JPS582334A - イソシアヌレ−ト環を含有するポリエステルイミドの製造法 - Google Patents
イソシアヌレ−ト環を含有するポリエステルイミドの製造法Info
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- JPS582334A JPS582334A JP10296081A JP10296081A JPS582334A JP S582334 A JPS582334 A JP S582334A JP 10296081 A JP10296081 A JP 10296081A JP 10296081 A JP10296081 A JP 10296081A JP S582334 A JPS582334 A JP S582334A
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- carboxylic acid
- reaction
- acid
- isocyanurate
- isocyanurate ring
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- Pending
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なインシアヌレ−Fを含有するとくに町
とり件の改良されたポリエステルイミドめ製造法に関す
るものである。
とり件の改良されたポリエステルイミドめ製造法に関す
るものである。
現在、電気絶縁用ワニス、特にエナメル線用ワニスとし
てはポリエステル系ワニスが比較的機械特性、電気特性
、耐熱性などのバランスがとれているため多く使用され
ている。
てはポリエステル系ワニスが比較的機械特性、電気特性
、耐熱性などのバランスがとれているため多く使用され
ている。
しかし、最近電気機器の小型化、@量化のため、さらに
耐熱性の良好なエナメル線用ワニスが要求されている。
耐熱性の良好なエナメル線用ワニスが要求されている。
耐熱性の良好なエナメル線用ワニスとしては、ポリイミ
ドワニス、ポリアミドイミドワニスなどの高度の耐熱性
を有するワニスがあるが、樹脂自体が高価でコスト的に
大きな問題がある。このためポリエステル系めエナメル
線用ワニスの耐熱性向上のために、樹脂成分の一部にイ
ミド基を含有したいわゆるポリエステルイミドワニスが
一部されている。しかしポリエステルイミドはポリエス
テルに比較して熱衝撃性は改良されるものの熱軟化性に
難点がある。
ドワニス、ポリアミドイミドワニスなどの高度の耐熱性
を有するワニスがあるが、樹脂自体が高価でコスト的に
大きな問題がある。このためポリエステル系めエナメル
線用ワニスの耐熱性向上のために、樹脂成分の一部にイ
ミド基を含有したいわゆるポリエステルイミドワニスが
一部されている。しかしポリエステルイミドはポリエス
テルに比較して熱衝撃性は改良されるものの熱軟化性に
難点がある。
本発明者らは先に、インシアヌレート項含有ポリイソシ
アネートと酸無水物基を含有するカルボン酸とを反応さ
せて得られるポリイミドカルボン酸、多価アルコールお
よび必要に応じてさらに他のカルボン酸を反応させるこ
とによ、!l)。
アネートと酸無水物基を含有するカルボン酸とを反応さ
せて得られるポリイミドカルボン酸、多価アルコールお
よび必要に応じてさらに他のカルボン酸を反応させるこ
とによ、!l)。
熱軟化性にすぐれたイソシアヌレート環を含有するポリ
エステルイミドの製造法を提供した(特開昭53−.5
038.4号)。しかしながら。
エステルイミドの製造法を提供した(特開昭53−.5
038.4号)。しかしながら。
該発明は高度な可とり性が要求される用途に適用する場
合において不十分な面があった。
合において不十分な面があった。
本発明者らは、該発明のすぐれた熱軟化性を低下せしめ
ることなく、可とり性を改良する方法について検討した
結果1本発明を完成するに至った。 “ 本発明は、イジシアヌレート壌含有ポリイソシアネート
又はマスク剤で封鎖されたイソクアヌレート環含有示゛
す□゛イソシアネート酸無水物基を含有するカルボン酸
とを反応させて得られるポリイミドカルボン酸、ラクタ
ム、多価アルコールおよび必要に応じてさらに他のカル
ボン酸を反応させるイソシアヌレート環を含有スるポリ
エステルイミドの製造法に関する。
ることなく、可とり性を改良する方法について検討した
結果1本発明を完成するに至った。 “ 本発明は、イジシアヌレート壌含有ポリイソシアネート
又はマスク剤で封鎖されたイソクアヌレート環含有示゛
す□゛イソシアネート酸無水物基を含有するカルボン酸
とを反応させて得られるポリイミドカルボン酸、ラクタ
ム、多価アルコールおよび必要に応じてさらに他のカル
ボン酸を反応させるイソシアヌレート環を含有スるポリ
エステルイミドの製造法に関する。
本発明内接の概略を反応式で示せば次のとおシである。
以下余白
5−
6−
上式において、 R,、R,、R,は2価の炭化水0
1
1
化水素基)、R4は水素又はアルキル基、nは整数であ
る。
る。
ラクタムの樹脂骨核中に導入される反応機構は明らかで
はないが1次に示すように主にカルボキシル基又は酸無
水物基と反応してアミドカルボン酸又はイミドカルボン
酸となシ、生成したアミドカルボン酸又はイミドカルボ
ン酸のカルボキシル基ト多価アルコールのヒドロキシル
基とのエステル化反応によって樹脂化するものと推定さ
れる。
はないが1次に示すように主にカルボキシル基又は酸無
水物基と反応してアミドカルボン酸又はイミドカルボン
酸となシ、生成したアミドカルボン酸又はイミドカルボ
ン酸のカルボキシル基ト多価アルコールのヒドロキシル
基とのエステル化反応によって樹脂化するものと推定さ
れる。
1
上式においてR,J、は炭化水素基、nは整数である。
上記の反応式は本発明内容の理解を助けるものであって
9本発明の範囲を限定するものではない。
9本発明の範囲を限定するものではない。
上記の開環付加反応などによって分子主鎖中に取り込ま
れたラクタムによって9本発明の目的とするイソシアヌ
レート環を含有するポリエステルイミドは可とり性が付
与される。
れたラクタムによって9本発明の目的とするイソシアヌ
レート環を含有するポリエステルイミドは可とり性が付
与される。
本発明で用いられるインシアヌレ−)11含有ポリイソ
シアネート又はマスク剤で封鎖されたイソシアヌレート
猿含有ポリイソシアネートはインシアネート基の三量化
によって得られるイソシアヌレート環を含有するポリイ
ンシアネート又は該ポリイソシアネートをマスク剤で封
鎖−9= したイソシアヌレート項含有ポリイソシアネートである
。イソシアネート基の三量化反応はインシアネート基と
反応しない溶剤の存在下で行なわれる。反応を効果的に
進めるためにはイソシアネート基の三量化触媒を使用す
ることが望ましい。
シアネート又はマスク剤で封鎖されたイソシアヌレート
猿含有ポリイソシアネートはインシアネート基の三量化
によって得られるイソシアヌレート環を含有するポリイ
ンシアネート又は該ポリイソシアネートをマスク剤で封
鎖−9= したイソシアヌレート項含有ポリイソシアネートである
。イソシアネート基の三量化反応はインシアネート基と
反応しない溶剤の存在下で行なわれる。反応を効果的に
進めるためにはイソシアネート基の三量化触媒を使用す
ることが望ましい。
溶剤としては原料としてのイソシアネートを溶解するも
のであれば脂肪族及び芳香族系炭化水素、ハロゲン化芳
香族系炭化水素、エステル系、ケトン系、エーテル系、
エチレングリコールモノアルキルモノアセテート系溶剤
、ジメチルスルホオキサイド等の中から任意に選定でき
る。
のであれば脂肪族及び芳香族系炭化水素、ハロゲン化芳
香族系炭化水素、エステル系、ケトン系、エーテル系、
エチレングリコールモノアルキルモノアセテート系溶剤
、ジメチルスルホオキサイド等の中から任意に選定でき
る。
イソシアネート基の三量化触媒としては゛アルカリ金属
アセテート、鉄、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、錫、
鉛、バナジウム、チタン等の金属塩及び有機金属化合物
、2−(ジメチルアミンメチル)−4,6−シメチルフ
エノールなどのフェノールのマンニッヒ塩基、N−メチ
ルモルホリン、トリブチルアミン、N、N、N、N−テ
トラメチルエチレンジアミン、1.4−ジアザビ10− シクロ(2,2,2)オクタン、1.8−ジアザビシク
ロ(5,4o)ウンデセン−7、N−メチル−N′−ジ
メチルアミンエチルピペラジ/、1.2−ジメチルイミ
ダゾール、トリエタノールアミン。
アセテート、鉄、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、錫、
鉛、バナジウム、チタン等の金属塩及び有機金属化合物
、2−(ジメチルアミンメチル)−4,6−シメチルフ
エノールなどのフェノールのマンニッヒ塩基、N−メチ
ルモルホリン、トリブチルアミン、N、N、N、N−テ
トラメチルエチレンジアミン、1.4−ジアザビ10− シクロ(2,2,2)オクタン、1.8−ジアザビシク
ロ(5,4o)ウンデセン−7、N−メチル−N′−ジ
メチルアミンエチルピペラジ/、1.2−ジメチルイミ
ダゾール、トリエタノールアミン。
2−ジメチルアミノエタノール、N−N−ビス−(ジメ
チルアミノエチル)−N−メチルアミン等の第三級アミ
ンなどが使用できる。
チルアミノエチル)−N−メチルアミン等の第三級アミ
ンなどが使用できる。
インシアネート基の三量化の反応温度はたとえば50〜
150℃の範囲が好ましい。実際のイソシアネート基の
三量化反応は複雑であり。
150℃の範囲が好ましい。実際のイソシアネート基の
三量化反応は複雑であり。
必ずしもイソシアヌレートmを一分子中に一個のみを含
むイソシアネートの付加物だけが選択的に生成するもの
ではなく、未反応のイソシアネート及びインシアヌレー
トmを一分子中に二個以上含むイソシアネート付加物の
混合物が得られる。
むイソシアネートの付加物だけが選択的に生成するもの
ではなく、未反応のイソシアネート及びインシアヌレー
トmを一分子中に二個以上含むイソシアネート付加物の
混合物が得られる。
本発明においてはこの混合物も使用できる。
インシアネート付加物に含有されるイソシアヌレート環
の数に応じて触媒量8反応源度を決めればよいが、一般
的に残存イソシアネート基の割合が50係程度になるよ
うな反応を行なう場合を例にとればインシアネートに対
して第三級アミン0.01〜2重量%9反応温度50〜
160℃が好ましい。
の数に応じて触媒量8反応源度を決めればよいが、一般
的に残存イソシアネート基の割合が50係程度になるよ
うな反応を行なう場合を例にとればインシアネートに対
して第三級アミン0.01〜2重量%9反応温度50〜
160℃が好ましい。
インシアネートとしては脂肪族、脂環族、芳香脂肪族、
芳香族及び複素環族のイソシアネート例えばエチレンジ
インシアネート、1,4−テトラ−メチレンジイソシア
ネート、1,6−へキサメチレンジイソシアネート、1
.12−ドデカンジイソシアネート、シクロブテン1,
3−ジイソシアネート、シクロヘキサン1.3−及び1
,4−ジイソシアネート、 1.3−及ヒl、4−フェ
ニレンジイソシアネート、2+4−及び2.6−)ルイ
レンジイソシアネート及びこれらの異性体の混合物、ジ
フェニルメタン−2,4′−又は−4,4′−ジイソシ
アネート等が用いられ、モノイソシアネート、3価以上
のポリイソシアネートを併用してもよく特に制限はない
。コスト面及び耐熱性を考慮すれば芳香族系ジイソシア
ネート特に4.4′−ジフェニルメタンジイソシアネー
ト。
芳香族及び複素環族のイソシアネート例えばエチレンジ
インシアネート、1,4−テトラ−メチレンジイソシア
ネート、1,6−へキサメチレンジイソシアネート、1
.12−ドデカンジイソシアネート、シクロブテン1,
3−ジイソシアネート、シクロヘキサン1.3−及び1
,4−ジイソシアネート、 1.3−及ヒl、4−フェ
ニレンジイソシアネート、2+4−及び2.6−)ルイ
レンジイソシアネート及びこれらの異性体の混合物、ジ
フェニルメタン−2,4′−又は−4,4′−ジイソシ
アネート等が用いられ、モノイソシアネート、3価以上
のポリイソシアネートを併用してもよく特に制限はない
。コスト面及び耐熱性を考慮すれば芳香族系ジイソシア
ネート特に4.4′−ジフェニルメタンジイソシアネー
ト。
トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネー
トが好ましい。
トが好ましい。
イソシアヌレートa含有ポリイソシアネートの末端イソ
シアネート基を封鎖するマスク剤としては、メタノール
