JPS58223333A - 二酸化シリコン層の表面処理法 - Google Patents
二酸化シリコン層の表面処理法Info
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- JPS58223333A JPS58223333A JP10547782A JP10547782A JPS58223333A JP S58223333 A JPS58223333 A JP S58223333A JP 10547782 A JP10547782 A JP 10547782A JP 10547782 A JP10547782 A JP 10547782A JP S58223333 A JPS58223333 A JP S58223333A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は二酸化シリコン層にシリコン化合物を形成する
表面処理方法に関するものである。
表面処理方法に関するものである。
（２）技術の背景
近年半導体グロ七スの技術の進歩にともない半導体装置
はまず品質のレベルアップ、高集積化がなされている。
はまず品質のレベルアップ、高集積化がなされている。
これら品質のレベルアップ、高集積化のために純度が高
く、且つ微細な絶縁層からなる素子分離領域を形成する
必賛がある。
く、且つ微細な絶縁層からなる素子分離領域を形成する
必賛がある。
このような絶縁層は一般に二酸化シリコン層で形成され
ている。
ている。
（３）従来技術と問題点
従来、前述の絶縁層例えば二酸化シリコンを素子分離領
域として形成する場合、例えばシリコン基板表面にフォ
トリングラフィの技術によって骸素子分離領域を形成す
るための穴を形成１２次に気相成長（ＣＶＤ）法を用い
て二酸化シリコンで該基板の穴を埋め、１つ基板表面に
層を形成する。この後レジスト、シリコン樹脂等の樹脂
液を該二酸化シリコン層表面にスピンコードによシ塗布
を行ない次に加熱によって硬化せしめ全面エツチングに
よって素子分離領域にのみ二酸化シリコン層を形成し素
子分離を行なうことが出来た。しかしながら上述の工程
において該基板の穴及び基板表面に二酸化シリコン層を
形成した後、該二酸化シリコン層と樹脂を良好（ｃ′＠
着接合させるためにシランカップリング処理が二酸化シ
リコン層表面に施されていた。従来のシランカップリン
グ処理はシランカッゾリング剤を液浸漬、スピンコード
、スプレー法等により二酸化シリコン表面に塗布してい
た。しかしながらこの方法ではシランカッシリング剤中
の有機溶剤の揮発に伴なう公害、該有機溶剤中に含まれ
る微量の不純物のために半導体装置の性能低下が回避出
来なかった。
域として形成する場合、例えばシリコン基板表面にフォ
トリングラフィの技術によって骸素子分離領域を形成す
るための穴を形成１２次に気相成長（ＣＶＤ）法を用い
て二酸化シリコンで該基板の穴を埋め、１つ基板表面に
層を形成する。この後レジスト、シリコン樹脂等の樹脂
液を該二酸化シリコン層表面にスピンコードによシ塗布
を行ない次に加熱によって硬化せしめ全面エツチングに
よって素子分離領域にのみ二酸化シリコン層を形成し素
子分離を行なうことが出来た。しかしながら上述の工程
において該基板の穴及び基板表面に二酸化シリコン層を
形成した後、該二酸化シリコン層と樹脂を良好（ｃ′＠
着接合させるためにシランカップリング処理が二酸化シ
リコン層表面に施されていた。従来のシランカップリン
グ処理はシランカッゾリング剤を液浸漬、スピンコード
、スプレー法等により二酸化シリコン表面に塗布してい
た。しかしながらこの方法ではシランカッシリング剤中
の有機溶剤の揮発に伴なう公害、該有機溶剤中に含まれ
る微量の不純物のために半導体装置の性能低下が回避出
来なかった。
（４）発明の目的
本発明は上記欠点を解消する薄膜全形成する二酸化シリ
コン層の表面処理法を提供することを目的とする。
コン層の表面処理法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
本発明の目的は二酸化シリコン層に樹脂を被着形成する
際、該二酸化シリコン層表向にシランカッシリング処理
の表面処理を行なう二酸化シリコン層表面を表面処理す
る方法において前記シリコンカップリング処理をプラズ
マ重合によって行なうこと全特徴とする二酸化シリコン
層表面を表面処理する方法によって達成される。
際、該二酸化シリコン層表向にシランカッシリング処理
の表面処理を行なう二酸化シリコン層表面を表面処理す
る方法において前記シリコンカップリング処理をプラズ
マ重合によって行なうこと全特徴とする二酸化シリコン
層表面を表面処理する方法によって達成される。
