JPH10178080A - 半導体製造装置の温度検出装置 - Google Patents
半導体製造装置の温度検出装置Info
- Publication number
- JPH10178080A JPH10178080A JP35452396A JP35452396A JPH10178080A JP H10178080 A JPH10178080 A JP H10178080A JP 35452396 A JP35452396 A JP 35452396A JP 35452396 A JP35452396 A JP 35452396A JP H10178080 A JPH10178080 A JP H10178080A
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- Japan
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- temperature
- substrate
- heater
- substrates
- plates
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】輻射熱を遮ることなく、温度特性の向上する半
導体製造装置の温度検出装置を提供する。 【解決手段】反応管１内部に設けられた基板受載台２は
上下に被処理基板１７，１８受載用のプレート２ａ，２
ｂを複数段有し、該プレート間に所要数の温度センサ２
６，２７，２８，２９，３０を設けることにより、ヒー
タ３からの輻射熱を遮ることがなく、温度センサがヒー
タ下部と基板との間に介在しない為ヒータ下部と基板と
の間は熱容量を持たず、温度特性が向上する。
導体製造装置の温度検出装置を提供する。 【解決手段】反応管１内部に設けられた基板受載台２は
上下に被処理基板１７，１８受載用のプレート２ａ，２
ｂを複数段有し、該プレート間に所要数の温度センサ２
６，２７，２８，２９，３０を設けることにより、ヒー
タ３からの輻射熱を遮ることがなく、温度センサがヒー
タ下部と基板との間に介在しない為ヒータ下部と基板と
の間は熱容量を持たず、温度特性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
於いて、処理中の被処理基板の温度を検出する温度検出
装置に関するものである。
於いて、処理中の被処理基板の温度を検出する温度検出
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は気密な反応管を具備
し、該反応管内でウェーハ等被処理基板に薄膜生成等の
処理を行っている。処理中の温度は被処理基板の処理状
態に大きく影響する為、処理中の温度を検出し、検出結
果をフィードバックして被処理基板の温度が所定の温度
に維持される様加熱状態を制御している。
し、該反応管内でウェーハ等被処理基板に薄膜生成等の
処理を行っている。処理中の温度は被処理基板の処理状
態に大きく影響する為、処理中の温度を検出し、検出結
果をフィードバックして被処理基板の温度が所定の温度
に維持される様加熱状態を制御している。
【０００３】図４、図５について従来の半導体製造装置
について説明する。
について説明する。
【０００４】図４は枚葉式の半導体製造装置の立断面概
略を示しており、図５は平断面概略を示している。半導
体製造装置の反応管１の内部には基板受載台２が設けら
れており、該基板受載台２は上下２段にプレート２ａ，
２ｂを有し、２枚の被処理基板を受載可能となってい
る。
略を示しており、図５は平断面概略を示している。半導
体製造装置の反応管１の内部には基板受載台２が設けら
れており、該基板受載台２は上下２段にプレート２ａ，
２ｂを有し、２枚の被処理基板を受載可能となってい
る。
【０００５】前記反応管１の周囲はヒータ３により囲繞
され、前記反応管１の一端にはゲートバルブ４が設けら
れ、該ゲートバルブ４を介して図示しない搬送室が連設
されている。前記反応管１の他端はフランジ５により閉
塞されており、該フランジ５の下方には先端が閉塞され
た気密なセンサ保護チューブ６，７，８が挿入され、前
記フランジ５の前記センサ保護チューブ６，７，８貫通
箇所には気密フランジ９，１０，１１が設けられ、気密
にシールされている。
され、前記反応管１の一端にはゲートバルブ４が設けら
れ、該ゲートバルブ４を介して図示しない搬送室が連設
されている。前記反応管１の他端はフランジ５により閉
