JPS58223349A - アルミニウムパツケ−ジ - Google Patents
アルミニウムパツケ−ジInfo
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- JPS58223349A JPS58223349A JP57106149A JP10614982A JPS58223349A JP S58223349 A JPS58223349 A JP S58223349A JP 57106149 A JP57106149 A JP 57106149A JP 10614982 A JP10614982 A JP 10614982A JP S58223349 A JPS58223349 A JP S58223349A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
０）発明の技術分野
本発明は、例えばマイクロ波用Ｇ１Ａｓ ＦＥＴなとの
ような半導体回路を搭載可能な、軽量でありかつ気密封
止性にすぐれたアルミニウムバック゛−ジに関する。
ような半導体回路を搭載可能な、軽量でありかつ気密封
止性にすぐれたアルミニウムバック゛−ジに関する。
（２）従来技術と問題点
上記したようなマイクロ波用ＧａＡｓＦＥＴ などを搭
載すべく、従来のマイクロ波用パッケージは鉄糸材別、
主としてステンレス鋼、から製作さねている。し、かじ
ながら、とのようカパッケージを航空機に搭載するなど
する場合、重私及び熱伝導性の両面から問題が生じてく
る。第１に、ステンレス鋼に打電１があるので、かかる
パッケージに近年求められている軽量化にこた乏るとと
ができず、また、熱伝導性が悪いので、高出力アンプの
発熱に原因してパッケージ内の回路素子を損傷すること
が屡々であろう ステンレス鋼に代えてアルミニウムをパッケージに利用
することも試みられている。このようにした場合、熱伝
導性が良いから熱放散性もよい、軽量である、加工性に
すぐれている、等のアルミニウムの不する船長をそのま
＼生かせるというものの、気密封ｄ−性の血から新だガ
問題が生じてくる。結論を先に述べると、アルミニウム
パッケージのケースとカバーの溶接ビード部にクラック
が生じてパッケージを完全に気密化し得ないということ
がそれである。
載すべく、従来のマイクロ波用パッケージは鉄糸材別、
主としてステンレス鋼、から製作さねている。し、かじ
ながら、とのようカパッケージを航空機に搭載するなど
する場合、重私及び熱伝導性の両面から問題が生じてく
る。第１に、ステンレス鋼に打電１があるので、かかる
パッケージに近年求められている軽量化にこた乏るとと
ができず、また、熱伝導性が悪いので、高出力アンプの
発熱に原因してパッケージ内の回路素子を損傷すること
が屡々であろう ステンレス鋼に代えてアルミニウムをパッケージに利用
することも試みられている。このようにした場合、熱伝
導性が良いから熱放散性もよい、軽量である、加工性に
すぐれている、等のアルミニウムの不する船長をそのま
＼生かせるというものの、気密封ｄ−性の血から新だガ
問題が生じてくる。結論を先に述べると、アルミニウム
パッケージのケースとカバーの溶接ビード部にクラック
が生じてパッケージを完全に気密化し得ないということ
がそれである。
回路基板、素子を搭載したパッケージを対重するに際し
て、素子などの熱的劣化をひきおこさないように注意を
払いながらそわを行なわなけ１１げならないことは周知
の通りであるうそのために、アルミニウムパッケージを
全体的に高温度νこさらさなければ力らない、例えばロ
ウ・付なとの対重法をここで採用することができないっ
パッケージを局部的に加熱する方式の溶接法を採用可能
であるというものの、普通の溶接法は使用不可能である
。
て、素子などの熱的劣化をひきおこさないように注意を
払いながらそわを行なわなけ１１げならないことは周知
の通りであるうそのために、アルミニウムパッケージを
全体的に高温度νこさらさなければ力らない、例えばロ
ウ・付なとの対重法をここで採用することができないっ
パッケージを局部的に加熱する方式の溶接法を採用可能
であるというものの、普通の溶接法は使用不可能である
。
なぜなら熱伝導性が極めて良好であるアルミニウムをパ
ッケージ材料として選択しであるか−め、熱放散が大き
くなりすぎて溶接を実施することができないからである
。結局、パルスレーザによる溶接法に依存し力はわけな
ら々いのが現状である。
ッケージ材料として選択しであるか−め、熱放散が大き
くなりすぎて溶接を実施することができないからである
。結局、パルスレーザによる溶接法に依存し力はわけな
ら々いのが現状である。
しかしながら、この方法によってパッケージを射面して
も、アルミニウムの熱伝導性が良好であるので、溶接部
の冷却速度が極めて速く々す、溶接ビード部にクラック
が発生し、よって、パッケージの気密化を保て々くなる
