JPH03194432A

JPH03194432A - 半導体圧力センサ

Info

Publication number: JPH03194432A
Application number: JP33345089A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Hida; 朋之飛田; Akira Sase; 佐瀬　昭; Yoshiki Yamamoto; 山本　芳己
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-12-22
Filing date: 1989-12-22
Publication date: 1991-08-26
Anticipated expiration: 2012-07-02
Also published as: JP2625225B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、差圧、静圧の少なくとも１つを検知して、電
気信号に変換する半導体圧力センサに関する。

〔従来の技術〕

半導体圧力センサは、周知のように半導体単結晶基板の
一部を薄肉部としてダイアフラムを形成し、このダイア
フラムの表面に拡散法により抵抗群（拡散抵抗部）を形
成して、圧力−電気信号変換型の感圧素子を形成してい
る。

このような感圧素子（拡散抵抗付き半導体単結晶基板）
は、ダイアフラムの両面に、外部から導入した圧力を加
えてその差圧を検知したり、ダイアフラムの一面を基準
圧に保ち、他面に外部から導入した圧力をかけて、その
静圧を検知するものがある。

従来の半導体圧力センサの構造は、例えば特開昭６１−
２０６２６８号、特開昭６２−２３８６７１号公報等に
開示されるように、感圧素子となる半導体単結晶基板を
台座に接合搭載し、さらにこれらの要素を金属ベースに
搭載し、またベースには、ハーメチックシールを施した
端子を絶縁しつつ配設し、この端子と感圧素子とをボン
ディングワイヤ等の配線を介して電気的に接続している
。

半導体単結晶基板・ベース間に介在される台座は、半導
体単結晶基板とベースの線膨張係数の差を緩衝する役割
をなすもので、半導体単結晶基板及びベース双方の線膨
張係数に近い素材が使用される。例えば最近では、強度
が大きく無孔性（気密性）及び絶縁性に優れたガラスセ
ラミックスが台座として使用されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

前述したように、従来の半導体圧力センサは、感圧素子
、これを支持する台座、ハーメチックシール端子付きベ
ースを備え、更には温度補償用の配線、抵抗、サーミス
タ等を有する配線板を付属品として装着しである。

ところで、これらの部品点数が増すほどに、小形化を図
る上で支障となり、組立も複雑化する。

特に組立に関しては接合の間層がある。すなわち、各部
材同士の接合は、異種部材同士の接合であり、その接合
強度及び気密性保持を図る上で高度の接合技術（例えば
低融点ガラス等の接合剤を用いた高度の接合技術）が要
求されるので、このような接合箇所をできるだけ少なく
することが望まれる。

また、センサの信頼性を図るためには、温度補償用の配
線、素子等をできるだけ感圧素子と接近させて配設する
こと、換言すれば感圧素子と同一の温度環境に置くこと
が望まれるが、従来はスペースの制約から、センサ外部
に温度補償用配線板等を備え付けたりし、感圧素子と温
度補償素子の温度環境が必ずしも一致していなかった。

本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、部品点数の削減及び構造の合理化を図る
ことで、小形化９組立性の向上を図り、しかも性能の面
で信頼性の高い半導体圧力センサを提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記目的を達成するために、基本的には次の
ような課題解決手段を提案する。

第１の課題解決手段は、圧力（静圧）、差圧の少なくと
も１つを検知する半導体圧力センサで、半導体単結晶基
板の一部を薄肉部としてダイアフラムを形成し、このダ
イアフラムの表面に拡散抵抗部を形成して感圧素子とし
、前記半導体単結晶基板を台座上に接合してなるものに
おいて、前記台座を前記半導体単結晶基板と同じ或いは
近似する線膨張係数を有する高絶縁性のセラミックス或
いはセラミックス主体の傾斜材料で形成し、且つ、この
台座は前記半導体単結晶基板よりも面積を拡張して、台
座上の半導体単結晶基板搭載領域以外の箇所に前記感圧
素子の電気信号を外部に送出するためのハーメチックシ
ール端子、及びセンサの温度補償用の配線及び素子を配
設して、配線板を兼用させてなる。

