JPS5825719A - スイツチングトランジスタのドライブ回路 - Google Patents
スイツチングトランジスタのドライブ回路Info
- Publication number
- JPS5825719A JPS5825719A JP56123760A JP12376081A JPS5825719A JP S5825719 A JPS5825719 A JP S5825719A JP 56123760 A JP56123760 A JP 56123760A JP 12376081 A JP12376081 A JP 12376081A JP S5825719 A JPS5825719 A JP S5825719A
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- JP
- Japan
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- switching transistor
- circuit
- pulse transformer
- switching
- transistor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/601—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors using transformer coupling
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスイッチングトランジスタのドライブ回路に係
り、％にターンオン、ターンオフ時の電力損失の軽減、
ストレージタイムの短縮が可能なスイッチングトランジ
スタのドライブ回路に関する。
り、％にターンオン、ターンオフ時の電力損失の軽減、
ストレージタイムの短縮が可能なスイッチングトランジ
スタのドライブ回路に関する。
パルス幅変調によるスイッチング方式安定化電源などに
用いられるスイッチングトランジスタのドライブ回路は
電源の小型化の要求からスイッチング周波数を高周波に
する必要が生じている。しかしながら、か＼る高周波化
の必要性がら単にパワースイッチングトランジスタのオ
ン／オフの繰返回数を多くするとスイッチング時の電力
損失が大きくなる。又、スイッチングトランジスタにけ
動作遅れ（ストレージタイム）が存在し、このストレー
ジタイムの間は制御ができなくなる。即ち、制御のプツ
トタイムが存在し、スイッチング速度を上昇させてゆく
とこのプツトタイムは一定であるため、その時間的割合
が上昇しパルス幅変調による制御範囲が狭くなる。この
丸め高周波化を実現するためＫはパワースイッチングト
ランジスタのターンオン／ターンオフ時の電力損失の軽
減、並びにストレージタイムの短縮の追求が課題罠なっ
ており、種々の回路が提案され実用化されている。
用いられるスイッチングトランジスタのドライブ回路は
電源の小型化の要求からスイッチング周波数を高周波に
する必要が生じている。しかしながら、か＼る高周波化
の必要性がら単にパワースイッチングトランジスタのオ
ン／オフの繰返回数を多くするとスイッチング時の電力
損失が大きくなる。又、スイッチングトランジスタにけ
動作遅れ（ストレージタイム）が存在し、このストレー
ジタイムの間は制御ができなくなる。即ち、制御のプツ
トタイムが存在し、スイッチング速度を上昇させてゆく
とこのプツトタイムは一定であるため、その時間的割合
が上昇しパルス幅変調による制御範囲が狭くなる。この
丸め高周波化を実現するためＫはパワースイッチングト
ランジスタのターンオン／ターンオフ時の電力損失の軽
減、並びにストレージタイムの短縮の追求が課題罠なっ
ており、種々の回路が提案され実用化されている。
第１図はか＼る従来のスイッチングトランジスタのドラ
イブ回路の回路図である。図中ＰＡＰ Ｉ／′ｉ制御信
号であるパルス信号Ｐｌを太刀されてこれを電流増幅し
