JPS5821688B2 - アツリヨクゲ−ジ - Google Patents

アツリヨクゲ−ジ

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JPS5821688B2
JPS5821688B2 JP50141861A JP14186175A JPS5821688B2 JP S5821688 B2 JPS5821688 B2 JP S5821688B2 JP 50141861 A JP50141861 A JP 50141861A JP 14186175 A JP14186175 A JP 14186175A JP S5821688 B2 JPS5821688 B2 JP S5821688B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体材料により形成し、感圧抵抗を内蔵し
たダイヤフラムを含み、機械的ひずみを電気信号に変換
する感圧素子を外被部内に配置し、前記感圧素子に設け
た厚肉縁部を外被部内において固着させるよう構成した
流体圧力測定用圧力ゲージに関するもの゛である。
この種圧力ゲージについては、オランダ国出願特許６８
−１７，０８９号に記載されている。
この既知の圧力ゲージは特に血管内の血圧測定用として
は好適のものであるが、他方面への利用という観点から
すれば、適当な外被部を開発することが必要である。
例えば、燃焼機関への流入空気測定用には、堅固な構造
を必要とし、その組立および分解が簡単に行え、しかも
不利な環境条件のもとて長期間の使用を確保できる。
ものでなければならない。
また、絶対圧力を正確に測定するためには、ダイヤフラ
ムの一方の側を真空状態にする必要がある。
本発明の目的は上述の諸条件を満足するような圧力ゲー
ジを提供しようとするものである。
これがため、本発明圧力ゲージは、縦方向の貫通孔を有
するねじボルトにより外被部を形成し、前記ねじボルト
の上面に貫通孔を具えた絶縁ホルダーを固着し、前記絶
縁ホルダーの貫通孔の領域に感圧素子を固着するととも
に、電気的増幅回路を形成する素子を具えた基板を前記
ホルダーに装着し、さらに前記増幅回路をダイヤフラム
内の感圧抵抗に接続し、外被部を封止するキャップを通
してキャップ接続導体を導入して基板上の接触位置に接
続するようにしている。
このように、外被部内に電気的増幅回路を設けることに
より装置を小形化することが可能となり、また、前記増
幅回路を外部の影響から充分保護することができ、した
がって確実かつ長期間の作動を保証することができる。
また、本発明に係る圧力ゲージは不利な環境条件下での
使用に特に適している。
本発明圧力ゲージの一実施例においては、絶縁ホルダー
を密封形封止部により環状支持部に固着し、貫通孔を設
けた前記環状支持部をねじボルトの頭部に密封封止する
ようにしている。
この場合、環状支持部は真空部分と流体供給貫孔部間の
隔壁として機能する。
また、前記環状支持部は機械的および熱的負荷に対して
良好な耐力を有するため密封状シールの耐久性はきわめ
て優れたものとなる。
本発明圧力ゲージの他の実施例においては、絶縁ホルダ
ーを硬質ガラスにより形成し、絶縁ホルダーに対する感
圧素子のジヨイントをアルミニウムリングにより形成し
、前記アルミニウムリングを熱圧縮により２つの部分に
固着させるようにしている。
この場合、硬質ガラスは感圧素子とほぼ同じ熱膨張係数
を有するため、アルミニウムに熱圧縮ボンディングを行
う方法がホルダーに対する感圧素子のジヨイント用とし
てきわめて適していることを確認することができた。
さらに、本発明圧力ゲージの他の実施例においては、感
圧素子の絶縁ホルダーから離れた方の側の面上に蓋を固
着し、前記蓋と感圧素子との間に気密を保持しうるよう
な空間を設け、前記蓋を用いて真空状態を保持するよう
にしている。
したがって測定確度の低下をきたさずに他の素子の連結
に対する諸条件がかなり緩和される。
前記蓋と感圧素子との間にはアルミニウムリングを配置
し、熱圧縮によりリングを固着させる方法を用いてこれ
ら２つの部分を固着させることが望ましい。
また、接続導体は弾性素子を介してこれを基板上の接触
位置に接続するようにして適当な電気的接続を得ること
ができる。
以下図面により本発明を説明する。
第１図はねじボルト１を用いて固着しうるよう形成した
圧力ゲージを示す。
前記ねじボルト１は作動中その圧力を測定しようとする
流体を流通する縦型貫通孔２を具え、環状支持部３を熔
接によりねじボルトの頭部に固着する。
支持部３は例えはアンバー、すなわち鉄とニッケルの合
金によりこれを形成する。
また、支持部３には、シリコンと同程度の熱膨張係数を
有する例えは硼珪酸塩ガラスのような硬質ガラスにより
形成した絶縁ホルダー４をはんだ付けする。
支持部３およびホルダー４はいずれも貫通孔５および６
を有する。
絶縁ホルダー４には感圧素子７を固着する。
感圧素子７は例えはシリコンのような半導体材料により
これを形成し、その厚さを大きくした縁部８ならびにそ
の厚さを小さくした薄膜部（ダイヤフラム）９を具える
。
ダイヤフラム９には、例えば不純物の拡散または注入等
のような方法で感圧抵抗を設ける。
前記感圧抵抗はホイートストンブリッジ状に接続し、ダ
イヤフラムの変形により感圧抵抗を介して電気信号を得
るようにするを可とする。
感圧素子７はこれをホルダー４上で縁部８に接着する。
経験によれば、この接着はアルミニウムリングを２つの
部分の中間に配置し、熱圧縮によりこれら２つの部分の
