JPH01216550A - 半導体ウェハープローバー用温度制御ステージ - Google Patents
半導体ウェハープローバー用温度制御ステージInfo
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- JPH01216550A JPH01216550A JP63040696A JP4069688A JPH01216550A JP H01216550 A JPH01216550 A JP H01216550A JP 63040696 A JP63040696 A JP 63040696A JP 4069688 A JP4069688 A JP 4069688A JP H01216550 A JPH01216550 A JP H01216550A
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Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウニバー上に形成された各チップの特
性を測定する半導体ウェハープローバー用温度制御ステ
ージに関し、特に半導体圧力センサの圧力感度の特性測
定に好適な半導体ウェハープローバー用温度制御ステー
ジに関する。
性を測定する半導体ウェハープローバー用温度制御ステ
ージに関し、特に半導体圧力センサの圧力感度の特性測
定に好適な半導体ウェハープローバー用温度制御ステー
ジに関する。
半導体圧力センサの場合、シリコンウェハー上に形成さ
れた各チップの圧力感度特性を測定する際、従来はシリ
コンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立てて
から測定していた。 第２図はこのような従来の測定手段を示すもので、各チ
ップの圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図
である。すなわち、シリコンウェハーから分離したチッ
プ２１を、圧力導入用の孔を有するガラス部材２２に熱
ストレス緩和の目的で気密接合し、さらにこのガラス部
材２２彎接着剤２４を用いて穴あきステム２３に気密接
着する。 次に穴あきステム２３の外部端子２５に、チ。 プ２１からＡυ線あるいはＡｌｌ、線２６を用いてボソ
ディングする０次にポート付キャップ２７を穴あきステ
ム２３に気密封止する。そして、最後にポート２８より
圧力を加えて、圧力感度特性を測定していた。さらには
、恒温槽中に製品をセットし、温度調節することによっ
て圧力感度の温度特性を測定していた。 ［解決すべき問題点］ ところが、上述した従来の技術による圧力感度特性の測
定では、シリコンウェハーからチップ２１を分離し、穴
あきステム２３に組立ててから圧力を印加し測定してい
るので、ウェハー・プロセスが完了してから圧力感度特
性を測定するまでに長時間を要し、しかも厄介な手数が
かかっていた。さらには特性の悪いチップも測定のため
に組立てなければならないという非能率な面があった。 また、恒温槽中に製品をセットして圧力感度の温度特性
を測定しているので、各々の製品に圧力を加えるための
機構を備えた恒温槽が必要であるという欠８点があった
。 本発明の目的はウェハー状態で半導体圧力センサの圧力
感度特性の測定を行なえる半導体ウェハープローバー用
温度制御ステージを提供することにある。
れた各チップの圧力感度特性を測定する際、従来はシリ
コンウェハーから各チップに分離し、ステムに組立てて
から測定していた。 第２図はこのような従来の測定手段を示すもので、各チ
ップの圧力感度特性を測定する場合の構造を示す断面図
である。すなわち、シリコンウェハーから分離したチッ
プ２１を、圧力導入用の孔を有するガラス部材２２に熱
ストレス緩和の目的で気密接合し、さらにこのガラス部
材２２彎接着剤２４を用いて穴あきステム２３に気密接
着する。 次に穴あきステム２３の外部端子２５に、チ。 プ２１からＡυ線あるいはＡｌｌ、線２６を用いてボソ
ディングする０次にポート付キャップ２７を穴あきステ
ム２３に気密封止する。そして、最後にポート２８より
圧力を加えて、圧力感度特性を測定していた。さらには
、恒温槽中に製品をセットし、温度調節することによっ
て圧力感度の温度特性を測定していた。 ［解決すべき問題点］ ところが、上述した従来の技術による圧力感度特性の測
定では、シリコンウェハーからチップ２１を分離し、穴
あきステム２３に組立ててから圧力を印加し測定してい
るので、ウェハー・プロセスが完了してから圧力感度特
性を測定するまでに長時間を要し、しかも厄介な手数が
かかっていた。さらには特性の悪いチップも測定のため
に組立てなければならないという非能率な面があった。 また、恒温槽中に製品をセットして圧力感度の温度特性
を測定しているので、各々の製品に圧力を加えるための
機構を備えた恒温槽が必要であるという欠８点があった
。 本発明の目的はウェハー状態で半導体圧力センサの圧力
感度特性の測定を行なえる半導体ウェハープローバー用
温度制御ステージを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、内部に空胴を有す
るウェハープローバー用ステージ本体と、この本体に形
成された被測定半導体ウェハー搭載用のステージ面と上
記空胴との間に設けられた多孔質部材と、上記空胴とは
別に上記本体の少なくとも一箇所以上に設けられたステ
ージ面吸引用の吸着孔と、上記本体におけるステージ面
上の温度を調整する温度調整手段とを具備した構成とし
である。 ［実施例］ 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。 第１図は本発明の実施例を示すウニハープローバー用温
度制御ステージの断面図である０図面において、ｌはウ
ェハープローバー用ステージ本体ｌであり、この本体１
の内部には空胴５が形成され、その表面にシリコンウェ
ハー２を搭載するステージ面１ａを有している。ステー
ジ面１ａと空胴５との間には、シリコンウェハー２のダ
イアフラム部３を搭載する範囲で、空孔を有する多孔質
のセラミックス体（多孔質部材）４が埋め込まれている
。この多孔質部材４としては５例えば、酸化アルミニウ
ム系や、窒化硅素、あるいは酸化ジルコニウム等のセラ
ミックス材料を多孔質となるよう焼結したものを使用す
