JPS58207990A - フツ素含有廃水の処理方法 - Google Patents
フツ素含有廃水の処理方法Info
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- JPS58207990A JPS58207990A JP9278182A JP9278182A JPS58207990A JP S58207990 A JPS58207990 A JP S58207990A JP 9278182 A JP9278182 A JP 9278182A JP 9278182 A JP9278182 A JP 9278182A JP S58207990 A JPS58207990 A JP S58207990A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
業，リン酸工業などの工場廃水に含まれるフッ素を除去
する処理方法に関する。
する処理方法に関する。
従来一般に行われて来たフッ素廃水の処理方法はカルシ
ウム塩，例えば消石灰，塩化カルシウムを添加しツノ化
カルシウムを生成凝集，沈澱分離する方法である。この
場汗処理水中にンッ累が２０〜５ ０ ｐｐロ１も残存
することが多く。
ウム塩，例えば消石灰，塩化カルシウムを添加しツノ化
カルシウムを生成凝集，沈澱分離する方法である。この
場汗処理水中にンッ累が２０〜５ ０ ｐｐロ１も残存
することが多く。
特に廃水中のフッ素濃度が低いと，ツノ化カルシウムの
生成には多くの反応時間を要するだけでなく．微細な結
晶の発生によって固液分離が困難になるという欠点があ
った。
生成には多くの反応時間を要するだけでなく．微細な結
晶の発生によって固液分離が困難になるという欠点があ
った。
そこでフッ素の排出規制値（一般にはＦｌ５ｐｐｍ。
一面地域では８ ｐｐｍ ）以下にフッ素濃度を達成す
るため．後処理としてアルミナ，骨炭．活性炭．イオン
交換樹脂などによるｒ！！１．層性，あるいは可溶性ア
ルミニウム塩．マグネシウム塩などの薬品添加処理法が
悼討きねた。しか１こハ′らの後処理である吸着法にお
いでは吸石芥ｈ；が小さく，再生方法に間牟があり．薬
品添加法でヲ−［薬品コスト．発生スラツジの処タ１方
法などに問題があって実用的でなかった。
るため．後処理としてアルミナ，骨炭．活性炭．イオン
交換樹脂などによるｒ！！１．層性，あるいは可溶性ア
ルミニウム塩．マグネシウム塩などの薬品添加処理法が
悼討きねた。しか１こハ′らの後処理である吸着法にお
いでは吸石芥ｈ；が小さく，再生方法に間牟があり．薬
品添加法でヲ−［薬品コスト．発生スラツジの処タ１方
法などに問題があって実用的でなかった。
さらに−１一記問題を解決するために，ツノ化カルシウ
ム結晶微粒子を種晶として廃水中に分散接触させて沈澱
する方法．固体物質にフノ化〃ル／ウム倣粒子を強固に
担持させ、廃水と接触することによジフノ素の除去を図
る濾過方法が試みられている。
ム結晶微粒子を種晶として廃水中に分散接触させて沈澱
する方法．固体物質にフノ化〃ル／ウム倣粒子を強固に
担持させ、廃水と接触することによジフノ素の除去を図
る濾過方法が試みられている。
しかしこれらの方法のうちｌｉｉ＋者のフッ化力ルンウ
ム沈澱法では次の問題点かある。
ム沈澱法では次の問題点かある。
（１）神品濃度を５０００〜２００００〜／ｅ程度しか
維持できないため、フッ化カル／ウムの晶析速度が遅く
、装置規模が大きい。
維持できないため、フッ化カル／ウムの晶析速度が遅く
、装置規模が大きい。
（２）フッ化カルシウム結晶は微粒子のため１種晶とし
で添加する場合沈澱分離では回収【２難く。
で添加する場合沈澱分離では回収【２難く。
凝集沈澱、濾過などの後処理が必要である。
強いてはフッ素除去処理操作の繁雑化を招き。
実用上問題がある。
−また後者の婚ｊｆ４方法では次の問題点がある。
（１）７ノ化ｊノルシウムの担体を被処理水と接触させ
た場合、原因は不明だが被処理水の通水倍率が増えるに
つれて処理水中のフッ素濃度が」二昇し、ついには排出
規制値を越えてフッ素除去機能を果さなくなる。
た場合、原因は不明だが被処理水の通水倍率が増えるに
つれて処理水中のフッ素濃度が」二昇し、ついには排出
規制値を越えてフッ素除去機能を果さなくなる。
（２）フッ化カルシウムを相持させる固体物質とｌ。
