JPS58218112A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

固体電解コンデンサの製造方法

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JPS58218112A
JPS58218112A JP8841682A JP8841682A JPS58218112A JP S58218112 A JPS58218112 A JP S58218112A JP 8841682 A JP8841682 A JP 8841682A JP 8841682 A JP8841682 A JP 8841682A JP S58218112 A JPS58218112 A JP S58218112A
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JP
Japan
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layer
capacitor element
external lead
solder
oxide layer
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JP8841682A
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小田 富太郎
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関し、特にコ
ンデンサエレメントの表層部における酸化層の厚膜化に
よって熱ストレスの影響を軽減させることを目的とする
ものである。
一般にこの種固体電解コンデンサは例えば第1図に示す
ように、タンタル、ニオブ、アルミニウムなどのように
弁1作用を有する金属粉末を円柱状に加圧成形し焼結し
てなるコンデンサエレメントAに予め弁作用を有する金
属線を陽極リードBとして植立し、この陽極リードBに
第1の外部リード部材Cを溶接すると共に、第2の外部
リード部材りを、コンデンサニレメン)Aの周面に酸化
層。
半導体層、グラフ1イト層を介して形成された電極引出
し層Eに半田部材Fを用いて接続し、かつコンデンサエ
レメントAの全周面を樹脂材Gにて被覆して構成されて
いる。
ところで、このコンデンサは例えば第2図に示すように
、プリント板Hに実装されるのであるが、この際に、プ
リント板Hの裏面に突出する第1゜第2の外部リード部
材C,Dは例えば270℃程度にコントロールされた溶
融平田槽Kに10秒程度浸漬する。ことによってプリン
ト導体に半田付けされている。
しかし乍ら、通常、第1.第2の外部リード部材C,D
は鉄又は鉄を主成分とする芯線に銅を被覆して構成され
ており、その銅の使用量が30重量%にも達しているこ
ともあって、第1.第2の外部リード部材c、Dを溶融
半田槽Kに浸漬した場合、第1.第2の外部リード部材
C,Dは溶融半田槽Kからの熱伝導によって急速に加熱
される結果、それの表面にメッキされている半田層が溶
融して流下し始めるために、第1.第2の外部リード部
材C1Dと樹脂材Gとの接触境界部分には若干の隙間が
形成されるようになる。
その上、コンデンサエレメントAは溶融半田槽Kから第
1.第2の外部リード部材c、Dを介して伝導される熱
によって短時間のうちに高温に加熱される。これによっ
て、コンデンサエレメント′ l Aの周面における半田部材Fは溶融状態となり、第2の
外部リード部材りと樹脂相Gとの間に形成された隙間よ
り流出するた吟に、第2の外部リード部材りが電極引出
し層Eより電気的に開放されてしまう。
そこで、このような問題について半田部材Fの融点との
関係について検討を試みた。例えばタンタル粉末を3.
5φ×4胴の円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデ、
ンサエレメントの周面にti引出し層を形成し、この電
極引出し層に銅被覆鉄線よりなる外部リード部材を融点
が200〜2’60℃にコントロールされた溶融半田槽
に10秒間浸漬させ、外部リード部材と電極引出し層と
の接続状態について測定した処、第1表に示す結果が得
られた。
第  1  表 上人より明らか゛なように半田部材の融点か作業温度に
近くなる程、不良発生率は減少している。
従って、このことから、上述の問題は半田部材の融点を
現状の200℃近辺のものよりさらに高くすることによ
って緩和できることが理解できる。
一方、コンデンサニレメンj Aにはその表層部。
深層部共にほぼ均一な膜厚の酸化層が形成されているの
であるが、この酸化層は半導体層形成工程。
電極引出し層への外部リード部材の半田付は工程などに
おいて熱的影響を受けて劣化する傾向にある。
特に、半導体層形成工程での劣化についてはその後に行
われる再化成処理によって酸化層が修復されるために、
漏洩電流特性が損なわれることはないものの、半田付は
工程での劣化に対しては再化成による修復が難しいこと
