JPS58217499A - 薄膜の微細加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 辷発明の技術分野〕 本発明は半導体薄膜に微細パターンを形成するための微
細加工方法シこ関す・る。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

集積回路等の半導体デバイスにあっては、シリコン酸化
膜　（Ｓｉ・Ｏｘ）等の被加工物に微細パターンを形成
するが、従来はこのような微細加工は写真触刻法（フォ
トエツチングプロセス）により行われることが多い。

第１図及び第２図は写真触刻法の例を示した説明図であ
ってシリコン基板１の上に形成された被加工膜２の上に
例えばポジ形のフォトレジスト３を塗布し、パターンと
して残したい部分を遮光部としたフォトマスク４を重ね
て紫外、腺５を当てると、紫外線の当った部分のフォト
レジスタは除外され、紫外線の当らない部分のフォトレ
ジストは残る。この状態で例えば化学的なウェットエツ
チングを行えば、残ったフォトレジストはエツチングマ
スクとなるので、第２図に示すようにフォトレジスト３
が残っている部分の被加工膜２はエツチングされずに残
り、パターンが形成される。

このようなフォトエツチングプロセスによる微細加工は
、フォトレジストの厚さによる紫外線の回折現象、レン
ズの収差、フォトマスクの密着不良、ウェットエツチン
グ時に多く発生するエツジテーパなどの影響により解像
限界が定まる０したがってパ声−ン間のスペースを狭く
することは困難であって現在用いられている最良のマス
クアジイナを用いても約１μｍが限界となっており、高
集積化の妨げとなっている。

微細パターンを得る別の方法としては次の第３図及び＠
４図に示すような方法が知られている。

第３図はシリコン窒化膜を利用する方法を示す説明図で
あって、まず第３図（ａ）のようにシリコン基板１の上
に被加工膜である多結晶シリコン膜６を化学反応を利用
して気相成長させるＣＶＤ（Ｃｈ６ｍｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）　　法等により形成し
、全体を窒素雰囲気中に置いて薄いシリコン窒化膜７を
形成する′。次に第３図（ｂ）のように微小メタ１．−
６ン・を設ける位置にシリコン窒化膜７の端が位置する
ように不要なシリコン窒化膜を除去し、この状態で全体
を酸化してシリコン酸化膜８を形成する。ところで、シ
リコン酸化膜８はシリコン窒化膜７の境界部では形成さ
れしこくいから、酸化膜の厚さをわずかに減少させる程
度の軽いエツチングを行えば第３図（Ｃ）に示すように
、シリコン゛窒化膜７の境界部で多結晶シリコン膜６が
微小部分９だけ露出する。この部分を利用してイオン注
入を行って多結晶シリコン膜６中にイオン注入部１０を
設けたり開孔を行ったりすることができる。

第４図、はアルミニウムを利用する方法で第４図（ａ）
のように被加工膜２の上に厚いシリコン酸化膜（Ｓ　１
０！　）　１１をまｉ）ｆ；ｔｆる。次に第４図（ｂ）
のように微小パターンを設ける位置にシリコン酸化膜１
１の端が位Ｉｆ　ｔ、、しかもそのエツジが急峻な立上
りとなりしかもエツジテーパが発生しないスノ（ツタエ
ツチング等を行い、その上にアルミニウム層１２を蒸着
法等により形成する。このとき、アルミニウムは急峻な
箇所には刺着しにくいので、シリコン酸化膜１１は端部
の一部を露出することになる。この状態でシリコン酸化
膜１１のエツチングを行うと、シリコン酸化膜１１の一
部が後退し、第４図（Ｃ）に示すように被加工膜２が微
小部分１３だけ露出するので、この部分１３を通して不
純物拡散や開孔を行うことができる。

