JPH01216578A - 半導体ウェハープローバー用ステージ - Google Patents
半導体ウェハープローバー用ステージInfo
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- JPH01216578A JPH01216578A JP63040697A JP4069788A JPH01216578A JP H01216578 A JPH01216578 A JP H01216578A JP 63040697 A JP63040697 A JP 63040697A JP 4069788 A JP4069788 A JP 4069788A JP H01216578 A JPH01216578 A JP H01216578A
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- Japan
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- cavity
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- semiconductor wafer
- semiconductor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハー上に形成された各チップの特
性を測定する半導体ウェハープローバー用ステージに関
し、特に半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に好適
な半導体ウェハープローバー用ステージに関する。
性を測定する半導体ウェハープローバー用ステージに関
し、特に半導体圧力センサの圧力感度の特性測定に好適
な半導体ウェハープローバー用ステージに関する。
［従来の技術１
半導体圧力センサの場合、シリコンウェハー上に形成さ
れた各チップの圧力感度特性を測定する際、従来はシリ
コンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立てて
から測定していた。
れた各チップの圧力感度特性を測定する際、従来はシリ
コンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立てて
から測定していた。
第２図はこのような従来の測定手段を示すもので、各チ
ップの圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図
である。すなわち、シリコンウェハーから分離した２１
を、圧力導入用の孔を有するガラス部材２２に熱ストレ
ス緩和の目的で気密接合し、さらにこのガラス部材２２
を接着剤２４を用いて穴あきステム２３に気密接着する
。
ップの圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図
である。すなわち、シリコンウェハーから分離した２１
を、圧力導入用の孔を有するガラス部材２２に熱ストレ
ス緩和の目的で気密接合し、さらにこのガラス部材２２
を接着剤２４を用いて穴あきステム２３に気密接着する
。
次に穴あきステム２３の外部端子２５に、チップ２１か
らＡｕ１ｌあるいはＡ！線２６を用いてボンディングす
る０次にポート付キャップ２７を穴あきステム２３に気
密封止する。そして、最後にポート２８より圧力を加え
て、圧力感度特性を測定していた。
らＡｕ１ｌあるいはＡ！線２６を用いてボンディングす
る０次にポート付キャップ２７を穴あきステム２３に気
密封止する。そして、最後にポート２８より圧力を加え
て、圧力感度特性を測定していた。
［解決すべき問題点］
ところが、上述した従来の技術による圧力感度特性の測
定では、シリコンウェハーからチップ２１を分離し、穴
あきステム２３に組立ててから圧力を印加し測定してい
るので、ウェハー・プロセスが完了してから圧力感度特
性を測定するまでに長時間を要し、しかも厄介な手数が
がかっていた。さらには特性の悪いチップも測定のため
に組立てなければならないという非能率な面があった。
定では、シリコンウェハーからチップ２１を分離し、穴
あきステム２３に組立ててから圧力を印加し測定してい
るので、ウェハー・プロセスが完了してから圧力感度特
性を測定するまでに長時間を要し、しかも厄介な手数が
がかっていた。さらには特性の悪いチップも測定のため
に組立てなければならないという非能率な面があった。
本発明の目的はウェハー状態で半導体圧力センサの圧力
感度特性の測定を行なえる半導体ウェハープローバー用
ステージを提供することにある。
感度特性の測定を行なえる半導体ウェハープローバー用
ステージを提供することにある。
［問題点の解決手段］
上記目的を達成するために本発明は、内部に空胴な有す
るウェハープローバー用ステージ本体と、この本体に形
成された被測定半導体ウェハー搭載用のステージ面と上
記空胴との間に設けられた多孔質部材と、上記空胴とは
別に上記本体の少なくとも一箇所以上に設けられたステ
ージ面吸引用の吸着孔とを具備した構成としである。
るウェハープローバー用ステージ本体と、この本体に形
成された被測定半導体ウェハー搭載用のステージ面と上
記空胴との間に設けられた多孔質部材と、上記空胴とは
別に上記本体の少なくとも一箇所以上に設けられたステ
ージ面吸引用の吸着孔とを具備した構成としである。
【実施例〕
以下１本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例を示すウェハープローバー用ス
テージの断面図である０図面において。
テージの断面図である０図面において。
１はウェハープローバー用ステージ本体ｌであり、この
本体１の内部には空胴５が形成され、その表面にシリコ
ンウェハー２を搭載するステージ面１ａを有している。
本体１の内部には空胴５が形成され、その表面にシリコ
ンウェハー２を搭載するステージ面１ａを有している。
ステージ面１ａと空胴５との間には、シリコンウェハ−
２のダイアフラム部３を搭載する範囲で、空孔を有する
多孔質のセラミックス体（多孔質部材）４が埋め込まれ
ている。この多孔質部材４としては、例えば、酸化アル
ミニウム系や、窒化硅素、あるいは酸化ジルコニウム等
のセラミックス材料を多孔質となるよう焼結したものを