−Ｃ活性炭、炭酸力ルンウム、フッ化カル／ウムを接着
剤で接着せしめたもの、ゼオライトなどが用いられてい
るがいずれも被処理水と固体物質（ｍ晶）の接触は不均
一であるため。
剤で接着せしめたもの、ゼオライトなどが用いられてい
るがいずれも被処理水と固体物質（ｍ晶）の接触は不均
一であるため。
晶析速度も自ら限界があり、処理装置を小型化で、きな
い。
い。
（３）充填材の交換のため頻繁に装置の運転を止めなけ
ればならない。
ればならない。
（４）低濃度のフッ素含有排水の処理にしか適用できな
い。
い。
本発明は、カルシウム塩のイＩ在トで表面に１・溶性カ
ルシウム塩被験を形成させた粉本状又は粒状の磁性体又
は磁性体をａむ固形物から４・る濾材の層に同濾材層の
少なくとも下流部分を磁場中において固定化させた状態
で被処理水を通過接触せしめ同時１表面にフッ化カルシ
ウムの結晶を析出させて被処理水中のフッ素を除去する
ことを特徴とするフッ素含有廃水の処理力法に係り、そ
の目的とするところは、上記従来方法の欠点を解消し、
低濃度から高濃度のフッ素含有廃水のいずれにも適用で
き、被処理水の通水量に関係なく、処理水中のフッ素濃
度が低レベルで安定して得られ、処理装置を著しく小型
化、簡素化できるとともに、従来の沈澱法で問題となる
スラッジの発生は極めて少なく、装置運転を停止するこ
となく、充填材の交換ができる処理方法を提案すること
にある０ １次に本発明フ１法の一実施例を図面に基いて説明する
。
ルシウム塩被験を形成させた粉本状又は粒状の磁性体又
は磁性体をａむ固形物から４・る濾材の層に同濾材層の
少なくとも下流部分を磁場中において固定化させた状態
で被処理水を通過接触せしめ同時１表面にフッ化カルシ
ウムの結晶を析出させて被処理水中のフッ素を除去する
ことを特徴とするフッ素含有廃水の処理力法に係り、そ
の目的とするところは、上記従来方法の欠点を解消し、
低濃度から高濃度のフッ素含有廃水のいずれにも適用で
き、被処理水の通水量に関係なく、処理水中のフッ素濃
度が低レベルで安定して得られ、処理装置を著しく小型
化、簡素化できるとともに、従来の沈澱法で問題となる
スラッジの発生は極めて少なく、装置運転を停止するこ
となく、充填材の交換ができる処理方法を提案すること
にある０ １次に本発明フ１法の一実施例を図面に基いて説明する
。
第警図において、フッ素を含有する被処理水はフッ素含
有口に対１．て反応当量以上のカルシＱ７−を含むカル
シウム塩溶液２と混合しながらライン１から晶析槽３に
導入される。晶析［３には磁石４とそれによって磁界を
発生する金属性のスクリーン５が備えられている。また
被処理水を通水する前に晶析槽３には不溶性カルシウム
塩（例えばＣａＣＯ３，ＣｓＳＯ４，ＣａＦ２など）の
被膜を形成させた粉末状又は粒状のｉｌｌ、 ４４’
６か７′Ｉ：崩さｊ＋ている。当該濾材６は粉本状又は
粒状σ）ｌで１１体（たとえばａ−、ｒ−、δ−Ｆｅ２
０Ｓ、 ＦｅＢＯｇ、 Ｆｅ０ＯＨなどが適する。）、
又は磁性体を３む粉末状又は粒状固形物（例えば磁鉄鉱
など）、又Ｆｉ、ｍ性体を担持させた粉末状又は粒状固
形物（例えばボリエ、チレン、ポリスチレン、塩ビなど
に磁性体を含有させたものなど）である。
有口に対１．て反応当量以上のカルシＱ７−を含むカル
シウム塩溶液２と混合しながらライン１から晶析槽３に
導入される。晶析［３には磁石４とそれによって磁界を
発生する金属性のスクリーン５が備えられている。また
被処理水を通水する前に晶析槽３には不溶性カルシウム
塩（例えばＣａＣＯ３，ＣｓＳＯ４，ＣａＦ２など）の
被膜を形成させた粉末状又は粒状のｉｌｌ、 ４４’
６か７′Ｉ：崩さｊ＋ている。当該濾材６は粉本状又は
粒状σ）ｌで１１体（たとえばａ−、ｒ−、δ−Ｆｅ２
０Ｓ、 ＦｅＢＯｇ、 Ｆｅ０ＯＨなどが適する。）、
又は磁性体を３む粉末状又は粒状固形物（例えば磁鉄鉱
など）、又Ｆｉ、ｍ性体を担持させた粉末状又は粒状固
形物（例えばボリエ、チレン、ポリスチレン、塩ビなど
に磁性体を含有させたものなど）である。
なお濾＊４６の粒径は２ｍ以１−’が好適であり。
また金Ｍスクリーン５のメソシュシ・１５０〜２００ｍ
ｅｓ＋ｈが好適である。
ｅｓ＋ｈが好適である。
晶析槽３では被処理水に含まｊＬるフッ素と冷加された
カルシウム２および濾）ｒ４６σ）表面種ＩