室（２０ｃ）に
向う方向に移送する。

（２７ａ）〜（２７ｄ）は第１〜第６反応室（２０ａ）
〜（２０ｃ）の各垂直壁に）に同一高さにて開口された
第１〜第４通過窓、（２９ａ）　〜（’２９ｃ１．）は
該層の各々を開閉する第１〜第４シヤツタである。斯る
窓とシャッタの詳細は第４図に示されており、同図にて
、（７）は垂直壁に）の窓周囲に固着されたパフキング
、Ｃ（Ｉ）は上記シャッタの上端に設けられた歯車、（
財）はモータ（図示しない）に連結され、歯車０１）に
歯合する駆動歯車で、該駆動歯車の回転により上記シャ
ッタはその上端を中心に回動し、図の如くバッキング（
７）に密着せる状態では上記通過窓を密封する。

次に上記製造装置により第１図の素子を製造する方法を
説明する。

まず、アルミニウム基板（１）を第１通過窓（２７ａ）
を介して第１反応室（２０ａ）のローラコンベアに）上
に載置する。このとき、基板（１）は適当なパレットに
載せてコンベアに）上に載置されるのが良く、又斯る基
板載置後は、第１〜第４シヤツタ（２９ａ）〜（２９ｄ
）は全て閉位置にあシ、又全てのローラコンベア（ホ）
は停止しており、更に第１〜第６バルプ（２１ａ）〜（
２１ｃ）、（２２ａ）〜（２２ｃ）、が閉じられ、かつ
全ての第１、第２電極勾、弼にはＮ１場印加がない。

次に、第４〜第６パルブ（２２ａ）〜（２２０’）を通
じて第１〜第６反応室（２０ａ）〜（２０Ｑ＞を真空排
気した後、第１バルブ（２１ａ）’！ｒ−介して第１反
応室（２０ａ　）　内にシランガスとフォスフインガス
とを満し、この状態で第１反応室（２０ａ）の第１、第
２１！極（ホ）、（ハ）に電場印加を行ない１ラズマ反
応を行なう。よってこの工程でアルミニウム基板（１）
上にＮ型層（２）が形成される。

然る後、第１反応室（２０ａ）を再び真空排気し、次い
で第２シヤフタ（２９ｂ）を開けると共に第１、第２反
応室（２０ａ）、（２０ｂ）（７）ｏ−７＝＋ンヘ７（
ホ）を駆動して、基板を第２反応室（２０”ｂ）に移す
。

そして第２シヤフタ（２９ｂ）を閉じて第２バルブ（２
１ｂ）を開き第２反応室（２Ｄｂ）をシランガスで満す
。そこで該反応室の第１、第２を極（至）、（財）に電
場印加を行なうとフ゛ラズマ反応によシェル層（３）が
形成される。このとき第１、第２反応室（２０ａ）、（
２０ｂ）は隔離されているので第１反応室（２０ａ、）
内の残留不純物が第２反応室（２０ｂ）に入ることなく
１型＃　（６）が斯る不純物で汚染されることがない。

次に、第２反応室（２０ｂ）を再び真空排気し、次いで
第６シヤツタ（２９ｃ）を開けると共に第２、第６反応
室（２０ｂ）、（２００）ｃ７）ａ−？：２　ンヘ７（
ハ）ｆ駆動して、基板を第６反応室（２０ｃ）に移す。

そして第６シヤツタ（２９Ｑ）を閉じて第６パルプ（２
１ｃ）を開き第６反応室（２０（りｋンランガスとシボ
ワンガスで満した後、該反応室の第１、第２電極に）、
（財）に市、場印加を行なうとフ゛ヲズマ反応によりＰ
型層（４）が形成される。このときにもＰ型層（４）が
他の不純物で汚染されないことはもちろんである。

かくして本発明によれば、フ“ラズマ反応により順次光
導電性非晶質シリコン層を形成して光導電。

性感光体を製造する際に、不所望な残留不純物によシシ
リコン層が影響されることなく光導電性感光体の特性向
上を図ることができる。

上記実施例ではいわゆるＰ工Ｎ型の非晶質シリコン膜を
形成する方法について述べたが、酸素のドーピング量の
みが異なる２種の非晶質シリコン膜を堆積形成する場合
においても、有効な方法として採用されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は典型的な光導性感光体の断面図、第２図は従来
の方法を実施するための製造装置の模式図、第６図は本
発明方法を実施するための製造装置の模式図、第４図は
同要部拡大断面図である。 （１）・・・・・・アルミニウム基板、（２）・・・・
・・Ｎ型層、（３）−・・・・・■型層、（４）・・・
・・・Ｐ型層、（２０ａ）・・・・・・第１反応室、（
２０ｂ）・・・・・・第２反応室、（２０Ｑ）・・・・
・・第６反応室。 味 ４３５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、導’ｔｔ！体上に、フ゛ラズマ反応により順次形成
   された、複数の異種光導電１性非晶質シリコン層を備え
   る光導電性感光体の製造方法において、上記各シリコン
   層の各形成工程の実行に際し、前工稈とは異なる１ラズ
   マ反応室で相異なるシリコン層を形成することを特徴と
   する光導電、性感光体の製造方法。