JPS5825665B2 - ジフェニルエ−テル誘導体 - Google Patents

ジフェニルエ−テル誘導体

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JPS5825665B2
JPS5825665B2 JP6157279A JP6157279A JPS5825665B2 JP S5825665 B2 JPS5825665 B2 JP S5825665B2 JP 6157279 A JP6157279 A JP 6157279A JP 6157279 A JP6157279 A JP 6157279A JP S5825665 B2 JPS5825665 B2 JP S5825665B2
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JP
Japan
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alkyl group
group
diphenyl ether
lower alkyl
ether derivative
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JP6157279A
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清明 似内
哲夫 竹松
良典 田中
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なジフェニルエーテル誘導体とその製造法
およびその用途に係わるものである。
詳しくは一般式 (式中、Rは低級アルキル基、ハロゲン置換アルキル基
、フェニル基、低級アルキル基で置換されたフェニル基
またはアルキルアミノ基を示す。
)で表わされる化合物とその製造法およびこれらの化合
物の少くとも一種を有効成分として含有することを特徴
とする除草剤に関するものである。
本発明の目的は、実用上きわめて有用な新規除草剤を工
業的に有利に製造して提供するにある。
本発明者らは、ジフェニルエーテル系除草剤はイネに薬
害が少ないことに着眼し研究を進めてきたが、本発明の
化合物が除草剤として多くのすぐれた特徴を有すること
を発見して本発明を完成するに至った。
本発明のジフェニルエーテル誘導体は下記の方法によっ
て製造することができる。
すなわち3′−(2−クロル−4−トリフルオルメチル
フェノキシ)フェノールを不活性溶媒に溶解し、これに
一般式 %式%() (式中、Xはハロゲン原子、Rは低級アルキル基、ハロ
ゲン置換アルキル基、フェニル基、低級アルキル基で置
換されたフェニル基またはアルキルアミノ基を示す。
)で表わされるハロゲナイドをそのまままたは不活性溶
媒に溶解した状態で反応させる。
反応温度は一20℃〜150℃、反応時間は0.5時間
〜5時間が好ましい。
この際苛性カリ、苛性ソーダ、炭酸カリ、トリエチルア
ミン、ピリジンなどの酸結合剤の共存下で反応させても
よい。
またあらかじめ炭酸アルカリ、苛性アルカリ、アルカリ
金属、水素化ナトリウムなどによって一方の原料である
3’−(2−クロル−4−トリフルオルメチルフェノキ
シ)フェノールの金属塩を調製しておき、これに、一般
式X−5O□−R(X、Rは前記に同じ)で表わされる
ハロゲナイドを反応させてもよい。
これらの反応に使用できる不活性溶媒トシテハ、ベンゼ
ン、トルエン、エーテル、ジオキサン、テトラヒドロフ
ラン、メチルエチルケトン、ジメチルスルホキシド、ジ
メチルホルムアミドなどが適切である。
以上の製造法によって得られる代表的な化合物を次に例
示する。
2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3−メチ
ルスルホニルオキシフェニルエーテル2−クロル−4−
トリフルオルメチルフェニル3−エチルスルホニルオキ
シフェニルエーテル2−クロル−4−トリフルオルメチ
ルフェニル3−クロルメチルスルホニルオキシフェニル
エーテル 2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3− ト
IJフルオルメチルスルホニルオキシフェニルエーテル 2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3−トリ
クロルメチルスルホニルオキシフェニルエーテル 2 pロルー4−’t”)フルオルメチルフェニル3
−フェニルスルホニルオキシフェニルエーテル 2−クロル−4 − ) IJクロルルメチルフェニル
3−P−)IJルスルホニルオキシフェニルエーテル 2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3−メチ
ルスルファモイルオキシフェニルエーテル 2−りOルー4 − トIJフルオルメチルフェニル3
ーエチルスルファモイルオキシフェニルエーテル 2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3−イン
