JPS5827251A - 記憶回路 - Google Patents

記憶回路

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JPS5827251A
JPS5827251A JP56126176A JP12617681A JPS5827251A JP S5827251 A JPS5827251 A JP S5827251A JP 56126176 A JP56126176 A JP 56126176A JP 12617681 A JP12617681 A JP 12617681A JP S5827251 A JPS5827251 A JP S5827251A
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JP56126176A
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Hiroyuki Izumisawa
泉澤 裕之
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NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/30Accessing single arrays
    • G11C29/32Serial access; Scan testing

Landscapes

  • Debugging And Monitoring (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記憶回路に関する。
デジタルシステムの障害のとき、例えばコンビーータ等
の論理装置の障害のときにその内部状態を調べて障害探
索を遂行することがよく行なわれる。この内部状態診断
手段として、装置内のすべてのフリップフロップを縦続
接続して1つのシフトレジスタを構成し、シフトクロッ
クにより各フリップフロップの内部状態をピット毎に読
み出して表示装置等に送り、診断しまた後再ひもとの各
7リツプフロノブにピット毎に書き戻すという、いわゆ
るスキャン方式が有力な手段として従来から使用されて
いる。この方式では1度読み出しだのちに、再び元通り
書き込んでいるので、外見上は論理装置の内部状態に何
らの変化も与えないで各フリップフロップの内部状態の
診断を行ない、障害時の各部の相互関係をくづすことな
く診断ができ、障害探索の効果を高めている。
一方、論理装置内部の状態を記憶保持しているスクラッ
チパッドメモリやローカルメモリ等の内部記憶回路も7
リツプフロツプのかたまシと見れるが、各メモリセルを
シフトレジスタとしてつなぐことは冗長回路量があまり
にも大きくなるため現実的ではない。従って、従来回路
では記1充内容をクロックにより一旦読出しレジスタに
出力したあと、スキャン方式によって内部状態を診断す
るという構成をとらざるを得ない。この構成では、上述
のようにクロックを発生する必要があシ、このクロック
により、論理装置の内部記憶回路以外の他の回路の内部
状態に変化が生じてしまい、そのため各部の内部状態を
障害の発生した時点での各部の内部状態に復帰させるた
めに、かなシの時間がかかり、結局、障害探索に時間が
かがシすぎるという欠点が生じる。また、障害探索の手
順も複雑になる。
本発明の目的は上述の従来の記憶回路の欠点を除去し障
害探索手順が簡単でかつ障害探索時間の短い記憶回路を
提供することにある。
本発明の記憶回路はデータを記憶する記憶手段と、アド
レス信号によシ指定された前記記憶手段の記憶位置にデ
ータを書き込む書込み手段と、アドレス信号により指定
された前記記憶手段の記憶位置からデータを読み出す読
出し手段と、モード切替え信号に応答して前記記憶手段
の動作モードを切替えるモード切替え手段と、前記モー
ド切替え手段により第一の動作モードに切り替わったと
きには前記読出し手段により読み出されたデータを通過
出力させ第二の動作モードに切り替わったときにはとの
切替え直前に通過出力させていた読出しデータを保持し
出力する出力制御手段と、前記モード切替え手段により
前記第二の動作モードに切替わったときには前記出力制
御手段を縦続接続してシフトレジスタを形成するシフト
レジスタ形成手段とを含む。
次に本発明について図面を参照j7て詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