、エタノール、ブタノール。
シアネート基を封鎖するマスク剤としては、メタノール
、エタノール、ブタノール。
ベンジルアルコール等のアルコール類、メチルエチルケ
トンオキシム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシム
類、フェノール、クレゾール。
トンオキシム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシム
類、フェノール、クレゾール。
クレゾール酸等のフェノール類、ピロリドン。
ε−カグロラクタム等のラクタム類などが用いられる。
マスク剤とイソシアネート基との付加反応は常温から2
00℃・、の範囲で行なわれる。
00℃・、の範囲で行なわれる。
マスク剤の使用量は便用目的によって任意に用いられる
。インシアネート基の保存安定性を付与する目的には2
通常、イソシアネート基に対するマスク剤の活性水素の
当量割合が1.0以上とな、る範囲で用いるのが好まし
い。
。インシアネート基の保存安定性を付与する目的には2
通常、イソシアネート基に対するマスク剤の活性水素の
当量割合が1.0以上とな、る範囲で用いるのが好まし
い。
イソシアヌレート項含有ポリイソシアネート又はマスク
剤で封鎖されたイソシアヌレート環含13− 有ポリイソシアネートと酸無水物基を含有するカルボン
酸との反応はインシアネー)3J含有ポリイソシアネー
トの反応溶液に酸無水物基を含有するカルボン酸を添加
してもよい。イソシアヌレート猿含有ポリイソシアネー
トは用途に応じて、含有されるイソシアヌレート環の個
数の異なったものを使用できるが耐熱性、可とり性等か
らみて、残存イソシアネート基含有量10〜70条のも
のが好ましい(ジイソシアネート中のイソシアネート基
含有量を100とする)。
剤で封鎖されたイソシアヌレート環含13− 有ポリイソシアネートと酸無水物基を含有するカルボン
酸との反応はインシアネー)3J含有ポリイソシアネー
トの反応溶液に酸無水物基を含有するカルボン酸を添加
してもよい。イソシアヌレート猿含有ポリイソシアネー
トは用途に応じて、含有されるイソシアヌレート環の個
数の異なったものを使用できるが耐熱性、可とり性等か
らみて、残存イソシアネート基含有量10〜70条のも
のが好ましい(ジイソシアネート中のイソシアネート基
含有量を100とする)。
酸無水物基を含有するカルボン酸としては。
例えば一般式(Vl)及び(■)で示される化合物が用
いられ、イソシアネート基と反応する酸無水物基を含有
するカルボン酸またはその誘導体であればよく1%に制
限はない。
いられ、イソシアネート基と反応する酸無水物基を含有
するカルボン酸またはその誘導体であればよく1%に制
限はない。
(■)(■)
14−
(Rは水素、アルキル基、フェニル基等でありXは−C
H2−、−Co−、−80,−、−0−等である)#I
熱性、コスト面等を考慮すればトリメリット酸無水物な
どが好せしい。使用量はイソシアネート基と酸無水物基
がほぼ当量になるように選定すればよい。
H2−、−Co−、−80,−、−0−等である)#I
熱性、コスト面等を考慮すればトリメリット酸無水物な
どが好せしい。使用量はイソシアネート基と酸無水物基
がほぼ当量になるように選定すればよい。
反応溶剤としてはイソシアヌレート環含有ポリイソシア
ネートの合成に用いた溶剤をそのまま使用することもで
きるが、フェノール、クレゾール類、ジメチルアセトア
ミド、N−メチルピロリドンなどを使用してもよい。反
応温度としては130〜180℃が好ましい。反応の進
行状態は発生する炭酸ガスの気泡を観察することで可能
である。酸成分として上記のポリイミドカルボン酸と共
に、他のカルボン酸として。
ネートの合成に用いた溶剤をそのまま使用することもで
きるが、フェノール、クレゾール類、ジメチルアセトア
ミド、N−メチルピロリドンなどを使用してもよい。反
応温度としては130〜180℃が好ましい。反応の進
行状態は発生する炭酸ガスの気泡を観察することで可能
である。酸成分として上記のポリイミドカルボン酸と共
に、他のカルボン酸として。
例えば安息香酸、テレフタル酸、イソフタル酸。
トリメリット酸、コハク酸、アジピン酸、ピロメリット
酸、ペンゾフエノンテi2カルボン酸。
酸、ペンゾフエノンテi2カルボン酸。
ブタンテトラカルボン酸、これらのエステル。
酸無水物等の誘導体などを併用してもよい。上記のポリ
イミドカルボン酸は単独でも使用できるが耐熱性と可と
り性を考慮すれば酸成分の中でイソシアヌレート環含有
ポリイミドカルボン酸の含有量は10〜80当量チ程度
が好ましい。
イミドカルボン酸は単独でも使用できるが耐熱性と可と
り性を考慮すれば酸成分の中でイソシアヌレート環含有
ポリイミドカルボン酸の含有量は10〜80当量チ程度
が好ましい。
酸無水物基1モルはカルボキシル基1当址として取り扱
う。その含有量が少なすぎると耐熱性の向上が望めず、
多すぎると可とり性が低下し適当な塗膜を得ることが困
難となるので好ましくない。
う。その含有量が少なすぎると耐熱性の向上が望めず、
多すぎると可とり性が低下し適当な塗膜を得ることが困
難となるので好ましくない。
ラクタムとしては、酸成分と反応して可溶化するもので
あれば特に制限はない。例えばピロリドン、ピペリドン
、ε−カプロラクタムなどが用いられる。価格面9反応
性などを考慮するとε−カプロラクタムが好ましい。ラ
クタムの使用量は全カルボキシル基当量の1〜100当
量チ、可とり性を考慮すると10〜50当量チで用いる
のが好ましい。ラクタムは1官能性として取り扱う。ラ
クタムは反応成分として用いてもよいし、前述したイソ
シアヌレート環含有ポリイソシアネートのマスク剤とし
て用いてもかまわない。
あれば特に制限はない。例えばピロリドン、ピペリドン
、ε−カプロラクタムなどが用いられる。価格面9反応
性などを考慮するとε−カプロラクタムが好ましい。ラ
クタムの使用量は全カルボキシル基当量の1〜100当
量チ、可とり性を考慮すると10〜50当量チで用いる
のが好ましい。ラクタムは1官能性として取り扱う。ラ
クタムは反応成分として用いてもよいし、前述したイソ
シアヌレート環含有ポリイソシアネートのマスク剤とし
て用いてもかまわない。
多価アルコールとしては、一般にポリエステル合成に使
用されるアルコールすなわち、エチレングリコール、ジ
