JPS58213481A - 光結合装置 - Google Patents
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- JPS58213481A JPS58213481A JP57096588A JP9658882A JPS58213481A JP S58213481 A JPS58213481 A JP S58213481A JP 57096588 A JP57096588 A JP 57096588A JP 9658882 A JP9658882 A JP 9658882A JP S58213481 A JPS58213481 A JP S58213481A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光素子と受光素子とを光学的に結合させた
光結合装置に関するものである。
光結合装置に関するものである。
従来のこの種の光結合装置（以下、７＋ｅ）カプラとい
う。）は、一対のり一ド７レームのうち、一方のフレー
ムに発光素子を、他方のフレームに受光素子をそれぞれ
装着するとともに、これら画素子を所定間隔を維持して
対向配置し、さらＫ。
う。）は、一対のり一ド７レームのうち、一方のフレー
ムに発光素子を、他方のフレームに受光素子をそれぞれ
装着するとともに、これら画素子を所定間隔を維持して
対向配置し、さらＫ。
画素子間を透光性樹脂でモールドした後、成形樹脂によ
って所定の形状にパッケージし九構成のものが多かった
。
って所定の形状にパッケージし九構成のものが多かった
。
この種の７オトカプツにあっては、発光素子の射光路と
受光素子の入党路とを的確に合致させておくことがその
光量損を少なくし、入党量に対する光電変換効率を向上
させるのに重要である。しかしながら、従来のフォトカ
プラでは、上記のように１発光素子と受光素子とを各別
のフレームに装着する必要があり、しかも、画素子間を
透光性樹脂でモールドする必要があるために１画素子の
光路を厳密に一致させることが難しく、このことが製作
工程中での不良品の増加を招き、製品歩留りを低下さ゛
せている。また、画素子の光路を的確に合致させ、しか
も、製品歩留りを向上させようとすれば、製作工程中で
の厳密な管理が要求されるだめ、生産性の低下につなが
ることになる。さらに、発光素子および受光素子を各別
のフレームに装着するための工数が余分忙必要となるた
め、このことが生産性を一層低下させている。さらにま
た、発光素子と受光素子とが透光性樹脂モールドを介し
て対向している丸め、画素子相互間の光学的結合度が低
いものとなシやすい上、その小形化を達成しＫくいとい
う欠点があった。
受光素子の入党路とを的確に合致させておくことがその
光量損を少なくし、入党量に対する光電変換効率を向上
させるのに重要である。しかしながら、従来のフォトカ
プラでは、上記のように１発光素子と受光素子とを各別
のフレームに装着する必要があり、しかも、画素子間を
透光性樹脂でモールドする必要があるために１画素子の
光路を厳密に一致させることが難しく、このことが製作
工程中での不良品の増加を招き、製品歩留りを低下さ゛
せている。また、画素子の光路を的確に合致させ、しか
も、製品歩留りを向上させようとすれば、製作工程中で
の厳密な管理が要求されるだめ、生産性の低下につなが
ることになる。さらに、発光素子および受光素子を各別
のフレームに装着するための工数が余分忙必要となるた
め、このことが生産性を一層低下させている。さらにま
た、発光素子と受光素子とが透光性樹脂モールドを介し
て対向している丸め、画素子相互間の光学的結合度が低
いものとなシやすい上、その小形化を達成しＫくいとい
う欠点があった。