第２の課題解決手段は、上記同様に拡散抵抗付きダイア
フラムを有する半導体単結晶基板と、これを接合搭載す
る台座とを有するものにおいて、前記台座を前記半導体
単結晶基板と同じ或いは近似する線膨張係数を有する高
絶縁性のセラミックス或いはセラミックス主体の傾斜材
料で形成すると共に、この台座の表面には、台座表面を内側区域と外側区域と
に区分する環状の区分溝を設け、前記内側区域に前記半
導体単結晶基板を接合・搭載し、前記外側区域に前記感
圧素子の電気信号を外部に送出する端子をハーメチック
シールを施して配設するか、或いはこのハーメチックシール端子に加えてセンサの温
度補償用の配線及び素子を配設してなる。

〔作用〕

第１の課題解決手段によれば、台座上に感圧素子が搭載
され、しかも台座を半導体単結晶基板よりも面積を拡張
して、その拡張領域にハーメチックシール端子及びセン
サの温度補償用の配線、素子（抵抗、サーミスタ等）が
配設される。

そのため、台座２は感圧素子（拡散抵抗付き半導体単結
晶基板）を搭載する機能と、従来は別個に用意されてい
た、ハーメチックシール端子付きベース及び配線板とし
ての機能も兼用する。

従って、センサとしての部品点数を削減して、装置の小
形化を図り、しかも構造の合理化を図ることで、部品同
士の気密接合箇所を少なくし、組立性を向上させる。な
お、台座に感圧素子を接合搭載する場合には、接合層が
極めて薄く、また台座が感圧素子となる半導体単結晶基
板と線膨張係数が同一か、或いはこれに近似したものを
選定するので、接合部にかかる材質相異による熱歪は無
視でき、センサの気密性ひいては特性が損なわれない。

さらに、台座は高絶縁性のセラミックス或いはセラミッ
クス主体の傾斜材料で構成されるので、高温域まで機械
的特性の劣化がなく絶縁性を確保でき、センサの端子及
び温度補償用の配線、素子等を配設しても、高信頼性を
維持できる。

また、温度補償用の素子は、台座に配設されるので、セ
ンサ本体の内部にて感圧素子と近い箇所に配置でき、温
度補償精度が高まる。

次に第２の課題解決手段によれば、台座上には、環状の
区分溝を境にして内側の区域に感圧素子が、外側の区域
にハーメチックシール端子（或いはハーメチックシール
端子と温度補償用の配線、素子等）が配設される。従っ
て、第１の課題解決手段同様に、台座が少なくとも従来
のハーメチックシール端子付きのベースを兼用するので
、部品点数の削減及び組立性の向上を図り、しかも高温
環境で使用しても電気絶縁等の信頼性を図り得る。

さらに、台座上には、感圧素子搭載箇所の周囲に環状の
区分溝が存在することから１次のような作用がなされる
。

例えば、センサ部品を組立てる工程や使用時に、外部か
ら何らかの機械的な力が台座に加わると。

その力は先ず台座における外側区域に伝わる。その結果
、台座の外側区域に歪が発生するが、この歪は、前記環
状の区分溝でほとんどが吸収され、感圧素子搭載領域た
る内側区域に歪が生じるのを防ぐ。従って、台座上の感
圧素子に外的歪が伝達されるのを防ぎ、且つ台座・感圧
素子間の接合箇所の健全性を維持でき、センサ精度の低
下を防止できる。

また、このような環状の区分溝の存在で、台座における
内側区域と感圧素子との縦、横の寸法をはＳ′一致させ
ることができ、加えて台座と感圧素子との線膨張係数が
はシ一致（同−或いは近似）させであるので、台座・感
圧素子間の熱変形度合もはシ一致する。その結果、ハー
メチックシール端子等を設けるために台座全面積を感圧
素子よりも大きくしても、台座の内側区域・感圧素子間
の熱歪はほとんど無視し得る程度の微小のもので。

両者間の接合層の健全性が維持される。

〔実施例〕

本発明の実施例を図面に基づき説明する。

第１図は本発明の一実施例たる半導体圧力センサの縦断
面図、第２図はその内部を表す平面図である。

これらの図において、１は感圧素子で、半導体単結晶基
板（例えば、シリコン単結晶体）１０を本体とする。半
導体単結晶基板１０は、厚さが２００〜５００μｍ程度
で四角形状を呈し、面方位は＜１００＞である。

