JPS58213482A - 光結合装置 - Google Patents
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- JPS58213482A JPS58213482A JP57096589A JP9658982A JPS58213482A JP S58213482 A JPS58213482 A JP S58213482A JP 57096589 A JP57096589 A JP 57096589A JP 9658982 A JP9658982 A JP 9658982A JP S58213482 A JPS58213482 A JP S58213482A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光素子と受光素子とを光学°的に結合させ
た光結合装置に関するものである。
た光結合装置に関するものである。
従来のこの種の光結合装置（以下、７オトカプラという
。）は、一対のリードフレームのうち、一方のフレーム
に発光素子を、他方のフレームに受光素子をそれぞれ装
着するとともに、これら画素子を所定間隔を維持して対
向配置１−１さらに。
。）は、一対のリードフレームのうち、一方のフレーム
に発光素子を、他方のフレームに受光素子をそれぞれ装
着するとともに、これら画素子を所定間隔を維持して対
向配置１−１さらに。
画素子間を透光性樹脂でモールドした後、成形樹脂によ
って所定の形状にパッケージした構成のものが多かつ九
。
って所定の形状にパッケージした構成のものが多かつ九
。
この種のフォトカプラにあっては、発光素子の射光路と
受光素子の入党路とを的確に合致させてかくことがその
光量損を少なくシ、入光量に対する光電変換幼木を向上
させるのに重要である。しかしながら、従来のフォトカ
プラでは、上記のように、発光素子と受光素子とを各別
のフレームに装着する必要があり、しかも、画素子間を
透光性樹脂でモールドする必要があるために、画素子の
光路を厳密に一致させることが難しく、このことが製作
工程中での不良品の増加を招き、製品歩留りを低下させ
ている。また、画素子の光路を的確に合致させ、しかも
、製品歩留りを向上させようとすれｉ％農作工程中での
厳密な管理が要求されるため、生産性の低下につながる
ことになる。さらに、発光素子および受光素子を各別の
フレームに装着するための工数が余分に必要となるため
、このことが生産性を一層低下させている。
受光素子の入党路とを的確に合致させてかくことがその
光量損を少なくシ、入光量に対する光電変換幼木を向上
させるのに重要である。しかしながら、従来のフォトカ
プラでは、上記のように、発光素子と受光素子とを各別
のフレームに装着する必要があり、しかも、画素子間を
透光性樹脂でモールドする必要があるために、画素子の
光路を厳密に一致させることが難しく、このことが製作
工程中での不良品の増加を招き、製品歩留りを低下させ
ている。また、画素子の光路を的確に合致させ、しかも
、製品歩留りを向上させようとすれｉ％農作工程中での
厳密な管理が要求されるため、生産性の低下につながる
ことになる。さらに、発光素子および受光素子を各別の
フレームに装着するための工数が余分に必要となるため
、このことが生産性を一層低下させている。
この発明は上記のような従来の欠点を改善するためにな
されたものであり、光結合度が高く、シかも、生産性の
高いフォトカプラを提供することを目的とするものであ
る。
されたものであり、光結合度が高く、シかも、生産性の
高いフォトカプラを提供することを目的とするものであ
る。
すなわち、この発明は、上記目的を達成する几めに、半
導体基板の主面上ｖｃｎ形層とｐ形層とをヘテロ接合層
を介して積層状にエピタキシャル成長させるとともに、
この成長層に溝を形成して相対向する発光素子と受光素
子とを形成し、発光素子にかけるヘテロ接合層と受光素
子におけるヘテロ接合層とを光学的ＶＣ接合させたもの
である。
導体基板の主面上ｖｃｎ形層とｐ形層とをヘテロ接合層
を介して積層状にエピタキシャル成長させるとともに、
この成長層に溝を形成して相対向する発光素子と受光素
子とを形成し、発光素子にかけるヘテロ接合層と受光素
子におけるヘテロ接合層とを光学的ＶＣ接合させたもの
である。
１°半導体基板の主面上にエピタキシャル成長法によっ
てｎ形層およびｐ形層をヘテロ接合層を介して成長させ
る場合、これらｎ形層、ヘテロ接合層およびｐ形層を平
担かり′均一に形成させることは容易である。そのため