接着を形成するようにすることが望ましい。
このように接着した場合は、気密性の保持がきわめて容
易であるほか、熱負荷に対する抵抗力が犬で、ホルダー
４用の硬質ガラスの選択上きわめて有利であることが判
明している。
さらに、絶縁ホルダー４には絶縁基板１０をはんだ付け
し、前記基板１０上には例えば混成集積技術を用いて電
気回路を配置する。
集積状増幅回路１１は前記電気回路の一部を形成する。
ダイヤフラム９の感圧抵抗はこれらを縁１５により電気
回路に接続する。
前記回路は、ホイートストンブリッジ状に接続したダイ
ヤフラム９の抵抗の出力電圧をそれに比例する電流に変
換するための演算増幅器を含む。
キャップ１２は外被部の封止部（シール）を構成する。
前記キャップ１２はこれをねじボルト１の端面に熔接し
、さらに絶対圧力の測定を可能にするようキャップ内に
真空部を設ける。
一例として、キャップ１２はこれをガラスの上壁部の上
に形成し、前記上壁部を通して電気的接続導体１３を導
通せしめる。
前記各接続導体１３はスプリング１４を含み、前記スプ
リング１４を基板１０上の回路の接触位置に接続する。
上述の圧力ゲージは燃焼機関への適正な空気の供給を制
御する手段としてきわめて適しており、この圧力ゲージ
を用いて効率の高い最適の燃焼を可能にし、かつ空気汚
染をチェックすることができる。
また、この構造は熱負荷および機械的負荷に対する抗力
を有し、長期間にわたって真空を保持することができる
。
さらに、外被部内に配置した電気回路は真空中にあるた
め良好な作動をし長期間の使用に耐える。
本発明圧力ゲージの構造については種々の変形が可能で
、例えは、ホルダー４を硬質ガラスでなく他の絶縁材料
により形成することもできるが、経験によればホルダー
の形成物質としては硬質ガラスが特にすぐれていること
が判明している。
また、ホルダーはこれを直接ねじボルトの頭部に固着す
ることもできるが、良好な密封シールを与えるためには
、図に示すような形状または他の異なる形状の支持部３
を使用することが望ましい。
さらに、スプリング１４はこれを使用するを要せず、上
記以外の細部に関しても図示の構造と異なるものを使用
することができる。
第２図は本発明圧力ゲージの他の実施例の細部拡大図を
示す。
図示の実施例においては、封止キャップ内の全域にわた
って真空状態を保持するを要せず、したがって、圧力ゲ
ージの各部間の連結に関する諸条件が緩和されている。
感圧素子７は硼珪酸塩ガラスにより形成するを可とする
絶縁ホルダー４に固着する。
これがため、厚肉縁部８とホルダー４の間にアルミニウ
ムリング１６を配置し熱圧縮により厚肉縁部８をホルダ
ー４に固着させる。
ダイヤフラム９はその中央部１Ｔに厚みをもたせ、ダイ
ヤフラム内に配置した抵抗の変形と該抵抗の出力電圧と
の間に特に良好な直線性が得られるようにする。
さらに、感圧素子の上側部分には、例えは二酸化珪素に
より形成した絶縁層（図示を省略）を配置する。
また、前記感圧素子には蓋１８を固着し、前記蓋１８と
感圧素子との間の空間を真空状態にしている。
これら２つの部分のジヨイントはアルミニウムリング１
９により形成し、熱圧縮により封止を行うようにするこ
とが望ましい。
本実施例によるときは、ダイヤフラム９のすぐ上に真空
スペースを設けているため簡単な方法で絶対圧力を測定
することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明圧力ゲージの実施例を示す図、第２図は
本発明圧力ゲージの実施例の一部を示す詳細図である。 １・・・・・・ねじボルト、２，５，６・・・・・・貫
通孔、３・・・・・・環状支持部、４・・・・・・絶縁
ホルダー、７・・・・・・感圧素子、８・・・・・・縁
部、９・・・・・・ダイヤフラム、１０・・・・・・基
板、１１・・・・・・集積形増幅器、１２・・・・・・
キャップ、１３・・・・・・電気的接続導体、１４・・
・・・・スプリング、１５・・・・・・線、１６，１９
・・・・・・アルミニウムリング、１７・・・・・・中
央部、１８・・・・・・蓋。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 縦方向の貫通孔を設けたねじボルトと、このねじボ
    ルトに気密に封着したキャップを有する外被部と、ねじ
    ボルトの上面に固着され貫通孔を有する絶縁ホルダーと
    、半導体材料により形成され感圧抵抗を配設したダイヤ
    フラムを有し厚肉縁部を絶縁ホルダーの貫通孔の部分で
    絶縁ホルダーに取付けた感圧素子と、電気的増幅回路を
    形成する素子を有する基板とを具え、該基板を絶縁ホル
    ダーに装着し、増幅回路をダイヤフラム内の感圧抵抗に
    接続し、キャップを通して接続導体を導入し基板上の接
    触位置に接触させ、前記絶縁ホルダーを硬貨ガラスで作
    り、感圧素子と絶縁ホルダーの間にアルミニウムリング
    を置き感圧素子と絶縁ホルダーを熱圧縮接合で接合して
    なることを特徴とする流体内圧力測定用の圧力ゲージ。 ２ 感圧素子の絶縁ホルダーより遠い側の面上に蓋の形
    状をした素子を結合して設け、感圧素子と蓋状素子との
    間を真空とし、これら蓋状素子と感圧素子とはアルミニ
    ウムリングを介し熱圧縮接合によって接着してなる特許
    請求の範囲第１項記載の圧力ゲージ。
JP50141861A 1974-12-02 1975-11-29 アツリヨクゲ−ジ Expired JPS5821688B2 (ja)