半導体単結晶基板１０の中央裏面に凹みｌｏｇを設けて
、この中央を薄肉部（ダイアフラム）１１とし、その周
囲に厚肉部１２を形成すると共に、基板１０の中央を外
れた位置に、もう１つの薄肉部（ダイアフラム）１７が
設けである。ダイアフラム１１は差圧検知用、ダイアフ
ラム１７は静圧検知用としである。すなわち、本実施例
の感圧素子は、ダイアフラム１１，１７の存在で、差圧
／静圧の複合型圧力センサを構成する。それぞれのダイ
アフラム１１，１７は、半導体単結晶基板１０の面方位
に依存する異方性エツチングにより所要の板厚に形成さ
れる。ここで、所要の板厚とは、計測される差圧や圧力
等に応じて決められる。

なお、ダイアフラム１１は、一方の面を基準圧に固定し
て、静圧に感応するダイアフラムとして使用することも
可能である。

ダイアフラム１１の表面には、それぞれ圧力を電気信号
に変換するための抵抗群１３〜１６及び抵抗群１８〜２
１が拡散法により形成される。

拡散抵抗群１３〜１６及び１８〜２１は、それぞれ（１
１０＞方向に配置され、自身のダイアフラムに圧力がか
かると、ピエゾ効果により抵抗値が変化する。この抵抗
変化をブリッジ回路にて取出し、後述する端子５を介し
て外部に電気信号として送出する。このとき、差圧また
は静圧検出の温度補償をするための配線、固定抵抗又は
サーミスタ等の部品要素３０，３１，３２．３３を後述
の台座２における外側区域２Ｂに薄膜、厚膜印刷技術に
より付加される。これは１台座２を高絶縁性のセラミッ
クスとしているので、容易に既存の印刷技術で形成する
ことができる。

２は感圧素子１を搭載するための台座で、高絶縁性で半
導体単結晶基板１０とはゾ同じ線膨張係数を有するセラ
ミックス（例えばＳｉＣ等）で構成される。

台座２の表面には、台座表面を内側区域２Ａと外側区域
２Ｂとに区分する環状の区分溝３が設けである。区分溝
３は、輪郭が四角形の環状を呈し、内側区域２Ａは半導
体単結晶基板１０の各辺と寸法をはゾ同一とし、且つ内
側区域２Ａの高さを外側区域２Ｂより低くして、この内
側区域２Ａに感圧素子１が低融点ガラス層４を介して接
合・搭載される。搭載された感圧素子１と外側区域２Ｂ
の高さは同レベルにある。

低融点ガラス層４は１例えばハーメチックソルダーガラ
ス等の低温接合可能な薄いフィルム状とする。前記感圧
素子１・台座２間の接合は、このガラス層４を溶融させ
て、台座の内側区域２Ａ上面に半導体単結晶基板１０の
厚肉部１２の底面を接合して行われる。接合対象の材質
相異によるガラス接合層４の熱歪は、その接合層が極め
て薄く、台座２と半導体単結晶基板１０との線膨張係数
をはＳ′同じ（同−或いは近似）としているので、無視
できるほどのものとなり、センサの特性を損なうことは
ない。

台Ｊ＋２の中央には、ダイアフラム１１の裏面（凹み１
０ａ）に圧力を導入するための圧力導入孔６が貫通形成
される。

台座２の外側区域２Ｂには、外部に電気信号（圧力検知
信号）を送出するためのピン状の端子５が貫通固着され
る。

端子５の挿通固着としては、次のような態様が考えられ
る。例えば、挿通孔を台座２の焼成過程で前記区分溝３
．圧力導入孔６と共に形成しておき、焼成時に端子５を
挿入して焼成だけで気密状に固着する。また、これに代
わり、上記同様に形成した端子挿通孔のみをメタライズ
しく部分メタライズで足りる）、次いで鑞付は法により
端子５を固着する。いずれの場合も、充分にハーメチッ
クシール端子としての機能を保つことができる。

端子５は、導体物質であるという規定を受けるが、それ
以外、例えば形状規定のようなものは受けることがない
。

端子５と拡散抵抗群１３〜１６及び１８〜２１は、配線
パッド７．８、配線３０、ボンディングワイヤ３４．３
５等を介して電気的に接続される。

台座２における外側区域２Ｂの表面には、既述したよう
に温度補償用の配線３０．抵抗、サーミスタ部品３１，
３２．３３が薄膜、厚膜印刷技術により付加される。換
言すれば、本実施例では。

