JPS58223318A - 半導体用気相成長装置 - Google Patents
半導体用気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58223318A JPS58223318A JP10633182A JP10633182A JPS58223318A JP S58223318 A JPS58223318 A JP S58223318A JP 10633182 A JP10633182 A JP 10633182A JP 10633182 A JP10633182 A JP 10633182A JP S58223318 A JPS58223318 A JP S58223318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaft
- susceptors
- reactor
- susceptor
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体製造装置のうち気相成長装置に関するも
のである。
のである。
気相成長としてＱニ一般にＣＶＤ法とエピタキシャル法
があり、１１こ反応エネルギーで分けるとヒータによる
熱のみを１史用する１虻と、ヒータによる熱とプラズマ
放電エネルキーを開用する方法とに大別される。不発明
はこれらの気相成長装置のりちヒータによる熱とプラズ
マ放市エキルキーを使用するＣＶＤ法およびエピタキシ
ャル法についテナされたものである。
があり、１１こ反応エネルギーで分けるとヒータによる
熱のみを１史用する１虻と、ヒータによる熱とプラズマ
放電エネルキーを開用する方法とに大別される。不発明
はこれらの気相成長装置のりちヒータによる熱とプラズ
マ放市エキルキーを使用するＣＶＤ法およびエピタキシ
ャル法についテナされたものである。
かかる方式ではグラズマ放直ケ便用するためウェハは、
高１．Ｊ波屯力の印７１１（される高′嵯圧側の電極板
とアースされている他１１＋１１のサセプタのＩＩＪＪ
装置かねはならなかつ１こ。ｉＡ相成長鋲装は生産性
ケ高（テロため１回の処Ｊ！ＩＩ献の増大が望まれてい
るので、ウニハケ械ＩＨするサセプタの田Ｈ賞を大きく
することが渚えられるが、サセプタ面積を大きくすると
膜厚の均−性娑損いそれ程大きくてることは不可ｔＪ［
であった。
高１．Ｊ波屯力の印７１１（される高′嵯圧側の電極板
とアースされている他１１＋１１のサセプタのＩＩＪＪ
装置かねはならなかつ１こ。ｉＡ相成長鋲装は生産性
ケ高（テロため１回の処Ｊ！ＩＩ献の増大が望まれてい
るので、ウニハケ械ＩＨするサセプタの田Ｈ賞を大きく
することが渚えられるが、サセプタ面積を大きくすると
膜厚の均−性娑損いそれ程大きくてることは不可ｔＪ［
であった。
本発明はかかる観点からなされたものでその目的は、サ
セプタの肩効面楡を大きくして処理量を以下本発明につ
いて一実施例を示した図により酸５明する。円筒形ケな
した石英ガラス等の反応炉１内には回転軸２が１１７付
けてあり、この１梱転軸２にはウェハ３を取付ける円伏
形苓′した？Ｊ！数の４Ｘｔ性のサセプタ４がｌｉ！１
ｌ−Ｎ１１されている。また１曲転蜘１２は反応炉の外
にて成膜に必要なガス供給口５につなけられ、回転−ｑ
］１２に１５１１．大したガスは回転軸２へ設けたノズ
ル６から反応炉１内へ噴出する。回１１１１１２の上方
には中央のサセプタ４へ高周波電力を供給する入力端子
７が設けてあり、上下のサセプタ４はアースされている
ので、上と中間そして中間と下のサセプタ４の間でプラ
ズマ教室が発生するよりになされている。反応炉１の外
周にはサセプタ４及びウェハ３ ′？ｌｊ力１１黙′１
−るためのヒータ８が設置されている。９はＮ応炉１内
を真空にするための排気口であり、またウェハ３はサセ
プタ４に対しフック（図面せず）により＋１ν付げｌｌ
−１ねる。
セプタの肩効面楡を大きくして処理量を以下本発明につ
いて一実施例を示した図により酸５明する。円筒形ケな
した石英ガラス等の反応炉１内には回転軸２が１１７付
けてあり、この１梱転軸２にはウェハ３を取付ける円伏
形苓′した？Ｊ！数の４Ｘｔ性のサセプタ４がｌｉ！１
ｌ−Ｎ１１されている。また１曲転蜘１２は反応炉の外
にて成膜に必要なガス供給口５につなけられ、回転−ｑ
］１２に１５１１．大したガスは回転軸２へ設けたノズ
ル６から反応炉１内へ噴出する。回１１１１１２の上方
には中央のサセプタ４へ高周波電力を供給する入力端子
７が設けてあり、上下のサセプタ４はアースされている
ので、上と中間そして中間と下のサセプタ４の間でプラ
ズマ教室が発生するよりになされている。反応炉１の外
周にはサセプタ４及びウェハ３ ′？ｌｊ力１１黙′１
−るためのヒータ８が設置されている。９はＮ応炉１内
を真空にするための排気口であり、またウェハ３はサセ
プタ４に対しフック（図面せず）により＋１ν付げｌｌ
−１ねる。
なお図でげす士ブタ４の回転方間は水平であるか装置全
体を９０°１１Ｍけ、サセプタの同転方間を垂１１万回
に１゛ること汀ｉＴηＰ″Ｔ：ある。穿１こサセプタ４
０枚数は３枚に限定されることなく２枚或いは４枚重−
ヒでもよい。
体を９０°１１Ｍけ、サセプタの同転方間を垂１１万回
に１゛ること汀ｉＴηＰ″Ｔ：ある。穿１こサセプタ４
０枚数は３枚に限定されることなく２枚或いは４枚重−
ヒでもよい。
本発明にかかる半導体用気相成聞蓚賃は前述したように
円板形サセプタを１史用した半導体用気相成＆ｆ装置に
おいて、円筒形の反応炉内に設けた回転軸と、同＋ａ＋
