JPS58210541A - パルス負荷破断装置 - Google Patents
パルス負荷破断装置Info
- Publication number
- JPS58210541A JPS58210541A JP9433882A JP9433882A JPS58210541A JP S58210541 A JPS58210541 A JP S58210541A JP 9433882 A JP9433882 A JP 9433882A JP 9433882 A JP9433882 A JP 9433882A JP S58210541 A JPS58210541 A JP S58210541A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rod
- vacuum chamber
- bellows
- crack
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N3/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N3/32—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress by applying repeated or pulsating forces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2203/00—Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
- G01N2203/0014—Type of force applied
- G01N2203/0016—Tensile or compressive
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高真空中におけるパルス負荷破断装置に関し
、その目的とするところは成る温度範囲における例えば
シリコン単結晶等の試料中のクラック伝播速度を高真空
中で精密に測定するたδ５大気圧による負荷重への影響
を受けることノアくかつ瞬間的なりランク伝播現象に対
応して試ｊ［ｃこ請１．：、ｔに負荷重を加えることが
できるパルスＣ’ｌ １＋：ｉ ：伎断装置を提供する
ことにある。
、その目的とするところは成る温度範囲における例えば
シリコン単結晶等の試料中のクラック伝播速度を高真空
中で精密に測定するたδ５大気圧による負荷重への影響
を受けることノアくかつ瞬間的なりランク伝播現象に対
応して試ｊ［ｃこ請１．：、ｔに負荷重を加えることが
できるパルスＣ’ｌ １＋：ｉ ：伎断装置を提供する
ことにある。
本発明は、上記目的を達成す・Ｃため、クラ−７り伝播
速度が測定されるへき試ネ二１をａｌｌｌ定ｈ”ｉ ｉ
”’、Ｌにセットするためのものであって試料に負荷Φ
：′を伝えるロッドを内部に有する真空室と、真空′１
この内部に連通ずるごとく真空室に一方の芯１部カ→Ｖ
口けられるとともに他方の端部が固定されかつ真空室の
内部から当該内部に突き出た１）ＩＪ記ロッドの１・１
“１６部が一段目と２段目との間に係止されたｈ段間種
：、”ｋ成の２段式ベローズと、前記ロットのＪ’１ｉ
ｉｆ部ｌこパルス的負荷重を加える手段とからなるパル
ス負荷破断装置により構成されている。
速度が測定されるへき試ネ二１をａｌｌｌ定ｈ”ｉ ｉ
”’、Ｌにセットするためのものであって試料に負荷Φ
：′を伝えるロッドを内部に有する真空室と、真空′１
この内部に連通ずるごとく真空室に一方の芯１部カ→Ｖ
口けられるとともに他方の端部が固定されかつ真空室の
内部から当該内部に突き出た１）ＩＪ記ロッドの１・１
“１６部が一段目と２段目との間に係止されたｈ段間種
：、”ｋ成の２段式ベローズと、前記ロットのＪ’１ｉ
ｉｆ部ｌこパルス的負荷重を加える手段とからなるパル
ス負荷破断装置により構成されている。
以下、本発明を図面に示す実（仏例に、１．ζづいて詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の一実施伝の概略的に面図である。真空
室（１）は、頂面板（２）と側面板ｆ：＋） ｉｌｌと
底面板（５）とからなる。真空室（］）の内部には、Ｉ
Ｊ″Ｉ ｒＷ）用コイル（６）と冷却用フィン（７）と
を有する加昌炉（８）が設置される。この加熱炉（８）
の内部には、クラ、り１２４１速度が測定されるべきシ
リコンｌｌｉ結晶等の試料量を測定位置にセットするた
めのロッド０Ｑが位置する。このロッドＯｑの端部は真
空室（］）の頂面１９ ＋２）の穴θυを通って外部に
突き出る。真空室（１）の頂面（反（２）の穴０】）を
介して真空室（１）の内部と連通ずるごとく当該真空室
（１）の頂面板（２）に各段（１，２１）（１２２）が
同種構成の２段式のベローズｑ２の下段（１２１）側の
端部が取付けられる。前記ロッド０（１の端部は、ベロ