使用すればよい。
２のダイアフラム部３を搭載する範囲で、空孔を有する
多孔質のセラミックス体（多孔質部材）４が埋め込まれ
ている。この多孔質部材４としては、例えば、酸化アル
ミニウム系や、窒化硅素、あるいは酸化ジルコニウム等
のセラミックス材料を多孔質となるよう焼結したものを
使用すればよい。
また１図中８はステージ面１ａに開口した吸着孔で、シ
リコンウェハー２におけるダイアフラム部３以外の一部
を真空吸着するためのものである。この吸着孔８は、一
箇所に限らず、必要に応じて複数箇所に形成してもよく
、また−本の吸着孔を分岐させ、ステージ面１ａの複数
箇所に開口するようにしてもよい。
リコンウェハー２におけるダイアフラム部３以外の一部
を真空吸着するためのものである。この吸着孔８は、一
箇所に限らず、必要に応じて複数箇所に形成してもよく
、また−本の吸着孔を分岐させ、ステージ面１ａの複数
箇所に開口するようにしてもよい。
図中６ａは空胴５を真空源（図示略）に接続する配管差
込口、６ｂは吸着孔８を真空源に接続する配管差込口で
ある。
込口、６ｂは吸着孔８を真空源に接続する配管差込口で
ある。
次に、作用を説明する。
例えば、半導体圧力センサの圧力感度特性を測定する場
合、回路及びダイアフラムを形成したシリコンウェハー
２をステージ面１ａに搭載し、そのダイアフラム部３を
多孔質セラミックス体４に位置合せする。
合、回路及びダイアフラムを形成したシリコンウェハー
２をステージ面１ａに搭載し、そのダイアフラム部３を
多孔質セラミックス体４に位置合せする。
この状態で吸着孔８を真空吸引す゛ると、シリコンウェ
ハー２をステージ面１ａに定着することができる。
ハー２をステージ面１ａに定着することができる。
次に空胴５を通して真空引きすると、無数の空孔を有す
る多孔質のセラミックス体４を介してダイアフラム部３
に真空圧を供給することができる。このことは等価的に
ダイアプラム部３の表面の圧力が加わったと同じである
。
る多孔質のセラミックス体４を介してダイアフラム部３
に真空圧を供給することができる。このことは等価的に
ダイアプラム部３の表面の圧力が加わったと同じである
。
〔発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、半導体ウェハーを
チップに分離、してステムに組立てることを要せず、ウ
ェハー状態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定で
きる。また、シリコンウェハーの回路形成及びダイアフ
ラム形成が完了してから圧力感度特性を測定するまでの
時間を短縮でき、しかも特性の悪いチップをウェハー段
階で発見でさ効率的である。
チップに分離、してステムに組立てることを要せず、ウ
ェハー状態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定で
きる。また、シリコンウェハーの回路形成及びダイアフ
ラム形成が完了してから圧力感度特性を測定するまでの
時間を短縮でき、しかも特性の悪いチップをウェハー段
階で発見でさ効率的である。
また、多孔質部材をステージ面に設け、この多孔質部材
を介して真空圧を供給するので、被測定半導体ウェハー
の大きさに関係なく、各種寸法のものを測定するこがで
きる。
を介して真空圧を供給するので、被測定半導体ウェハー
の大きさに関係なく、各種寸法のものを測定するこがで
きる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体ウェハープロー
バー用ステージの構造断面図、第２図は従来例を示す構
造断面図である。 ｌ二手導体ウェハープローバー用ステージ本体ｌａニス
チー’；ｆｆ１ ２：シリコンウェハー３：ダイア
フラム部 ４：多孔質セラミックス体 ５：空胴６ａ、６ｂ：配管差込口 ８：吸着孔 ９：ヒーター、ｌＯ：冷却管
バー用ステージの構造断面図、第２図は従来例を示す構
造断面図である。 ｌ二手導体ウェハープローバー用ステージ本体ｌａニス
チー’；ｆｆ１ ２：シリコンウェハー３：ダイア
フラム部 ４：多孔質セラミックス体 ５：空胴６ａ、６ｂ：配管差込口 ８：吸着孔 ９：ヒーター、ｌＯ：冷却管
Claims (1)
- 内部に空胴を有するウェハープローバー用ステージ本
体と、この本体に形成された被測定半導体ウェハー搭載
用のステージ面と上記空胴との間に設けられた多孔質部
材と、上記空胴とは別に上記本体の少なくとも一箇所以
上に設けられたステージ面吸引用の吸着孔とを具備した
ことを特徴とする半導体ウェハープローバー用ステージ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040697A JPH01216578A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040697A JPH01216578A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用ステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216578A true JPH01216578A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12587753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040697A Pending JPH01216578A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01216578A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP63040697A patent/JPH01216578A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07169824A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-07-04 | Anelva Corp | 基板加熱・冷却機構 |
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