すなわち本発明の％徴は、二酸化シリコンに樹脂層を形
成する前処理として該二酸化シリコン表面全シランカッ
プリング処理する場合、シランカッシリング剤をプラズ
マ重合装置に導入してプラズマ重合せしめてシリコン樹
脂層を形成するところにある。
成する前処理として該二酸化シリコン表面全シランカッ
プリング処理する場合、シランカッシリング剤をプラズ
マ重合装置に導入してプラズマ重合せしめてシリコン樹
脂層を形成するところにある。
本発明によればシランカップリング処理をプラズマ重合
で行なうために該処理時に有機溶剤を用いる必要がない
ため、有機溶□剤の揮発に伴なう公害もなく、しかも有
機溶剤中に含まれている微量な不純物がデバイスに残存
することがない。
で行なうために該処理時に有機溶剤を用いる必要がない
ため、有機溶□剤の揮発に伴なう公害もなく、しかも有
機溶剤中に含まれている微量な不純物がデバイスに残存
することがない。
本発明に用いられるシランカップリング剤は１２とんど
あらゆる有機シランモノマーを含むが、ただ四官能７ラ
ン、すなわち式Ｒ４５ｌのＲが全てＨｌＯＨ、ＯＲ’
、 ＣＬ等のシラン類は表面処理効果を示さないために
用いることが出来ない。他のシラン類には原理的には制
限はない。Ｒ４の中で１〜３１固がＨ、ＯＨ、ＯＣＨ３
、ＯＣ２Ｈ５、ＣＬであるシランが好ましい。
あらゆる有機シランモノマーを含むが、ただ四官能７ラ
ン、すなわち式Ｒ４５ｌのＲが全てＨｌＯＨ、ＯＲ’
、 ＣＬ等のシラン類は表面処理効果を示さないために
用いることが出来ない。他のシラン類には原理的には制
限はない。Ｒ４の中で１〜３１固がＨ、ＯＨ、ＯＣＨ３
、ＯＣ２Ｈ５、ＣＬであるシランが好ましい。
Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ，、ＯＣ２Ｈ５、Ｃｔ以外の直接Ｓ１
原子に結合する一価の有機基Ｒには特に制限はないが、
Ｃ，Ｈのみから々る有機基が好ましく、０゜Ｎを多少含
むことは差支えない。他のへテロ原子例えばＳ 、 Ｐ
、 Ｂ 、 Ａｔなどの原子を含む有機基をＲとして
用いることはドライエツチングを行なっても残渣として
残り易いので好ましくない。
原子に結合する一価の有機基Ｒには特に制限はないが、
Ｃ，Ｈのみから々る有機基が好ましく、０゜Ｎを多少含
むことは差支えない。他のへテロ原子例えばＳ 、 Ｐ
、 Ｂ 、 Ａｔなどの原子を含む有機基をＲとして
用いることはドライエツチングを行なっても残渣として
残り易いので好ましくない。
又、シラ／力、、クリング処理によって得られるシリコ
ン樹脂膜の厚さに特に制限はないが、均一に表面を処理
するためには２０に以上の膜厚であるのが好ましい。
ン樹脂膜の厚さに特に制限はないが、均一に表面を処理
するためには２０に以上の膜厚であるのが好ましい。
（６）発明の実施例
以下本発明を実施例によって説明する。
３−アギノゾロビルトリエトキシシランを１５Ｐａの圧
力でプラズマ重合装置に導入し２０ワット（１３，５６
，ＭＨｚ ）の印加電圧で３分間、シリコン基板上の厚
さく９０００Ｘ）の二酸化シリコンにプラズマ重合を行
ない、次にプラズマ重合時に分解されなかった工Ｉ・キ
シ基の除去を目的とし２５０℃、１０分間で熱処理を施
し、膜厚が１２０芙のシリコン樹脂薄膜を形成した。プ
ラズマ重合装置を用い、溶剤を用いないので公害も発生
せず又ゴミ、不純物等の伺着が認められなかった。次に
該シリコン樹脂薄膜が形成された処理基板に常温で液体
のポリジメチルシロキサンを有機溶媒であるトルエンに
溶かした樹脂液全スピンコード法によって回転塗布し、
２００℃、６０分の熱処理をして該樹脂液を硬化したと
ころ従来観桜された不純物混入が原因と思われるハジキ
又はピンホールは本実施例では観察されなかった。又プ
ラズマ重合によってシランカッシリング処理は自動化も
可能である。
力でプラズマ重合装置に導入し２０ワット（１３，５６
，ＭＨｚ ）の印加電圧で３分間、シリコン基板上の厚
さく９０００Ｘ）の二酸化シリコンにプラズマ重合を行
ない、次にプラズマ重合時に分解されなかった工Ｉ・キ
シ基の除去を目的とし２５０℃、１０分間で熱処理を施
し、膜厚が１２０芙のシリコン樹脂薄膜を形成した。プ
ラズマ重合装置を用い、溶剤を用いないので公害も発生
せず又ゴミ、不純物等の伺着が認められなかった。次に
該シリコン樹脂薄膜が形成された処理基板に常温で液体
のポリジメチルシロキサンを有機溶媒であるトルエンに
溶かした樹脂液全スピンコード法によって回転塗布し、
２００℃、６０分の熱処理をして該樹脂液を硬化したと
ころ従来観桜された不純物混入が原因と思われるハジキ
又はピンホールは本実施例では観察されなかった。又プ