もあって、修復操作は全く行われていない。このために
、半田付は時の作業温度が高くなるほど、熱的影響は大
きくなり、それだけ漏洩電流特性への影響も大きいこと
が予想される。
従って、半田付は工程における溶融半田槽の温度と酸化
層の劣化に起因する漏洩電、流の不良発生率との関係に
ついて検討した処、第2表に示す結果が得られた。
第  2  表 上長より明らかなように作業温度が高くなるほど、不良
発生率は増加している。しかし乍ら、200℃近辺では
不良発生率は少なく、酸化層の劣化もそれほど進行して
いないものと考えられる。
このように漏洩電流の不良発生率と外部リード部材の電
極引出し層に対する接続不良の発生率とは相反関係にあ
り、一方を満足させれば、他方が不満足の結果になる。
従って、従来においてはコンデンサの評価上、大きな比
重を占める漏洩電流特性を重視することによって、半田
付は工程における溶融半田槽の作業温度は200℃近辺
に設定されている。このために、コンデンサのプリント
板への実装時において、外部リード部材が電極引出し層
から電気的に開放されるという問題は依然として残るも
のである。
それ故に、外部リード部材の電極引出し層に対する接続
不良を減少できる上、コンデンサエレメントの酸化層の
熱的劣化をも緩和できれば、コンデンサとしての品位を
一層高めることができ望ましいものである。
本発明はこのような点に鑑み、簡単な構成によって漏洩
電流特性が余り損なわれることなく、プリント板への実
装時における外部リード部材の電極引出し層に対す′る
接続性を効゛果的に改善できる山 固体電解コンデンサの製造方法を提供するもので、以下
その一製造方法について礒3図〜第8図を参照して説明
する。      ・ 11^ − まず、第3図に示すように、弁作用を有する金、に′: 属粉末を円柱状に加圧成形し疏□′1棹してなるコンデ
ンサエレメント1にPHが8以上の塩基性溶液2に浸漬
し、コンデンサエレメント1から導出された弁作用を有
する金属線よりなる陽極リード3が正、塩基性情i2が
負となるように直流電圧を20〜40分間印加する。こ
れによって、コンデンサエレメント1の表層部1aには
第4図に示すように、深層部lbの酸化層4aより充分
に厚膜の酸化層4が形成される。次に、このコンデンサ
ニレメンl−1を煮沸洗浄し乾燥した後、第5図に示す
ように、酸性溶液5に浸漬し、陽W IJ−ド3が正、
酸性溶液5が負となるように直流電圧を2〜4時間印加
する。これによって、コンデンサエレメント1の深層部
lbには第6図に示すように、塩基性溶液2による深層
部の酸化層4aより膜厚が厚く、かつ表層部1aの酸化
層4より膜厚の薄い酸化層6が形成され為。次に、第7
図に示すように、伸化層上に半導体i7.グラファイト
層8.電極引出し層9を順次に形成する。次に°、第8
図に示:1( すように、陽W IJ−ド3に第1の外部リード部材1
0を溶接するとA−に、第2の外部リード部材11を電
極引出し層9に融点が220〜280℃の半田部材12
を用いて接続する。然る後、コンデンサエレメント1の
全周面を樹脂材13にて被覆することによって固体電解
コンデンサが得られる。
このようにコンデンサエレメントlの表層部laには深
層部1bに比し厚膜の酸化層が形成されているので、第
2の外部リード部材11の電極引出し層9への半田イ;
]け工程において、溶融半田槽の作業温度が少々高くて
も、酸化層4の表面は劣化するものの、全体に及ぶよう
な劣化は防止できる。
このために、酸化層の劣化に起因する漏洩電流特性を改
善できる。
又、第2の外部リード部材11のtW引出し層9への半
田付けには融点が220〜280℃の半田部材12が用
いられているので、プリント板への実装時に、第1.第
2の外部リード部材10゜11を作業温度の高い溶融半
田槽に浸漬しても、酸化層の劣化は勿論、第2の外部リ
ート′部材11の電極引出し層9からの接続はずれを著
しく改善できる。
次に、具体的実施例について説明する。
実施例1 タンタル粉末を35φ×4咽の円柱状に角田成形し焼結
してなるコンデンサエレメントを濃度が01容量チでか
つPHが845の硼酸アンモニウム溶液に浸漬し1.コ
ンデンサエレメントより導出しだ05φ咽のタンタル線
よりなる陽極リードが正、硼酸アンモニウム溶液が負と
なるように250Vの直流電圧を印加する。尚、電流密
度は120m IJy  に設定した。これによって、
コンデンサエレメントの端子電圧は35分後に250v
に到達した。そして、到達後、さらに5分間化成処理し
り処、コンデンサエレメントの表層部には4000λの
酸化層(Ti2,0.)が、深層部には800〜128
0スの酸化層が形成できた。次に、このコンデンサエレ
メントを煮沸洗浄し乾燥した後、濃度が0.1容量係で
かつPHが2.48の燐酸水溶液に浸漬し、陽W IJ
−ド及び燐酸水溶液間に126Vの直流電圧を印加する
。尚、電流密度は80 mA/yに設定した。そして、
3時間イビ成処理した処、深層部には2016Aの酸化
層が形成できた。次に、コンデンサエレメントの周面に
半導体層、グラファイト層を介して電極引出し層を形成