エチレングリコール、ネオペンチルクリコール、1.4
−7’タンジオール。
用されるアルコールすなわち、エチレングリコール、ジ
エチレングリコール、ネオペンチルクリコール、1.4
−7’タンジオール。
1.6−ヘキサンジオール、1.4−シクロヘキサンジ
メタツール等の2価アルコール、グリセリン、トリメチ
ロールプロパン、トリス(2−ヒドロキシエチル)イン
シアヌレート、ペンタエリスリトール等の3価以上のア
ルコールが使用される。多価アルコールの使用量は、耐
熱性等の観点から酸成分に対して5〜80当量饅過剰が
好ましい。
メタツール等の2価アルコール、グリセリン、トリメチ
ロールプロパン、トリス(2−ヒドロキシエチル)イン
シアヌレート、ペンタエリスリトール等の3価以上のア
ルコールが使用される。多価アルコールの使用量は、耐
熱性等の観点から酸成分に対して5〜80当量饅過剰が
好ましい。
合成方法としては、上記のポリイミドカルボン酸、ラク
タム、多価アルコール及び必要があればさらに、他のカ
ルボン酸を混合して重合を進める方法、上記のポリイミ
ドカルボン酸、ラクタム及び必要があればさらに、他の
カルボン酸を混合し、180〜250℃の温度でラクタ
ムの開環付加反応を進めた後、アルコール成分17− を加えて重合を進める方法などがある。また。
タム、多価アルコール及び必要があればさらに、他のカ
ルボン酸を混合して重合を進める方法、上記のポリイミ
ドカルボン酸、ラクタム及び必要があればさらに、他の
カルボン酸を混合し、180〜250℃の温度でラクタ
ムの開環付加反応を進めた後、アルコール成分17− を加えて重合を進める方法などがある。また。
ラクタムをイソシアヌレート環含有ポリイソシアネート
のマスク剤と、して用いた場合の合成方法としては9重
合の前段階反応として、まずイソシアヌレート環含有ポ
リイソシアネートの末端イソシアネート基とラクタムと
の付加反応を行なった後、酸無水物基を含有するカルボ
ン酸を加えて180〜250℃の温度で反応を行ない、
引き続いて多価アルコール及び必要があればさらに、他
のカルボン酸全混合して重合を進める方法がある。この
方法によれば、より良好な可とり性が得られる。
のマスク剤と、して用いた場合の合成方法としては9重
合の前段階反応として、まずイソシアヌレート環含有ポ
リイソシアネートの末端イソシアネート基とラクタムと
の付加反応を行なった後、酸無水物基を含有するカルボ
ン酸を加えて180〜250℃の温度で反応を行ない、
引き続いて多価アルコール及び必要があればさらに、他
のカルボン酸全混合して重合を進める方法がある。この
方法によれば、より良好な可とり性が得られる。
合成は無溶媒で行なうこともできるが、好ましくは高沸
点の溶剤2例えばクレゾール、N−メチルピロリドン、
キシレノールなpを併用して合成するのがよい。前段階
までの反応溶液に多価アルコール、必要に応じて用いら
れる他のカルボン酸を加え、さらに前述した高沸点溶剤
を適宜添加して合成することもできる。反応を迅速に進
める目的で他のカルボン酸を後添加す18− ることもできる。合成温度は160℃〜250°Cの範
囲が好ましい。反応の進行状態は縮合水量や粘度などア
知ることができる。合成触媒としては、テトラブチルチ
タネート、酢酸鉛、ナフテン酸コバルト、ジブチル錫オ
キサイドなどの一般のエステル化、エステル交換触媒が
使ワれる。
点の溶剤2例えばクレゾール、N−メチルピロリドン、
キシレノールなpを併用して合成するのがよい。前段階
までの反応溶液に多価アルコール、必要に応じて用いら
れる他のカルボン酸を加え、さらに前述した高沸点溶剤
を適宜添加して合成することもできる。反応を迅速に進
める目的で他のカルボン酸を後添加す18− ることもできる。合成温度は160℃〜250°Cの範
囲が好ましい。反応の進行状態は縮合水量や粘度などア
知ることができる。合成触媒としては、テトラブチルチ
タネート、酢酸鉛、ナフテン酸コバルト、ジブチル錫オ
キサイドなどの一般のエステル化、エステル交換触媒が
使ワれる。
このようにして得られたイソシアヌレート環を含有する
ポリエステルイミド又はその溶液はクレゾール、キシレ
ノール、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアマイ
ド、ジメチルアセトアマイドなどの溶媒で樹脂分20〜
50重量係に希釈される。この場合、助溶剤としてキシ
レン、エチレングリコールジメチルエステル。
ポリエステルイミド又はその溶液はクレゾール、キシレ
ノール、N−メチルピロリドン、ジメチルホルムアマイ
ド、ジメチルアセトアマイドなどの溶媒で樹脂分20〜
50重量係に希釈される。この場合、助溶剤としてキシ
レン、エチレングリコールジメチルエステル。
Nl5SEKI lll5OL −100(日本石油化
学株式会社製芳香族炭化水素の商標)、エチレングリコ
ールモノエチルモノアセテートなどを併用してもよい。
学株式会社製芳香族炭化水素の商標)、エチレングリコ
ールモノエチルモノアセテートなどを併用してもよい。
このようにして得られた樹脂溶液に、一般にポリエステ
ル樹脂用硬化剤として使われるチタン、アルミニウム等
の有様金属化合物2例えば。
ル樹脂用硬化剤として使われるチタン、アルミニウム等
の有様金属化合物2例えば。
テトラブチルチタネート、テトラプロピルチタネート、
アルミニウムトリス(アセチルアセトイード)などを添
加し9表面平滑剤として亜鉛コバルトなどの有機金属化
合物9例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルトな
どを添加する。さらに硬化剤として、他に、ブロックイ
ソシアネート、例えば、デスモジュールCTステーブル
(日本ポリウレタン工業株式会社製)などを添加しても
よい。このようにして得られたフェノを用いて作成した
塗膜は良好な耐熱性及び可とり性を示す。
アルミニウムトリス(アセチルアセトイード)などを添
加し9表面平滑剤として亜鉛コバルトなどの有機金属化
合物9例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルトな
どを添加する。さらに硬化剤として、他に、ブロックイ
ソシアネート、例えば、デスモジュールCTステーブル
(日本ポリウレタン工業株式会社製)などを添加しても
よい。このようにして得られたフェノを用いて作成した