これらの方法は、１μｍ以下のバターニングが可能であ
るが、被加工材料が限定されでしまい、広い用途を持つ
ものではなく、制御も困難である。

また、不純物拡散に関しては第５図及び第６図のような
技術が知られている。

すなわち、拡散は基板面に垂直な方向のみでなく、横力
同圧も進行するため、例えば多結晶シリコンのゲート下
に拡散層が広がってＭＯＳ）ランジスタの特性を劣化さ
せることがあり、これを防止するためにゲートの側壁面
に拡散を妨げる物質ス会議への発表（ＩＦＪＦＪＥ　Ｃ
Ｈ１７０８τ７）／１３１１００００−０６５１．ＩＥ
ＤＭ　ｐ、’９．６５１）による方法を示した説明図、
であって、まず＄５図（ａ）に示すように多結晶シリコ
ンによ゛るゲート２１を基板２２上に作成し、このゲー
ト２１とマスクとしてｎ−イオンのイオン′注入を行う
。次に第５図（ｂ）に示すように全体に二酸化珪素（Ｓ
ｉｎｓ）の層田をＣＶＤ法により０．４５μｍの厚さで
形成する。次にこれに基板面に垂直な方向のみに進行す
る非等方性エツチングである反応性イオンエツチング（
Ｒｅａｃｔｉｖ６　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ　：ＲＩＥ
）を行うと、第５図（ｃ）に示すように、ゲート２】の
両側壁面に８１０！の膜友が残る。この状態でｎ＋イオ
ンの注入と再酸化を行うことにより第５図（ｄ）のよう
に完成し、ゲート２１とｎ＋イオン注入領域５とは隔離
され、ＭＯＳ）ラン、ジスタとしての特性を向上させる
ことができる０ 第６図はＴ、５ｈｉｂａｔａらによる同会議への発表（
ＩＥＥ　ＣＨ１７０８−７ＡＬ１００００−０６４７．
　ＩＥＤＭ８１−ｐ、　ｐ６４７）による方法を示した
図であって、前述の第５図（ａ）におけるｎ−イオン注
入を省略した他は第５図（ａ）から第５図Ｃまでの工程
を行い、最後に多結晶シリコンのゲート２６上及びその
両壁面に形成された３角形の５ｉ（ｈ膜２７の外側にそ
れぞれ白金珪化物を形成してそれぞれゲート電極２８Ｇ
、ソース電極２８８、ドレイン′電極２８Ｄとしたもの
である。これにより拡散部２９がゲート′電極２８Ｇの
下に広がらず特性の向上が見られることが確認°されて
いる。゛ しかし、第５図及び第６図に示した方法はいずれも不純
物拡散に関する技術であって広い用途を持つものではな
い。

〔発明の目的〕

本発明は半導体装置に使用する薄膜に関し、配線パター
ニング、拡散、開孔などを各種の材料に対して０．１な
いし０．２μｍ程度の精度で行うことのできる微細加工
方法を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明はマスク形成基準用薄膜をその噛面が垂直になる
ようにパターニングし、その上にマスク用薄膜を形成し
、非等方性エツチングによつ・Ｃマスク形成基準用薄膜
や、端部にのみマスク用薄ｊ反を残し、さらにマスク形
成基準用薄膜を除去することによって所定厚の・、マス
クを得た後、この状’ｒｐｊＪで拡散を行い、またとの
マスクをガイドとしてパターン″を形成するセル７アラ
インパター二ン′グ、さらにその後マスクを除去しゼ開
孔を行う微細加工方法であり、各種材料について０．１
〜０．２μｍでの加工を可能にするものである。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照しながら本発明の一実施例を詳細に説
明する。

まず第７図に示すようにシリコン基板３１を酸化炉を用
いて、例えば１０００℃の酸素雰囲気中で熱酸化し、約
２００ＯＡ’＝の厚さの下地酸化膜３２を形成する。こ
こでのシリコン基板は単結晶シリコン、多結晶シリ、コ
ンのいずれでもよく、下地酸化膜は女くてもよい。下地
膜を付ける場合には、酸化膜の他に窒化珪素＃ツ（Ｓ　
Ｌ、Ｎ４）　、雪化チタン（ＴｉＮ）などの窒化物の膜
、珪化モリブデン（Ｍｏｖｉｅ）、珪化タングステン（
ＷＳｉｘ）、珪化チタン（ＴｉＳｉりなどの珪化物の膜
、酸化で形成した酸化シリコン（Ｓ１０２）１７）代り
に、ＣＶＤ法により形成したＳｉＯｘ膜でもよい。

