JPS5827677B2 - 凹凸を有する基板への微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents

凹凸を有する基板への微細パタ−ンの形成方法

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JPS5827677B2
JPS5827677B2 JP53157136A JP15713678A JPS5827677B2 JP S5827677 B2 JPS5827677 B2 JP S5827677B2 JP 53157136 A JP53157136 A JP 53157136A JP 15713678 A JP15713678 A JP 15713678A JP S5827677 B2 JPS5827677 B2 JP S5827677B2
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Description

【発明の詳細な説明】 各種電子機器、磁気記録再生機等における各種部品、装
置笠【こおいて凹凸を有する面(こ微細な導体パターン
或いは絶縁パダーン等積々の微細パターンを被着するこ
とが要求される場合が多々ある。
例えば磁気ヘッドOこおいて、そのコアに巻装する巻線
を薄膜技術によって形成することによって磁気ヘッド素
子の小型化や量産化を図ることが行われる。
第1図は、この薄膜技術を巻@に適用した磁気ヘッドの
一例の拡大上面図を示すもので、この場合、例えば第2
図(こ示すように絶縁基板、この場合ヘッド取付基板と
なる第1の絶縁基板1上(こ巻線の一部を構成する第1
の導体パターン2と巻線の端部(こ連結される端子とな
る端末導出パターン3とを被着し、これの上に前刃の対
向端面間(こ磁気ギャップgを形成するようにした対の
薄板状磁気コア半体4aおよび4bよりなる磁気へラド
コア4を載せて固着する。
そしてこの磁気コア4を跨ぐように第1の導体パターン
2との共働によって巻@9を構成する第2の導電パター
ン6を有する絶縁基板5を載せて固着する。
この基板5は、第3図(こその正面図を、第4図に上面
図を示すように、磁気コア4の中心部(こ設けられた溝
7内を貫通する突起8aと、磁気コアの両外側に対応す
る位置Gこ夫々突起8bとが設けられた断面E字形をな
し、パターン6がこの基板5の凹凸を有する面に形成さ
れてこの第2の導体パターン6の各両端が第1の導体パ
ターン2の所定の端部と一方の端子3の先端と(こ電気
的に連結されて巻線9が実質的にコア4の半体4aおよ
び4bを巡るよう(こなされる。
このような構成(こよる磁気ヘッドによればその巻線を
導体パターン2および6による薄膜技術1こよって形成
し得る導体パターン2および6による巻線9を用いてな
るので導線による巻線を巻き付ける場合に比し、この巻
線の占有空間を充分小さくすることができると共(こそ
の手間を回避できるので、磁気ヘッドの小型化と量産化
を図ることができる利益がある。
ところがこのような磁気ヘッドにおけるパターン2およ
び6は極めて微細なパターンを有するものであり、特に
その再生出力を上げるべくそのターン数を増加すればす
る程、微細パターンの形成の要求が高まる。
この場合、第1の導体パターン2は平面状の基板1上に
設けるものであるので、これを高精度Oこ形成すること
ができるが、第2のパターン6に関しては、突起8aお
よび8bが設けられた凹凸面を有する基板5iこ形成す
る必要があることから、高い精度を以って充分細いパタ
ーンが形成しにくい。
通常、このような微細の導体パターンを形成するにあた
っては、フォトレジストを用いた写真技術が適用される
例えば導体パターンを形成する金属、例えばCu、 A
u、 Ag、 A1等の単体金属、或いはそれ等の合金
を全面蒸着して後、これの上【こフォトレジスト層を塗
布し、これを所定のパターンに露光現像してこのフォト
レジストをエツチングマスクとして金属層を選択的にエ
ツチングするいわゆるフォトエツチングを適用するとか
、或いは、基板上にフォトレジストを塗布し、これを露
光現像して後、このフォトレジスト層上に前述の金属層
を全面的に蒸着して所要のパターンを有する下層のフォ
トレジストの除去と共にこれの上の金属層を選択的に除
去するいわゆるリフトオフ法を適用するとか、或いは基
板上に同様(こ露光現像処理によってフォトレジスト層
を所要のパターンに形成して後これをメッキマスクとし
て導体パターンを選択的にメッキする等の方法がとられ