セラミックス台座２の領域を、感圧素子搭載（半導体単
結晶基板）領域２Ａのほかに２Ｂの領域を拡張し、この
拡張領域２Ｂに温度補償用の部品３０〜３３を配設して
、台座２を配線板としても兼用させている。

感圧素子１付きの台座２は、最終的には圧力検出用の発
信器としてプラントに組込まれるが、船釣には、気密接
合及びプラントへの組込の便宜のために、次に述べるよ
うなリング２４．上ボート（第１のポート）２２．下ボ
ート（第２のボート）２３等の金具が使用される。

上ポート２２は感圧素子１の上面空間を覆うもので、キ
ャップ形状を呈し、その中央に外部から圧力を導入する
ための圧力導入孔２５が配設される。この上ボート２２
は、リング２４に次のようにして取付けられる。

リング２４の上部外周縁には段差２４ａが全周にわたり
形成され、段差２４ａ外周及び上ポート２２内周にねじ
溝が切ってあり、これらのねじ溝を介して上ポート２２
がリング２４上部に螺合した後、両者が溶接２９により
気密接合される。

リング２４の内径は台座２の外径に嵌合され、このリン
グ２４・台座２の内外径間が低融点ガラス層２７を介し
て接合される。

下ポート２３は、フランジ２３ａ付きの管状を呈し、そ
の内部に圧力導入孔６と通じて感圧素子１の裏側１０ａ
に圧力を導入するための導入孔２６を有している。一方
、台座２の底部中央には、嵌合溝２Ｃが形成され、この
嵌合溝２Ｃに下ポート２３の一部が嵌合され、この嵌合
部及びフランジ２３ａ・台座２底部間が低融点ガラス層
２８を介して気密接合される。

このようにして組立られた圧力センサは、例えばプラン
ト等の圧力計測箇所にリング２４を介して溶接等による
取付けがなされる。なお、場合によっては、リング２４
を用いずに、台座２に上ボート２２を被着し１台座２を
直接プラントの所要箇所に固着接合して取付けることも
可能である。

しかして１本実施例によれば次のような効果を奏する。

■台座２は、半導体搭載機能の他に配線板として機能し
、且つ端子を付加することで、従来のように配線板や端
子付きベース（台座支持用ベース）を台座と別個に用意
する必要がない。従って、部品点数を削減して、組立性
の向上を図り得る。また、部品点数の削減と共に、端子
及び温度補償用の部品を感圧抵抗素子１の近くに配設で
きるので、実装効率を高め、装置の小形化を図り得る。

■端子及び温度補償用の配線、素子等は、高絶縁性のセ
ラミックス台座に配設されるので、高温域等の厳しい環
境条件においても、電気絶縁を確実に維持できる。また
、配線、素子等は台座上に薄膜、厚膜印刷等で容易に形
成することができるので装着性に優れている。

■台座２と感圧素子１との接合は、低温接合可能な薄膜
ガラス接合１ｍを介して行われ、台座２及び感圧素子１
ははゾ同一の線膨張係数であるので、接合層の熱歪を無
視できる程度のもので、気密接合の信頼性を高めること
ができる。

■台座２上の感圧素子搭載領域（内側区域）２Ａの周囲
に環状溝３が形成しであるので、センサの組立工程時や
使用時に外部から何らかの機械的な力が台座２に加わっ
ても、これを溝３で集中的に吸収しく逃し）、内側区域
２Ａひいては感圧素子１に歪が生じるのを防ぎ、センサ
測定精度を高めることかできる。。

例えば、センサ組立工程時には、上ポート２２をリング
２４に溶接するため、リング２４の熱歪が台座２に伝わ
るが、この歪が外側区域２Ｂから内側区域２Ａに伝わる
前に溝３で吸収される。

また、上ポート２２をリング２４に螺合した時の機械的
歪も溝３で吸収される。

その他、使用時に外的衝撃がセンサ外殻に加わって、こ
れが上ボート２２やリング２４を介して台座２の外側区
域２Ｂに伝わった場合でも、その歪を溝３で吸収する。

また、圧力印加時に台座２に生じる弾性変形に起因する
歪も溝３に集中させて回避でき、センサとしての特性を
損なうことなく、装置の高精度化と高信頼性を図ること
ができる。

