JPS5825090B2 - トウメイドウデンセイヒマクオユウスル コウブンシセイケイブツノセイゾウホウホウ - Google Patents
トウメイドウデンセイヒマクオユウスル コウブンシセイケイブツノセイゾウホウホウInfo
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- JPS5825090B2 JPS5825090B2 JP5582375A JP5582375A JPS5825090B2 JP S5825090 B2 JPS5825090 B2 JP S5825090B2 JP 5582375 A JP5582375 A JP 5582375A JP 5582375 A JP5582375 A JP 5582375A JP S5825090 B2 JPS5825090 B2 JP S5825090B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- evaporation source
- polymer
- hydrogen
- polymer molded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物基板上に透明導電性被膜を形成
する方法に関する。
する方法に関する。
従来、透明導電膜は、ガラス上に５ｎ０２を被膜とした
、いわゆるネサガラスが実用に供されている程度で、高
分子成形物に透明導電層を有するものは開発途上で余り
知られていない。
、いわゆるネサガラスが実用に供されている程度で、高
分子成形物に透明導電層を有するものは開発途上で余り
知られていない。
ネサガラスのように金属の塩化物を高温にしたガラス基
板上に吹き付けて被膜を作る方法が、低融点のプラスチ
ックには適用できないため、わずかにＩｎ２Ｏ５を真空
蒸着法により製造する方法が報告されている程度である
。
板上に吹き付けて被膜を作る方法が、低融点のプラスチ
ックには適用できないため、わずかにＩｎ２Ｏ５を真空
蒸着法により製造する方法が報告されている程度である
。
しかし、この方法は熱処理温度が高くとれないため、透
明度も悪く、表面抵抗も高い。
明度も悪く、表面抵抗も高い。
また金属を極めて薄く蒸着して透明導電膜とする方法も
古くから知られているが、Ａｕ、ｐｄ などでも、透明
度は可視域で７０％の透過率、表面抵抗は数にΩ／ｄ程
度であり、ネサガラスに比べて極めて性能が劣る。
古くから知られているが、Ａｕ、ｐｄ などでも、透明
度は可視域で７０％の透過率、表面抵抗は数にΩ／ｄ程
度であり、ネサガラスに比べて極めて性能が劣る。
しかし、ガラスは大形になると重く、割れ易いため危険
であり、これに代わる加工性に富み、軽量な高分子成形
物透明導電層で性能向上が期待されているのが実状であ
る。
であり、これに代わる加工性に富み、軽量な高分子成形
物透明導電層で性能向上が期待されているのが実状であ
る。
本発明はかかる要求に応えることを目的とし、具体的に
は、酸化と還元のプロセスを同時に有するプラズマを利
用した、薄膜の製法に関する。
は、酸化と還元のプロセスを同時に有するプラズマを利
用した、薄膜の製法に関する。
第１図に本発明の製法を実施するための装置の一例を示
す。
す。
真空容器１内に基板保持板２に保持された高分子成形物
基板３と、蒸発物質４と蒸発用ポート５とで構成される
蒸発源を対向配設する。
基板３と、蒸発物質４と蒸発用ポート５とで構成される
蒸発源を対向配設する。
そして両者間にプラズマ６を形成する。
このための方法は、導入端子７を介して高圧プローブ８
へ高周波または商用周波電源９により電圧を印加し、高
周波グロー放電を形成させるのが、低い圧力（１０−３
〜１０″ｍｍＨｇ）で放電が維持できるので、膜の純度
、ひいては膜の諸物性に好結果をもたらす点から有利で
ある。
へ高周波または商用周波電源９により電圧を印加し、高
周波グロー放電を形成させるのが、低い圧力（１０−３
〜１０″ｍｍＨｇ）で放電が維持できるので、膜の純度
、ひいては膜の諸物性に好結果をもたらす点から有利で
ある。
１０は真空排気系、１１は基板３に必要に応じて正また
は負の電圧を印加するための直流電源である。
は負の電圧を印加するための直流電源である。
１２はポート加熱のための電源、１３は可変リークバル
ブで、反応性ガス１４を所定量リークさせて、真空容器
１内の圧力を所定の圧力に保つ。
ブで、反応性ガス１４を所定量リークさせて、真空容器
１内の圧力を所定の圧力に保つ。
この装置の基本操作は、まず容器１内の圧力を、真空排