、エピタキシャル成長層に溝を形成して相対向する発光
素子と受光素子とを形成させると、発光素子におけるヘ
テロ接合層と受光素子にかけるヘテロ接合層とは、半導
体基板主面の同一レベルで対向するよう′になり、これ
によって１発光素子の射光路と受光素子の入党路とが厳
密な生産管理を要せずに容易に合致され、光学的結合変
の高いフォトカプラが得られる。加えて、発光素子およ
び受光素子をリードフレームに装着する定めの工数が不
要となり、画素子間を透光性樹脂でモールドする必要も
ないので、製作工程の簡略化や製品の小形化が容易に達
成される。
てｎ形層およびｐ形層をヘテロ接合層を介して成長させ
る場合、これらｎ形層、ヘテロ接合層およびｐ形層を平
担かり′均一に形成させることは容易である。そのため
、エピタキシャル成長層に溝を形成して相対向する発光
素子と受光素子とを形成させると、発光素子におけるヘ
テロ接合層と受光素子にかけるヘテロ接合層とは、半導
体基板主面の同一レベルで対向するよう′になり、これ
によって１発光素子の射光路と受光素子の入党路とが厳
密な生産管理を要せずに容易に合致され、光学的結合変
の高いフォトカプラが得られる。加えて、発光素子およ
び受光素子をリードフレームに装着する定めの工数が不
要となり、画素子間を透光性樹脂でモールドする必要も
ないので、製作工程の簡略化や製品の小形化が容易に達
成される。
ま九、この発明の好適な実施例によれば、エピタキシャ
ル成長層を発光素子と受光素子とに分割するための溝が
湾曲状に形成され、たとえば、発光素子側の発光面が凸
状に張出されるのに対して受光素子側の受光面が凹入状
に陥入されるので。
ル成長層を発光素子と受光素子とに分割するための溝が
湾曲状に形成され、たとえば、発光素子側の発光面が凸
状に張出されるのに対して受光素子側の受光面が凹入状
に陥入されるので。
発、光面積および受光面積が拡大され、しかも、そのレ
ンズ効果によって光結合効果がさらに高められたものと
なる。
ンズ効果によって光結合効果がさらに高められたものと
なる。
さらに、この発明の他の好適な実施例によれば、半導体
基板がＧａＡｓ半導体からなり、エピタキシャル成長層
がＡＬＣａＡｓ三元混晶半導体からなるので、発光素子
および受光素子がともにＡＬＧａＡｓ三元混晶坐導体で
構成され、従来のようにシリコン系素子を受光素子とし
て用い友ものに比べて高速応性のフォトカプラの提供が
可能とな（）、しかも１発光素子と受光素子との間にす
ぐれた光学的マツチング状態が得られ、その結果、耐ノ
イズ性にすぐれた大きな光電流を得ることができるよう
になる。
基板がＧａＡｓ半導体からなり、エピタキシャル成長層
がＡＬＣａＡｓ三元混晶半導体からなるので、発光素子
および受光素子がともにＡＬＧａＡｓ三元混晶坐導体で
構成され、従来のようにシリコン系素子を受光素子とし
て用い友ものに比べて高速応性のフォトカプラの提供が
可能とな（）、しかも１発光素子と受光素子との間にす
ぐれた光学的マツチング状態が得られ、その結果、耐ノ
イズ性にすぐれた大きな光電流を得ることができるよう
になる。
この発明によって得られる発光素子および受光素子のｎ
形層、ヘテロ接合層およびＰ形接合層は半導体基板上に
エピタキシャル成長させて形成されるので、ＧａとＡＬ
との組成比の差異による格子不整合が少なくなり、均一
なｎ形層、ヘテロ接合層およびｐ形接合層となる。
形層、ヘテロ接合層およびＰ形接合層は半導体基板上に
エピタキシャル成長させて形成されるので、ＧａとＡＬ
との組成比の差異による格子不整合が少なくなり、均一
なｎ形層、ヘテロ接合層およびｐ形接合層となる。
さらに他の好適な実施例によれば１発光素子および受光
素子にはそれぞれ反射形電極層が設けられるため、発光
素子にお偽ては射出守光量増加の効果があり、受光素子
においては入射光のうちの反射形電極層に到達した光が
反射されて再び受光素子のへテロ接合層へ入射され、こ
れが受光素子の光電変換に寄与することとなるので、そ
の光電変換効率が高められ、性能向上につながる。
素子にはそれぞれ反射形電極層が設けられるため、発光
素子にお偽ては射出守光量増加の効果があり、受光素子
においては入射光のうちの反射形電極層に到達した光が
反射されて再び受光素子のへテロ接合層へ入射され、こ
れが受光素子の光電変換に寄与することとなるので、そ
の光電変換効率が高められ、性能向上につながる。
つぎに、この発明の実施例を図面にしたがって説明する
。
。
第１図に示されるように、この発明に係るフォトカプラ
は、≠導体基板ｌの主面上に、エピタキシャル成長法に