さらに溝３が存在することで、台座における内側区域２
Ａと感圧素子１との縦、横の寸法をはシ一致させること
ができ、加えて台座２と感圧素子１との線膨張係数がは
ソ一致させであるので、両者の熱変形度合をほとんど同
じにできる。その結果、内側区域２Ａ・感圧素子１間の
熱歪はほとんど無視し得る程度の微小のものとして、両
者間の接合層の健全性を維持できる。

なお、本実施例では、一つの半導体単結晶基板１０に感
圧ダイアフラム１１，１７を設けているが、半導体単結
晶基板１０を別個に分けて、その一方の基板に差圧検知
用の拡散抵抗付きダイアフラム１１を、他方の基板に静
圧検知用の拡散抵抗付きダイアフラム１７を配し、これ
らの分離された基板を一括して台座２上に接合搭載して
もよい。

このようにすれば、感圧ダイアフラム１１，１７の動作
に相互干渉をなくして、それぞれのダイアフラムの電気
信号を精度良く取り出せるので、精度の面でより一層高
信頼性の半導体圧力センサを提供することができる。

なお１本実施例では、リング２４と下ポート２３とを別
々の成形品として例示しているが、これらを一体成形し
てもよく、さらにセンサの面方位。

方向性やダイアフラムの形状等についても任意に設定す
ることができる。

第３図及び第４図は本発明の他の実施例を示す説明図で
ある。なお、これらの部品の符号のうち既述した第１の
実施例と同一符号は、同−或いは共通する要素を示す。

第３図の実施例（第２実施例）が第１実施例と異なる点
は、台座２の内部で圧力導入孔６の一部に感圧素子１と
平行な切欠き溝３６を配設した点にある、このような切欠き溝３６を追加することにより、差圧計
測時の台座２の内側、外側にかかる圧力のバランスをと
って、台座２にかかる圧力の偏りをなくすことができる
。その結果、圧力印加の偏りに起因する台座２の歪をな
くし、感圧素子１をはゾ静水圧下に（差圧計測のみ）設
置できるので、センサの測定精度をさらに高めて高信頼
性の圧力センサを提供することができる。

第４図の実施例（第３実施例）で前述した各実施例と異
なる点は、まず１台座２としてセラミックス主体の傾斜
機能材料を用いたことにある。

この場合も前述の各実施例と効果は変わりないが、さら
に、台座２を構成するセラミックスの組成分を部分的に
変える（換言すれば傾斜材料とする）ことで、外部信号
を取り出す端子５′だけを部分的にセラミックスを導電
性物質化したもので用いたり、また、第１実施例の各接
合層４，２７゜２８に対応する接合部４’、２７’、２
８’を、セラミックスにより接合性を有するように物質
化することもでき、このような傾斜材料を用いれば、製
作工程の合理化を図り得る利点がある。

〔発明の効果〕

本発明において、第１の課題解決手段によれば、台座が
感圧素子搭載機能の他に、ハーメチックシール付きのベ
ース及び配線板としての機能をなすので、部品点数を削
減し実装効率を高めて、装置の組立性の向上及び小形化
をはかり、しかも電気的絶縁性、気密接合の信頼性を保
つことができる。

また、第２の課題解決手段によれば、第１の課題解決手
段同様に装置の組立性及び小形化を図るほかに１台座表
面に感圧素子搭載領域周辺を囲む区分溝が外部から加わ
る歪を吸収し、且つ台座・感圧素子間の熱変形をはメ゛
同じにして両者間に発生する熱歪を抑制できるので、装
置の健全性をより一層高め、測定精度の向上を図ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例を示す縦断面図、第２図
は、その内部を表す平面図、第３図は本発明の第２実施
例を示す要部断面図、第４図は本発明の第３実施例を示
す要部断面図である。１・・・感圧素子、２・・・台座、２Ａ・・・内側区域
、２Ｂ・・外側区域、３・・・環状の区分溝、４・・・
接合層、５・・・端子、６・・・圧力導入孔、１ｏ・・
・半導体単結晶基板、１０ａ・・・凹み部、１１・・・
差圧検知用ダイアフラム（薄肉部）、１２・・・厚肉部
、１３〜１６・・・拡散抵抗部（群）、１７・・・静圧
検知用ダイヤフラム（薄肉部）、１８〜２１・・・拡散
抵抗部、２２・・・第１のポート、２３・・・第２のポ
ート、２４・・・リング、２７．２８・・・接合層、３
ｏ・・配線、３１〜３３・・・温度補償用素子、３４．
３５・・・配線、３６・・・第図１・感圧素子、２　・台座、２Ａ・・内側区域、２Ｂ・
外側区域、３・・・環状の区分溝、４・・・接合層、訃
・・端子、６・・・圧力導入孔、１０・・半導体単結晶
基板、１０ａ・・・凹み部、１１　・差圧検知用ダイア
フラム（薄肉部）、１２・・・厚肉部、１３〜１６・・
・拡散抵抗部（群）、１７川静灰検知用グイアフラム（
薄肉部）、１８〜２１・・・拡散抵抗部、２２・・・第
１のポート、２３・・・第２のポート、２４・・・リン
グ、２７．２８　　接合層、３０・・配線、３１〜３３
・・・温度補償用素子。第図