ーズαカの内部に挿通されたごとくにな−、てベローズ
０′４の下段側（１２１）と上段側（１２２）と・、り
間に係１トされた係止板０３を介してベローズじの内部
に深化される。ベローズａ２の上段側（１２２’）の′
ｆ１１部は！・：′１台０４）に固定される。
室（１）は、頂面板（２）と側面板ｆ：＋） ｉｌｌと
底面板（５）とからなる。真空室（］）の内部には、Ｉ
Ｊ″Ｉ ｒＷ）用コイル（６）と冷却用フィン（７）と
を有する加昌炉（８）が設置される。この加熱炉（８）
の内部には、クラ、り１２４１速度が測定されるべきシ
リコンｌｌｉ結晶等の試料量を測定位置にセットするた
めのロッド０Ｑが位置する。このロッドＯｑの端部は真
空室（］）の頂面１９ ＋２）の穴θυを通って外部に
突き出る。真空室（１）の頂面（反（２）の穴０】）を
介して真空室（１）の内部と連通ずるごとく当該真空室
（１）の頂面板（２）に各段（１，２１）（１２２）が
同種構成の２段式のベローズｑ２の下段（１２１）側の
端部が取付けられる。前記ロッド０（１の端部は、ベロ
ーズαカの内部に挿通されたごとくにな−、てベローズ
０′４の下段側（１２１）と上段側（１２２）と・、り
間に係１トされた係止板０３を介してベローズじの内部
に深化される。ベローズａ２の上段側（１２２’）の′
ｆ１１部は！・：′１台０４）に固定される。
前記係止板（１３は、固定台Ｇ４）に挿通された取ｔ−
Ｊ１１ｉ（ｌｉ （１１とこの取付棒０υ叫に固定され
た取付板（１υとを介して、負荷重を検出することがで
きる半導体ロードセル０りこ固定される。半導体ロード
セフＬ／ ｏｎ ハ、コイル０約と永久磁石０１とから
なってパルス的負荷重を加える加重装置（１）に取付け
られる。なお、（！１１は真空室（１）の内部を排気す
る排気；−）・であり、山は真空室（１）を上下させる
ための鉄線口 ７であり、■は加熱炉（８）を所定の位
置に固定する・１４持Ｍ４である。なお、試料（９）に
おけるクラ、り１．！ｈ＋：速１鼓全１磁気的に検出す
るため試料（！＋）に接続されたｌ’、；ｉ示しない検
出用リード線が接続される４個σ”ｉｌ：Ｉ ’Ｊ’は
ハーメチックシール（ハ）に接続される。なお、４個の
端子に導びかれた検出信号によりクラック（！（播速度
を測定する回路は図示されていない。この試料（９）は
、第２図に示すようにシリコンｉｌ 紀Ｈ品用＋ ノ面
１に酸化シリコン（ゼとクロム１！ｌ：ｉとが形１・（
ｊさｊｔてなるものである。なお、ｆ９４ｊは予めに形
成されたクラックである。この試料（９）には、に述の
検出用リード線υ５１何＠１９８が接続される。
Ｊ１１ｉ（ｌｉ （１１とこの取付棒０υ叫に固定され
た取付板（１υとを介して、負荷重を検出することがで
きる半導体ロードセル０りこ固定される。半導体ロード
セフＬ／ ｏｎ ハ、コイル０約と永久磁石０１とから
なってパルス的負荷重を加える加重装置（１）に取付け
られる。なお、（！１１は真空室（１）の内部を排気す
る排気；−）・であり、山は真空室（１）を上下させる
ための鉄線口 ７であり、■は加熱炉（８）を所定の位
置に固定する・１４持Ｍ４である。なお、試料（９）に
おけるクラ、り１．！ｈ＋：速１鼓全１磁気的に検出す
るため試料（！＋）に接続されたｌ’、；ｉ示しない検
出用リード線が接続される４個σ”ｉｌ：Ｉ ’Ｊ’は
ハーメチックシール（ハ）に接続される。なお、４個の
端子に導びかれた検出信号によりクラック（！（播速度
を測定する回路は図示されていない。この試料（９）は
、第２図に示すようにシリコンｉｌ 紀Ｈ品用＋ ノ面
１に酸化シリコン（ゼとクロム１！ｌ：ｉとが形１・（
ｊさｊｔてなるものである。なお、ｆ９４ｊは予めに形
成されたクラックである。この試料（９）には、に述の
検出用リード線υ５１何＠１９８が接続される。
次に、作用を説明する。
先ず、試料（９）をロッド０（Ｊにセットシ、加熱炉（
８）を支持棒（至）により所定の位置に固定する。その
後、鉄線ロープ（イ）により真空室（１）を４．−ちに
げて固定する。次に、真空室（１）の内部、を排気管・
りを介して排気して真空にする。
８）を支持棒（至）により所定の位置に固定する。その
後、鉄線ロープ（イ）により真空室（１）を４．−ちに
げて固定する。次に、真空室（１）の内部、を排気管・
りを介して排気して真空にする。
このようにして、次に必要な負荷重をコイル！：、＋（
・に電流を流すことにより、取付板ｊｌｔ〜、取付ｔ４
０Ｑ Ｏ” ＋係止板０３を介してロッド００の端部に
加える。そうすると、ロッドＯＩにセットされた試料（
９）に負荷重が加わる。この場合の負荷はパルス的にな
るようにコイル（８）に流す電流を制御する。また、こ
の負荷重の大きさは半導体ロードセルＱ７１により検出
する。
・に電流を流すことにより、取付板ｊｌｔ〜、取付ｔ４
０Ｑ Ｏ” ＋係止板０３を介してロッド００の端部に
加える。そうすると、ロッドＯＩにセットされた試料（
９）に負荷重が加わる。この場合の負荷はパルス的にな