気系１０により、１０−５〜１０−６龍Ｈｇまで排気し
たのち、精製した水素と酸素の混合気体１４をパルプ１
３の調節により、所定の圧力に設定する。
気系１０により、１０−５〜１０−６龍Ｈｇまで排気し
たのち、精製した水素と酸素の混合気体１４をパルプ１
３の調節により、所定の圧力に設定する。
そののち、高周波電源９を動作させて、プラズマを形成
する。
する。
しかるのち、蒸発源を動作させ、該プラズマに露呈した
蒸気流を基板３に向わせ、基板３上に被膜を形成するこ
とができる。
蒸気流を基板３に向わせ、基板３上に被膜を形成するこ
とができる。
蒸発源は電子ビーム蒸発源でも高周波誘導加熱源でもよ
い。
い。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例 １
基板電圧ニー２００Ｖ
高周波型カニＩＫＶ、、１５０Ｗ１ｆ＝１３．５６Ｈｚ
蒸発物質：■ｎ
導入ガス圧カニ０□：８×１０″ｍｍＨｇ、 Ｈ２：
５ Ｘ １０ ｍｍＨｇ 基板：５ｍｍ厚のアクリル板 被膜厚さ：１２００人 の条件で次の結果が得られた。
５ Ｘ １０ ｍｍＨｇ 基板：５ｍｍ厚のアクリル板 被膜厚さ：１２００人 の条件で次の結果が得られた。
表面抵抗：５０Ω／ｃｒＡ、透明度：９０％（波長５５
０ｍμ） 実施例 ２ 基板電圧ニー２００Ｖ 高周波型カニ ２ＫＶｐ１２００Ｗ、、ｆ＝１３．５６
Ｈｚ 蒸発物質：Ｓｎ 導入ガス圧カニ０２：８×１０″ｍｍＨｇ、 Ｈ２：
８ Ｘ １０ ｍｍＨｇ 基板：１００μ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ム 被膜厚さ：２０００人 の条件で次の結果が得られた。
０ｍμ） 実施例 ２ 基板電圧ニー２００Ｖ 高周波型カニ ２ＫＶｐ１２００Ｗ、、ｆ＝１３．５６
Ｈｚ 蒸発物質：Ｓｎ 導入ガス圧カニ０２：８×１０″ｍｍＨｇ、 Ｈ２：
８ Ｘ １０ ｍｍＨｇ 基板：１００μ厚のポリエチレンテレフタレートフィル
ム 被膜厚さ：２０００人 の条件で次の結果が得られた。
表面抵抗：２５０Ω／ｃｒＡ、透明度：８７％（波長５
５０ｍμ） その他、水素による還元により、本発明の効果が得られ
るものは、ｐｂＱ、Ｂｉ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＭｎＯ２、
Ｆｅ３Ｏ４であり、ＺｎＯ，Ａｌ２Ｏ３等は比較的影響
を受けなかった。
５０ｍμ） その他、水素による還元により、本発明の効果が得られ
るものは、ｐｂＱ、Ｂｉ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＭｎＯ２、
Ｆｅ３Ｏ４であり、ＺｎＯ，Ａｌ２Ｏ３等は比較的影響
を受けなかった。
製造条件の選定により、表面抵抗が１０Ω／ｃｒＡ〜Ｉ
ＫΩ／ｃｒＡの範囲（透明度８０％以上）は比較的容易
にできる。
ＫΩ／ｃｒＡの範囲（透明度８０％以上）は比較的容易
にできる。
この現象は、水素の還元作用により酸化膜の酸化状態が
伝導電子を増す方向に働くものと思われる。
伝導電子を増す方向に働くものと思われる。
ただし、水素の分圧が１０％を超すと、不透明になり、
この傾向は酸素分圧が低い時はど明瞭に現われて（る。
この傾向は酸素分圧が低い時はど明瞭に現われて（る。
本発明は、上記の高分子成形物以外にポリエチＬ／７、
ポリプロピレン、ポリビニールクロライド等にも適用で
きる。
ポリプロピレン、ポリビニールクロライド等にも適用で
きる。
なお、基板が高分子成形物という絶縁物であるため、荷
電粒子によるチャージアップによる問題が発生する。
電粒子によるチャージアップによる問題が発生する。
この防止のためには、基板の前面蒸発源側に基板電位を
付与した網状電極を配設するのがよい。
付与した網状電極を配設するのがよい。
網状構造はこだわらない。高周波グローを用いる場合は
、必ずしも必要でないが、ＤＣグローを用いて、本発明
を実施する場合は必要である。
、必ずしも必要でないが、ＤＣグローを用いて、本発明
を実施する場合は必要である。
以上のように本発明によれば、高性能なプラスチック製
透明導電膜が得られ、これは従来ガラスしか考えられな
かった導電膜をフレキシブルなシート、フィルムに得ら
れることであり、新しい用途拡大が期待され、その産業
性は大きいものである。
透明導電膜が得られ、これは従来ガラスしか考えられな
かった導電膜をフレキシブルなシート、フィルムに得ら
れることであり、新しい用途拡大が期待され、その産業
性は大きいものである。
図面は本発明の製造方法を実施するために使用する装置