1ワードがm (mは自然数)ビットから構成されるデ
ータをn(nは自然数)ワード格納する記憶回路が図示
されている。
第1図の記憶回路には、正常モードとシフトモードとの
二s!類の動作モードがあシ、外部装置(図示せず)か
ら接続線7を介して論理“0“のモード切替え信号が各
出力制御回路5−1〜5−mにに供給されているときは
正常モードで、論理111のモード切替え信号が各出力
制御回路5−1〜5−mに供給されているときはシフト
モードで動作する。
正常モードのときには通常の記憶回路とはt′?:同じ
ように、書込みおよび読出しの動作を行ない、シフトモ
ードのときには各出力制御回路5−1〜5−mが縦続接
続されて前述のスキャン方式によって内部状態の調査が
行えるような動作をする。
m X n個のメモリセル1−1−1〜1−m−nは、
それぞれ1ビツトのデータを格納するものでありメモリ
セル1−1−1を例にとって動作を説明する。メモリセ
ル1−1−1へ書き込むべきデ5− −タは、接続線10−1を介してメモリセルのIN端子
に供給され、接続線6o−1を介してW端子に供給され
る論理101の信号に応答して書き込まれる。捷だ、接
続線70−1を介してR端子に供給される論理l□ff
の信号に応答l〜で、メモリセル1−1−1に格納され
ているデータがOUT端子を経て接続線80−1を介し
て読み出される。
メモリセル1−1−1以外のメモリセルも同様の動作を
する。
出力制御回路5−1〜5−mについてはのちに詳述する
が、出力制御回路5−1について説明すれば、接続線7
を介してM端子に論理10″のモード切替え信号を受信
している正常モード時には、接続線80−1を介してD
端子に入力される入力データはそのま″!Q端子および
接続#40−1を介して外部に送出される。接続線7を
介してM端子に論理111のモード切替え信号を受信し
ているシフトモード時には、切替え直前のD端子の入力
データを保持出力し更に入力データは接続線4゜−2を
介してS端子からの入力データに切替えら6− れ、接続線8を介してOK端子に供給されるシフトクロ
ックの論理111から論理IQIへの転換時点での8端
子からの入力データをQ端子および接続線40−1を介
して外部に出力する。このシフトモード時には、出力制
御回路5−(K+1)(Kは自然数で1≦に≦m−1)
の出力データは接続線4O−(K+1)を介して出力制
御回路5−にの入力データとなっており各出力制御回路
が縦続接続されてシフトレジスタとして動作しスキャン
方式による内部状態調査が行なえるように接続されてい
る。出力制御回路5−1以外の出力制御回路も同様の動
作を行なう。
次に、正常モード時における動作、すなわち書込み動作
および読出し動作ならびにシフトモード時における動作
を説明する。
最初に書込み動作について説明する。この記憶回路に書
込むべきmビットのデータは書き込まれるアドレスを指
定するアドレス信号および論理111の書込み信号はそ
れぞれ接続線10−1〜10−m、30および20を介
して外部装置から接続線30を介して供給されたアドレ
ス信号はきアドレスに対応する接続線(接続線50−1
〜50−nの何れかの1つ。説明の便宜上例として接続
線50−2とする)50−2に供給する。ナンド回路3
−2Vi接続線20を介しての論理11“の書込み信号
と接続線50−2を介しての論理°1“の信号とを受信
して接続線60−2を介してメモリセル1−1−2〜1
−m−2の各W端子に論理101の信号を供給するので
、接続線10−1〜10−mを介して供給されているm
ビットの入力データは、メモリセル1−1−2〜1−m
−2の各1N端子を経て1ビツトづつ格納される。
上述の動作と並行して、接続線50−2を介しての論理
111の信号はインバータ回路4−2に供給され、イン
バータ回路4−2は接続線70−2を介してメモリセル
1−1−2〜1−m−2の各R端子に論理10 Iの信
号を供給するので、各メモリセル1−1−2〜1−m−
2のOUT端子から接続線80−1〜80−mを介して
令書き込まれたばかシのデータが読み出され、出力制御
回路5−1〜5−mのD端子、Q端子および接続線4〇
−1〜40−mを経て外部装置に送出することとなる。
この出力データと接続線10−1〜10−mを介しての
入力データを比較すれば書込み動作の誤シ検出を書込み
動作血抜に行うことができる。