塞されており、該フランジ５の下方には先端が閉塞され
た気密なセンサ保護チューブ６，７，８が挿入され、前
記フランジ５の前記センサ保護チューブ６，７，８貫通
箇所には気密フランジ９，１０，１１が設けられ、気密
にシールされている。
【０００６】前記センサ保護チューブ７には３の温度セ
ンサ１２，１３，１４が先端側から順に内設され、前記
センサ保護チューブ６，８にはそれぞれ１の温度センサ
１５，１６が内設されている。前記センサ保護チューブ
６，８は前記基板受載台２の前記プレート２ｂ下方に挿
入され、前記センサ保護チューブ６，８の先端がそれぞ
れ基板１７の両側辺部直下に位置する様になっている。
又、前記センサ保護チューブ７も同様に前記基板受載台
２のプレート２ｂ下方に挿入され、前記基板１７の中心
位置を通過して先端が周辺部直下に到達している。前記
温度センサ１３は前記基板１７の中心直下に位置し、前
記温度センサ１２，１４は前記温度センサ１３を中心と
して対称に且前記基板１７の周辺部直下に位置する様に
なっている。
ンサ１２，１３，１４が先端側から順に内設され、前記
センサ保護チューブ６，８にはそれぞれ１の温度センサ
１５，１６が内設されている。前記センサ保護チューブ
６，８は前記基板受載台２の前記プレート２ｂ下方に挿
入され、前記センサ保護チューブ６，８の先端がそれぞ
れ基板１７の両側辺部直下に位置する様になっている。
又、前記センサ保護チューブ７も同様に前記基板受載台
２のプレート２ｂ下方に挿入され、前記基板１７の中心
位置を通過して先端が周辺部直下に到達している。前記
温度センサ１３は前記基板１７の中心直下に位置し、前
記温度センサ１２，１４は前記温度センサ１３を中心と
して対称に且前記基板１７の周辺部直下に位置する様に
なっている。
【０００７】前記温度センサ１２，１３，１４，１５，
１６により前記基板１７の５箇所の温度検出が可能とな
り、検出結果は図示しない制御装置にフィードバックさ
れ、該制御装置により前記ヒータ３が制御される。
１６により前記基板１７の５箇所の温度検出が可能とな
り、検出結果は図示しない制御装置にフィードバックさ
れ、該制御装置により前記ヒータ３が制御される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら上記した従来
の半導体製造装置に於ける温度検出装置ではセンサ保護
チューブ６，７，８が基板受載台２のプレート２ｂの下
方に位置する為、基板受載台２の上段のプレート２ａに
載置される基板１８はプレート２ｂ及び基板１７を介し
て温度検出されることとなり、基板１８に対しての温度
特性が不良となる。又、センサ保護チューブ６，７，８
の存在によりヒータから基板１７への輻射熱が遮られ、
加熱特性が低下する。又、センサ保護チューブ６，７，
８、温度センサ１２，１３，１４，１５，１６がヒータ
３下部と基板１７との間に介在する為ヒータ３下部と基
板１７との間の熱容量が大きくなり、基板の温度検出の
応答性が悪くなる等の不具合が生じていた。
の半導体製造装置に於ける温度検出装置ではセンサ保護
チューブ６，７，８が基板受載台２のプレート２ｂの下
方に位置する為、基板受載台２の上段のプレート２ａに
載置される基板１８はプレート２ｂ及び基板１７を介し
て温度検出されることとなり、基板１８に対しての温度
特性が不良となる。又、センサ保護チューブ６，７，８
の存在によりヒータから基板１７への輻射熱が遮られ、
加熱特性が低下する。又、センサ保護チューブ６，７，
８、温度センサ１２，１３，１４，１５，１６がヒータ
３下部と基板１７との間に介在する為ヒータ３下部と基
板１７との間の熱容量が大きくなり、基板の温度検出の
応答性が悪くなる等の不具合が生じていた。
【０００９】本発明は上記実情に鑑みなしたものであ
り、輻射熱を遮ることなく、温度特性の向上する温度検
出装置を提供しようとするものである。
り、輻射熱を遮ることなく、温度特性の向上する温度検
出装置を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、反応管内部に
設けられた基板受載台は上下に被処理基板受載用のプレ
ートを複数段有し、該プレート間に所要数の温度センサ
を設けた半導体製造装置の温度検出装置に係るものであ
り、ヒータからの輻射熱を遮ることがなく、温度センサ
がヒータ下部と基板との間に介在しない為ヒータ下部と
基板との間は熱容量を持たず、温度特性が向上する。
設けられた基板受載台は上下に被処理基板受載用のプレ