。このようカフラックは、パッケージＨ料と１７て純ア
ルミニウムヲ使用し、た場合にとど壕らす、耐蝕性にす
ぐ′１１か、例オ（３） Ｉｄ ｋ−ｅ −Ｍｇ系のようなアルミニウム合金を使
用した場合にも−また発生ずるということが判明してい
る。
も、アルミニウムの熱伝導性が良好であるので、溶接部
の冷却速度が極めて速く々す、溶接ビード部にクラック
が発生し、よって、パッケージの気密化を保て々くなる
。このようカフラックは、パッケージＨ料と１７て純ア
ルミニウムヲ使用し、た場合にとど壕らす、耐蝕性にす
ぐ′１１か、例オ（３） Ｉｄ ｋ−ｅ −Ｍｇ系のようなアルミニウム合金を使
用した場合にも−また発生ずるということが判明してい
る。
（３）発明の詳細
な説明から明らか々ように、従来のアルミニウムパッケ
ージに固有の欠点として気密封＋ｆ−’ｌ＜１の悪さが
ある。本発明の目的は、パルスレーザを用いてアルミニ
ウムパッケージの気密封［Ｉ−、溶接を行なうという基
本思想は変更しないで、パッケージの気密封重性を飛跡
的に改良することにある。
ージに固有の欠点として気密封＋ｆ−’ｌ＜１の悪さが
ある。本発明の目的は、パルスレーザを用いてアルミニ
ウムパッケージの気密封［Ｉ−、溶接を行なうという基
本思想は変更しないで、パッケージの気密封重性を飛跡
的に改良することにある。
（４）発明の構成
本発明者らは、このたび、レーザ溶接によりアルミニウ
ムパッケージの気密封止を行なう場合、そのパッケージ
のケース及びカバーの少なくとも一方を６用アルミニウ
ム合金から構成することによって溶接ビード部における
クラックの発生を回避し得るという（とを見い出しだ。
ムパッケージの気密封止を行なう場合、そのパッケージ
のケース及びカバーの少なくとも一方を６用アルミニウ
ム合金から構成することによって溶接ビード部における
クラックの発生を回避し得るという（とを見い出しだ。
本発明シ」、子の好ましい１態様に従うと、ケースのみ
を鋳造用−アルミニウム合金、特にｋ１３− Ｓ ｉ糸
鋳造用アルミニウム合金（例えばＪＩＳに規定（４） される４０４７など）から構成するのが有利であＺｌ、
２？せなら、例えはダイカスト法力とによυ鋳造を行な
う場合、カバーよりも複頓に形状をイＪず丞り−スを鋳
造Ｖ（より製造１７だはうが、鋳物、１々わち、鋳造用
アルミニウム合金のもつメリットをさらに生かすことが
できるからである。
を鋳造用−アルミニウム合金、特にｋ１３− Ｓ ｉ糸
鋳造用アルミニウム合金（例えばＪＩＳに規定（４） される４０４７など）から構成するのが有利であＺｌ、
２？せなら、例えはダイカスト法力とによυ鋳造を行な
う場合、カバーよりも複頓に形状をイＪず丞り−スを鋳
造Ｖ（より製造１７だはうが、鋳物、１々わち、鋳造用
アルミニウム合金のもつメリットをさらに生かすことが
できるからである。
ケース及びぞのカバーの一力を鋳造用アルミニウム合金
から構成する場合、他力の部材を紳、アルミニウム（例
えばＪＩＳに規定されるＩ Ｉ Ｏ（＋ ２ｔと）又は
耐蝕ガアルミニウム合金（例ｉす’ＪＩＳＩ／（親、定
される５０５２など）から構成することができる。
から構成する場合、他力の部材を紳、アルミニウム（例
えばＪＩＳに規定されるＩ Ｉ Ｏ（＋ ２ｔと）又は
耐蝕ガアルミニウム合金（例ｉす’ＪＩＳＩ／（親、定
される５０５２など）から構成することができる。
このよう力組み合わせは、所望とする匈密卦市性、パッ
ケージの用途、その他のようガいろいろ々ファクターに
依存する′Ｔ：６ろう。
ケージの用途、その他のようガいろいろ々ファクターに
依存する′Ｔ：６ろう。
（５）発ゆ；の実施側」
訟、伺の図−＋７１１を参Ｒ（ｌ ｔ、なから、庫靴明
のブハミニウムバックージを説明する。
のブハミニウムバックージを説明する。
第１図シ（゛は、（（密封１１ユ溶接前の、本発明のア
ノ［ミニウムパソクージのり”−ス及びカバーが示さｔ
］ている。図示の場合には、純アルミニウム１１００か
らカバー１が、ぞＬ２て鋳造Ｊ旧アルミニウム合金４０
４７からケース２ができている。ケース２にけ、さらｌ
／Ｃ１入出力端子３があシ、擾た、図示されていないけ
れども、回路基板、素子が搭載さねている。ケー７２を
図示のように鋳物で製作すると、耐蝕性アＡ・ミニラム
合金５０５２カどのブロックなどから機械加工によって
削り出してそれを製作する場合に較べて、製作コストを
約３分の１賛で抑λることができる。さらに、この４０
４７ｆｉどの鋳造用アルミニウム合金は、湯流れが良く
かつ高湿度における強度が大であるため、冷却が速くて
もクラックを発生するととが皆無であるっ第２図１にＣ
」、本発明のアルミニウムパッケージをレーザ溶接によ
り気密封止する状態を示した概念図か示されている。図
示の通り、レーザ発振器４からのレーザビームをレンズ
糸５で集束させてアルミニウムパッケージの封（Ｌ部６
に照射する。
ノ［ミニウムパソクージのり”−ス及びカバーが示さｔ