塗膜は良好な耐熱性及び可とり性を示す。
本発明を比較例および実施例によって説明する。
比較例1
(1)芳香族ジイソシアネート三量体の合成、トリレン
ジイソシアネート 600キシレン
600 2−ジメチルアミノエタノール(触媒) 1.8
上記成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコ
に入れ、窒素気流中で140℃に昇温し。
ジイソシアネート 600キシレン
600 2−ジメチルアミノエタノール(触媒) 1.8
上記成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコ
に入れ、窒素気流中で140℃に昇温し。
同温度でイソシアネート基の含有量(初期濃度=48重
蓋チ)が20重量%になるまで反応を進めた。このもの
の赤外スペクトルには1710t−rn 。
蓋チ)が20重量%になるまで反応を進めた。このもの
の赤外スペクトルには1710t−rn 。
1410crn にイソシアヌレートiの吸収が認めら
れ、 2260cm−”にはインシアネート基の吸収が
認められた。
れ、 2260cm−”にはインシアネート基の吸収が
認められた。
(2)ポリイミドポリカルボン酸の合成感 分
グラム 当量 トリメリット酸無水物 IE18 1.904上記
成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコに、
入れ、窒素気流中で150℃に昇温し。
グラム 当量 トリメリット酸無水物 IE18 1.904上記
成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコに、
入れ、窒素気流中で150℃に昇温し。
その後キシレンを留去し、180℃で炭酸ガスの発生が
なくなるまで反応を進めた。反応後クレゾール200?
を加えた。このものの赤外スペクトルには1710cm
−” 、 1410cm−” にインシアヌ21− レート環の吸収が認められ、1710crn・ にはイ
ミド基の吸収が認められた。インシアネート基の吸収は
認められなかった。
なくなるまで反応を進めた。反応後クレゾール200?
を加えた。このものの赤外スペクトルには1710cm
−” 、 1410cm−” にインシアヌ21− レート環の吸収が認められ、1710crn・ にはイ
ミド基の吸収が認められた。インシアネート基の吸収は
認められなかった。
(3)イソシアネート項含有ポリエステルイミドの合成
成 分 グラム 当量(モル)エチレングリコ
ール 49.4 1.593(0,797)ジメチル
テレフタレート 51.5 0.531(0,266)
クレゾール 100 ジブチル錫オキサイド 0.9 .4− 上記成分を温μ針、かきまぜ機9分留管をつけた4つロ
フラスコに入れ、窒素気流中で9反応により留出するメ
タノールがほぼなくなるまで170℃で反応させ、引き
、続き約215℃に上昇し、同温度で250℃熱板上で
のゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進めた。
ール 49.4 1.593(0,797)ジメチル
テレフタレート 51.5 0.531(0,266)
クレゾール 100 ジブチル錫オキサイド 0.9 .4− 上記成分を温μ針、かきまぜ機9分留管をつけた4つロ
フラスコに入れ、窒素気流中で9反応により留出するメ
タノールがほぼなくなるまで170℃で反応させ、引き
、続き約215℃に上昇し、同温度で250℃熱板上で
のゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進めた。
熱い樹脂にクレゾールを加え、樹脂濃度を30重量%に
する。さらに樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して
5重量22− 俤のテトラブチルチタネートを徐々に加え30分間その
ままかくはんを続けてフェノを得た。この1 ものの樹脂分の赤外スペクトルには1710cm 。
する。さらに樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して
5重量22− 俤のテトラブチルチタネートを徐々に加え30分間その
ままかくはんを続けてフェノを得た。この1 ものの樹脂分の赤外スペクトルには1710cm 。
141dcIn−1にイソシアヌレ−11の吸収が認め
られ、1780an−”にはイミド基の吸収が認められ
た。1720 cnr−’にはエステル結合の吸収が認
められた。
られ、1780an−”にはイミド基の吸収が認められ
た。1720 cnr−’にはエステル結合の吸収が認
められた。
比較例2
イソシアヌレートffl含有ポリエステルイミドの合成
成 分 グラム 当量(モル)ジメチルテレ
フタレート 103 1.062(0,53i)エチ
レングリコール 59.5 1.918(0,96
)ジブチル錫オキサイド(触媒)1.1 クレゾール 115’ ′ポリイミドカル
ボン酸、エチレングリコール。
フタレート 103 1.062(0,53i)エチ
レングリコール 59.5 1.918(0,96
)ジブチル錫オキサイド(触媒)1.1 クレゾール 115’ ′ポリイミドカル
ボン酸、エチレングリコール。
触媒、クレゾールを温度計、かきまぜ機1分留管をつけ
た4つ目フラスコに入れ、窒素気流中で約215℃で/
f5時間反応させた後、トリス(2−ヒドロキシエチル
)イソシアヌレートとジメチルテレフタレートを加え9
反応によシ留出するメタノールがほぼなくなるまで20
0℃で反応させ。
た4つ目フラスコに入れ、窒素気流中で約215℃で/
f5時間反応させた後、トリス(2−ヒドロキシエチル
)イソシアヌレートとジメチルテレフタレートを加え9
反応によシ留出するメタノールがほぼなくなるまで20
0℃で反応させ。
引き続き220℃に昇温し、同温度で250℃熱板上で
のゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進めた。
のゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進めた。
熱い樹脂にクレゾールを加え樹脂濃度30重量%にする
。さらに樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重