この発明は上記のような不都合や欠点を改善するため罠
なされたものであり、光結合度が高く、しかも生産性の
高い小形のフォトカプラを提供することを目的とするも
のである。
なされたものであり、光結合度が高く、しかも生産性の
高い小形のフォトカプラを提供することを目的とするも
のである。
すなわち、この発明は上記目的を達成するために、半導
体基板の主面上に発光素子と受光素子とを積層状に配設
し、これらを光学的に結合させたものである。
体基板の主面上に発光素子と受光素子とを積層状に配設
し、これらを光学的に結合させたものである。
この発明において、発光素子および受光素子は、それぞ
れ、厚さ数十ミクロン（μｍ）以下の薄暎層を多層に積
層することによって構成され、しかも、発光素子の発光
領域と受光素子の受光領域とが数百ミクロン以、下の透
明な薄膜群を介して近接されるため、上記発光領域と受
光領域との高度な光学的結合状態が容易に得られ、その
光量損がきわめて少なくなる上、小形化が容易に達成さ
れる。
れ、厚さ数十ミクロン（μｍ）以下の薄暎層を多層に積
層することによって構成され、しかも、発光素子の発光
領域と受光素子の受光領域とが数百ミクロン以、下の透
明な薄膜群を介して近接されるため、上記発光領域と受
光領域との高度な光学的結合状態が容易に得られ、その
光量損がきわめて少なくなる上、小形化が容易に達成さ
れる。
加えて発光素子および受光素子をリードフレームに装着
するための工数が不要となるので、製作工程がｆｆＩＪ
ｊ１８化される。
するための工数が不要となるので、製作工程がｆｆＩＪ
ｊ１８化される。
また、この発明の好適な実施例によれば、半導体基板が
ＧａＡｓ半導体からなり１発光素子および受光素子がＡ
ｔＧａＡｓ三元混晶半導体からなるので、従来のように
シリコン系素子を受光素子として用いたものに比べて高
速応性の７オトカプラの提供が可能となり、しかも、発
光素子と受光素予きの間に良好な光学的マツチング状態
が得ら、れ、その結□ とができるようになる。さら
に、最上層に位置する発光素子の裏面′または受光素子
の裏面に反射膜が設けられるため、発光素子においては
射出光量増加の幼果があり、受光素子においては入射光
のうらの反射ＩｌＫに到達した光が反射されて再び受光
素子へ入射され、これが受光素子における光電変換（で
寄与することになるので、その充電変換効率が高められ
、性能向上につながる。
ＧａＡｓ半導体からなり１発光素子および受光素子がＡ
ｔＧａＡｓ三元混晶半導体からなるので、従来のように
シリコン系素子を受光素子として用いたものに比べて高
速応性の７オトカプラの提供が可能となり、しかも、発
光素子と受光素予きの間に良好な光学的マツチング状態
が得ら、れ、その結□ とができるようになる。さら
に、最上層に位置する発光素子の裏面′または受光素子
の裏面に反射膜が設けられるため、発光素子においては
射出光量増加の幼果があり、受光素子においては入射光
のうらの反射ＩｌＫに到達した光が反射されて再び受光
素子へ入射され、これが受光素子における光電変換（で
寄与することになるので、その充電変換効率が高められ
、性能向上につながる。
さらに、この発明の発光素子および受光素子を半導体基
板上に積層させるに際してエピタキシャルｂＺ ｋ法を
用いる場合には、発光素子および受光斯子にふ・ける各
＃膜層のＧｔｎとＡ４との組成比の差異による格子不整
合が少なくなり、均一な薄膜成長層をもったフォトカプ
ラとなる。
板上に積層させるに際してエピタキシャルｂＺ ｋ法を
用いる場合には、発光素子および受光斯子にふ・ける各
＃膜層のＧｔｎとＡ４との組成比の差異による格子不整
合が少なくなり、均一な薄膜成長層をもったフォトカプ
ラとなる。
つぎに、この発明の実施例を図面にしたがって４シε１