転−むへ平行に取付けた炸政のサセプタと、値数のｉ前
記サセプタのうち一枚おきに高周波′哨カを供給１゛る
定め前記回転軸の一側へ噛付けた入力端子と、１１１記
反応炉内にガスを供給するため前記回転軸へ設けたノズ
ルおよびガス供給口ト、１〕ＩＪ記反応炉の外周に設け
１こヒータとから購成し１こ。
円板形サセプタを１史用した半導体用気相成＆ｆ装置に
おいて、円筒形の反応炉内に設けた回転軸と、同＋ａ＋
転−むへ平行に取付けた炸政のサセプタと、値数のｉ前
記サセプタのうち一枚おきに高周波′哨カを供給１゛る
定め前記回転軸の一側へ噛付けた入力端子と、１１１記
反応炉内にガスを供給するため前記回転軸へ設けたノズ
ルおよびガス供給口ト、１〕ＩＪ記反応炉の外周に設け
１こヒータとから購成し１こ。
このためサセプタの枚数）Ｘ多（なり従って一回の処理
ｉは飛繭的に増大するため生雌性のｈ（なる利点を本発
明は有するものである。
ｉは飛繭的に増大するため生雌性のｈ（なる利点を本発
明は有するものである。
図は本発明の一゛実施例における断面（ン（である。
］・・・反応炉、２・・・回転軸、４・・・サセプタ、
５・・・ガス１共給口、６・・・ノズル、７・・・入力
端子、８・・・ヒータ。 出願人 東芝機様休式会社 ｆ 続 補 正 書 昭和５７年８月７２日 １事件の表示 昭和５７年特許願第１０６３３１号 ２、発明の名称 半導体用気相成長装置 ３補正をする者 特許出願人 〒１０４ 住 所 東京都中央区銀座４丁目２番１１号４補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 補正の内容 １）明細書第２頁９行 ｌ気相生長装置−１を１気相成長装置」と訂正する。 ２）同第４頁１２行 「平行」を１垂直」と訂正する。 ３）同第４頁１４行 １−一側」を「反応炉外側」と訂正する。
５・・・ガス１共給口、６・・・ノズル、７・・・入力
端子、８・・・ヒータ。 出願人 東芝機様休式会社 ｆ 続 補 正 書 昭和５７年８月７２日 １事件の表示 昭和５７年特許願第１０６３３１号 ２、発明の名称 半導体用気相成長装置 ３補正をする者 特許出願人 〒１０４ 住 所 東京都中央区銀座４丁目２番１１号４補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 補正の内容 １）明細書第２頁９行 ｌ気相生長装置−１を１気相成長装置」と訂正する。 ２）同第４頁１２行 「平行」を１垂直」と訂正する。 ３）同第４頁１４行 １−一側」を「反応炉外側」と訂正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）円板形サセプタを使用した半導体用気相成長ｆｆｍ
において、円筒形の反応炉内に設けた［自転軸と、同回
転軸に対し画直に欧付けた？Ｊ！数のす七ブタと、複数
のＡｌｌ Ｎｔｌｉサセプタのうち一枚おきに高周波電
力を供給するため前記Ｎ転軸の反応炉外１１１ｕへ暇付
けた入力端子と、前記反応炉内にガスを供給するため前
記ｌ包転佃へ設けたノズルおよびガス供給口と、前記反
応炉の外周に設けたヒータとからなる半導体用気相成長
装置ｔ。 ２）反応炉な石英ガラスで製作し円筒形反応炉の円周外
側から刀口熱することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体気相成長装置。 ３）ウェハを円板形サセプタの表痕両面に載置する事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の（１） 半導体用気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633182A JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10633182A JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223318A true JPS58223318A (ja) | 1983-12-24 |
Family
ID=14430904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10633182A Pending JPS58223318A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 半導体用気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1365043A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-11-26 | Schott Glas | Vorrichtung für CVD-Beschichtungen |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10633182A patent/JPS58223318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1365043A1 (de) * | 2002-05-24 | 2003-11-26 | Schott Glas | Vorrichtung für CVD-Beschichtungen |
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