ートを複数段有し、該プレート間に所要数の温度センサ
を設けた半導体製造装置の温度検出装置に係るものであ
り、ヒータからの輻射熱を遮ることがなく、温度センサ
がヒータ下部と基板との間に介在しない為ヒータ下部と
基板との間は熱容量を持たず、温度特性が向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１２】図１、図２は共に半導体製造装置であり、
図１は立断面概略を示し、図３は平断面概略を示してい
る。
図１は立断面概略を示し、図３は平断面概略を示してい
る。
【００１３】図１、図２で示す半導体製造装置は前述し
た従来の半導体製造装置と略同様に構成され、反応管１
はヒータ３に囲繞され、一端にゲートバルブ４、他端に
フランジ５を有しており、前記反応管１内部には基板受
載台２が設けられている。該基板受載台２は上下２段に
プレート２ａ，２ｂを有し、該プレート２ａ，２ｂには
それぞれ１枚ずつ基板１７，１８が載置可能となってい
る。
た従来の半導体製造装置と略同様に構成され、反応管１
はヒータ３に囲繞され、一端にゲートバルブ４、他端に
フランジ５を有しており、前記反応管１内部には基板受
載台２が設けられている。該基板受載台２は上下２段に
プレート２ａ，２ｂを有し、該プレート２ａ，２ｂには
それぞれ１枚ずつ基板１７，１８が載置可能となってい
る。
【００１４】前記フランジ５の縦方向中央部にはセンサ
保護チューブ２０，２１，２２が挿入され、前記フラン
ジ５の前記センサ保護チューブ２０，２１，２２貫通箇
所は気密フランジ２３，２４，２５により気密にシール
されている。
保護チューブ２０，２１，２２が挿入され、前記フラン
ジ５の前記センサ保護チューブ２０，２１，２２貫通箇
所は気密フランジ２３，２４，２５により気密にシール
されている。
【００１５】前記センサ保護チューブ２１には前述した
従来の温度検出装置と同様に先端部側から順に温度セン
サ２６，２７，２８が内設され、前記センサ保護チュー
ブ２０，２２には先端側に温度センサ２９，３０がそれ
ぞれ内設されている。
従来の温度検出装置と同様に先端部側から順に温度セン
サ２６，２７，２８が内設され、前記センサ保護チュー
ブ２０，２２には先端側に温度センサ２９，３０がそれ
ぞれ内設されている。
【００１６】前記センサ保護チューブ２１は前記基板受
載台２に水平方向から挿入され、前記プレート２ａと前
記プレート２ｂとの間に配設され、前記温度センサ２７
が前記基板１７，１８の中心に位置し、前記温度センサ
２６，２８は前記温度センサ２７を中心として対称に前
記基板１７，１８の周辺に位置する様になっている。前
記センサ保護チューブ２０，２２は前記センサ保護チュ
ーブ２１を中心として対称に設けられ、前記温度センサ
２９，３０は前記基板１７，１８の周辺に位置する様に
なっている。
載台２に水平方向から挿入され、前記プレート２ａと前
記プレート２ｂとの間に配設され、前記温度センサ２７
が前記基板１７，１８の中心に位置し、前記温度センサ
２６，２８は前記温度センサ２７を中心として対称に前
記基板１７，１８の周辺に位置する様になっている。前
記センサ保護チューブ２０，２２は前記センサ保護チュ
ーブ２１を中心として対称に設けられ、前記温度センサ
２９，３０は前記基板１７，１８の周辺に位置する様に
なっている。
【００１７】センサ保護チューブ２０，２１，２２がプ
レート２ａ，２ｂ間に設けられる為、ヒータ３からの輻
射熱が前記センサ保護チューブ２０，２１，２２によっ
て遮られることはなく、前記ヒータ３下部と前記基板１
７との間も熱容量を持たず、上段の基板１８と下段の基
板１７との温度検出の応答性に差がなく、温度特性が向
上する。
レート２ａ，２ｂ間に設けられる為、ヒータ３からの輻
射熱が前記センサ保護チューブ２０，２１，２２によっ
て遮られることはなく、前記ヒータ３下部と前記基板１
７との間も熱容量を持たず、上段の基板１８と下段の基
板１７との温度検出の応答性に差がなく、温度特性が向
上する。
【００１８】又、図３は本発明の他の実施の形態を示し
ており、基板受載台３２は３段のプレート３ａ，３ｂ，
３ｃを有しており、この場合、該プレート３２ａ，３２
ｂ間及び、該プレート３２ｂ，３２ｃ間に前記センサ保
護チューブ２０，２１，２２を挿入する。
ており、基板受載台３２は３段のプレート３ａ，３ｂ，
３ｃを有しており、この場合、該プレート３２ａ，３２
ｂ間及び、該プレート３２ｂ，３２ｃ間に前記センサ保