３ｊ１する。
３ｊ１する。
この発１．！ｌ］のフォトカプラは、第１図に示すよう
に、半導体基板ｌの同−主面上に、薄膜構造の発光素子
２と受光素子３を上ドに積層し、受光素子３の受光領域
と発光素子２の発光領域上を対向配設して、画素子が光
学的に結合するように構成されている。
に、半導体基板ｌの同−主面上に、薄膜構造の発光素子
２と受光素子３を上ドに積層し、受光素子３の受光領域
と発光素子２の発光領域上を対向配設して、画素子が光
学的に結合するように構成されている。
上記発光素子２は、第２図に示すように、上記半導体基
板ｌ上のｎ形層４４、Ｐ形層５の順に積層され、発光ダ
イオードとして形成される。この場合、ｎ形層４の電極
は上記半導体基板ｌの裏面電極層１０として形成される
。また、受光素子３け、第２図に示すようＩＩＣ，ｎ形
層６、及びＰ形層７の順に積層形成されたフォトダイオ
ード、または、第３図に示すように、ｎ形層１６．Ｐ形
層１７、ｎ形層４１８の順に積層して、それぞれコレク
タ、ベース、エミッタを形成したフォトトランジスタと
して構成される。そして、受光素子３の裏面には、発光
素子２から発した光のうち、受光素子３を透過した光Ｐ
を反射させて、再び受光素子３に入射させて光電変換に
寄与させ、光電変換効率を向上させるために、反射膜８
が設けられている。
板ｌ上のｎ形層４４、Ｐ形層５の順に積層され、発光ダ
イオードとして形成される。この場合、ｎ形層４の電極
は上記半導体基板ｌの裏面電極層１０として形成される
。また、受光素子３け、第２図に示すようＩＩＣ，ｎ形
層６、及びＰ形層７の順に積層形成されたフォトダイオ
ード、または、第３図に示すように、ｎ形層１６．Ｐ形
層１７、ｎ形層４１８の順に積層して、それぞれコレク
タ、ベース、エミッタを形成したフォトトランジスタと
して構成される。そして、受光素子３の裏面には、発光
素子２から発した光のうち、受光素子３を透過した光Ｐ
を反射させて、再び受光素子３に入射させて光電変換に
寄与させ、光電変換効率を向上させるために、反射膜８
が設けられている。
そして、上記のように１発光素子２、受光素子３、反射
膜８が積層配設されるとともに、上記各電極ｗ４５．６
．７．１Ｏ１１６，１７，１８ごとに階段状に段差をも
って形成ざ゛れており、これら電極層５．１Ｏ１６，７
，１６，１７，１８の露出面には、それぞれ入力側の外
部リード端子１２．１１、および出力側の外部リード端
子１３．１４．１９．２０，２１が接続されている。な
お、９祉引出し電極層を示−している。
膜８が積層配設されるとともに、上記各電極ｗ４５．６
．７．１Ｏ１１６，１７，１８ごとに階段状に段差をも
って形成ざ゛れており、これら電極層５．１Ｏ１６，７
，１６，１７，１８の露出面には、それぞれ入力側の外
部リード端子１２．１１、および出力側の外部リード端
子１３．１４．１９．２０，２１が接続されている。な
お、９祉引出し電極層を示−している。
なお、上記実施側では、半導体基板１上に発光素子２、
受光素子３、反射１１１［８の順に積層して形成したが
、第４図に示すように上記受光素子３と発光素子２の位
置を入れかえ拳てもよい。このようにすれば、受光素子
３の受光領域を、発光素子２０発光領域に対して、相対
的に広くできるので、一層効率のよい７オトカプラが得
られる。
受光素子３、反射１１１［８の順に積層して形成したが
、第４図に示すように上記受光素子３と発光素子２の位
置を入れかえ拳てもよい。このようにすれば、受光素子
３の受光領域を、発光素子２０発光領域に対して、相対
的に広くできるので、一層効率のよい７オトカプラが得
られる。
りぎに、半導体基板１がＧａＡｓ半導体から冷°り、発
光素子２および受光素子３がＡｇＧａＡｓ三元混晶半導
体からなる場合の７オトカプ２を製作手順の一例を説明