よって同時に形成された発光素子２と受光素子８とを有
し、これらの発光素子２と受光素子８とが半導体基板ｌ
の幅方向に延びるように形成された直線上の溝４によっ
て一定の空間８を保持して水平方向で対向されている。
は、≠導体基板ｌの主面上に、エピタキシャル成長法に
よって同時に形成された発光素子２と受光素子８とを有
し、これらの発光素子２と受光素子８とが半導体基板ｌ
の幅方向に延びるように形成された直線上の溝４によっ
て一定の空間８を保持して水平方向で対向されている。
この状態において１発光素子２と受光素子８とは同時に
共通のエピタキシャル成長層６によって形成されたもの
であるため、それらのｎ形層とｐ形層との間に形成され
る各ヘテロ接合層、すなわち発光層６および受光層７は
、半導体基板１の主面上の同一レベルで対向し、それら
の射光路および入党路が完全に合致されている。そのた
め、このようなフォトカプラｒｃおいては、高い光結合
度が得られる。
共通のエピタキシャル成長層６によって形成されたもの
であるため、それらのｎ形層とｐ形層との間に形成され
る各ヘテロ接合層、すなわち発光層６および受光層７は
、半導体基板１の主面上の同一レベルで対向し、それら
の射光路および入党路が完全に合致されている。そのた
め、このようなフォトカプラｒｃおいては、高い光結合
度が得られる。
ここにおいて、受光素子８がフォトダイオードとして構
成される場合には′％第２図に示されるよ７うに、発光
素子２は、半導体基板１上において下刃為ら順に積層さ
れたｎ形層８．ｐ形層９および反射形電極層１０かもな
る薄膜層群と、半導体基板１の裏面に形成された裏面電
極層１１とから構成され、そのＰＮ接合部はへテロ接合
層からなる効率の高い発光層６とされた発光ダイオード
として構成される。この場合、受光素子８は、半導体基
板１上において下から順に積層されたｎ形層１２、ｐ形
層１８１反射形電極層１４およびｎ形層１２上に形成さ
れた電極層１５によ′つて構成され、ＰＮ接合部は受光
＊７とされたフォトダイオードとして構成される。
成される場合には′％第２図に示されるよ７うに、発光
素子２は、半導体基板１上において下刃為ら順に積層さ
れたｎ形層８．ｐ形層９および反射形電極層１０かもな
る薄膜層群と、半導体基板１の裏面に形成された裏面電
極層１１とから構成され、そのＰＮ接合部はへテロ接合
層からなる効率の高い発光層６とされた発光ダイオード
として構成される。この場合、受光素子８は、半導体基
板１上において下から順に積層されたｎ形層１２、ｐ形
層１８１反射形電極層１４およびｎ形層１２上に形成さ
れた電極層１５によ′つて構成され、ＰＮ接合部は受光
＊７とされたフォトダイオードとして構成される。
一方、受光素子８がフォトトランジスタとして構成され
る場合には、第８図に示されるように。
る場合には、第８図に示されるように。
半導体基板１上において下から順に積層されたｎ形層１
６．＝ｐ形層１７、ｎ形層１８１反射形電極層１９およ
びｐ形層１７上に形成された電極層２０からなる薄膜層
群によって構成され、そのＰＮ接合部はへテロ接合層か
らなる発光層６とされ九発光ダイオードとして構成され
る。この場合、受光素子８は、半導体基板ｌ上において
下からｎ形層２１．ｐ形層２２およびｎ形層２８が順に
積層され７ｔＮＰＮへテロ接合フォトトランジスタとし
て形成され、そのｎ形層２８がエミッタ、ｐ形層２２が
ベース、ｎ形層２１がコレクタをなし、二層 電ツタ電極としてはｎ形層２８上の反射形電極２△ ４、ペース電極としてはｐ形層２２上の電極層２Ｂ、コ
レクタ電極としては半導体基板１の裏面電極層２６がそ
れぞれ用いられる。
６．＝ｐ形層１７、ｎ形層１８１反射形電極層１９およ
びｐ形層１７上に形成された電極層２０からなる薄膜層
群によって構成され、そのＰＮ接合部はへテロ接合層か
らなる発光層６とされ九発光ダイオードとして構成され
る。この場合、受光素子８は、半導体基板ｌ上において
下からｎ形層２１．ｐ形層２２およびｎ形層２８が順に
積層され７ｔＮＰＮへテロ接合フォトトランジスタとし
て形成され、そのｎ形層２８がエミッタ、ｐ形層２２が
ベース、ｎ形層２１がコレクタをなし、二層 電ツタ電極としてはｎ形層２８上の反射形電極２△ ４、ペース電極としてはｐ形層２２上の電極層２Ｂ、コ
レクタ電極としては半導体基板１の裏面電極層２６がそ
れぞれ用いられる。
以上におい゛Ｃ１第２図に示される発光素子２側の反射
形電極層ｌＯおよび裏面電極層１１にはそれぞれ外部リ
ード端子２７．２８が接続されるのに対し、受光素子８