、後述するパルストランスの１次コイルＫ パルス電流
を供給するプリアンプ、ＱＬｉｌｔパワースイッチング
トランジスタ、ＢＳＣＦｉパワースイッチングトランジ
スタＱＬを駆動するベース回路、ＰＴはプリアンプＰＡ
Ｐとベース回路ＢＳＣ間を電磁的に結合するパルストラ
ンスである。
イブ回路の回路図である。図中ＰＡＰ Ｉ／′ｉ制御信
号であるパルス信号Ｐｌを太刀されてこれを電流増幅し
、後述するパルストランスの１次コイルＫ パルス電流
を供給するプリアンプ、ＱＬｉｌｔパワースイッチング
トランジスタ、ＢＳＣＦｉパワースイッチングトランジ
スタＱＬを駆動するベース回路、ＰＴはプリアンプＰＡ
Ｐとベース回路ＢＳＣ間を電磁的に結合するパルストラ
ンスである。
このドライブ回路においては、プリアンプＰＡＰはパル
ス信号Ｐｉを受けて電流増幅を行ない、パルストランス
ＰＴの１次コイルにパルス電流ＩＰを供給する。一方、
ベース回路ＢＳＣはパルス電流夏、に対応して２次コイ
ルに発生するパルス電流Ｉ８によりパワートランジスタ
Ｑｘ、を導通させるが、この時ベース回路のスピードア
ップコンデンサｃｌへの充電々流がペース電流として加
算されている丸めペース電流が一時的に増大しＱｔ、の
ターンオンタイムが短かくなる。伺、ペーカクランプダ
イオードＤ藁はパワースイッチングトランジスタＱＬが
オン時、該ＱＬを飽和寸前の状態にクランプし、オーバ
ドライブを防止する働きを有している。その後、パルス
信号Ｐ１が消失するとパルス電流ＩＰが途絶え、パルス
トランスＰＴの１次コイルに蓄見られた磁気エネルギが
フライバック電圧として放出され、該パルストランスＦ
Ｔの２次コイルに逆電圧が発生し、ＱＬは逆バイアスさ
れる。この時コンデンサｃＢに蓄えられていえ電荷も点
線矢印で示すルートで放申されペーカクランプダイオー
ドＤ１の効果と相まってＱｔ、のストレージタイムを短
縮し、且つターンオン／オフの動作を早める。
ス信号Ｐｉを受けて電流増幅を行ない、パルストランス
ＰＴの１次コイルにパルス電流ＩＰを供給する。一方、
ベース回路ＢＳＣはパルス電流夏、に対応して２次コイ
ルに発生するパルス電流Ｉ８によりパワートランジスタ
Ｑｘ、を導通させるが、この時ベース回路のスピードア
ップコンデンサｃｌへの充電々流がペース電流として加
算されている丸めペース電流が一時的に増大しＱｔ、の
ターンオンタイムが短かくなる。伺、ペーカクランプダ
イオードＤ藁はパワースイッチングトランジスタＱＬが
オン時、該ＱＬを飽和寸前の状態にクランプし、オーバ
ドライブを防止する働きを有している。その後、パルス
信号Ｐ１が消失するとパルス電流ＩＰが途絶え、パルス
トランスＰＴの１次コイルに蓄見られた磁気エネルギが
フライバック電圧として放出され、該パルストランスＦ
Ｔの２次コイルに逆電圧が発生し、ＱＬは逆バイアスさ
れる。この時コンデンサｃＢに蓄えられていえ電荷も点
線矢印で示すルートで放申されペーカクランプダイオー
ドＤ１の効果と相まってＱｔ、のストレージタイムを短
縮し、且つターンオン／オフの動作を早める。
以上のように第１図のドライブ回路によればそれ以前の
ものに比べかなりストレージタイムを短縮できるが、そ
の効果は十分でなかった。
ものに比べかなりストレージタイムを短縮できるが、そ
の効果は十分でなかった。
従って、本発明はストレージタイムを十分に短縮でき、
又ターンオン／オフ時の電力損失を軽減できる新規なド
ライブ回路、４１にプリアンプを提供することを目的と
する。
又ターンオン／オフ時の電力損失を軽減できる新規なド
ライブ回路、４１にプリアンプを提供することを目的と
する。
以下、本発明の実施例を図面に従って詳細に説明する。
第２図は本発明に係るスイッチングトランジスタのドラ
イブ回路であり、従来装置と同一部分には同一符号を付
している。
イブ回路であり、従来装置と同一部分には同一符号を付
している。
この回路においてはプリアンプＰＡＰのトランジスタＱ
１がオフになると、ドライブトランジスタＱｓｔＱ３が
オンし、実線矢印で示すルートでパルス電流ＩＰが流れ