する。
光素子２および受光素子３がＡｇＧａＡｓ三元混晶半導
体からなる場合の７オトカプ２を製作手順の一例を説明
する。
まず、フォトカブラに要求される応答スピード光電変換
効率、耐ノイズ性等を考慮して、発光素子２０発光波長
と受光素子３の受光帯域幅を叶適状急にマツチングさせ
るように設定する。このようにして設定された、発光波
長及び受光帯域幅を実現するためにＡｌＧａＡｓ三元混
晶半導体のＡｔとＧａとＡｓとの組成比を化学級論にも
とづいて決定する。
効率、耐ノイズ性等を考慮して、発光素子２０発光波長
と受光素子３の受光帯域幅を叶適状急にマツチングさせ
るように設定する。このようにして設定された、発光波
長及び受光帯域幅を実現するためにＡｌＧａＡｓ三元混
晶半導体のＡｔとＧａとＡｓとの組成比を化学級論にも
とづいて決定する。
すなわち、三元混晶半導体の組成Ａｔ ｘＧａ １−ｘ
ＡｓにおけるＸ値を発光素子２および受光素子３を形成
する各薄膜層につｂて決定する。そして、上記各薄１模
層をＧａＡｓ半導体基板ｌ上に形成するために、たとえ
ば液相エピタキシセル法を用いるＪｌｌには、上記各ｗ
ｉ１閘層における上記ｘ値を達成するために、Ｇａを溶
媒とし、 ＧａＡｓおよびＡＩを溶質とする液相条件に
おいて必要な各濃度を理論計算により求め、Ｇａ ｓ
ＧａＡｓ 、 ＡＩの各々の材料の必要量を準備する。
ＡｓにおけるＸ値を発光素子２および受光素子３を形成
する各薄膜層につｂて決定する。そして、上記各薄１模
層をＧａＡｓ半導体基板ｌ上に形成するために、たとえ
ば液相エピタキシセル法を用いるＪｌｌには、上記各ｗ
ｉ１閘層における上記ｘ値を達成するために、Ｇａを溶
媒とし、 ＧａＡｓおよびＡＩを溶質とする液相条件に
おいて必要な各濃度を理論計算により求め、Ｇａ ｓ
ＧａＡｓ 、 ＡＩの各々の材料の必要量を準備する。
また、上記各薄膜層のうち、ｎ形層４．６．１６．１８
を形成する場合には、上記材料に対して激暇の５または
Ｔｅをドーピングする。Ｐ（杉−５，１７を形成する場
合にはｓＧｅをドーピングする。このようにして準備し
た材料を用いて液相エピタキシャル法によりｎ形のＧａ
Ａｓ半導体基板上に上記各階１１・）層を成長させ、ｎ
形層とＰ形層の間にペテロ接合部を形成させる。つぎに
蒸着法、スノ譬ツタ法などによ”ｐ Ａｔ、 Ｎｉ ＃
Ｉの材料を用い、必要に応じて反射＋１ｑ ８を形成後
、エツチングまたはレーザービーム加工、放電加工など
により、ｎ形またはＰ形の各薄膜層５．６．７．１６．
１７．１８及び反射膜８を慎２図オたけ４１ｒ１３図に
示すように１階段状に加工し、これらの上Ｋ、蒸着法、
スパッタ法など虻より Ｃｙ、 ＡｕＧ１．Ａ＋ｉＺｎ
、ＡｕＳｎ等の材料を用いて外部リード端子と接続する
ための引出し電極層９を形成する。次に同様にして、裏
面Ｉｆｆｔ極−１０を形成する。
を形成する場合には、上記材料に対して激暇の５または
Ｔｅをドーピングする。Ｐ（杉−５，１７を形成する場
合にはｓＧｅをドーピングする。このようにして準備し
た材料を用いて液相エピタキシャル法によりｎ形のＧａ
Ａｓ半導体基板上に上記各階１１・）層を成長させ、ｎ
形層とＰ形層の間にペテロ接合部を形成させる。つぎに
蒸着法、スノ譬ツタ法などによ”ｐ Ａｔ、 Ｎｉ ＃
Ｉの材料を用い、必要に応じて反射＋１ｑ ８を形成後
、エツチングまたはレーザービーム加工、放電加工など
により、ｎ形またはＰ形の各薄膜層５．６．７．１６．
１７．１８及び反射膜８を慎２図オたけ４１ｒ１３図に
示すように１階段状に加工し、これらの上Ｋ、蒸着法、
スパッタ法など虻より Ｃｙ、 ＡｕＧ１．Ａ＋ｉＺｎ
、ＡｕＳｎ等の材料を用いて外部リード端子と接続する
ための引出し電極層９を形成する。次に同様にして、裏