側の反射形電極層ｌ雇および電極Ｎ４１５にもそれぞれ
外部リード端子２９．８０ｔＩｇ接続される。１また、
＃ｇ８図に示される発光素子２側の反射形電極層１９お
よび電極層２０にはそれぞれ外部リード端子８１．８２
が接続されるのに対し、受光素子８＠の反射形電極層２
４、電極層２５および裏面電極層２６にもそれぞれ外部
リード端子８ｇ、８４．８６が接続される。
形電極層ｌＯおよび裏面電極層１１にはそれぞれ外部リ
ード端子２７．２８が接続されるのに対し、受光素子８
側の反射形電極層ｌ雇および電極Ｎ４１５にもそれぞれ
外部リード端子２９．８０ｔＩｇ接続される。１また、
＃ｇ８図に示される発光素子２側の反射形電極層１９お
よび電極層２０にはそれぞれ外部リード端子８１．８２
が接続されるのに対し、受光素子８＠の反射形電極層２
４、電極層２５および裏面電極層２６にもそれぞれ外部
リード端子８ｇ、８４．８６が接続される。
つぎに、半導体基板１がＧａＡｓ半導体からなＩ】、エ
ピタキシャル成長層６がＡＬＧ＆Ａｌｌ三元混晶半導体
からなる場合の上記フォトカプラの製作手順について説
明する。
ピタキシャル成長層６がＡＬＧ＆Ａｌｌ三元混晶半導体
からなる場合の上記フォトカプラの製作手順について説
明する。
まず、製品としてのフォトカプラにおける発光素子２の
発光出力および波長と、受光素子８の受光感度および帯
域幅とが最適状態でマツチングするよりなＡＬとＧ＆と
Ａ８の組成を化学量論に％とすいて決定する。すなわち
、Ａ１ＧａＡｓ系三元混晶半導体の組成ＡＬｘＧａ１−
ｘＡａにおけるＸ値を発光素子２および受光素子８の各
薄膜層について決定する。これは、発光素子２の発光出
力および波長、受光素子８の受光感度および帯域幅が、
それぞれのｎ形Ｊｉｊ８．１２．１６．１８゜２１．２
２とｐ形層９．’１３．１７．２２におけるＡＬＧａＡ
ｓ系三元混晶十三元混晶半導体ＧａとＡｓの組成によっ
て決定されるＰＮヘテロ接合部、すなわち発光層６〉よ
び受光層７それぞれのエネルギギャップによって左右さ
れる７％らである。
発光出力および波長と、受光素子８の受光感度および帯
域幅とが最適状態でマツチングするよりなＡＬとＧ＆と
Ａ８の組成を化学量論に％とすいて決定する。すなわち
、Ａ１ＧａＡｓ系三元混晶半導体の組成ＡＬｘＧａ１−
ｘＡａにおけるＸ値を発光素子２および受光素子８の各
薄膜層について決定する。これは、発光素子２の発光出
力および波長、受光素子８の受光感度および帯域幅が、
それぞれのｎ形Ｊｉｊ８．１２．１６．１８゜２１．２
２とｐ形層９．’１３．１７．２２におけるＡＬＧａＡ
ｓ系三元混晶十三元混晶半導体ＧａとＡｓの組成によっ
て決定されるＰＮヘテロ接合部、すなわち発光層６〉よ
び受光層７それぞれのエネルギギャップによって左右さ
れる７％らである。
つぎに、Ｇａを溶媒とし、ＧａＡｓおよびＡＡを溶質と
する液相条件において必要な濃度を、上記した各々のＸ
値にもとづいて理論計算によって求め、Ｇａ％ＧａＡｓ
およびＡＡの各々の材料を必要量準備する。また、ｎ形
層８．１２．１６．１８．２１．２２を形成する場合は
、上記材料に対してＳｎまたはＴｅをドーピングし、ｐ
形層４９゜１８．１７．２２を形成する場合はＧｅをド
ーピングする。こうして準備した材料を用いて、液相エ
ピタキシャル法により、ｎ形のＧａＡｓ半導体基板ｌ上
に、上記した各薄膜層群（ｎ形層およびｐ形りを順次積
層上に成長させ、ＰＮヘテテロ合層６，７を形成させる
。仁の後、蒸着法あるいはスパッタ法などを利用して、
Ｃｒ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ％Ａｕ！ｉｎ％人見あるいは
Ｎ１などの材料で反射形電極層１０．１４．１９．２４
を形成させ、つぎに１、エツチング、レーザビーム加工
。
する液相条件において必要な濃度を、上記した各々のＸ
値にもとづいて理論計算によって求め、Ｇａ％ＧａＡｓ
およびＡＡの各々の材料を必要量準備する。また、ｎ形
層８．１２．１６．１８．２１．２２を形成する場合は
、上記材料に対してＳｎまたはＴｅをドーピングし、ｐ
形層４９゜１８．１７．２２を形成する場合はＧｅをド
ーピングする。こうして準備した材料を用いて、液相エ
ピタキシャル法により、ｎ形のＧａＡｓ半導体基板ｌ上
に、上記した各薄膜層群（ｎ形層およびｐ形りを順次積
層上に成長させ、ＰＮヘテテロ合層６，７を形成させる
。仁の後、蒸着法あるいはスパッタ法などを利用して、
Ｃｒ、ＡｕＧｅ、ＡｕＺｎ％Ａｕ！ｉｎ％人見あるいは
Ｎ１などの材料で反射形電極層１０．１４．１９．２４