、第１図において説明したと同様にベース回路ＢＳＣの
機能でノぞワースイツチングトランジスタＱＬが導通す
る。一方、パルス信号ＰｉによりトランジスタＱ１がオ
ンするとドライブトランジスタＱ、。
１がオフになると、ドライブトランジスタＱｓｔＱ３が
オンし、実線矢印で示すルートでパルス電流ＩＰが流れ
、第１図において説明したと同様にベース回路ＢＳＣの
機能でノぞワースイツチングトランジスタＱＬが導通す
る。一方、パルス信号ＰｉによりトランジスタＱ１がオ
ンするとドライブトランジスタＱ、。
もがオフする。 ドライブトランジスタＣｈ、Ｑｓがオ
フすると、点線矢、Ｉ Ｋ示す電流閉路、即ち、ダイオ
ードＤ１→１次コイル→ダイオードＤ３→トランジスタ
Ｑ１の電流パスが形成される。陶、前記点線の電流バス
を形成するダイオードＤＢ 、 Ｄ、 ）ランジスタＱ
ｌよりなる直列回路は低インピーダンスを示し、２次コ
イルに発生するスイッチングトランジスタＱＬの逆バイ
アス電流を増加させる。この結果、ＱＬのターンオフ動
作を早め、ストレージタイムを短縮する。また点線で示
す電流閉路は、プリアンプＰＡＰがオフ状態にあるとき
定常的な低インピーダンス回路として動作する九め、ス
イッチングトランジスタＱｘ、のオフ状態においてベー
ス回路ＢＳＣを安定に保持する。
フすると、点線矢、Ｉ Ｋ示す電流閉路、即ち、ダイオ
ードＤ１→１次コイル→ダイオードＤ３→トランジスタ
Ｑ１の電流パスが形成される。陶、前記点線の電流バス
を形成するダイオードＤＢ 、 Ｄ、 ）ランジスタＱ
ｌよりなる直列回路は低インピーダンスを示し、２次コ
イルに発生するスイッチングトランジスタＱＬの逆バイ
アス電流を増加させる。この結果、ＱＬのターンオフ動
作を早め、ストレージタイムを短縮する。また点線で示
す電流閉路は、プリアンプＰＡＰがオフ状態にあるとき
定常的な低インピーダンス回路として動作する九め、ス
イッチングトランジスタＱｘ、のオフ状態においてベー
ス回路ＢＳＣを安定に保持する。
第５図は本発明の別の実施例を示す回路図である。仁の
実施例においてはパルストランスＰＴに、ドライブ用１
次コイルＣＬ１１と別に１次コイルＣＬ。
実施例においてはパルストランスＰＴに、ドライブ用１
次コイルＣＬ１１と別に１次コイルＣＬ。
を設け、該別に設けた１次コイルＣＬ、に低インピーダ
ンス回路（ダイオードＤＩ ｓ低抵抗Ｒ１トランジスタ
Ｑ！よりなる直列回路）を接続している。
ンス回路（ダイオードＤＩ ｓ低抵抗Ｒ１トランジスタ
Ｑ！よりなる直列回路）を接続している。
さて、プリアンプＰＡＰのトランジスタＱ１がオフにな
ると、ドライブトランジスタＱｌがオンし、実線矢印で
示すルートでパルス電流Ｉ、が流れ、第１図において説
明したと同様にペース回路ＢＳＣの働きでパワースイッ
チングトランジスタＱＬが導通する。
ると、ドライブトランジスタＱｌがオンし、実線矢印で
示すルートでパルス電流Ｉ、が流れ、第１図において説
明したと同様にペース回路ＢＳＣの働きでパワースイッ
チングトランジスタＱＬが導通する。
一方、パルス信号ＰＩＫよりトランジスタＱ１がオンす
るとドライブトランジスタもがオフする。 ドライブト
ランジスタＱｚがオンすると、点線矢印に示す電流閉路
即ちダイオードＤ、→１次コイルＣＬｕ→低抵抗Ｒ→ト
ランジスタＱ１よりなる電流パスが形成される。１１４
、この１次コイルＣＬ、に直列に接続され、しかも前記
点線に示した電流パスを形成するダイオードＤＩ 、低
抵抗Ｒ１トランジスタＱ１を含む直列回路は低インピー
ダンスを示し、２次フィルＣＬ、に発生子るＱＬの逆バ
イアス電流を増加させる。この結果、ＱＬのターンオフ
動作を早め、ストレージタイムを短縮する。また、点線
で示す電流閉路はプリアンプＰＡＰ−１Ａオフ状態にあ
るとき定常的な低インピーダンス回路として働き、スイ
ッチングトランジスタＱＬのオフ状態においてベース回
路を安定に保持する。
るとドライブトランジスタもがオフする。 ドライブト
ランジスタＱｚがオンすると、点線矢印に示す電流閉路