次に第８図に示すように、マスク形成基準用薄膜として
多結晶シリコン層３３を例えばＣＶＤ法により約１μｍ
形成し、最終加工位置とこの多結晶シリコン層３３の端
部の位置が一致するようにパターニングする。このとき
多結晶シリコン層３３の端面３３ａは基板面に対して垂
直でしかも端面が平面状になっていることが必要である
。このためノくターニングはエツチング液に浸漬１−る
ウェットエツチングはあまり適さず、プラズマエツチン
グ、スパッタエツチング等のドライエツチングやＲＩＥ
等の非等方性エツチングが望ましい。なお、ＲＩ　Ｆ。

については後述する。

このマスク形成基準用薄膜としては、多結晶シリコンの
みでなく、窒化珪素（ＳｉＮ）　、酸化珪素（Ｓ’ｌ　
Ｏ＊　）　　リンガラスやホウ素ガラスなどのガラス、
アルミニウムなどの金屑でもよいＯこれらはシリコン基
板とのなじみ性などを考慮して任意に選択できるもので
ある。、。

多結晶シリコン層３３のパターニング終了後、シリコン
基板３１を酸化−を用いて例えば１０００℃の酸素雰囲
気中で再び゛熱酸化し、最終マスク寸法にあたる所定厚
さ、例えば０．２μｍの厚さをもつ熱績化被膜３４を第
゛９図に示すｆうに形成させるＯこの膜はマスク用薄膜
となる０この膜は酸化膜のみでな（ＣＶＤ法によって形
成した酸化珪素、多結晶シリコン、窒化珪素（Ｓ　ｌ、
Ｎ、）、金属などでもよく、°マスク形成基準用薄膜の
材料及び最終的な加工のｔｌＭ等により適宜選択すれば
よい。

次に第１０図に示すように熱酸化被膜、３４のエツチン
グを行う。この際のエツチングはシリコン基板：３（に
垂直な方向にのみ進行する非等方性エツチングでなけれ
ばならない０代表的な非等方性エッチレグとしては、反
応性イオンエツチグ（ＲｅａｃｔｉｖｅＩ□ｎ　ｇｔｃ
ｈｉｎｇ　）が知られている。これは、被加工物を陰極
側として電界をかけた真空中にエツチング用ガスを満た
し高周波によるガスプラズマを発生させて被エツチング
面に供給することにより物理的に被エツチング物質をガ
スに反応させながら除去するもので、通常のウェットエ
ツチング、ドライエツチングのようにエツチングが全方
向に進むのではなく、電界をかけた方向にのみ進行する
という特徴がある。

実施例におけるＲＩＥの条件は次の通りである。

（１）ｊ：、ツチン′グ装置内の真空度　　０．０１〜
０．Ｉ　Ｔｏｒｒ（２）印加電界　　　　　　　　　　
０．１〜０．３Ｗ／ｃｒＡ（３）周波数　　　　　　　
　　　１３．５６ＭＨｚ（４）エツチングガス　彼エツ
チング材料により異なる。

０８ＩＯ：１（熱酸化膜含む）に対してはＣＦ４と市の
混合物 ０多結晶シリコンに対してはＣＦＳ、ＢｒとＣ４！の混
合物０アルミニウムに対してはＣｃｌＪ４とＣＡａの混
合物ＲＩＥによるエツチングは下地酸化膜３２及び多結
晶シリコン層３３上の熱酸化膜詞が除去できるまで行う
。このエツチングはシリ占ン基板に対し垂直々方向にし
か進行しないから多結晶シリコン層３３の端面３３ａに
付着した熱酸化膜３４はそのまま残ることになる。

次に熱酸化膜に囲ました多結晶シリコン層３３を例えば
化学的ドライエツチング（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　ＤｒｙＥ
ｔｃｈｌｎｇ　：ＣＤＥ）　　法咳よ＃）０．４　Ｔｏ
ｒｒの真空雰ｒ１．ｆｌ気中でＣＦ４と０１の混合ガス
のプラズマを発生させて除去すれば、第１１図に示すよ
うな０．２μｍの厚謄 さを持つマスク飴が完成したことになるｅこのマスク３
５を利用して第１２図のようにイオン注入３６を行もた
り、第１３図に示すように全体にヒ素ガラス層３７を形
成し不純物拡散のマスクとして使用することができる。

不純物拡散法としてはイオン注入法の他にＰ　ｏ　Ｃ１
ｓなどによる液体拡散源、ＢＮなどによる固体拡散源、
ｋｓｆｌｓなどによる気体拡散源を用いた方法のいずれ
もが使用可能であるが、マスク下部への・拡散を考慮す
ればイオン注入の場合に最も有効である。