フロビルスルファモイルオキシフエニルエーテル 2−クロル−4−トリフルオルメチルフェニル3−ジメ
チルスルファモイルオキシフェニルエーテル 次に実施例をあげて前記一般式(I)で示される本発明
化合物の製造法につき詳しく説明する。
(化合物番号)は後記第1表の化合物番号と一致する。
実施例 ■ (化合物番号1) 3−(2−クロル−4 − ) ’Jクロルルメチルフ
ェノキシ)フェノール5グを50mlのベンゼンに溶解
し、トリエチルアミン2.52を加えた。
室温でかきまぜながら32のメタスルホニルクロライド
を滴下し、さらに同温度で1時間かきまぜた。
反応終了後、固形物を沢別したのち、ベンゼンを留去し
、残留物をベンゼン対n−へキサンの比1対1の展開溶
媒にとかし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
いて分離精製し、n22:1、5274の2−クロル−
4−トリフルオルメチルフェニル ーテル 実施例 2 (化合物番号8) 3−(2−クロル−4−)!Jクロルルメチルフェノキ
シ)フェノール52を50m1のベンゼンに溶解し、ト
リエチルアミン2.51を加えた。
室温でかきまぜながら2グのメチルスルファモイルクロ
ライドを滴下し、さらに同温度で1時間かきまぜた。
反応終了後、固形物を沢別したのちベンゼンを留去し、
残留物をベンゼン対酢酸エチル50対1の展開溶媒にと
かし、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて分
離精製し、n18’ : 1−5261の2−りo ル
ー 4− トリフルオルメチルフェニル 3−メチルス
ルファモイルオキシフェニルエーテル42を得た。
実施例 3 (化合物番号11) 3−(2−クロル−4−トリフルオルメチルフェノキシ
)フェノールのカリウム塩7グを50rulのメチルエ
チルケトンに懸濁させ、これにジメチルスルファモイル
クロライド4グを加え、室温で1時間かきまぜた。
反応終了後、反応生成物を300rllの水中に注入し
、酢酸エチルで抽出した。
抽出層を水洗し芒硝で乾燥後、酢酸エチルを留去し、残
留物をベンゼンに溶解してシリカゲルクロマトグラフィ
ーを用いて分離精製し、nb8・5:15221の2−
クロル−4−トリフルオルメチルフェニル 3−ジメチ
ルスルファモイルオキシフェニルエーテル4.82を得
た。
同様な方法によって得られた本発明の代表的な化合物と
その物性、元素分析値を下記の第1表に記載する。
本発明化合物の除草剤としての生理作用特性にもとづく
すぐれた特徴をあげれば次の通りである。
(1)イネに対しては直播きをはじめ、置き苗および移
植苗の全ての栽培方式にわたり著しい高薬量まで無害で
あり、(2)水田における強害草ノビエをはじめ、一般
広葉雑草およびカヤツリグサ科のホタルイおよびミズガ
ヤツリなど従来防除至難な雑草にも卓効を示し、(3)
水稲の田植前処理、田植直後処理、および移植後10日
以上をすぎたイネおよび雑草の生育期における処理など
適用期間が長く、(4)アカザ、メヒシバ、アオビユ、
ハキダメギク、スズメノテツポウ、およびノ1ルタデな
どの畑雑草に対して土壌処理能力のみならず乾田直播や
陸稲栽培における茎葉(地上部)処理能力を持ち、(5
)生わら施用の還元性土壌中でも効果が低減し難い。
以上の如(、本発明化合物は乾田直播や陸稲栽培におけ
る茎葉(地上部)処理能力を持ち、はとんど全ての雑草
に効力を有し、イネ科のうちイネ属に対しては全(無害
という、驚くべきイネ科属間選択(イネ科のうちイネ属
にのみ無害で小麦属、。
メヒシバ属、ノビエ属、およびトウモロコシ属等は枯死
または甚害を示すことをいう)を示す。
本発明化合物を処理した場合に示される薬害症状は、イ
ネ以外のイネ科雑草に対しては成長点の細胞分裂伸長を
強度に阻害する。
その作用は茎葉処理、 1土壌処理を問わず、本発明化
合物が幼芽部または根部から吸収されたのち、太陽光線
を受は作用をあられすという特徴を有する。
なお、本発明薬剤は上述や如く水稲田および畑地のほか
、果樹園、桑園、山林その他非農耕などに使用でき、そ
の適用範囲は広い。
本発明薬剤の使用方法は一般的には従来の除草剤のそれ
に準する。
すなわち対象植物等により異なるものであるが、一般的
には湛水または非湛水の土壌処理または全面茎葉処理に
よる方法が適当である。
本発明の除草剤の有効成分である前記一般式で示される
化合物の施用濃度(施用薬量)は対象植物により異なる
が、一般的には31〜50グ/アールの範囲で使用すれ
ばよい。
本発明の除草剤を使用する際は、使用場面に応じて各種
の担体と混合し、粉剤、粒剤、錠剤、水和剤、乳剤等と
して使用することができる。
ここにいう担体とは固体、液体の何れでもよ(、それら
の組合せでもよい。
その例を列記すれば、カオリナイト、ベントナイト、パ
イロフィライト、タルク、けいそう土、シリカゲル、炭
酸カルシウム、消石灰などの鉱物性粉末、でん粉、アラ
ビアゴムなどの植物性粉末、アルコール類、ケトン類、
ケロシン、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキ
サン、メチルナフタレン、ジオキサン、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキサイド、トウモロコキ油、0
−ジクロルベンゼン、イソホロン等の有機溶剤などであ
り、さらに農薬の製剤上使用される補助剤、例えば湿潤
剤、分散剤、固着剤、展着剤などを必要に応じて適宜使
用してもよい。
いずれの製剤もそのまま単独で使用できるのみならず、
殺菌剤、殺線虫剤、殺虫剤または植物生長調整剤、他の
除草剤、さらには肥料と混合して使用してもよい。
次に実施例によって、本発明の代表的製剤例を示す。
化合物は前記第1表の化合物番号をもって表わす。
「部」は「重量部」を示す。実施例 4 化合物番号1 20部タルク
80部これらをボ
ールミルでよく粉砕混合して粉剤とした。
実施例 5 化合物番号3 7部ベントナ
イト 88部リグニンスル
ホン酸ナトリウム 5部これらに少量の水
を加え造粒して粒剤とした。
実施例 6 化合物番号10 、。
部ベントナイト 45部ポ
リオキシエチレンアルキルアリールエ 5部−チル これらを混合粉砕して、50%水和剤とした。
次に本発明化合物の効果を試験例により説明する。
下記各試験例における表中の数値は作物薬害および雑草
害の程度を示すもので、具体的には下記の通りである。
試験例 l (湛水土壌処理試験) 1/10000アールポツトに水田土壌を充填し、ノビ
エ、キカシグサ、ミゾハコベ、ホタルイを播種し、深さ
3CIfLに湛水する。
雑草発芽時、下:記有効成分の所定濃度をピペットで滴
下する。
薬剤散布後、20日目に雑草防除力の程度を観察した。
結果を第2表に示す。供試した有効成分化合物は前記第
1表の化合物番号で示す(以下同様)。
試験例 2 〔湛水土壌処理試験(田植3日後処理)〕供試植物とし
て下記植物を用い次のような方法で試験をした。
1/10000アールポツトに水田土壌を充填する。
イネは種子を直播する(表中略記「直播」)か、2葉期
のイネ苗を土壌表層2〜4cIrLの深さに移植する(
移植)か、または移植せず土壌表層に根を固定させる(
画描)の三つの様式を用いた。
また1年生広葉雑草、ミゾハコベ、アゼナおよびコナギ
は土壌表層1cIrLに混入する方法を用いた。
さらにミズガヤツリおよびマツバイは移植する方法を用
いた。
上記播種または移植後ポットを3cIILに湛水する。
雑草発芽侍所定濃度の有効成分をピペットで滴下する。
薬剤散布後20日目にイネの薬害と雑草防除力の程度を
観察した。
結果は第3表に示す。試験例 3 〔湛水土壌処理試験(田植3日前処理)〕試験例2と同
じ供試雑草を用い、雑草を播種または移植し、湛水した
のち直ちに所定濃度の有効。
成分を施用した。
3日後に土壌表層2cmの深さにイネ苗を移植した。
薬剤処理後20日目処イネの薬害と雑草防除力の程度を
観察した。
結果を第4表に示す。
試験例 4 (湛水生育期処理試験) 試験例2と同じ供試植物を準備し、ノビエの2.5葉時
期、すなわち田植後15日目処所定濃度の薬剤を施用し
た。
施用後20日にイネの薬害と雑草防除力の程度を観察し
た。
結果を第5表に示す。試験例 5 (茎葉処理試験) 1/10000アールポツトに畑地土壌を充填し、下記
供試植物の種子を播種し、ICIrLの覆土をする。
これらの種子発芽後、ダイコンでは木葉1〜2葉期、ま
たコムギでは本葉2〜3葉期に所定濃度の有効成分水和
剤希釈液1罰を全面に噴霧処理した。
処理後、15日目処供試植物の薬害の程度を観察した。
結果を第6表に示す。
【図面の簡単な説明】
第1図から第11図までは、それぞれ明細書の第1表に
示した化合物番号1かも11までの化合物に対応する赤
外線吸収スペクトル線図を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 (式中、Rは低級アルキル基、ハロゲン置換アルキル基
    、フェニル基、低級アルキル基で置換されたフェニル基
    またはアルキルアミノ基を示す。 )で表わされるジフェニルエーテル誘導体。 23’−(2−クロル−4−トリフルオルメチルフェノ
    キシ)フェノールと一般式 %式% (式中、Xはハロゲン原子、Rは低級アルキル基、ハロ
    ゲン置換アルキル基、フェニル基、低級アルキル基で置
    換されたフェニル基またはアルキルアミノ基を示す。 )で表わさhる化合物とを反応させることを特徴とする
    一般式 (式中、Rは前記と同じ)で表わされるジフェニルエー
    テル誘導体の製造法。 3 一般式 (式中、Rは低級アルキル基、・・ロゲン置換アルキル
    基、フェニル基、低級アルキル基で置換されたフェニル
    基またはアルキルアミノ基を示す。 )で表わされるジフェニルエーテル誘導体を有効成分と
    して含有することを特徴とする除草剤。
JP6157279A 1979-05-21 1979-05-21 ジフェニルエ−テル誘導体 Expired JPS5825665B2 (ja)

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