ラズマ重合によってシランカッシリング処理は自動化も
可能である。
上記実施例と同様にシリコン基板上に９０００芙の厚さ
を有する二酸化シリコン上に、ｌ−リエチルシランｅ２
０Ｐａの圧力でプラズマ重合装置に導入し２０ワットの
印加電圧で３分間プラズマ重合を行なって、１００℃、
１０分間の加熱処理を行なった。次に該処理基板に厚さ
２μｍのポリシロキサン膜（常温で粘着性）を形成した
が該ポリシロキサン膜に対してスピンコードによって塗
布された樹脂液はハジキを起さず、又ピンホールの発生
もなかった。
を有する二酸化シリコン上に、ｌ−リエチルシランｅ２
０Ｐａの圧力でプラズマ重合装置に導入し２０ワットの
印加電圧で３分間プラズマ重合を行なって、１００℃、
１０分間の加熱処理を行なった。次に該処理基板に厚さ
２μｍのポリシロキサン膜（常温で粘着性）を形成した
が該ポリシロキサン膜に対してスピンコードによって塗
布された樹脂液はハジキを起さず、又ピンホールの発生
もなかった。
（７）発明の効果
以上説明したように二酸化シリコン層表面のシランカッ
プリング処理をプラズマ重合によって行なえばシランカ
ップリング処理の有機溶剤の揮発も発生せず又不純物も
残存せず更に表面処理方法が自動化される利点も有し、
良好な半導体装置を得ることが出来る。
プリング処理をプラズマ重合によって行なえばシランカ
ップリング処理の有機溶剤の揮発も発生せず又不純物も
残存せず更に表面処理方法が自動化される利点も有し、
良好な半導体装置を得ることが出来る。
一以 上−
％軒出願人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁理士 育 木 朗
弁理士西舘和之
弁理士 内 １）幸 男
弁理士 山 口 昭 之
（７）
１３７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 二酸化シリコン層に樹脂を被着形成する際、該二酸
化シリコン層表面にシランカップリング処理の表面処理
を行なう二酸化シリコン層の表面処理法において； 前記シランカップリング処理をグラズマ重合によって行
なうことを特徴とする二酸化シリコン層の表面処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10547782A JPS58223333A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 二酸化シリコン層の表面処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10547782A JPS58223333A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 二酸化シリコン層の表面処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223333A true JPS58223333A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14408667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10547782A Pending JPS58223333A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 二酸化シリコン層の表面処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198634A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7893182B2 (en) | 2003-10-15 | 2011-02-22 | Dow Corning Corporation | Manufacture of resins |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10547782A patent/JPS58223333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198634A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7893182B2 (en) | 2003-10-15 | 2011-02-22 | Dow Corning Corporation | Manufacture of resins |
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