を形成させ、つぎに１、エツチング、レーザビーム加工
。
放電加工などの化学的方法あるいは物理的方法によって
所定幅の溝４を形成して発光素子！！および受光素子８
を形成する。この場合、＃Ｉ＃４は少なくともエピタキ
シャル成長層６の厚み程度の深さのものとして形成する
。最後に、ｐ形層１８および反射形電極層１４、ｎ形層
１８および反射形電極層１９、ｎ形層２８および反射形
電極層２４を加工し、蒸着法あるいはスパッタ法などに
よって電極層１６．２０，２．６を形成するとともに、
裏面電極層１１．２６をあわせて形成する。そして。
所定幅の溝４を形成して発光素子！！および受光素子８
を形成する。この場合、＃Ｉ＃４は少なくともエピタキ
シャル成長層６の厚み程度の深さのものとして形成する
。最後に、ｐ形層１８および反射形電極層１４、ｎ形層
１８および反射形電極層１９、ｎ形層２８および反射形
電極層２４を加工し、蒸着法あるいはスパッタ法などに
よって電極層１６．２０，２．６を形成するとともに、
裏面電極層１１．２６をあわせて形成する。そして。
外部リード端子２７〜８５を接続する。
なお、上記説明においては、ｎ形層およびｐ形層の形成
のために液相エピタキシャル成長法を利用した場合を説
明したが、気相あるいは分子線エピタキシー法を用いて
も同様の薄膜層が得られる。
のために液相エピタキシャル成長法を利用した場合を説
明したが、気相あるいは分子線エピタキシー法を用いて
も同様の薄膜層が得られる。
第５図に、上記第８図に示されたフォトカプラにおける
発光素子２の出力と受光素子８の受光感度との関係が示
されている。これから明らかなように、発光素子出力と
受′光素子感度との間にはすぐれた光学的マツチング状
態が得られる。なか。
発光素子２の出力と受光素子８の受光感度との関係が示
されている。これから明らかなように、発光素子出力と
受′光素子感度との間にはすぐれた光学的マツチング状
態が得られる。なか。
第５図は、受茜素子をフォトトランジスタとして構成り
、エミツタ層（ｎ形層）はＡｌＯ，８５ＧａＯ，６５Ａ
ａ、ベース＃（ｐ形層）はＡＬＱ、９５Ｇ＆０．９５Ａ
８、コレクタ層（ｎ’形層）ハＡｊ、Ｏ，Ｑ５ＧａＯ，
９５Ａｓの均一組成であり、また、発光素子および受光
素子のベースとエミツタ層間のＰＮヘテロ接合にて発光
ダイオードとして発光させ比ものである。
、エミツタ層（ｎ形層）はＡｌＯ，８５ＧａＯ，６５Ａ
ａ、ベース＃（ｐ形層）はＡＬＱ、９５Ｇ＆０．９５Ａ
８、コレクタ層（ｎ’形層）ハＡｊ、Ｏ，Ｑ５ＧａＯ，
９５Ａｓの均一組成であり、また、発光素子および受光
素子のベースとエミツタ層間のＰＮヘテロ接合にて発光
ダイオードとして発光させ比ものである。
つぎに、第４図は他の実施例を示したものである。すな
わち、この実施例では、エピタキシャル成長層５を発光
素子２と受光素子８とに分割するＷＩＩ４を、その中央
部において半円弧状に湾曲させている。そのため、発光
素子２ｆｃ凸状の張出部２ａが形成される一方、受光素
子８にはこの張出部２ａに対向する四入秋の陥入部８ａ
が形成される。
わち、この実施例では、エピタキシャル成長層５を発光
素子２と受光素子８とに分割するＷＩＩ４を、その中央
部において半円弧状に湾曲させている。そのため、発光
素子２ｆｃ凸状の張出部２ａが形成される一方、受光素
子８にはこの張出部２ａに対向する四入秋の陥入部８ａ
が形成される。
乙のようなものによると、第１ｖ！Ｊｒｃ示されたよう
な溝４が直線状に形成されているものに比べて発光層６
の発光面積および受光層７の受光面積が増大し、そのレ
ンズ効果によって画素子間の光結合効果が一層向上する
。
な溝４が直線状に形成されているものに比べて発光層６
の発光面積および受光層７の受光面積が増大し、そのレ
ンズ効果によって画素子間の光結合効果が一層向上する
。
第１図はこの発明の実施例によりフォトカプラ明図、第
４図は他の実施−例によるフォトカプラを楕念的に示し
た斜視図、第６図は発光素子出力と受光素子の受光感度
の一例を余す図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・発光素子％ｇａ・・・発
光素子の張出部、３・・・受光素子、８ａ・・・受光素
子の陥入部、４・・・溝、６工ビタキシヤル成長層、６
・・・発光層、７・・・受光層、８，１２．１６．１８
．２１゜２８・・・ｎ形層、９．１ｇ、１７．２２・・
・ｐ形層、１０．１４，１９．２４・・・反射形電極層
。 特許出願人 立石電機株式会社 μ 訓 Ａ １１↓ 紐姑閣紮ｆｈａ １７＊）！ｌ