るようにコイル（８）に流す電流を制御する。また、こ
の負荷重の大きさは半導体ロードセルＱ７１により検出
する。
ここで、真空室（１）の内部を真空にすると、図中、ベ
ローズの下段側（１２１）は大気圧により一ヒ方へのび
ようとするが、下段側（１２１）と同種構成の上段側（
１２２）が同様に大気圧により下方へのびようとするの
で、結局これら上下段側（１２１＋（１２２）の・ひび
ようとする力が共に互いののびようとする力により相殺
されることになり、真空室（１）を真空にすることによ
る大気圧による負荷べの影響は無視することができる。
ローズの下段側（１２１）は大気圧により一ヒ方へのび
ようとするが、下段側（１２１）と同種構成の上段側（
１２２）が同様に大気圧により下方へのびようとするの
で、結局これら上下段側（１２１＋（１２２）の・ひび
ようとする力が共に互いののびようとする力により相殺
されることになり、真空室（１）を真空にすることによ
る大気圧による負荷べの影響は無視することができる。
なお、加熱炉（８）により例えば室温から４００°Ｃま
での温度範囲におけるクラック伝４１ｊ速度を測定する
ことが可能である。
での温度範囲におけるクラック伝４１ｊ速度を測定する
ことが可能である。
以上説明したように、本発明によればクラック伝播速度
が測定されるべき試料を測定イ：７間にセットするため
のものであって試料に負荷中−を伝えろロッドを内部に
有する真空室と、５′、（空室の内部に連通するごとく
真空室に一方の端部が取ｉ４けられるとともに他方の端
部が固定されかつ真空室の内部から当該内部に突き出た
１１■記口、１・の端部が一段目と２段目との間に係止
されたｈ段間種構成の２段式ベロースト、前記ロッドの
端部にパルス的負荷重を加える手段とから構成されるの
で、大気圧による負荷重への影響を受けることなく、し
かも瞬間的なりランク伝播現象に対応して試料に負荷重
を精確に加えることができ、したがってシリ′コン単結
晶等の試料中のクラック伝播速度を高真空中で精密に測
定することが＋１Ｊ能になる等の効果が発揮される。
が測定されるべき試料を測定イ：７間にセットするため
のものであって試料に負荷中−を伝えろロッドを内部に
有する真空室と、５′、（空室の内部に連通するごとく
真空室に一方の端部が取ｉ４けられるとともに他方の端
部が固定されかつ真空室の内部から当該内部に突き出た
１１■記口、１・の端部が一段目と２段目との間に係止
されたｈ段間種構成の２段式ベロースト、前記ロッドの
端部にパルス的負荷重を加える手段とから構成されるの
で、大気圧による負荷重への影響を受けることなく、し
かも瞬間的なりランク伝播現象に対応して試料に負荷重
を精確に加えることができ、したがってシリ′コン単結
晶等の試料中のクラック伝播速度を高真空中で精密に測
定することが＋１Ｊ能になる等の効果が発揮される。
第１図は本発明の一実施例の概略的断面図、第２図はこ
の実施例に使用される試ネ・［の１１４向ｌである。 （旧・・真空室、（８）・・・加熱炉、（°す・試料、
（ロリ ・ロソト、０功・・ベローズ、Ｑｌｉ） コ
イル、（ドめ・・・永久磁石、（イ）・・・加重装置 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 岡 １）和 秀 第１図 ノ９ 第２図
の実施例に使用される試ネ・［の１１４向ｌである。 （旧・・真空室、（８）・・・加熱炉、（°す・試料、
（ロリ ・ロソト、０功・・ベローズ、Ｑｌｉ） コ
イル、（ドめ・・・永久磁石、（イ）・・・加重装置 特許出願人 株式会社島津製作所 代理人 弁理士 岡 １）和 秀 第１図 ノ９ 第２図
Claims (1)
- クラック伝播速度が測定されるべき試料を測定位置にセ
ットするためのものであ〜て試料に負荷重を伝えるロッ
トを内部に有する真空室と、真空室の内部に連通ずるご
とく真空室に一方の端部が取付けられるとともに他方の
端部が固定されかつ真空室の内部から当該内部に突き出
た前記ロッドの端部が一段目と２段目との間に係止され
た各段間“種構成の２段式ベローズと、前記ロッドの端
部にパルス的負荷重を加える手段とを含むことを特徴と
するパルス負荷破断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9433882A JPS58210541A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | パルス負荷破断装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9433882A JPS58210541A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | パルス負荷破断装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210541A true JPS58210541A (ja) | 1983-12-07 |