即ちダイオードＤ、→１次コイルＣＬｕ→低抵抗Ｒ→ト
ランジスタＱ１よりなる電流パスが形成される。１１４
、この１次コイルＣＬ、に直列に接続され、しかも前記
点線に示した電流パスを形成するダイオードＤＩ 、低
抵抗Ｒ１トランジスタＱ１を含む直列回路は低インピー
ダンスを示し、２次フィルＣＬ、に発生子るＱＬの逆バ
イアス電流を増加させる。この結果、ＱＬのターンオフ
動作を早め、ストレージタイムを短縮する。また、点線
で示す電流閉路はプリアンプＰＡＰ−１Ａオフ状態にあ
るとき定常的な低インピーダンス回路として働き、スイ
ッチングトランジスタＱＬのオフ状態においてベース回
路を安定に保持する。
第４図は本発明の更に別の実施例回路図であり、第Ｓ図
のドライブ回路に対し、ダイオードＤ４が新たに付加さ
れている点が異なるだけである。
のドライブ回路に対し、ダイオードＤ４が新たに付加さ
れている点が異なるだけである。
さて、ドライブトランジスタもがオンして、パルス電流
ＩＰが１次コイルＣＬｕＫ：流れている状態において、
トランジスタＱ１がオフからオンに変化すると、１点鎖
線で示す電流閉路が形成され、ドライブトランジスタＱ
３に蓄積されているペース電荷が強制的に引き抜かれ、
該トランジスタＱ！のストレージタイムが短縮する。そ
してトランジスタＱ３がターンオフするとパルス電流Ｉ
Ｐが途絶え、フライバック電圧に対して電流１．０電流
バス（点線）が形成され、以後第５図において説明し九
と同様＆ＣＱｔ。
ＩＰが１次コイルＣＬｕＫ：流れている状態において、
トランジスタＱ１がオフからオンに変化すると、１点鎖
線で示す電流閉路が形成され、ドライブトランジスタＱ
３に蓄積されているペース電荷が強制的に引き抜かれ、
該トランジスタＱ！のストレージタイムが短縮する。そ
してトランジスタＱ３がターンオフするとパルス電流Ｉ
Ｐが途絶え、フライバック電圧に対して電流１．０電流
バス（点線）が形成され、以後第５図において説明し九
と同様＆ＣＱｔ。
Ｏ逆バイアス電流が増加し、該Ｑｔ、はターンオフする
。従って、第４図に示す回路によれば第５図に壓す効果
に加えて、プリアンプＰＡＰ内のドライブトランジスタ
Ｑｓのストレージタイムを短縮でき、増々ＱＬのスイッ
チング時間を短縮できるという効果を生じる。
。従って、第４図に示す回路によれば第５図に壓す効果
に加えて、プリアンプＰＡＰ内のドライブトランジスタ
Ｑｓのストレージタイムを短縮でき、増々ＱＬのスイッ
チング時間を短縮できるという効果を生じる。
第５図は本発明に係るスイッチングトランジスタドライ
ブ回路の他の実施例を示す回路図であり、第４図に示す
回路とは基本的に、 ０）パルストランスＰＴＫ＃１１、第２の２つのドライ
ブ用１次コイルＣＬｕ、ＣＬ臆が設けられている、（ロ
）ドライブ用１次コイルＣＬｕとＣＬ、の接続点が電源
十ＢＫ接続され、第２のドライブ用１次コイルＣＬ謔の
他端がスイッチングトランジスタＱ４に接続され点線で
示すような電流パスが形成されている、という点ＫＴｈ
いて異なる。
ブ回路の他の実施例を示す回路図であり、第４図に示す
回路とは基本的に、 ０）パルストランスＰＴＫ＃１１、第２の２つのドライ
ブ用１次コイルＣＬｕ、ＣＬ臆が設けられている、（ロ
）ドライブ用１次コイルＣＬｕとＣＬ、の接続点が電源
十ＢＫ接続され、第２のドライブ用１次コイルＣＬ謔の
他端がスイッチングトランジスタＱ４に接続され点線で
示すような電流パスが形成されている、という点ＫＴｈ
いて異なる。
さて、トランジスタＱ１がオフしているときは、ドライ
ブトランジスタＱｓがオンしており、実線矢印に示すル
ートでパルス電流ＩＰ１がドライブ用１次コイルＣＬ、
、を流れ、パルス電流Ｉｇ１がスイッチングトランジス
タＱｘ、のペースに流れ込み該ＱＬは導通している。
ブトランジスタＱｓがオンしており、実線矢印に示すル
ートでパルス電流ＩＰ１がドライブ用１次コイルＣＬ、
、を流れ、パルス電流Ｉｇ１がスイッチングトランジス
タＱｘ、のペースに流れ込み該ＱＬは導通している。