］ている。図示の場合には、純アルミニウム１１００か
らカバー１が、ぞＬ２て鋳造Ｊ旧アルミニウム合金４０
４７からケース２ができている。ケース２にけ、さらｌ
／Ｃ１入出力端子３があシ、擾た、図示されていないけ
れども、回路基板、素子が搭載さねている。ケー７２を
図示のように鋳物で製作すると、耐蝕性アＡ・ミニラム
合金５０５２カどのブロックなどから機械加工によって
削り出してそれを製作する場合に較べて、製作コストを
約３分の１賛で抑λることができる。さらに、この４０
４７ｆｉどの鋳造用アルミニウム合金は、湯流れが良く
かつ高湿度における強度が大であるため、冷却が速くて
もクラックを発生するととが皆無であるっ第２図１にＣ
」、本発明のアルミニウムパッケージをレーザ溶接によ
り気密封止する状態を示した概念図か示されている。図
示の通り、レーザ発振器４からのレーザビームをレンズ
糸５で集束させてアルミニウムパッケージの封（Ｌ部６
に照射する。
このレーザビームの照射は、例えば窒素又はアルゴンの
Ｊ′うな不活性ガスの雰囲気中で実施するのが好ましい
。ここでは、平均出力２００Ｗ、パルス幅４ｍ−５ｅｃ
、パルスレートＩ ５ ｐｐｓ 、溶接速度４調／ｓｅ
ｃ 、そＩ７てビーム径０１師の条件を適用してレーザ
溶接を行々った。図示のように封十部６Ｖレーザビーム
を照射して溶接を行なうと、ケース２とカバー１とが局
部的に加熱溶融するが、クーースの材料である鋳造用合
金４０４７の湯流れ及びぬれ性が良好でありかつ冷却速
用の影響を受けにくいため、溶接ビード部にクラックが
発生することもなく、安定に気密封止が可能であった。
Ｊ′うな不活性ガスの雰囲気中で実施するのが好ましい
。ここでは、平均出力２００Ｗ、パルス幅４ｍ−５ｅｃ
、パルスレートＩ ５ ｐｐｓ 、溶接速度４調／ｓｅ
ｃ 、そＩ７てビーム径０１師の条件を適用してレーザ
溶接を行々った。図示のように封十部６Ｖレーザビーム
を照射して溶接を行なうと、ケース２とカバー１とが局
部的に加熱溶融するが、クーースの材料である鋳造用合
金４０４７の湯流れ及びぬれ性が良好でありかつ冷却速
用の影響を受けにくいため、溶接ビード部にクラックが
発生することもなく、安定に気密封止が可能であった。
本発明による気密封止アルミニウムパッケージをヘリウ
ムリークデテクタによって調べたところ、実用上全く問
題のないＩＱ−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓ以上の高い気密度
を有するということが判明した。
ムリークデテクタによって調べたところ、実用上全く問
題のないＩＱ−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓ以上の高い気密度
を有するということが判明した。
（６）発明の効果
本発明に従うと、軽量でありかつ安定かつ高度に気密封
止されたマイクロ波用アルミニウムパッケージを低コス
トで提供することができる。さらに、このパッケージに
は、パッケージを構成する′！Ａ判の熱放散がすぐれて
いるために、高出力の湘子を搭載することができるっ （７）
止されたマイクロ波用アルミニウムパッケージを低コス
トで提供することができる。さらに、このパッケージに
は、パッケージを構成する′！Ａ判の熱放散がすぐれて
いるために、高出力の湘子を搭載することができるっ （７）
第１図は、本発明のアルミニウムパッケージの、気密封
＋ｈ溶接前の状態を示した斜視図、そして第２図は、本
発明によるアルミニウムパッケージをレーザ溶接により
気密封ｔ）、する状態を示しだ概念図である。 図中、１けカバーを、２はケースを、３は入出力端子を
、４はレーザ発振器を、５はレンズ系を、そして６は封
【ト部を表わす。 特約−出願人 崩十通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 （８）
＋ｈ溶接前の状態を示した斜視図、そして第２図は、本
発明によるアルミニウムパッケージをレーザ溶接により
気密封ｔ）、する状態を示しだ概念図である。 図中、１けカバーを、２はケースを、３は入出力端子を
、４はレーザ発振器を、５はレンズ系を、そして６は封
【ト部を表わす。 特約−出願人 崩十通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 （８）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ケース及びそのカバーの少々くとも一方が鋳造用
アルミニウム合金からできておりかつそわらの部材がレ
ーザ溶接によシ気密対重されていることを％、徴とする
アルミニウムパッケージ。 ２ 前記ケースが人＃−８１系鋳造用アルミニウム合金
からできている、特許請求の範囲第１項に記載のアルミ
ニウムパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106149A JPS58223349A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | アルミニウムパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57106149A JPS58223349A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | アルミニウムパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223349A true JPS58223349A (ja) | 1983-12-24 |
| JPS6325501B2 JPS6325501B2 (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=14426284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57106149A Granted JPS58223349A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | アルミニウムパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223349A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366082A2 (en) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for carrying semiconductor device |
| US5519184A (en) * | 1994-05-20 | 1996-05-21 | Litton Systems, Inc. | Reusable laser welded hermetic enclosure and method |
| JP2010509881A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 無線周波数フィルター |
| CN110756990A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 株式会社东芝 | 焊接方法、焊接物的制造方法、以及焊接物 |
| CN111014955A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 中国科学院电子学研究所 | 一种适用于硅铝合金盒体气密性激光封焊的方法 |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP57106149A patent/JPS58223349A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366082A2 (en) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for carrying semiconductor device |
| US5519184A (en) * | 1994-05-20 | 1996-05-21 | Litton Systems, Inc. | Reusable laser welded hermetic enclosure and method |
| JP2010509881A (ja) * | 2006-11-13 | 2010-03-25 | ケーエムダブリュ・インコーポレーテッド | 無線周波数フィルター |
| US8072298B2 (en) | 2006-11-13 | 2011-12-06 | Kmw Inc. | Radio frequency filter |
| CN110756990A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-07 | 株式会社东芝 | 焊接方法、焊接物的制造方法、以及焊接物 |
| CN111014955A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 中国科学院电子学研究所 | 一种适用于硅铝合金盒体气密性激光封焊的方法 |
| CN111014955B (zh) * | 2019-12-26 | 2021-08-17 | 中国科学院电子学研究所 | 一种适用于硅铝合金盒体气密性激光封焊的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6325501B2 (ja) | 1988-05-25 |
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