する。そして、陽極り一ドに銅量が30重量%の銅被覆
鉄線よりな−る第1の外部リード部材を溶接すると共に
、同一部材の第2の外部リード部桐を電極引出し層に半
田付けする。尚、半田部材としては第8表に示すものを
用いた。
第  3  表 このコンデンサの漏洩電流の不良発生率について測定し
た処、第4表に示す結果が得られた。
上表より明らかなように不良発生率はNo 1〜N。
4のコンデンサが少なく 、NO,6のコンデンサでは
多くなっている。、このことから、半田部材の融点は漏
洩電流特性上280℃以下が車重しいことが理解できる
。そして、この温度範囲ではコンデンサエレメントの表
層部の酸化層の厚膜化によって、酸化層の完全な熱的劣
化を防止できる。
次に、このコンデンサの第1.第2の外部リード部材を
プリント板に挿入し、270℃に設定された溶融半田槽
に10秒間浸漬して第2の外部リード部材の電極引出し
層に対する接続不良の発生率を測定した処、第5表に示
す結果が得られた。
第5表 上表より明らかなようにNo 4〜No 6のコンデン
サについては接続不良は全く発生していないが、半田部
材の融点が低いコンデンサはど発生率が高くなっている
このような結果から総合的に判断すれば、半田部材の融
点は220〜280℃の範囲内に設定することが望まし
いことが理解できる。
実施例2゜ 実施例1.において硼酸アンモニウム溶液に代え、濃度
が0.1容量係で、かつP’Hが9.17の炭酸アンモ
ニウム溶液を用いてコンデンサエレメントの半田を用い
た処、漏洩電流の不良発生率はOq/)であった。又、
実施例1.と同様の方法による接続不良の発生率は0.
8(%)であった。
実施例3゜ 実施例1.において、硼酸アンモニウム溶液に代え、濃
度が0.1容量係で、かつPHが11.05のアルミン
酸ナトリウム溶液を用いて化成処理し、第2の外部リー
ド部材を電極引出し層に融点が258℃の鉛(70)−
錫(30)半田を用いて接続した処、漏洩電、流の不良
発生率は007(係)であった。又、実施例1.と同様
Ω方法による接続不良の発生率は0(チ)であった。
尚、本発明において、コンデンサエレメントの表層部に
おける酸化層の厚膜化は上記実施例方法の他、特開昭5
4−152148号公報に開示されている方法など適宜
の方法を利用できるし、表層部の膜厚は深層部に対して
15倍以上が望ましい。又、半田部材は融点が220〜
280℃の範囲内にあれば、鉛−錫系、銀−錫系以外の
ものも使用できる。さらにはチップ形にも適用できる。
以上のように本発明によれば、コンデンサエレメントの
表層部における酸化層を深層部に比し厚膜化し、かつ半
田部材の融点を所定の範囲に設定することによって、漏
洩電流特性が余り損なわれることなく、外部リード部材
の電極引出し層に対する接続性を効果的に改善できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の固体電解コンデンサの側断面図、第2図
は固体電解コンデンサのプリント板への半田付は方法を
説明するための側断面図、第8図〜第8図は本発明方法
の説明図であって、第3図はコンデンサエレメントの第
1の化成状態を示す側断面図、第4図はコンデンサエレ
メントの要部拡大断面図、第5図はコンデンサエレメン
トの第2の化成状態を示す側断面図、第6図は第2の化
成後におけるコンデンサエレメントの要部拡大断面図、
第7図は電極引出し層の形成状態を示す要部拡大断面図
、第8図は完成状態を示す側断面図である。 図中、1はコンデンサエレメント、1aは表層部、1b
は深層部、4.6は酸化層、9は電極引出し層、11は
外部リード部材、12は半田部材である。      
    1・ :・ 、:: :、’ltj、。 t□ 第1図 「 第3図 第2図 第4図 第5図 e 第7図 第8図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 弁作用を有する金属粉末を所望形状に加圧成形し焼結し
    てなるコンデンサエレメントの表層部に深層部に比し厚
    膜の酸化層を形成する工程と、コンデンサエレメントの
    周面に電極引出し層を形成する工程と、電極引出し層に
    外部リート′部材を、融点が220〜280℃の半田部
    材を用いて接続する工程とを含むことを特徴とする固体
    電解コンデンサの製造方法。
JP8841682A 1982-05-24 1982-05-24 固体電解コンデンサの製造方法 Pending JPS58218112A (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4854467A (ja) * 1971-11-11 1973-07-31
JPS49119151A (ja) * 1973-03-20 1974-11-14
JPS5624137B2 (ja) * 1974-11-22 1981-06-04

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