面Ｉｆｆｔ極−１０を形成する。
そして、上記各電極層９と外部リード端子１２．１３．
１４．１１．１９．２０．２１とを接続して、フォトカ
ブラを作製する。
１４．１１．１９．２０．２１とを接続して、フォトカ
ブラを作製する。
上記のようにＧａＡ＋ｓ半導体基板ｌ上１ｃＡｚＧａＡ
ｓ三元混晶休からなるｗＩ嗅層を用いて発光素子２およ
び受光素子３を形成することＫより、第５図に示すよう
に、発光素子２と受光素子３．の光学的にすぐれた！ツ
チング状態が得られ、また、 Ｇ１Ａｓ半導体基板ｌ上
に各薄膜層を順次接層形成することＫよって、上記受光
素子３の受光領域と上記発光素子２の発光領域との高度
な光学的結合が、光路の一致等に特別の注意をしないで
も容易に＃られる。
ｓ三元混晶休からなるｗＩ嗅層を用いて発光素子２およ
び受光素子３を形成することＫより、第５図に示すよう
に、発光素子２と受光素子３．の光学的にすぐれた！ツ
チング状態が得られ、また、 Ｇ１Ａｓ半導体基板ｌ上
に各薄膜層を順次接層形成することＫよって、上記受光
素子３の受光領域と上記発光素子２の発光領域との高度
な光学的結合が、光路の一致等に特別の注意をしないで
も容易に＃られる。
また、上記各薄膜層は数ミクロンから数十ミクロンの厚
さの非常に燐いものであり、上記受光領域と発光領域が
数百ミクロン以下の透明な薄膜群を介して近接【７てい
るため光学的損失が極めて少なくなる。さらに、上記受
光素子３の裏面には反射膜°層８が配設され”Ｃいるた
め、受光素子３を透過した光は、ここで反射され再び受
光素子３へ入射させて光電変換に寄与させることができ
るので、光電変換効率が一層高いものとなる。
さの非常に燐いものであり、上記受光領域と発光領域が
数百ミクロン以下の透明な薄膜群を介して近接【７てい
るため光学的損失が極めて少なくなる。さらに、上記受
光素子３の裏面には反射膜°層８が配設され”Ｃいるた
め、受光素子３を透過した光は、ここで反射され再び受
光素子３へ入射させて光電変換に寄与させることができ
るので、光電変換効率が一層高いものとなる。
このような７オトカプラは上述した方法をζよって製作
されるが、その場合において、＃膜層の形成にｔよ、上
記した液相上、ビタキシｉル法のほか、気相エピタキシ
ー法や分子線エピタキシー法を用いることも可能である
。
されるが、その場合において、＃膜層の形成にｔよ、上
記した液相上、ビタキシｉル法のほか、気相エピタキシ
ー法や分子線エピタキシー法を用いることも可能である
。
第１図は、この発明の実施例によるフォトヵプラを概念
的に示した斜視図、第２図および第３図はその詳細説明
図、第４図はこの発明に係る他の実施例によるブオ′ト
カプラを概念的に示した斜視図、＠５図は、第３図に示
さｈたフォトカプラにおける発光素子及び受光素子の発
−受光スペクトル関係を示す図である。 １・・半導体基板、 ２・・・発光素子、 ３・・・受光素子、 ４・・１１・形層（ｎ−Ａ／ ｘＩＧａｌ−ｘｌＡｍ
）、５ ・））形層（Ｐ−ＡｌｚｚＧｓｉ １−ｚｓＡ
＋ｓ ）、６・・・、１形層（ｎ−ＡｚｘａＧｍｘ −
ｚｓＡｓ ）、７−Ｐ 形層 （Ｐ−ＡｚｘａＧｍｘ−
ｘａＡｓ ） 、８・・・反射膜、 １６−＝−ｎ形層（コレクタ層） （ｎ；−ＡｌｚｉＧ
ａｔ ｓＡｓ ）、１７ ・ｐ形層（ペース層） （Ｐ
−ＡｔｘｓＧａｌ−ｚｓＡｓ ）、１８ ・・叫１形層
（エミツタ層） （ｎ−ＡｚｘｖＧａｌ−ｚｙＡｓ ）
、第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 （注りＬＢＤの発光層＝ Ｐ−Ａｌ１．、ＱｓＧａｏ、
ＮＡｓＺオドトランジスタ （注２） 、 ＝＝ ｎ −Ａ Ｊ ｏ