る。
ところが倒れの方法をとっても、例えば金属を蒸着する
に際しては、金属蒸着源、或いは被蒸着体の基板を自転
公転させることによってその蒸着力向に笠カ性をもたし
めて例えば凹凸を有する基板表面といえどもほぼ一様な
厚みlこ金属蒸着嘆を形成することができるものである
が、フォトレジストの塗布(こ当っては、これをスピン
ナー法或いは浸漬法、スプレー法等の何れによって行っ
ても基板の凹凸の角部或いは凹凸側面にはフォトレジス
トが塗布され悪くこの部分におけるフォトレジストニヒ
ンホール等の欠陥が生じ易いので、これをマスクとして
導体層をエツチングしたり或いはメッキする場合、更に
はりフトオフする場合微細パターンを高精度(こ形成し
がたく導体パターンに断線、短絡等の事故が生じ易く信
頼性が乏しい。
又、フォトレジストtr、対する露光処理に際しても、
基板上に露光光学マスクを対接させた場合、凹部の底面
においては光学マスクとの間に間隔が生じてしまうので
、露光光線としての例えば紫外線の回折、若しくは散乱
現像(こよりパターンがぼけでしまうという欠点がある
従って、第3図で説明したような凹凸を有する基板5に
導体パターン6を形成することは信頼性が低いという欠
点があった。
本発明(こおいては、このような凹凸を有する基板への
例えば導体パターンの形成に当って、その導体パターン
の幅を10μmオーダを以って高精度(こ形成すること
ができるようにした凹凸を有する基板への微細パターン
を形成する方法を提供するものである。
第5図乃至第9図を参照して本発明方法の一例を詳細に
説明するに、例えば平坦な面10aを有する支持基板1
0を用意する。
この支持基板10としては、例えば厚さ0.3 mvt
のSUS板を用い得る。
そしてこの基板10の面10a上(こ最終的に導体パタ
ーンとなる導体層、例えば10〜20μmの厚さを有す
るCu箔11を而10aに沿って載置させて仮止めする
そしてこの導体層11上にフォトレジスト層12例えば
20cpsの粘度を有する0MR83(商品名)を毎分
2000回転の回転速度を以って10秒間のスピンナー
塗布Oこよって塗布する。
第6図に示すようにフォトレジスト層12に対して所要
のパターンの露光と現像処理を行って最終的には導体パ
ターンと同一パターンのパターニングを行う。
この場合、フォトレジスト層12に対する露光現像処理
は、平坦面りこおいて行われるので、高精度にピンホー
ルなどの厚みむら等を生じることもなく、又、露光むら
も生じることなく微細パターンを高精度(こ形成するこ
とができる。
次に、基板10より所要のパターンのフォトレジスト層
12が形成された導体層11を剥がし、第7図に示すよ
うに、基板10もしくは他の同様の平坦面13aを有す
る基板13を用意し、これの上にフォトレジスト層12
を面10a若しくは13a(こ対接させる如く導体層1
1を裏返えして仮止めし、導体層11の裏面に例えばエ
ポキシ系の接着剤層14をスピンナー法等によって数μ
m程度の厚さに塗布する。
そしてこの接着剤層14およびフォトレジスト層12を
有する導体層11を基板10もしくは13より取り外し
、これを第8図に示すように、凹凸パターンを有する基
板、例えば第3図で説明した突起8a、8bを有するガ
ラス専よりなる基板5上に接着剤層14を基板5の凹凸
面に対接させるように載せ、導体層11が基板5の凹凸
面に沿って密着するように例えばlOOOkg/cr?
L圧力を以っていわゆるラバープレスを行う。
このラバープレスとは導体層11を載せた基板5をゴム
袋等に入れてその外側より油圧等の液圧をかけたいわゆ
る静水圧プレスによるもので、このようにすることによ
って導体層11を基板5(こ沿って所定の位置関係を以
って密着させる。
次に例えば80℃〜100°Cの20分間〜30分間の
ベーキング処理を施して接着剤層14の硬化処理を施し
て導体層11を基板5に強固Gこ接着する。
次(こ第9図に示すように、フォトレジスト層12をマ
スクとして導体層11に対して選択的エツナング即ちフ
ォトエツチングを行う。
かくして例えばフォトレジスト層を除去すればフォトレ
ジスト層のパターンに応じたパターンの導体パターン6
が凹凸面を有する基板5上に形成される。
上述した本発明力性によって形成した導体パターン6は
そのフォトレジスト層の塗布及びこれに対する露光を平
坦面上においてなしたので均一な塗布厚および高精度の
露光がなされ、従って最終的に得た導体パターンは全く
断線、短絡等の事故を生じることなく十〜数十μmの幅