この状態でトランジスタＱ１がオフからオフに変化する
と、点線及び１点鎖線にて示す３つのｗ流バスが形成さ
れる。そして１点鎖線に示すｔｆ！Ｌパス■ｌＶｃより
第４図において説明したと同様にドライブトランジスタ
Ｑ３に蓄積されているペース電荷が強制的に引き抜かれ
、そのストレージタイムが短縮する。一方、ドライブト
ランジスタＱ意が非導通となるとコンデンサＣＩ及び抵
抗Ｒ，よりなる時定数回路を介してスイッチングトラン
ジスタＱ４にペース電流が流れ込み、該トランジスタＱ
４けＣＩＲ，で決まる一定時間だけオンし、パルス電流
ＩＰＩがドライブ用１次コイルＣＬ、、に流れる。これ
により、逆バイアス電流が急速に大きくなねスイッチン
グトランジスタＱＬは短時間でオフとなる。同、電流閉
路■、は逆バイアス電流を増大させる機能を果すと共に
ベース回路を安定に保持する機能を果す。
と、点線及び１点鎖線にて示す３つのｗ流バスが形成さ
れる。そして１点鎖線に示すｔｆ！Ｌパス■ｌＶｃより
第４図において説明したと同様にドライブトランジスタ
Ｑ３に蓄積されているペース電荷が強制的に引き抜かれ
、そのストレージタイムが短縮する。一方、ドライブト
ランジスタＱ意が非導通となるとコンデンサＣＩ及び抵
抗Ｒ，よりなる時定数回路を介してスイッチングトラン
ジスタＱ４にペース電流が流れ込み、該トランジスタＱ
４けＣＩＲ，で決まる一定時間だけオンし、パルス電流
ＩＰＩがドライブ用１次コイルＣＬ、、に流れる。これ
により、逆バイアス電流が急速に大きくなねスイッチン
グトランジスタＱＬは短時間でオフとなる。同、電流閉
路■、は逆バイアス電流を増大させる機能を果すと共に
ベース回路を安定に保持する機能を果す。
以上、本発明によればスイッチングトラ／ジスタのスト
レージタイムを短縮できると共に電力損失を軽減できる
。又高周波スイッチングが可能であるため、スイッチン
グ式安定化電源に適用可能であり、その小型化が可能に
なった。
レージタイムを短縮できると共に電力損失を軽減できる
。又高周波スイッチングが可能であるため、スイッチン
グ式安定化電源に適用可能であり、その小型化が可能に
なった。
第１図は従来のスイッチングトランジスタドライブ回路
の回路図、第２図乃至第５図はそれぞれ本発明に係るス
イッチングトランジスタドライブ回路の回路図である。 ＰＡＰ・・・プリアンプ ＰＴ・・・パルストラン
スＢＳＣ・・・ペース回路 ＱＬ・・・スイッ
チングトランジスタＱ０ ・・・トランジスタ
Ｑｍ ・・・ドライブトランジスタ特許出願人 富士通
ファナック株式会社代理人 弁理士 辻
實外２名 ＋％／４ ＦＩＩ％ｐ１３ｓＣ 竿３図
の回路図、第２図乃至第５図はそれぞれ本発明に係るス
イッチングトランジスタドライブ回路の回路図である。 ＰＡＰ・・・プリアンプ ＰＴ・・・パルストラン
スＢＳＣ・・・ペース回路 ＱＬ・・・スイッ
チングトランジスタＱ０ ・・・トランジスタ
Ｑｍ ・・・ドライブトランジスタ特許出願人 富士通
ファナック株式会社代理人 弁理士 辻
實外２名 ＋％／４ ＦＩＩ％ｐ１３ｓＣ 竿３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）プリアンプと、スイッチングトランジスタを駆動
するペース回路と、プリアンプとベース回路間を電磁的
に結合するパルストランスとを有し、プリアンプに入力
される制御信号に基づいてペース回路出力端Ｋｍ続され
ているスイッチングトランジスタをオン／オフ制御する
スイッチングトランジスタのドライブ回路において、パ
ルストランスの１次コイルに直列に接続されると共に１
パルストランスの２次コイルに発生するフライバック電
圧に対し前記１次コイルとで電流閉路を形成する低イン
ピーダンス回路を前記プリアンプに設けたことを特徴と
するスイッチングトランジスタのドライブ回路。 （乃前記パルストランスにドライブ用の１次コイルとは
別に１次コイルを設け、該別に設けられた１次コイルに