護チューブ２０，２１，２２を挿入する。
【００１９】尚、基板受載台は４段以上であってもよ
く、その場合には各プレート間に温度センサを設ける。
く、その場合には各プレート間に温度センサを設ける。
【００２０】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、温度セ
ンサが複数の基板の間に設けられるので、上下の基板の
温度検出を正確に行うことができ、又基板とヒータとの
間に温度センサが介在しないので、ヒータと基板との間
に介在するものがなくなり、熱容量を持たなくなり、ヒ
ータの加熱に対する基板の温度特性が向上し、温度制御
が容易となり基板の成膜特性が向上する等の優れた効果
を発揮する。
ンサが複数の基板の間に設けられるので、上下の基板の
温度検出を正確に行うことができ、又基板とヒータとの
間に温度センサが介在しないので、ヒータと基板との間
に介在するものがなくなり、熱容量を持たなくなり、ヒ
ータの加熱に対する基板の温度特性が向上し、温度制御
が容易となり基板の成膜特性が向上する等の優れた効果
を発揮する。
【図１】本発明の実施の形態を示す立断面概略説明図で
ある。
ある。
【図２】同前実施の形態を示す平断面概略説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の他の実施の形態の要部を示す立断面概
略説明図である。
略説明図である。
【図４】従来例を示す立断面概略説明図である。
【図５】該従来例を示す平断面概略説明図である。
１ 反応管 ２ 基板受載台 ２ａ プレート ２ｂ プレート ３ ヒータ １７ 基板 １８ 基板 ２０ センサ保護チューブ ２１ センサ保護チューブ ２２ センサ保護チューブ ２３ 気密フランジ ２４ 気密フランジ ２５ 気密フランジ ２６ 温度センサ ２７ 温度センサ ２８ 温度センサ ２９ 温度センサ ３０ 温度センサ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応管内部に設けられた基板受載台は上
下に被処理基板受載用のプレートを複数段有し、該プレ
ート間に所要数の温度センサを設けたことを特徴とする
半導体製造装置の温度検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35452396A JPH10178080A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体製造装置の温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35452396A JPH10178080A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体製造装置の温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10178080A true JPH10178080A (ja) | 1998-06-30 |
Family
ID=18438135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35452396A Pending JPH10178080A (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 半導体製造装置の温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10178080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101985413B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-06-03 | 에이에스티엔지니어링(주) | 버티컬 복층 베이킹 챔버장치 |
-
1996
- 1996-12-19 JP JP35452396A patent/JPH10178080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101985413B1 (ko) * | 2018-06-14 | 2019-06-03 | 에이에스티엔지니어링(주) | 버티컬 복층 베이킹 챔버장치 |
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