ａ Ｇ ａ ６ 、、ｙ Ａ ｓの工毫ツタ層 手続補止讐！Ｆ（自発） 昭和５８年 ２”１０ｎ 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−０９６５８８号 ２、発明の名称 光結合装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許ｈＨ人 住 所−京都市右京区花園土堂町１０番地名 称 （２
９４）立石電機株式会社 ４、代理人 郵便番号 ５５０ 明細書の「発明の詳細な説明」および「図面の７、補正
の内容 Ａ、明細侮； （１）第６頁第５行目、同頁第９行目、同頁第１１行目
、第８頁第１７行目、第９頁第１行目 同頁第５行目、
第１１頁第１１行目（２個所）、同頁第１３行目（２個
所）および同頁第１６行目；「Ｐ」とあるをｒｐＪと訂
正します。 （２）第８＊＠ １０行目； 「エピタキシセル」とあるを「エピタキシャル」と訂正
します。 （３）第８頁第１６行目； 「微量」とあるを１微量」と訂正します。 （４）第９頁第９行目； 「ａｌ、ｈｕＧｌｌＪとあるを「０ｒｑＡｕＧｓ Ｊと
訂正します。 （５）第１０貞第４行目： 「得られる。」のつぎに下記の事項を加入します。 記 ［なお、第５図において、曲＄１１Ａは発光素子である
ＬＩＤ発光層（ｐ −Ａｔ０．０５０ｍ０．９６Ａｓ
）＋７）特°性を示し、曲１ＭＢは受光素子であるフォ
トトランジスタのエミツタ層（ｈ −Ａｔ０，３Ｇａ０
．７Ａｓ ）の特性を示す。 」 （６）第１１頁第１行目および同頁第１行目〜同頁第４
行目； 「斜視図ｊとあるを「説明図］と訂正します。 ＢＪ面： 第６図および第５ｒｇＪをそれぞれ別紙のとうり補正し
ます。 以 上
的に示した斜視図、第２図および第３図はその詳細説明
図、第４図はこの発明に係る他の実施例によるブオ′ト
カプラを概念的に示した斜視図、＠５図は、第３図に示
さｈたフォトカプラにおける発光素子及び受光素子の発
−受光スペクトル関係を示す図である。 １・・半導体基板、 ２・・・発光素子、 ３・・・受光素子、 ４・・１１・形層（ｎ−Ａ／ ｘＩＧａｌ−ｘｌＡｍ
）、５ ・））形層（Ｐ−ＡｌｚｚＧｓｉ １−ｚｓＡ
＋ｓ ）、６・・・、１形層（ｎ−ＡｚｘａＧｍｘ −
ｚｓＡｓ ）、７−Ｐ 形層 （Ｐ−ＡｚｘａＧｍｘ−
ｘａＡｓ ） 、８・・・反射膜、 １６−＝−ｎ形層（コレクタ層） （ｎ；−ＡｌｚｉＧ
ａｔ ｓＡｓ ）、１７ ・ｐ形層（ペース層） （Ｐ
−ＡｔｘｓＧａｌ−ｚｓＡｓ ）、１８ ・・叫１形層
（エミツタ層） （ｎ−ＡｚｘｖＧａｌ−ｚｙＡｓ ）
、第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 （注りＬＢＤの発光層＝ Ｐ−Ａｌ１．、ＱｓＧａｏ、
ＮＡｓＺオドトランジスタ （注２） 、 ＝＝ ｎ −Ａ Ｊ ｏ
ａ Ｇ ａ ６ 、、ｙ Ａ ｓの工毫ツタ層 手続補止讐！Ｆ（自発） 昭和５８年 ２”１０ｎ 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５７−０９６５８８号 ２、発明の名称 光結合装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許ｈＨ人 住 所−京都市右京区花園土堂町１０番地名 称 （２
９４）立石電機株式会社 ４、代理人 郵便番号 ５５０ 明細書の「発明の詳細な説明」および「図面の７、補正
の内容 Ａ、明細侮； （１）第６頁第５行目、同頁第９行目、同頁第１１行目
、第８頁第１７行目、第９頁第１行目 同頁第５行目、
第１１頁第１１行目（２個所）、同頁第１３行目（２個
所）および同頁第１６行目；「Ｐ」とあるをｒｐＪと訂
正します。 （２）第８＊＠ １０行目； 「エピタキシセル」とあるを「エピタキシャル」と訂正