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JPS5183578A JPS5183578A (ja) 1976-07-22
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DE (1) DE2552393C2 (ja)
ES (1) ES443094A1 (ja)
FR (1) FR2293704A1 (ja)
GB (1) GB1497185A (ja)
IT (1) IT1051748B (ja)
NL (1) NL7415668A (ja)
SE (1) SE7513381L (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4129042A (en) * 1977-11-18 1978-12-12 Signetics Corporation Semiconductor transducer packaged assembly
DE2943231A1 (de) * 1978-03-17 1980-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor pressure sensors having a plurality of pressure-sensitive diaphragms and method of manufacturing the same
JPS5524423A (en) * 1978-08-10 1980-02-21 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPS5595373A (en) * 1979-01-11 1980-07-19 Nissan Motor Co Ltd Semiconductor pressure sensor
JPS55112864U (ja) * 1979-02-02 1980-08-08
JPS5817421B2 (ja) * 1979-02-02 1983-04-07 日産自動車株式会社 半導体圧力センサ
JPS55103438A (en) * 1979-02-05 1980-08-07 Hitachi Ltd Pressure converter
DE2946402A1 (de) * 1979-11-16 1981-05-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zur langzeitueberwachung gasfoermiger schadstoffemissionen und -immissionen, insbesondere in luft
US4295117A (en) * 1980-09-11 1981-10-13 General Motors Corporation Pressure sensor assembly
JPS5782730A (en) * 1980-11-10 1982-05-24 Mitsubishi Electric Corp Pressure sensor
GB2128806A (en) * 1982-09-29 1984-05-02 Itt Ind Ltd Pressure transducer
DE3313261A1 (de) * 1983-04-13 1984-10-25 Ermeto Armaturen Gmbh, 4800 Bielefeld Sensor
DE3315266C2 (de) * 1983-04-27 1993-10-21 Fuji Electric Co Ltd Halbleiter-Drucksensor
EP0140992B1 (de) * 1983-11-10 1988-05-25 Kristal Instrumente AG Wandlerelement, Verfahren zu seiner Herstellung sowie Verwendung für einen Druckaufnehmer
JPS6117925A (ja) * 1984-07-05 1986-01-25 Hitachi Ltd 圧力センサ
US4656454A (en) * 1985-04-24 1987-04-07 Honeywell Inc. Piezoresistive pressure transducer with elastomeric seals
US4764747A (en) * 1985-06-19 1988-08-16 Kulite Semiconductor Products, Inc. Glass header structure for a semiconductor pressure transducer
US4649363A (en) * 1985-07-22 1987-03-10 Honeywell Inc. Sensor
DE3634934C2 (de) * 1986-09-13 1993-10-28 Teves Gmbh Alfred Elektrohydraulische Schaltvorrichtung
DE3631304A1 (de) * 1986-09-13 1988-03-24 Teves Gmbh Alfred Elektrohydraulische schaltvorrichtung
NL8800901A (nl) * 1988-04-08 1989-11-01 Philips Nv Combinatie van een drager en een halfgeleiderlichaam en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke combinatie.
US5031462A (en) * 1989-05-08 1991-07-16 Honeywell Inc. Snap-fit construction low cost pressure sensing device
US5184107A (en) * 1991-01-28 1993-02-02 Honeywell, Inc. Piezoresistive pressure transducer with a conductive elastomeric seal
FR2738340B1 (fr) * 1995-08-28 1997-11-21 Europ Propulsion Architecture d'integration d'un element sensible dans un capteur de pression
JPH11351990A (ja) * 1998-04-09 1999-12-24 Fujikoki Corp 圧力センサ
WO2000008417A2 (en) * 1998-07-22 2000-02-17 Ssi Technologies, Inc. Sensor assembly with floating connection
US20020003274A1 (en) * 1998-08-27 2002-01-10 Janusz Bryzek Piezoresistive sensor with epi-pocket isolation
US6006607A (en) * 1998-08-31 1999-12-28 Maxim Integrated Products, Inc. Piezoresistive pressure sensor with sculpted diaphragm
US6346742B1 (en) 1998-11-12 2002-02-12 Maxim Integrated Products, Inc. Chip-scale packaged pressure sensor
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
US6091022A (en) * 1998-12-17 2000-07-18 Honeywell Inc. High pressure header for a semiconductor pressure transducer
US6229190B1 (en) 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
US6255728B1 (en) 1999-01-15 2001-07-03 Maxim Integrated Products, Inc. Rigid encapsulation package for semiconductor devices
DE20105505U1 (de) * 2001-03-29 2002-08-01 Keller AG für Druckmeßtechnik, Winterthur Drucktransmitter
DE50212957D1 (de) * 2002-04-12 2008-12-11 Grundfos As Drucksensor
JP4608228B2 (ja) * 2004-03-30 2011-01-12 長野計器株式会社 圧力センサおよびその製造方法
WO2010114465A1 (en) * 2009-03-30 2010-10-07 Ge Healthcare Bio-Sciences Ab Pressure sensor
DE202009013919U1 (de) * 2009-10-14 2010-06-24 Keller AG für Druckmeßtechnik Drucktransmitter
CN103712735A (zh) * 2013-12-26 2014-04-09 中国水利水电科学研究院 压力传感器保护装置及其组装方法
FR3032272B1 (fr) * 2015-02-02 2020-06-05 Akwel Dispositif de determination de pression et de temperature, capteur de pression et de temperature comprenant un tel dispositif et procede de fabrication d’un tel dispositif