ればよい。 また１図中８はステージ面１ａに開口した吸着孔で、シ
リコンウェハー２におけるダイアフラム部３以外の一部
を真空吸着するためのものである。この吸着孔８は、一
箇所に限らず、必要に応じて複数箇所に形成してもよく
、また−木の吸着孔を分岐させ、ステージ面１ａの複数
箇所に開口するようにしてもよい。 図中６ａは空胴５を真空Ｉｔ（図示部）に接続する配管
差込口、６ｂは吸着孔８を真空源に接続する配管差込口
である。 また、９は本体ｌの底部に内蔵されたヒータで、図示し
ない電源からの電力供給により、ステージ面１ａを加熱
するためのものである。一方、ｌＯは冷却管であり、内
部に水等の冷却媒体を送入することにより、ステージ面
１ａを冷却するためのものである。これらヒータ９と冷
却管ｌＯとにより、ステージ面１ａを適宜加熱または冷
却して温度調節を行なえるようになっている。 。 次に、作用を説明する。 例えば、半導体圧力センサの圧力感度特性を測定する場
合１回路及びダイアフラムを形成したシリコンウェハー
２をステージ面１ａに搭載し、そのダイアフラム部３を
多孔質セラミックス体４に位置合せする。 この状態で吸着孔８を真空吸引すると、シリコンウェハ
ー２をステージ面１ａに定着することができる。 次に空胴５を通して真空引きすると、無数の空孔を有す
る多孔質のセラミックス体４を介してダイアフラム部３
に真空圧を供給することができる。このことは等価的に
ダイアフラム＃Ｂ３の表面の圧力が加わったと同じであ
る。 また、ヒータ９を通電し、あるいは冷却管１０に冷却媒
体を送入することにより、適宜ステージ面１ｍの温度を
調節しながら半導体圧力センサの圧力感度測定を実施１
きる。 ［発明の効果］ 以上述べたように１本発明によれば、半導体ウェハーを
チップに分離してステムに組立てることを要せず、ウェ
ハー状態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定でき
る。また、シリコンウェハーの回路形成及びダイアフラ
ム形成が完了してから圧力感度特性を測定するまでの時
間を短縮でき、しかも特性の悪いチップをウェハー段階
で発見できるので効率的である。 また、多孔質部材をステージ面に設け、この多孔質部材
を介して真空圧を供給するので、被測定半導体ウェハー
の大きさに関係なく、各種寸法のものを測定するこがで
きる。 さらに、恒温槽を用いることなく、適宜ステージ面の温
度を調節することにより、容易に被測定半導体の温度特
性も測定′ｔ％きる。
るウェハープローバー用ステージ本体と、この本体に形
成された被測定半導体ウェハー搭載用のステージ面と上
記空胴との間に設けられた多孔質部材と、上記空胴とは
別に上記本体の少なくとも一箇所以上に設けられたステ
ージ面吸引用の吸着孔と、上記本体におけるステージ面
上の温度を調整する温度調整手段とを具備した構成とし
である。 ［実施例］ 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。 第１図は本発明の実施例を示すウニハープローバー用温
度制御ステージの断面図である０図面において、ｌはウ
ェハープローバー用ステージ本体ｌであり、この本体１
の内部には空胴５が形成され、その表面にシリコンウェ
ハー２を搭載するステージ面１ａを有している。ステー
ジ面１ａと空胴５との間には、シリコンウェハー２のダ
イアフラム部３を搭載する範囲で、空孔を有する多孔質
のセラミックス体（多孔質部材）４が埋め込まれている
。この多孔質部材４としては５例えば、酸化アルミニウ
ム系や、窒化硅素、あるいは酸化ジルコニウム等のセラ
ミックス材料を多孔質となるよう焼結したものを使用す
ればよい。 また１図中８はステージ面１ａに開口した吸着孔で、シ
リコンウェハー２におけるダイアフラム部３以外の一部
を真空吸着するためのものである。この吸着孔８は、一
箇所に限らず、必要に応じて複数箇所に形成してもよく
、また−木の吸着孔を分岐させ、ステージ面１ａの複数
箇所に開口するようにしてもよい。 図中６ａは空胴５を真空Ｉｔ（図示部）に接続する配管
差込口、６ｂは吸着孔８を真空源に接続する配管差込口
である。 また、９は本体ｌの底部に内蔵されたヒータで、図示し
ない電源からの電力供給により、ステージ面１ａを加熱
するためのものである。一方、ｌＯは冷却管であり、内
部に水等の冷却媒体を送入することにより、ステージ面
１ａを冷却するためのものである。これらヒータ９と冷
却管ｌＯとにより、ステージ面１ａを適宜加熱または冷
却して温度調節を行なえるようになっている。 。 次に、作用を説明する。 例えば、半導体圧力センサの圧力感度特性を測定する場
合１回路及びダイアフラムを形成したシリコンウェハー
２をステージ面１ａに搭載し、そのダイアフラム部３を
多孔質セラミックス体４に位置合せする。 この状態で吸着孔８を真空吸引すると、シリコンウェハ
ー２をステージ面１ａに定着することができる。 次に空胴５を通して真空引きすると、無数の空孔を有す
る多孔質のセラミックス体４を介してダイアフラム部３
に真空圧を供給することができる。このことは等価的に
ダイアフラム＃Ｂ３の表面の圧力が加わったと同じであ
る。 また、ヒータ９を通電し、あるいは冷却管１０に冷却媒
体を送入することにより、適宜ステージ面１ｍの温度を
調節しながら半導体圧力センサの圧力感度測定を実施１
きる。 ［発明の効果］ 以上述べたように１本発明によれば、半導体ウェハーを
チップに分離してステムに組立てることを要せず、ウェ
ハー状態で半導体圧力センサの圧力感度特性が測定でき
る。また、シリコンウェハーの回路形成及びダイアフラ
ム形成が完了してから圧力感度特性を測定するまでの時
間を短縮でき、しかも特性の悪いチップをウェハー段階
で発見できるので効率的である。 また、多孔質部材をステージ面に設け、この多孔質部材
を介して真空圧を供給するので、被測定半導体ウェハー
の大きさに関係なく、各種寸法のものを測定するこがで
きる。 さらに、恒温槽を用いることなく、適宜ステージ面の温
度を調節することにより、容易に被測定半導体の温度特
性も測定′ｔ％きる。
ｔＪ４１図は本発明の一実施例に係る半導体ウェハープ
ローバー用温度制御ステージの構造断面図。 第２図は従来例を示す構造断面図である。 ｌ：半導体ウェハープローバー用ステージ本体ｌａニス
ｙ−ジ面 ２：シリコンウェハ−３：ダイアフラム