のパターンといえども高い精度で導体間のピッチずれを
無視できる程度に正確に形成できた。
尚、上述した例においては、第6図で説明したようQこ
フォトレジスト層12に対する露光処理後、現像処理を
施して後、導体層11の基板5への接着を行うようにし
た場合であるが、ある場合は、第6図で説明したパダー
ニング工程においてフォトレジスト層12に対して露光
処理のみを施して潜像を形成し置くのみのパダーニング
処理を施し、現像することナク、即ち導体層11上の全
表面をフォトレジスト層12によって覆った状態で基板
5の凹凸面への接着を行い、その後フォトレジスト層1
2iこ対する現像処理を施して、不要部分を除去して所
要の・々ダーフとなす。
その後、このフォトレジスト層12をエツチングマスク
として導体層11番こ対するエツチングを行うようにす
ることができる。
この場合導体層11が基板5Gこ取り付けられる迄その
表面が全てフォトレジスト層12Gこよって覆われてい
るので、この層12によって導体層11の表面を保護で
きるという効果もある。
尚、導体層11、即ち導体パターン6としてその厚みが
充分薄い例えば5μm程度のCu層によって形成する場
合等(こおいてその導体層11の機械的強度が不充分で
ある場合には、必要Oこ尼じてこの導体層11を可撓性
を有するベース材としてのシート上に被着させることが
できる。
例えばポリミド系のベースフィルム上に導体層11、例
えば薄い導体箔を被着し、前述したように平坦状態でフ
ォトレジスト層の塗布および露光処理を少なくとも行う
その後、フォトレジスト層を現像処理して更にこれをマ
スクとして導体層をエツチングして、フォトレジスト層
を除去して、導体層上、或いはベースフィルムに接着剤
を塗布し、この接着剤層によってベースフィルムと共G
こ導体層を凹凸面を有する基板5上に取り付ける。
或いはフォトレジスト層に対する現像処理前(こベース
フィルム側に接着剤を塗布してこの接着剤によって凹凸
面を有する基板5にベースフィルムを接着し、その後、
現像処理するか或いは現像処理と、エツチングとを行う
尚、本発明は微細パターンの導体層を形成する凹凸を有
する基板が絶縁基板である場合(こ限らずこれが例えば
フェライトのようなコア材である場合にも適用でき、こ
の場合、例えば接着剤、或いはベースフィルムが導体層
と基板の絶縁を行う層として作用させることができる。
また、上述した例においては、金属層に対するフォトエ
ツチングのエツチングマスクとしてフォトレジスト層を
用いる場合について説明したが、成る場合は凹凸面を有
する基板5上に選択的にフォトレジスト層を形成しこれ
をマスクとしてメッキを施すとか、或いはこれの上を含
んで金属層を蒸着等によって形成してパターン化された
フォトレジスト層をリフトオフすることOこよって所要
のパターンの導体層を形成する場合のように、基板5上
に所要のパターンにフォトレジスト層を形成する場合に
本発明を適用することもできる。
この場合においては、例えばフォトレジスト層に対して
剥離性を有する可撓性シート、例えば紙シート合成樹脂
シート又はそれ笠の表面に各種の離型剤を塗布したもの
、例えばろうひきした剥離紙、ポリエチレンラミネート
紙等とよりなるシート30を、第10図(こ示すよう(
こ設け、この上(こフォトレジスト層12を塗布し、こ
れを平面状に配置した状態で露光、或いは露光および現
像処理を施す。
その後このシート30上(こ設けられたフォトレジスト
層12を第11図(こ示すように、基板31の凹凸面上
に被着するものであるが、この場合、フオドレジスト層
の基板31の凹凸面に対する接着は、例えばフォトレジ
スト層12に対する現像処理において現像液に溶解する
か現像処理によって形成された層を侵かすことのない接
着剤、例えば、澱粉糊等の接着剤による接着を行っても
よいし、又、或いは、例えばゲント系溶剤でフォトレジ
スト層12の表面を膨潤させて直接接着させることもで
きる。
そしてこのよう(こしてフォトレジスト層12を基板3
1上の凹凸面上(こ付着させた後、シート材30をフォ
トレジスト層12より剥離すれば、基板31上に所定の
パターン0)フォトレジスト層が形成される。
この場合においても、基板へのフォトレジスト層12の
接着後においてこれに対する現像処理を捲すこともでき
る。
又、例えば厚み5μmのCu箔が圧着されたカプトン2
5ttm厚のベース材で構成されたいわゆるフレキシブ
ル基板を用い前述の第5図ないし第9図で説明したと同
様な手順で5μm幅の導体パターンを得ることができた