次に読出し動作について説明する。読み出すべきデータ
のアドレスの情報はアドレス信号として接続線30を介
してアドレスデコーダ2に供給される。アドレスデコー
ダ2はアドレス信号を解読して、論理“1“の信号を読
み出すべきデータを格納しているアドレスに対応する接
続線(接続線5〇−1〜50−nの何れかの1つ。説明
の便宜上例として接続線50−nとする)50−nに供
給する。インバータ回路4−nは接続線50−nを介し
て論理111′の信号を受信し、接続線70−nを介し
てメモリセル1−1−n−1−m−nの各R端子に論理
101の信号を供給するので、各メモリ9− セル1−1− n 〜1− m −nのOUT端子から
接続線80−1〜80−mを介して格納しであるデータ
が読み出され、出力制御回路5−1〜5−mのD端子、
Q端子および接続線40−1〜4〇−mを経て外部装置
に送出することになる。
以上のようにして正常モード時における書込み動作およ
び読出し動作が行なわれるが、読み出し動作の場合には
特にクロックを必要とし々い点が従来の記憶回路との相
違点であり、障害探索時にアドレス信号だけ供給すれば
任意のアドレスに格納しであるデータを回数に制限なく
調査でき、しかもクロックを使用しないので本記憶回路
以外の回路の内部状態にいささかの変化をも与えないで
記憶回路の内部状態調査を行なうことができる。
次にシフトモード時の動作について説明する。
第2図には出力制御回路5−にの回路図が示しである。
出力制御回路5−kには接続線80−におよびD端子を
介してメモリセルから読出しデータが供給され、接続線
4O−(k+1)およびS端子を介して出力制御回路5
−(k+1)からその出力10− データが供給され、接続線7およびM端子を介してモー
ド切替信号が供給され、接続線8およびCK端子を介し
てシフトクロックが供給され、Q端子および接続線40
−kを介して出力データを送出する。
正常モード時、すなわちM端子を介して与えられるモー
ド切替え信号が論理101のときには、インバータ11
2.ナンド回路103.107および111の出力は論
理1111インバータ113および114の出力は論理
101なのでナンド回路106および110の出力は論
理MI″となり、ナンド回路101.102.104,
105,108および109の各入力の1つは論理′1
1が与えられることになり各ゲートは開く。従って、接
続線80−におよびD端子を介して供給される入力デー
タはその捷まこの制御回路内を通過してQ端子および接
続線40−kを介して出力されることは前述のとおシで
ある。ナンド回路111の一方の入力には正常モード時
には上述のように論理101が与えられているのでナン
ド回路111は閉じておシ接続線8およびCK端子を介
して与えられるクロックパルスの影響がなくなる。第3
図には出力制御回路のタイムチャートを示す。図から明
かなように、M端子への入力が論理101のときには、
D端子からのデータはQ端子にCK端子のシフトクロッ
クと無関係に通過志力される。
シフトモード時、すなわちM端子を介して与えられるモ
ード切替え信号が論理11Nのときには、インバータ回
路112の出力は論理101となシナンド回路101が
閉じで論理Illを出力するだめのナンド回路102が
開き、またナンド回路103の接続線7を介しての入力
は論理111となるのでナンド回路103も開く。この
ようにして接続線4O−(k−1−1)およびS端子を
介して与えられるデータがナンド回路102の出力デー
タとなる。
すなわちナンド回路102の出力データはモード切替信
号が論理10jから′1″に変わると、D端子からの入
力データによるものからS端子への入力データによるも
のに切替えられる。
これ以降の回路動作については、接続線8およびCK端
子を介して供給されるシフトクロックが論理101の場
合と論理Jjの場合とにわけて説明する。
シフトクロックが論理111の場合にはナンド回路11
1からは論理IQIが出力され、ナンド回路107の出
力は論理111となりナンド回路104が開く。インバ
ータ回路113の入力は論理111であるから、インバ
ータ回路113は接続線IZ・5を介してナンド回路1
06に論理#0′を供給しナンド回路106を閉じる。
したがってナンド回路105には接続線127を介して
ナンド回路106から論理111が供給されるのでナン
ド回路105は開く。したがって接続線123を介して