部 ４：多孔質セラミックス体 ５：空Ｉｉ１ ８ａ、６ｂ：配管差込ｇ：１８：吸着
孔 ９：ヒーターｌＯ：冷却管
ローバー用温度制御ステージの構造断面図。 第２図は従来例を示す構造断面図である。 ｌ：半導体ウェハープローバー用ステージ本体ｌａニス
ｙ−ジ面 ２：シリコンウェハ−３：ダイアフラム
部 ４：多孔質セラミックス体 ５：空Ｉｉ１ ８ａ、６ｂ：配管差込ｇ：１８：吸着
孔 ９：ヒーターｌＯ：冷却管
Claims (1)
- 内部に空胴を有するウェハープローバー用ステージ本
体と、この本体に形成された被測定半導体ウェハー搭載
用のステージ面と上記空胴との間に設けられた多孔質部
材と、上記空胴とは別に上記本体の少なくとも一箇所以
上に設けられたステージ面吸引用の吸着孔と、上記本体
におけるステージ面上の温度を調整する温度調整手段と
を具備したことを特徴とする半導体ウェハープローバー
用温度制御ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040696A JPH01216550A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用温度制御ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63040696A JPH01216550A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用温度制御ステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01216550A true JPH01216550A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12587721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63040696A Pending JPH01216550A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | 半導体ウェハープローバー用温度制御ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01216550A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5421956A (en) * | 1991-11-20 | 1995-06-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of fabricating an integrated pressure sensor |
| WO2001001460A3 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-03 | Trio Tech Internat | Temperature controlled wafer chuck |
| WO2002101348A1 (de) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren und vorrichtung zum testen oder kalibrieren eines drucksensors an einem wafer |
| JP2007043042A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置 |
| US7368905B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | System, method, and apparatus for use of micro coils within a single slider test nest |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP63040696A patent/JPH01216550A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5421956A (en) * | 1991-11-20 | 1995-06-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Method of fabricating an integrated pressure sensor |
| US5528214A (en) * | 1991-11-20 | 1996-06-18 | Nippondenso Co., Ltd. | Pressure-adjusting device for adjusting output of integrated pressure sensor |
| WO2001001460A3 (en) * | 1999-01-26 | 2001-05-03 | Trio Tech Internat | Temperature controlled wafer chuck |
| WO2002101348A1 (de) * | 2001-06-11 | 2002-12-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren und vorrichtung zum testen oder kalibrieren eines drucksensors an einem wafer |
| US7368905B2 (en) * | 2004-09-30 | 2008-05-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | System, method, and apparatus for use of micro coils within a single slider test nest |
| JP2007043042A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウェハ保持体およびその製造方法、ならびにそれを搭載したウェハプローバ及び半導体加熱装置 |
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