Family
ID=14107497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9433882A Pending JPS58210541A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | パルス負荷破断装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104359755A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-18 | 中国核动力研究设计院 | 用于力学试验机的真空密封结构及其安装方法 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9433882A patent/JPS58210541A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104359755A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-18 | 中国核动力研究设计院 | 用于力学试验机的真空密封结构及其安装方法 |
| CN104359755B (zh) * | 2014-11-17 | 2017-05-31 | 中国核动力研究设计院 | 用于力学试验机的真空密封结构及其安装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7493823B2 (en) | Pressure transducer with differential amplifier | |
| US4843445A (en) | Integrated semiconductor circuit and method for producing it, and use of such a circuit for providing a flow meter | |
| EP0354479A2 (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| CN106744644A (zh) | 一种mems传感器低应力封装管壳及封装系统 | |
| JP5038904B2 (ja) | 選択式ガスセンサ | |
| US20070196923A1 (en) | Method Of Checking The Hermeticity Of A Closed Cavity Of A Micrometric Component And Micrometric Component For The Implementation Of Same | |
| JP2007208249A (ja) | 処理条件検知ウェハおよびデータ分析システム | |
| JPS58210541A (ja) | パルス負荷破断装置 | |
| US10598557B2 (en) | Pressure level sensing device and a method for sensing pressure | |
| JP3386250B2 (ja) | 熱依存性検出装置 | |
| US4812801A (en) | Solid state gas pressure sensor | |
| CN104931193A (zh) | 一种带有参考真空室的mems皮拉尼计 | |
| JP2957046B2 (ja) | 被測定体への熱電対固定方法 | |
| CN112903176A (zh) | 基于封装基板的阵列式压力测量装置 | |
| JP3603059B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2021523837A (ja) | 少なくとも１つの膜構成体の製造方法、マイクロメカニカルセンサ用の膜構成体、および部品 | |
| JPH01216550A (ja) | 半導体ウェハープローバー用温度制御ステージ | |
| JPH0552691A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2569107B2 (ja) | 表面積計 | |
| JPH0329829A (ja) | 半導体圧力変換器 | |
| JP2003262650A (ja) | 電流センサ | |
| JPH01216578A (ja) | 半導体ウェハープローバー用ステージ | |
| JP2004119788A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10178080A (ja) | 半導体製造装置の温度検出装置 | |
| JPH0232239A (ja) | 触針式半導体検査装置 |