量%のテトラブチルチタネートを徐々に加え30分間そ
のままかくはんを続けてフェノを得た。
。さらに樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重
量%のテトラブチルチタネートを徐々に加え30分間そ
のままかくはんを続けてフェノを得た。
実施例1
(1)マスク剤で封鎖されたイソシアヌレ−)31!含
有ポリイソシアネートの合成 成 分 グラム トリレンジイソシアネート 300メチルエチルケ
トン 150ジメチルアミノエタノール(触
媒) 1.86上記成分を温度計、かきまぜ機
をつけた4つ目フラスコに入れ窒素気流中で80℃に昇
温し、同温度でイソシアネート基の含有量(初期濃度:
48重量%)が28重量%になるまで反応を進めた。こ
のものにクレゾール450グラムを加えて110℃で2
時間反応させてクレゾールでマスクされたイソシアヌレ
ート項含有ポリイソシアネートを得た。
有ポリイソシアネートの合成 成 分 グラム トリレンジイソシアネート 300メチルエチルケ
トン 150ジメチルアミノエタノール(触
媒) 1.86上記成分を温度計、かきまぜ機
をつけた4つ目フラスコに入れ窒素気流中で80℃に昇
温し、同温度でイソシアネート基の含有量(初期濃度:
48重量%)が28重量%になるまで反応を進めた。こ
のものにクレゾール450グラムを加えて110℃で2
時間反応させてクレゾールでマスクされたイソシアヌレ
ート項含有ポリイソシアネートを得た。
(2)ポリイミドカルボン酸の合成
トリメリット酸無水物 85.2 0.888クレ
ゾール ゛ 52 上記成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコ
に入れ、200℃に約5時間で昇温し。
ゾール ゛ 52 上記成分を温度計、かきまぜ機をつけた4つロフラスコ
に入れ、200℃に約5時間で昇温し。
同温度で炭酸ガスの発生がなくなるまで反応を進めた。
また、昇温過程でメチルエチルケトンを系外に留去した
。このものの赤外スペクトルには1710cm−’、
1410 crrr−”にイソシアヌレート環25− の吸収が認められ、1780z−’にはイミド基の吸収
が認められた。 □ (3)インシアヌレート瀕含有ポリエステルイミドの合
成 、ε−カブロゲタム 1000.88.5ジメチ
ルテレフタレート 120 1.237エチレング
リコール 130 4.194ジブチル錫オキ
サイド(触媒) 、 6ジメチλテレフタレート、
エチレングリコールを除く上記成分を混合し、180℃
で1時間、さらに215℃に昇温して3時間反応させた
後。
。このものの赤外スペクトルには1710cm−’、
1410 crrr−”にイソシアヌレート環25− の吸収が認められ、1780z−’にはイミド基の吸収
が認められた。 □ (3)インシアヌレート瀕含有ポリエステルイミドの合
成 、ε−カブロゲタム 1000.88.5ジメチ
ルテレフタレート 120 1.237エチレング
リコール 130 4.194ジブチル錫オキ
サイド(触媒) 、 6ジメチλテレフタレート、
エチレングリコールを除く上記成分を混合し、180℃
で1時間、さらに215℃に昇温して3時間反応させた
後。
200℃に温度を下げ、エチレングリコールを仕込み、
同温度で2時間、さらに徐々に温度を上げて、約215
℃で5時間反応させた。反応によって生ずる水は系殊に
すみやかに除去した。170℃に温度を下げ、ジメチル
テレフタレートを仕込み9反応により留去するメタノー
ルがほぼなくな−’26− るまで約200℃で反応させ、引き続き約215℃に一
昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化時間が12
0秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂にクレゾー
ルを加え樹脂濃度を30重量%に希釈した。この樹脂溶
液を110℃に保ち樹脂分に対して5重量%のテトラブ
チルチタネートを徐々に加え、30分間そのままかくは
んを続けてワニスを得た。
同温度で2時間、さらに徐々に温度を上げて、約215
℃で5時間反応させた。反応によって生ずる水は系殊に
すみやかに除去した。170℃に温度を下げ、ジメチル
テレフタレートを仕込み9反応により留去するメタノー
ルがほぼなくな−’26− るまで約200℃で反応させ、引き続き約215℃に一
昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化時間が12
0秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂にクレゾー
ルを加え樹脂濃度を30重量%に希釈した。この樹脂溶
液を110℃に保ち樹脂分に対して5重量%のテトラブ
チルチタネートを徐々に加え、30分間そのままかくは
んを続けてワニスを得た。
実施例2
(1) マスク剤で封鎖されたイソシアヌレートat
有ポリイソシアネートの合成 実施例(1)と同様にしてイソシアネート基の含有量2
8重量%の非マスク芳香族ジイソシアネート三址体を合
成した後、このものにε−カグロラクタム100グラム
を加えて110℃で2時間反応させ、さらに室温に冷却
してクレゾール450グラムを加えて希釈しマスク剤で
封鎖されたイソシアヌレート項含有ポリイソシアネート
を得た。
有ポリイソシアネートの合成 実施例(1)と同様にしてイソシアネート基の含有量2
8重量%の非マスク芳香族ジイソシアネート三址体を合
成した後、このものにε−カグロラクタム100グラム
を加えて110℃で2時間反応させ、さらに室温に冷却
してクレゾール450グラムを加えて希釈しマスク剤で
封鎖されたイソシアヌレート項含有ポリイソシアネート
を得た。
(2)ポリイミドカルボン酸の合成
成 分 グラム 当量
トリメリット酸無水物 ?6.8 0.800ク
レゾール 27.0上記成分を混合し
、150〜200℃で炭酸ガスの発生がなくなるまで反
応を進めた。また、昇温過程でメチルエチルケトンを系
外に留去した。
レゾール 27.0上記成分を混合し
、150〜200℃で炭酸ガスの発生がなくなるまで反
応を進めた。また、昇温過程でメチルエチルケトンを系
外に留去した。
引き続き、約215℃に昇温し3時間反応を進めた。こ
のものの赤外スペクトルには1710 cm−”。