又このよう(こ形成した導体パターン上(こ再度可撓性
を有する絶縁板をラバープレスして接着し、前述したと
同様の手順でそり上に導体パターンを何層も重ねること
も可能で極めて幅狭い導体パターンを高密度(こ側木も
形成することもできた。
尚上述したよう(こ多数回のラバープレス(こよって多
層の導体層を凹部内に形成するかわり(こ、両側にパタ
ーンを形成した可撓性を有する絶縁板をラバープレスG
こよつC形成することも可能である。
この場合凹型基板の凹部外(こ形成されている両面にパ
ターンを有する絶縁基板を除去することにより導体層の
切口を露出させること(こより他基板との接続をなす様
(こしてもよい。
また核部(こ半田のバンプを形成してもよい。
あるいは凹型基板側の導体は凹部外の面上に延在させ、
凹型基板から離れた導体層の切口を露出することOこよ
り他の導体とコンタクトを取るよう(こすることもでき
る。
尚、本発明をコイルの一利用態様である磁気ヘッド(こ
適用した例につき説明したが、一般の任意のコイルの製
造(こ用いうることはいうまでもないところである。
この場合前述のように平面基板上(こ形成した導体パタ
ーンと凹型基板Oこ形成した導体パターンをコイルを構
成するように接合することもできるし、ワイヤーボンド
(こよってコイルを形成するように、凹型基板に形成し
た導体どうしを接続しても良い。
このように本発明によれば、微細パターンの小型コイル
を容易に形成出来るので半導体集積回路基板あるいはハ
イブリッド集積回路と一体化することも可能である。
また2層の導体を凹型基板の凹部内に形成する場合基板
側の導体にパターニングを施さずに凹型基板内(こ形成
すれば基板から離れたパターニングヲ施された導体(こ
まって構成されるコイルのシールドとして用いることも
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の説明に供する磁気ヘッドの一例の上面
図、第2図はそのヘッド増付基板の上面図、第3図はこ
れの他の基板の側面図、第4図はその上面図、第5図乃
至第9図は本発明方法の一例の工程図、第10図および
第11図は本発明方法の他の例の工程図である。 5および31は凹凸面を有する基板、12はフォトレジ
スト層、11は導体層、6は導体パターンである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 基板に被着される膜に後に行う該@(こ対する選択
    的除去の処理を施す為のパターニングを、鉄膜がほぼ平
    面の状態(こおいて癩す工程と、該工程を癩した嘆を凹
    凸を有する基板に該凹凸(こ沿うようlこプレスlこよ
    り被着する工程と、該被着工程前または後に上記パター
    ニングに従って上記膜を選択的に除去する工程とを含む
    ことを特徴とする凹凸を有する基板への微細パターンの
    形成力法。
JP53157136A 1978-12-19 1978-12-19 凹凸を有する基板への微細パタ−ンの形成方法 Expired JPS5827677B2 (ja)

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JPS5582490A JPS5582490A (en) 1980-06-21
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2619984B1 (fr) * 1987-08-24 1996-03-01 Aerospatiale Procede de realisation de circuits imprimes presentant des surfaces complexes a priori non developpables

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4927882U (ja) * 1972-06-15 1974-03-09
JPS4927883U (ja) * 1972-06-14 1974-03-09

Patent Citations (2)

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JPS4927883U (ja) * 1972-06-14 1974-03-09
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