またこのマスクパターンの仕切りとして使用し、〜必要
な薄膜を形成させることができる。

例えば第ｉ４図はマスクの局面にアルミニウム膜３８を
約０．８μｍ蒸着させた例である。アルミニウムは急峻
な立上りのある部分では付着しにくいため、アルミニウ
ム膜３８はマスク３５により仕切られるＯ またパターン形成のためにはアルミニウムのような導体
ばかシでなく各種の絶縁物も使゛用することができ、例
えばＣＶＤ法によシ各種の膜によるパターンを形成す″
ることかできる。

このよう表パターンの形成後マスク３５を必要に応じて
除去し、てもよい。特にパ°ターン及びマスクが共に金
属である場合にはマスクは除去しておく必要がある。

さらに第１５図に示すように、パターン形成後にマスク
を除去し、その除去した部分３ｇを利用して下地の基板
に開孔を行うことができる。

〔発明の効果〕

半尋体基板上にマスク形成基準用薄膜を形成する工程と
、このマスク形成基準用薄膜を端面が垂直になるように
パターニングする工程と、この上にマスク用薄膜を形成
する工程と、非等方性エツチングをマスク形成基準用薄
膜上面のマスク用薄膜が除去されるまで中４体基板に対
して垂直に進行させる工程と、マスク、形成基準用薄膜
の残部を除去して所定のマスクを残す工程と、このマス
クを使用して不純物拡散を行う工程からなる本発明の薄
膜の微細加工方法を、用いれば、従来困難であった１４
ｍ以下の微小部分にのみ不純物を拡散させることができ
゛る。特に不純物拡散がイオン注入、法によるときは、
最も拡散４′ｌｔ度を良くすることができる。

上記マスクを形成した後、そのマスク以外の場所に所要
の薄膜を形成する第２の発明にかかる薄膜の微細加工方
法を用いれば従来困難であった１μｍ以下の距離を隔て
たパターン形成が容易になる０ 上記マスクを形成後、そのマスク以外の場所に所要の薄
膜を形成し、さらにマスクを除去して、そのマスクがあ
った部分に開孔を行う第３の発明にかかる薄膜の微細加
工方法を用いれば、従来困難であったが１μｍ以下の部
分に対する開口形成を容易に行うことができる。