Claims

【特許請求の範囲】１、圧力（静圧）、差圧の少なくとも１つを検知する半
導体圧力センサで、半導体単結晶基板の一部を薄肉部と
してダイアフラムを形成し、このダイアフラムの表面に
拡散抵抗部を形成して感圧素子とし、前記半導体単結晶
基板を台座上に接合してなるものにおいて、前記台座を前記半導体単結晶基板と同じ或いは近似する
線膨張係数を有する高絶縁性のセラミックス或いはセラ
ミックス主体の傾斜材料で形成し、且つ、この台座は前記半導体単結晶基板よりも面積を拡
張して、台座上の半導体単結晶基板（感圧素子）搭載領
域以外の箇所に前記感圧素子の電気信号を外部に送出す
るためのハーメチックシール端子、及びセンサの温度補
償用の配線及び素子を配設して、配線板を兼用させてな
ることを特徴とする半導体圧力センサ。２、圧力（静圧）、差圧の少なくとも１つを検知する半
導体圧力センサで、半導体単結晶基板の一部を薄肉部と
してダイアフラムを形成し、このダイアフラムの表面に
拡散抵抗部を形成して感圧素子とし、前記半導体単結晶
基板を台座上に接合してなるものにおいて、前記台座を前記半導体単結晶基板と同じ或いは近似する
線膨張係数を有する高絶縁性のセラミックス或いはセラ
ミックス主体の傾斜材料で形成すると共に、この台座の表面には、台座表面を内側区域と外側区域と
に区分する環状の区分溝を設け、前記内側区域に前記半
導体単結晶基板を接合・搭載し、前記外側区域に前記感
圧素子の電気信号を外部に送出する端子をハーメチック
シールを施して配設してなることを特徴とする半導体圧
力センサ。３、第２請求項において、前記台座表面における前記外
側区域には、前記ハーメチックシール端子のほかに、セ
ンサの温度補償用の配線及び素子が配設される半導体圧
力センサ。４、第１請求項ないし第３請求項のいずれか１項におい
て、前記半導体単結晶基板には、差圧を検知する拡散抵
抗付きダイアフラムと、静圧を検知する拡散抵抗付きダ
イアフラムとが併設されて、差圧／静圧の複合型感圧素
子を構成してなる半導体圧力センサ。５、第４請求項において、前記半導体単結晶基板を別個
に分けて、その一方の基板に差圧検知用の拡散抵抗付き
ダイアフラムを、他方の基板に前記静圧検知用の拡散抵
抗付きダイアフラムを配し、これらの基板を一括して前
記台座上に接合搭載してなる半導体圧力センサ。６、第１請求項ないし第５請求項のいずれか１項におい
て、前記半導体単結晶基板には少なくとも差圧検知用の
拡散抵抗付きダイアフラムを有し、且つこの拡散抵抗付
きダイアフラムの表面に外部圧力を導入する第１のポー
トと、前記台座を貫通する圧力導入孔を介して前記拡散
抵抗付きダイアフラムの裏面側にもう一つの外部圧力を
導入する第２のポートとを備えてなる半導体圧力センサ
。７、第６請求項において、前記台座の内部には、前記圧
力導入孔の一部に圧力導入孔の断面積よりも大きな切欠
き溝を設けてなる半導体圧力センサ。８、第５請求項ないし第７請求項のいずれか１項におい
て、前記台座の外周にリング部材が接合嵌装され、この
リング部材に前記第１のポートがキャップ形を呈して被
着され、前記第２のポートが前記台座に設けた前記圧力
導入孔の入口部に接続される半導体圧力センサ。