凪第１図 第２Ｆ１ 第３図 手続補正書（自制 昭和５８年 ２月１０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−０９６５８９号 ２、発明の名称 光結金装置 ３、補正をする者 事１・１との関係 特許出願人 住 所 京都市右京区花園土堂町１０番地名 称 （２
９４）立石電機株式会社 ４、代理人 郵便片Ｐ）’５５０ ５、補正命令の日付 ＠和＝二門し：＝」ヒ：＝丑ヨ発式田ｙ 自発的
６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄ならびに図面。 ７、補正の内容 ム、明細書： （１）第６頁第１８行目； 「接合」とあるを「結合」と訂正します。 （２）第４頁第２行目； 「平担」とあるを「平坦」と訂正します。 （３）第５頁＃１１５行目および同頁筒１９行目；「ｐ
形接合層」とあるを「ｐ形層」と訂正します。 （４）第９頁第１７行目； 「ＡｔＸＧａニーＸＡ８Ｊとあるを［ＡｔｘＧａ、 −
ＸＡＩＩＪと訂正します。 （５）第９頁第１８行目および第１０貞第９行目；「Ｘ
値」とあるを「Ｘ値」と訂正します。 （６）第１０頁第２行目および同頁筒１２行目：ｒ２１
．２２Ｊとあるをｒ２１．２ｔＪと訂正します。 ３０図面 ： 第６図を別紙のとうり補正します。 以上
４図は他の実施−例によるフォトカプラを楕念的に示し
た斜視図、第６図は発光素子出力と受光素子の受光感度
の一例を余す図である。 ｌ・・・半導体基板、２・・・発光素子％ｇａ・・・発
光素子の張出部、３・・・受光素子、８ａ・・・受光素
子の陥入部、４・・・溝、６工ビタキシヤル成長層、６
・・・発光層、７・・・受光層、８，１２．１６．１８
．２１゜２８・・・ｎ形層、９．１ｇ、１７．２２・・
・ｐ形層、１０．１４，１９．２４・・・反射形電極層
。 特許出願人 立石電機株式会社 μ 訓 Ａ １１↓ 紐姑閣紮ｆｈａ １７＊）！ｌ
凪第１図 第２Ｆ１ 第３図 手続補正書（自制 昭和５８年 ２月１０日 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−０９６５８９号 ２、発明の名称 光結金装置 ３、補正をする者 事１・１との関係 特許出願人 住 所 京都市右京区花園土堂町１０番地名 称 （２
９４）立石電機株式会社 ４、代理人 郵便片Ｐ）’５５０ ５、補正命令の日付 ＠和＝二門し：＝」ヒ：＝丑ヨ発式田ｙ 自発的
６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄ならびに図面。 ７、補正の内容 ム、明細書： （１）第６頁第１８行目； 「接合」とあるを「結合」と訂正します。 （２）第４頁第２行目； 「平担」とあるを「平坦」と訂正します。 （３）第５頁＃１１５行目および同頁筒１９行目；「ｐ
形接合層」とあるを「ｐ形層」と訂正します。 （４）第９頁第１７行目； 「ＡｔＸＧａニーＸＡ８Ｊとあるを［ＡｔｘＧａ、 −
ＸＡＩＩＪと訂正します。 （５）第９頁第１８行目および第１０貞第９行目；「Ｘ
値」とあるを「Ｘ値」と訂正します。 （６）第１０頁第２行目および同頁筒１２行目：ｒ２１
．２２Ｊとあるをｒ２１．２ｔＪと訂正します。 ３０図面 ： 第６図を別紙のとうり補正します。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 上＊＋＊ニーｅ：：：；：Ｇ＝、二：：：二で一二二□ 長させるとともに、この成長層に溝を形成して相対向す
る発光素子と受光素子とを形成し１発光素子におけるヘ
テロ接合層と受光素子におけるヘテロ接合層とを光学的
に結合させてなる光結合装置。 （２） ｌ￥を湾曲状に形成し九特許請求のｌｉ！ｔ
Ｉ！Ａ第１項記載の光結合装置。 （３）中溝体＾板がＧａＡｓ半導体からなり、エピタキ
シャ宛戎長層がＡＬＧａＡｓ三元混晶半導体からなる特
許請求の範囲＠１項または第２項記軟の光結合装置。 （４）発光素子および受光素子に反射形電極層を設けた
特許請求の範囲第１項、第２項プたは第８項記載の光結
合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096589A JPS58213482A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096589A JPS58213482A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213482A true JPS58213482A (ja) | 1983-12-12 |