供給される入力データはナンド回路104.接続線12
6゜ナンド回路105および接続線128を介してナン
ド回路108に供給される。しかしながらナンド回路1
08には接続線129を介してナンド回路111の論理
101の出力が供給されているのでナンド回路108は
閉じる。すなわち出力制御回路5−kに入力されるデー
タはナンド回路10813− により阻止されている。インバータ回路114の入力は
論理101であるから、インバータ回路114はナンド
回路110に対し接続線130を介して論理111を供
給してナンド回路110を開く。ナンド回路109は接
続線131を介してナンド回路108から論理111の
供給を受けているのでこれも開く。したがってナンド回
路109.接続線40−に、ナンド回路110および接
続線132によって1つの閉ループ(以後Yループと称
す)が構成されることとな9シフトクロツクが論理11
1に切シ替わる直前のデータがこのYループを環流する
。そして出力としては切替え直前のデータが保持出力さ
れている。
シフトクロックが論理101の場合には、ナンド回路1
11からは論理11′が出力され、ナンド回路107の
出力は論理101となシナンド回路104が閉じる。す
なわち出力制御回路5−kに入力されるデータはナンド
回路104により阻止される。
インバータ回路113の入力は論理10wであるから、
インバータ回路113はナンド回路106に14− 対し接続線125を介して論理111を供給するのでナ
ンド回路106は開く。ナンド回路105は接続線12
6を介してナンド回路104から論理111の供給を受
けているのでこれも開く。したがってナンド回路105
.接続線128.ナンド回路106および接続線127
によって1つの閉ループ(以後Xループと称す)が構成
されることとなり、シフトクロックが論理lO“に切り
替わる直前のデータがとのXループを環流する。ナンド
回路108にはナンド回路111の論理111の出力が
接続線129を介して供給されるのでナンド回路108
は開く。インバータ回路114にはやはシ接続線129
を介して論理111が供給されているのでその出力は論
理101となりナンド回路110に供給されてこれを閉
じる。したがってナンド回路109は接続線132を介
してナンド回路110から論理11″の供給を受けて開
く。以上のようにナンド回路108および109は開い
ているのでXループで環流しているデータが接続線12
8゜ナンド回路108.接続線131.ナンド′回路1
09、接続線40−におよびQ端子をへて出力されるこ
ととなる。すなわち出力としては切替え直前のデータが
保持出力されている。
以上の出力制御回路の動作を要約すれば接続線7を介し
てM端子に論理101のモード切替信号を受信している
正常モード時には■)端子に入力されたデータはそのI
Q端子を経て外部に通過出力される。モード切替え信号
が論理WI″に切替ってシフトモード時になると出力制
御回路はD端子からでなくS端子から入力データを受信
する。出力データはシフトモードに切り替わった直後は
切替え時点直前のD端子からの入力データを出力データ
として保持出力するが(シフトモードに切り替った時に
シフトクロックが論理MO+か論理111かにより切替
直前のデータがXループまたはXループに保持される)
、接続線8を介してCK端子に供給されるシフトクロッ
クの論理111から論理IO1への転換時点がくる度毎
にその直前にS端子から入力するデータをQ端子をへて
外部に出力する。
第3図の出力制御回路のタイムチャートにおいて、M端
子への入力が論理111のときQ端子におけるデータが
CK端子のシフトクロックの1→0転換時点すなわちT
、およびT1時点でS端子の入力データに追随して変化
することが示しである。
以上の出力制御回路の動作を基にしてシフトモード時に
おけるスキャン方式を説明する。
前述したようにスキャン方式による内部状態診断手段は
障害対策の極めて有力な手段であり本実施例においても
第1図に示すようにしてスキャン方式が適用できる。す
なわち、出力制御回路5−にのS端子への入力データは
出力制御回路5−(k+1)から接続線4O−(k+1
)を介して供給され、Q端子からの出力データは接続線
40−kを介して出力制御回路5− (k−1)へ供給
されておシ、接続線7を介して供給されるモード切替え
信号が論理111のとき、すなわち、シフトモード時は
各出力制御回路は前述のように、D端子からS端子に入