前記低インピーダンス回路を直列に接続したことを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項記載のスイッチングト
ランジスタのドライブ回路。 （４５） 前記パルストランスに第１、第２のドライブ
用の１次コイルを設けると共に、その接続点を電源に接
続し、／第１のドライブ用１次コイルの他端を新九に設
けたスイッチング部に接続し、更に第２のドライブ用１
次コイルの他端を前記制御信号により制御されるプリア
ンプ郁に接続し、第１のドライブ用１次コイル及びスイ
ッチング部を介して電流を流すことを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項又は第（２）項記載のスイッチング
トランジスタのドライブ回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123760A JPS5825719A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | スイツチングトランジスタのドライブ回路 |
| US06/483,000 US4562361A (en) | 1981-08-07 | 1982-08-07 | Power switching transistor drive circuit |
| PCT/JP1982/000308 WO1983000591A1 (en) | 1981-08-07 | 1982-08-07 | Drive circuit for power switching transistor |
| DE8282902377T DE3277672D1 (en) | 1981-08-07 | 1982-08-07 | Drive circuit for power switching transistor |
| EP82902377A EP0085112B1 (en) | 1981-08-07 | 1982-08-07 | Drive circuit for power switching transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56123760A JPS5825719A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | スイツチングトランジスタのドライブ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5825719A true JPS5825719A (ja) | 1983-02-16 |
Family
ID=14868603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56123760A Pending JPS5825719A (ja) | 1981-08-07 | 1981-08-07 | スイツチングトランジスタのドライブ回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4562361A (ja) |
| EP (1) | EP0085112B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5825719A (ja) |
| DE (1) | DE3277672D1 (ja) |
| WO (1) | WO1983000591A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233181A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-19 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 粘着テ−プ又はシ−ト、及びそれに用いる剥離剤 |
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