のものの赤外スペクトルには1710 cm−”。
1410crn にインシアヌレートaの吸収が認めら
れ、1780crn にはイミド基の吸収が認められた
。
れ、1780crn にはイミド基の吸収が認められた
。
(3)インシアヌレート項含有ポリエステルイミドの合
成 成 分 グラム 当量ジメチルテレ
フタレート 120 1.237エチレングリコー
ル 130 4.194ジプチル錫オキサイド
(触媒) 6σメチルテレフタレートを除く
上記を混合し。
成 成 分 グラム 当量ジメチルテレ
フタレート 120 1.237エチレングリコー
ル 130 4.194ジプチル錫オキサイド
(触媒) 6σメチルテレフタレートを除く
上記を混合し。
造出、a===215℃で5時間反応させた。反応によ
って生ずる水は系外にすみやかに除去した。170℃に
温度を下げ、ジメチルプレフタレートを仕込み9反応に
より留去するメタノールがほぼなくな、1も るまでF歩拳呻200℃で反応させ、引き続きかt等≠
215℃に昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化
時間が120秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂
にクレゾールを加え樹脂濃度を30重、t%に希釈した
。この樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重t
%のテトラブチルチタネートを徐々に加え、30分間そ
のままかくはんを続けてワニスを得た。
って生ずる水は系外にすみやかに除去した。170℃に
温度を下げ、ジメチルプレフタレートを仕込み9反応に
より留去するメタノールがほぼなくな、1も るまでF歩拳呻200℃で反応させ、引き続きかt等≠
215℃に昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化
時間が120秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂
にクレゾールを加え樹脂濃度を30重、t%に希釈した
。この樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重t
%のテトラブチルチタネートを徐々に加え、30分間そ
のままかくはんを続けてワニスを得た。
実施例3
一29=
ε−カグロラクタム 80 0.708エチ
レングリコール 110 3.548ジプチル
錫オキサイド(触媒) 6ジメチルテレフタレ
ート、エチレンクリコール、トリス(2−ヒドロキシエ
チル)イソシアヌレートを除く上記成分を混合し、18
0℃で1時間、さらに215℃に昇温しで3時間反応さ
せた後、200℃に温度を下げ、エチレングリコールを
仕込み、同温度で2時間、さらに徐々に温度を上げて、
約215℃で5時間反応させた。反応によって生ずる水
は系外にすみやかに除去した。170℃に温度を下げ、
ジメチルテレフタレート、l・リス(2−ヒドロキシエ
チルテレフタレート)を仕込み9反応により留去するメ
タノールがほぼなくなるまで約200℃で反応させ。
レングリコール 110 3.548ジプチル
錫オキサイド(触媒) 6ジメチルテレフタレ
ート、エチレンクリコール、トリス(2−ヒドロキシエ
チル)イソシアヌレートを除く上記成分を混合し、18
0℃で1時間、さらに215℃に昇温しで3時間反応さ
せた後、200℃に温度を下げ、エチレングリコールを
仕込み、同温度で2時間、さらに徐々に温度を上げて、
約215℃で5時間反応させた。反応によって生ずる水
は系外にすみやかに除去した。170℃に温度を下げ、
ジメチルテレフタレート、l・リス(2−ヒドロキシエ
チルテレフタレート)を仕込み9反応により留去するメ
タノールがほぼなくなるまで約200℃で反応させ。
引き続き約215℃に上昇し、同温度で250℃熱板−
Fでのゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進め
た。熱い樹脂にクレゾールを加え樹脂濃度を30重量%
に希釈した。この樹脂溶液を30− 110℃に保ち樹脂分に対して5重i%のテトラブチル
チタネートを徐々に加え、30分間そのままかくはんを
続けてワニスを得た。
Fでのゲル化時間が120秒以下になるまで反応を進め
た。熱い樹脂にクレゾールを加え樹脂濃度を30重量%
に希釈した。この樹脂溶液を30− 110℃に保ち樹脂分に対して5重i%のテトラブチル
チタネートを徐々に加え、30分間そのままかくはんを
続けてワニスを得た。
実施例4
ジメチルテレフタレート 89 0.918ε−
カグロラクタム 90 0.796エチレング
リコール 105 3.387グリセリン
16 0.522ジブチル錫オキサイド(
触媒)6.5 ジメチルテレフタレート、エチレングリコール。
カグロラクタム 90 0.796エチレング
リコール 105 3.387グリセリン
16 0.522ジブチル錫オキサイド(
触媒)6.5 ジメチルテレフタレート、エチレングリコール。
グリセリンを除く上記成分を混合し、180℃で1時間
、さらに215℃に昇温しで3時間反応させた後、20
0℃に温度を下げてエチレングリコールを仕込み、同温
度で2時間さらに徐々に温度を1 上げて、を士専ふ215℃で5時間反応させた。
、さらに215℃に昇温しで3時間反応させた後、20
0℃に温度を下げてエチレングリコールを仕込み、同温
度で2時間さらに徐々に温度を1 上げて、を士専ふ215℃で5時間反応させた。
反応によって生ずる水は系外にすみやかに除去した。1
70℃に温度を下げ、ジメチルテレフタレート、グリセ
リンを仕込み1反応により留去するメタノールがほぼな
くなるまで七春寺プ200°Cで反応させ、引き続き約
215℃に昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化
時間が120秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂
にクレゾールを加え、樹脂濃度を30重量%に希釈した
。この樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重量
%のテトラブチルチタネートを徐々に加え、30分間そ
の捷まかくはんを続けてワニスを得た。以上のようにし