の一実施例の断面正面図である。 １・・・−・・真空容器、３・・・・・・高分子成形物
基板、４・・・・・・蒸発物質、６・・・・・・プラズ
マ、１１・・・・・・直流電源、１２・・・・・・蒸発
電源。
の一実施例の断面正面図である。 １・・・−・・真空容器、３・・・・・・高分子成形物
基板、４・・・・・・蒸発物質、６・・・・・・プラズ
マ、１１・・・・・・直流電源、１２・・・・・・蒸発
電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器内に接地電位または正負いずれかの電位を
有する高分子成形物基板と接地電位にある蒸発源とを対
向配設し、少なくとも前記高分子成形物基板と前記蒸発
源との間の空間に酸素と水素の混合気体プラズマを形成
し、前記混合気体の酸素対水素の分圧比を１０対１以下
に保持し、前記蒸発源よりの蒸気流を前記プラズマに露
呈して前記高分子成形物基板上に透明導電性被膜を形成
することを特徴とする透明導電性被膜を有する高分子成
形物の製造方法。 ２ 真空容器内に接地電位または正負いずれかの電位を
有する高分子成形物基板と接地電位にある蒸発源とを対
向配設するとともに前記高分子成形物基板と前記蒸発源
との間に前記高分子成形物基板の電位と同電位の網状電
極を配設し、少なくとも前記高分子成形物基板と前記蒸
発源との間の空間に酸素と水素の混合気体プラズマを形
成し、前記混合気体の酸素対水素の分圧比を１０対１以
下に保持し、前記蒸発源よりの蒸気流を前記プラズマに
露呈して前記高分子成形物基板上に透明導電性被膜を形
成することを特徴とする透明導電性被膜を有する高分子
成形物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582375A JPS5825090B2 (ja) | 1975-05-08 | 1975-05-08 | トウメイドウデンセイヒマクオユウスル コウブンシセイケイブツノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5582375A JPS5825090B2 (ja) | 1975-05-08 | 1975-05-08 | トウメイドウデンセイヒマクオユウスル コウブンシセイケイブツノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51130687A JPS51130687A (en) | 1976-11-13 |
| JPS5825090B2 true JPS5825090B2 (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=13009664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5582375A Expired JPS5825090B2 (ja) | 1975-05-08 | 1975-05-08 | トウメイドウデンセイヒマクオユウスル コウブンシセイケイブツノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5825090B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138491U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX152941A (es) * | 1979-07-31 | 1986-07-04 | Siv Soc Italiana Vetro | Mejoras en procedimiento para depositar sobre un substrato de vidrio ceramico u otra substancia mineral un revestimiento adherente de oxido de estano |
-
1975
- 1975-05-08 JP JP5582375A patent/JPS5825090B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62138491U (ja) * | 1986-02-21 | 1987-09-01 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51130687A (en) | 1976-11-13 |
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