これらの発明は各種材料に対して適用することができ、
最終完成品の要求特性に応じて最適な材料を選択するこ
とができるので、特性の向上歩留りの向上、信頼性の向
上などを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の写真蝕刻法を示した説明図、
第３図はシリコン窒化膜を使用する従来の微細パターン
を形成する方法゛を示す説明図、第４図はアルミニウム
を利用した従来の微細パターンを形成する方法を示す説
明図、第５図及び第６図はＲＩＥ法を用いてゲート側面
に５ｊＯｚ　　を刺着させた例を示す説明図、第７図な
いじ第１１図は本発明の主要部である微小マスクを作成
する方法を順を追って示した説明図、第１２図はマスク
を用いてイオン注入を行う第１の発明にかかる方法を示
す説明図、第１３図はマスクを用いて不純物拡散を行う
方法を示す説明図、第１４図はマスクを用いてパターン
を形成する第２の発明にかかる方法を示す説明図、第１
５図はマスク除去後開孔を行う第３の発明にかかる方法
を示す説明図である。 １・・・基板、３・・・被加工、膜、４・・・フォトマ
スク、３１・・・基板、３２・・・下地酸化膜、３３・
・・多結晶シリコン層、３３ａ・・・端面、３４・・：
、４熱酸化膜、３５・・・マスク、３６・・・イオン注
入、３７；・・ヒ素ガラス、３８・・・アルミニウム膜
、３９・・・開口部。 第１図 第Ｊ閃　　　　　　　　第４図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　（ａ）（ｂ）（ｂ
） ２ 第５図 （０） １ 「 ■ （ｂ） （ｄ） Ｌ）１ 第７図 第９図 ′７１３ 第１１図 ６ 第１Ｄ図 ５ 第１５図 第８図 ３ 第１０図 第１Ｚ図 川１ｉ１１ｉ１１１ 第１４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上にマスク形成基準用薄膜を形成する・工程と
   、 前記マスク形成基準用薄膜を、その端面が前記基板にほ
   ぼ垂直になり、かつ前記端面が所要のマスクの端面位置
   と一致するようにパターニングする工程と、 パターニング後の前記基板及び前記マスク形成基準用薄
   膜の全体咳、所定厚のマスク用薄膜を形成する工程と、 少なくとも前記マスク形成基準用薄膜側面に形成された
   前記マスク用薄膜を残して前記基板に対６して垂直に非
   等方性エツチングを進行させる工程と、 前記マスク形成基準用薄膜の残部をすべて除去して所定
   のマスクを形成する工程と、前記マスクを使用して不純
   物拡散を行う工程とからなる薄膜の微細加工方法。 ２、基板が半導体基板である特許請求の範囲第１項記載
   の薄膜の微細加工方法。 ３、半導体基板が単結晶シリコンである特許請求の範囲
   第２項記載の薄膜の微細加工方法０４、基板が酸化膜８
   化膜、珪化膜からなる群のいずれかの層を有した半導体
   基板である特許請求の範囲第１項記載の薄膜の微細加工
   方法。 ５８半導体基板が酸化膜、窒化膜、珪化膜からなる群の
   いずれかの層を有した単結晶シリコンである特許請求の
   範囲第２項記載の薄膜の微細加工方法。 ６、マスク形成基準用薄膜が多結晶シリコンである特許
   請求の範囲第１項ないし第５項記載の薄膜の微細加工方
   法。 ７、マスク形成基準用薄膜が窒化珪素である特許請求の
   範囲第１項ないし第５項記載の薄膜の微細加工方法。 ８、マスク形成基準用薄膜がガラスである特許請求の範
   囲第１項ないし第５項記載の薄膜の微、ｒｔｌ＋加工方
   法。 ９、マスク形成基準用薄膜が金属膜である特許請求の範
   囲第１項ないし第５項記載の薄膜の微細加工方法。 肛マスク用薄膜が熱酸化膜である特許請求の範囲８Ａ１
   項ないし第９項記載の薄膜の微細加工方法０ ■、マスク用薄膜が化学気相成長させた二酸化珪素であ
   る特許請求の範囲第１項ないし第９項記載の薄膜の微細
   加工方法。 １２、マスーク用、＃峡が多結晶シリコン′セある特許
   ６Ｎ加工方法。 １３、マスク用薄膜が窒化珪素である特許請求の範囲第
   １項ないし第９項記載の薄膜の微細加工方法・０゜ １４、マスク用薄膜が金属！ある特許請求の範囲第１項
   ないし第９項記載の薄膜の微細加工方法。 δ、不不純物散散方法イオン注入法である特許請求の範
   囲第１項ないし第１４項記載の薄膜の微ｉｔｔ＋加工方
   法。 ｂ、基板上にマスク形成基準用薄膜を形成する工程と、 前記マスク形成基準用薄膜を、その端面が前記基板にほ
   ぼ垂直になり、かつ前記ｉ４面が所要のマスクの端面位
   置と一致す芯ようにパターニングする工程と、 バターニング極後の前記基板及び前記マスク形成基準用