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4856476A (ja) * 1971-11-17 1973-08-08
JPS4865880A (ja) * 1971-12-10 1973-09-10

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457536A (en) * 1967-04-28 1969-07-22 Us Navy Subminiature pressure transducer
CH455327A (de) * 1967-06-01 1968-06-28 Kistler Instrumente Ag Piezoresistives Druck- und Kraftmesselement
US3513430A (en) * 1968-06-19 1970-05-19 Tyco Laboratories Inc Semiconductor strain gage transducer and method of making same
US3520191A (en) * 1968-08-22 1970-07-14 Kistler Instr Corp Strain gage pressure transducer
GB1248087A (en) * 1969-02-28 1971-09-29 Ferranti Ltd Improvements relating to pressure gauges
US3697917A (en) * 1971-08-02 1972-10-10 Gen Electric Semiconductor strain gage pressure transducer
JPS5112437B2 (ja) * 1971-10-01 1976-04-19
BE793922A (fr) * 1972-01-12 1973-07-11 Philips Nv Dispositif de mesure de la pression de liquides ou de gaz
US3916365A (en) * 1972-01-31 1975-10-28 Bailey Motor Company Integrated single crystal pressure transducer
US3800264A (en) * 1972-03-14 1974-03-26 Kulite Semiconductor Products High temperature transducers and housing including fabrication methods

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4856476A (ja) * 1971-11-17 1973-08-08
JPS4865880A (ja) * 1971-12-10 1973-09-10

Also Published As

Publication number Publication date
AU8706775A (en) 1977-06-02
DE2552393C2 (de) 1985-03-28
IT1051748B (it) 1981-05-20
FR2293704B1 (ja) 1981-05-08
GB1497185A (en) 1978-01-05
AU504614B2 (en) 1979-10-18
NL7415668A (nl) 1976-06-04
US4040297A (en) 1977-08-09
SE7513381L (sv) 1976-06-03
FR2293704A1 (fr) 1976-07-02
BE836168A (fr) 1976-06-01
ES443094A1 (es) 1977-04-16
JPS5183578A (ja) 1976-07-22
DE2552393A1 (de) 1976-08-12

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