力データが切り替えられその結果各出力制御回路は縦続
接続されて1つのシフトレジスタを構成し接続線8を介
して供給されるシフトクロック17− の論理111から論理101への転換時点の度毎にデー
タがシフト出力される。この記憶回路が他の論理回路と
共に同居している場合には、他の諺1理回路のシフトパ
スを、この記憶回路の接続線6から接続線40−1にわ
たるシフトパスに接続すれば、論理装置全体としてのス
キャン方式による内部状態調達が打身−るようになる。
この記憶回路に格納しであるデータを調嶽・しで参吉≠
I≠−va−+したいときには、捷ずモード切替え信号
を論理101にして、ついで前記データの格納しである
アドレスを指示するアトlメス信号を接続線30を介し
て与えれば、何らクロックを使用することなく出力開缶
1回路5−1〜5−mに所望のデータが読み出される。
クロックを使用しないので他の論理回路の内部状態には
何らの変化も与えない。ついでモード切替え信号を論理
101からWImに変えてシフトモードとし、シフトク
ロックに駆動されて所望の格納さ力たデータが外部にあ
る表示装置等に取り出され、これによシ調査することが
できる。調査終了時に再びシフトクロック18− によシ駆動して各論理回路および本記憶回路に書き戻せ
ば何ら外部に変化を与えないで記憶回路に格納されてい
るデータを調査することができる。
以上のように、本発明には、クロックを使用することな
く記憶回路に格納しであるデータを読み出しかつシフト
モードのときに出力制御回路を縦続接続することにより
外部回路の状態に何等の変化を与えることなく記憶回路
の内部状態を調査することができるので、デジタルシス
テムの障害探索の手順を簡単にすることができかつ障害
探索時間を大幅に短縮できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は第1
図に使用する出力制御回路の回路図および第3図は第2
図の出力制御回路のタイムチャートである。 図において、1−1−1〜1−m−n・旧・・メモリセ
ル、2・・・・・・アドレスデコーダ、3−1〜3−n
。 101〜111・・・・・・ナンド回路、4−工〜4−
n。 112〜114・・・・・・インバータ回路、5−1〜
5−m・・・・・・出力制御回路、6〜8.10−1〜
1゜−m、20,30,4Q−1〜40−m、50−1
〜50−n、60−1〜60−n、70−1〜70−n
、80−1〜80−m、121〜132・・・・・・接
続線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 データを記憶する記憶手段と、 アドレス信号によシ指定された前記記憶手段の記憶位置
    にデータを書き込む書込み手段と、アドレス信号によシ
    指定された前記記憶手段の記憶位置からデータを読み出
    す読出し手段と、モード切替え信号に応答して前記記憶
    手段の動作モードを切り替えるモード切替え手段と、前
    記モード切替え手段により第一の動作モードに切り替わ
    ったときには前記読出し手段によシ読み出されたデータ
    を通過出力させ第二の動作モードに切り替わったときに
    はこの切替え直前に通過出力させていた読出しデータを
    保持し出力する出力制御手段と、 前記モード切替え手段により前記第二の動作モ
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4874145A (ja) * 1971-12-29 1973-10-05
JPS5218144A (en) * 1975-08-01 1977-02-10 Nec Corp Storage-cell degeneration trouble position detection system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4874145A (ja) * 1971-12-29 1973-10-05
JPS5218144A (en) * 1975-08-01 1977-02-10 Nec Corp Storage-cell degeneration trouble position detection system

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