します。 （３）第８頁第１６行目； 「微量」とあるを１微量」と訂正します。 （４）第９頁第９行目； 「ａｌ、ｈｕＧｌｌＪとあるを「０ｒｑＡｕＧｓ Ｊと
訂正します。 （５）第１０貞第４行目： 「得られる。」のつぎに下記の事項を加入します。 記 ［なお、第５図において、曲＄１１Ａは発光素子である
ＬＩＤ発光層（ｐ −Ａｔ０．０５０ｍ０．９６Ａｓ
）＋７）特°性を示し、曲１ＭＢは受光素子であるフォ
トトランジスタのエミツタ層（ｈ −Ａｔ０，３Ｇａ０
．７Ａｓ ）の特性を示す。 」 （６）第１１頁第１行目および同頁第１行目〜同頁第４
行目； 「斜視図ｊとあるを「説明図］と訂正します。 ＢＪ面： 第６図および第５ｒｇＪをそれぞれ別紙のとうり補正し
ます。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）半導体基板の主面上に発光素子と受光素子とを積
層状に配設し、これらを光学的に結合させてなる光結合
装置。 （！）半導体基板の主面上に下から順に発光素子と受光
素子とを積層状に配設し、受光素子の裏面に反射膜を設
けた特許請求の範囲第１項記載の光結合装置。 （３）半導体基板の主面上に下から順に受光素子と発光
素子とを積層状に配設し、発光素子の裏面に反射膜を設
けた特許請求の範囲第１項記載の光結合装置・ （４）受光素子が７゛オドトランジスタを九はフォトダ
イオードである特許請求の範囲第１項、第２項または第
３項記載の光結合装置。 （５）半導体基板がＧ１Ａｓ半導体からなり、発光素子
および受光素子がＡｌＧｍＡｍ三元混晶半導体からなる
特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４項記
載の光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096588A JPS58213481A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57096588A JPS58213481A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58213481A true JPS58213481A (ja) | 1983-12-12 |
Family
ID=14169079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57096588A Pending JPS58213481A (ja) | 1982-06-04 | 1982-06-04 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58213481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025610A (en) * | 1997-01-23 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Solid relay and method of producing the same |
-
1982
- 1982-06-04 JP JP57096588A patent/JPS58213481A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6025610A (en) * | 1997-01-23 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Solid relay and method of producing the same |
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