| JPH0425717B2 JPH0425717B2 (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=14169103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57096589A Granted JPS58213482A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58213482A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104823A (en) * | 1988-03-31 | 1992-04-14 | Northern Telecom Limited | Monolithic integration of optoelectronic and electronic devices |
| EP0887867A3 (en) * | 1993-11-02 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles |
| US6734451B2 (en) | 1993-11-02 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150389A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-02 | ||
| JPS5249787A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light coupling device |
-
1982
- 1982-06-04 JP JP57096589A patent/JPS58213482A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50150389A (ja) * | 1974-05-22 | 1975-12-02 | ||
| JPS5249787A (en) * | 1975-10-17 | 1977-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light coupling device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104823A (en) * | 1988-03-31 | 1992-04-14 | Northern Telecom Limited | Monolithic integration of optoelectronic and electronic devices |
| EP0887867A3 (en) * | 1993-11-02 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles |
| EP0893834A3 (en) * | 1993-11-02 | 1999-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor device comprising an aggregate of semiconductor micro-needles |
| US6087197A (en) * | 1993-11-02 | 2000-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
| US6177291B1 (en) | 1993-11-02 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of making aggregate of semiconductor micro-needles |
| US6489629B1 (en) | 1993-11-02 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
| US6734451B2 (en) | 1993-11-02 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425717B2 (ja) | 1992-05-01 |
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