て得られたワニスを常法により銅線に焼き付けてエナメ
ル線とし特性を比較した。
70℃に温度を下げ、ジメチルテレフタレート、グリセ
リンを仕込み1反応により留去するメタノールがほぼな
くなるまで七春寺プ200°Cで反応させ、引き続き約
215℃に昇温し、同温度で250℃熱板上でのゲル化
時間が120秒以下になるまで反応を進めた。熱い樹脂
にクレゾールを加え、樹脂濃度を30重量%に希釈した
。この樹脂溶液を110℃に保ち樹脂分に対して5重量
%のテトラブチルチタネートを徐々に加え、30分間そ
の捷まかくはんを続けてワニスを得た。以上のようにし
て得られたワニスを常法により銅線に焼き付けてエナメ
ル線とし特性を比較した。
結果を表1に示した。
33−
比較例1,2と実施例1〜4において、ラクタムを使用
しない比較例1.2では可とり性が著しく劣るのに対し
、ラクタムを使用した実施例1〜4では可とう性良好で
あった。また、耐熱性(熱軟化温度)はラクタムを使用
しない比較例1〜2と同じ水準を保持している。
しない比較例1.2では可とり性が著しく劣るのに対し
、ラクタムを使用した実施例1〜4では可とう性良好で
あった。また、耐熱性(熱軟化温度)はラクタムを使用
しない比較例1〜2と同じ水準を保持している。
上記の実施例から明らかなように1本発明の製造法によ
って得られるイソシアヌレート環を含有するポリエステ
ルイミドは、良好な耐熱性に加えて可とり性にすぐれて
おり、オーバーコート材。
って得られるイソシアヌレート環を含有するポリエステ
ルイミドは、良好な耐熱性に加えて可とり性にすぐれて
おり、オーバーコート材。
電気絶縁用塗料などとして、工業的に非常に有効なもの
である。さらに9本発明の製造法によって得られるイン
シアヌレート項含有ポリエステルイミドはクレゾール系
溶媒に可溶な他の樹脂とのブレンドが可能である。例え
ば、エナメル銅線用ポリエステル樹脂、ポリエステルイ
はド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリヒダントイン樹脂などとのブレンドが可能で
ある。とくに、クレゾール系溶媒に可溶なポリアミドイ
ミド樹脂とのブレンドにより耐熱性が著しく34− 向上される。
である。さらに9本発明の製造法によって得られるイン
シアヌレート項含有ポリエステルイミドはクレゾール系
溶媒に可溶な他の樹脂とのブレンドが可能である。例え
ば、エナメル銅線用ポリエステル樹脂、ポリエステルイ
はド樹脂、ポリエステルアミド樹脂、ポリアミドイミド
樹脂、ポリヒダントイン樹脂などとのブレンドが可能で
ある。とくに、クレゾール系溶媒に可溶なポリアミドイ
ミド樹脂とのブレンドにより耐熱性が著しく34− 向上される。
一35−
272−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 インシアヌレート環含有ポリイソシアネート又は
マスク剤で封鎖されたイソシアヌレート環含有ポリイソ
シアネートと酸無水物基を含有するカルボン酸とを反応
させて得られるポリイミドカルボン酸、ラクタム、多価
アルコールおよび必要に応じてさらに他のカルボン酸を
反応させることを特徴とするイソシアヌレート環を含有
するポリエステルイミドの製造法。 2、 イソシアヌレートm含有ポリイソシアネートが4
,4′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレン
ジイソシアネートまたはキシリレンジイソシアネートか
ら得られるインシアヌレート環含有ポリイソシアネート
である特許請求の範囲第1項記載のイソシアヌレート環
を含有するポリエステルイミドの製造法。 3、 イソシアヌレート環含有ポリイソシアネートが、
残存イソシアネート含有量10〜70、チのインシアヌ
レート環含有ポリイソシアネートである特許請求の範囲
第1項又は第2項記載のイソシアヌレート環を含有する
ポリエステルイミドの製造法。 4、酸無水物基を含有するカルボン酸がトリメリット酸
無水物である特許請求の範囲第1項。 第2項、第3項記載のイソシアヌレート環を含有するポ
リエステルイミドの製造法。 5、 ポリイミドカルボン酸が酸成分中に10〜80当
t%含有される特許請求の範囲第1項。 第2項、第3項又は第4項記載のインシアヌレートTJ
を含有するポリエステルイミドの製造法。 6、 ラクタムがε−カプロラクタムである特許請求の
範囲第1項、第2項、第3項、第4項又は第5項記載の
イソシアヌレート、11を含有するポリエステルイミド
の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10296081A JPS582334A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | イソシアヌレ−ト環を含有するポリエステルイミドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10296081A JPS582334A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | イソシアヌレ−ト環を含有するポリエステルイミドの製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS582334A true JPS582334A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14341354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10296081A Pending JPS582334A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | イソシアヌレ−ト環を含有するポリエステルイミドの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582334A (ja) |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10296081A patent/JPS582334A/ja active Pending
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