   薄膜の全体に所定厚のマスク用薄膜を形成する工程と、 少なくとも前記マスク形成基準用薄膜側面に形成された
   前記マスク用薄膜を残して前記基板に対して垂直に非等
   方性エツチングを進行させる工程と、 前記マスク形成基準用薄膜の残部をすべて除去して所定
   のマスクを形成する工程と、前記マスク以外の場所に所
   要の薄膜を形成する工程とからなる薄膜の微細加工方法
   。 １７、基板が半導体基板である特許請求の範囲第１６項
   記載の薄膜の微細加工方法。 Ｂ、半導体基板が単結晶シリコンである特許請求の範囲
   第１７項記載の薄膜の微細加工方法０１９、基板が酸化
   膜、窒化膜、珪化膜からな４群のいずれかの層を有した
   半導体基板である特許請求の範囲第１６項記載の薄膜の
   微細加工方法Ｃ・・阻生導体基板が酸化膜、窒化膜、珪
   化膜からなる群のいずれかの層を有した鎖結晶シリコン
   である特許請求の範囲第１７項記載の薄膜の微細加工方
   法０ ２１、マスク形成基準用薄膜が多結晶シリコンである特
   許請求の範囲第１６項ないし＠２０項記載の薄膜の微細
   加工方法。７２． ２２、マスク形成基準用薄膜が窒化珪素である特許請求
   の範囲第１６項４いし濃側項記載？薄膜の微細加工方法
   ０　　゛ 囚、・マスク形成基準用薄膜がガラスである特許請求の
   範囲第１６項ないし車側項記載の薄膜の記載方法。 冴、マスク形成基準用薄膜が金属膜である特許請求の範
   ＋７−ｉｌ第１６項ないし濃側項記載の薄膜の微細加工
   方法。 ２５、マスク用薄膜が熱酸化膜である特許請求の範囲第
   １６項ないし第詞項記載の薄膜の微細加工方法０ 々、マスク用薄膜が化学気相成長させた二酸化珪素であ
   る特許請求の範囲第１６項ないし温潤項記載の微細加工
   方法。 ２７、マスク用薄膜が多結晶シリコンである特許請求の
   範囲第１６項ないし第屑項記載の薄膜の微細加工方法ｅ ２８、マスク用薄膜が窒化珪素である特許請求の範囲第
   １６項ないし温潤項記載の薄膜の微細加工方法０ ２９、マスク用薄膜が金属である特許請求の範囲第１６
   項ないし温潤項記載の薄膜の微細加工方法０３０、基板
   上にマスク形成基準用薄膜を形成する工程と。 前記マスク形成基準用薄膜を、その端面が前記基板にほ
   ぼ垂直になシ、かつ前記端面が所要のマスクの端面位置
   と一致するようにパターニングする工程と、 パターニング後の前記基板及び前記マスク形成基準用薄
   膜の全体に所定厚のマスク用薄膜を形成する工程と、 少なくとも前記マスク形成基準用薄膜側面に形成された
   前記マスク用薄膜を残して前記半導体基板に対して垂直
   に非等方性エツチングを進行させる工程と、 前記マスク形成基準用薄膜の残部をすべて除去して所定
   のマスクを形成する工程と、前記マスク以外の場所に所
   要の薄膜を形成する工程と、 前記マスクを除去して前記所要の薄膜をパターニングす
   る工程仁、 パターニングさ゛れた前記所要の薄膜をマスクどし、て
   該薄膜下の層に開孔を行う工程とからなる薄膜、の微細
   加工方法。 ３１、基板が半導体である特許請求の範囲第３０項記載
   の薄膜の微細加工方法ｄ ３２、半導体基板が単結晶シリコンである特許請求の範
   囲第３１項記載の薄膜の微細加工方法。 ３３、基板が酸化膜、窒化膜、珪化膜からなる群のいず
   れかの層を有した半導体基板である特許請求の範囲第３
   ０項記載の薄膜の微細加工方法。 ３４、半導体基板が酸化膜、窒化膜、珪化膜からなる群
   のいずれかの層を有した単結晶シリコンである特許請求
   の範囲第３１項記載の薄膜の微細加工方法。 ３５、マスク形成基準用薄膜が多結晶シリコンである特
   許請求の範囲第１項外いし第３４項記載の薄膜の微細加
   工方法。 あ、マスク形成基準用薄膜が窒化珪素である特許請求の
   範囲第１項ないし第３４項記載の薄膜の微細加工方法。 又マスク形成基準用薄膜がガラスである特許請求の範囲
   第３０項ないし第３４項記載の薄膜の記載方法。 あ、マスク形成基準用薄膜が金属膜である特許請求の範
   囲第刃項ないし第３４項記載の薄膜の微細加工方法。 ３９、マスク用薄膜が熱酸化膜である特許請求の範囲第
   ３０項ないし第３８項記載の薄膜の微細加工方法０ ４０、マスク用薄膜が化春気相成長させた二酸化珪素で
   ある特許請求の範囲第（支）項ないし第；う８項記載の
   薄膜の微細加工方法。 ４１、マスク用薄膜が多結晶シリコンである特許請求の
   範囲第３０項ないし第３８項記載の薄膜の微細加工方法
   。 ４２、マスク用薄膜が窒化珪素である特許請求の範囲第
   ３０項ないし第あ項記載の薄膜の微細加工方法０ ４３、マスク用薄膜が金属である特許請求の範囲第３０
   項ないし第あ項叩載の薄膜の微細加工方法。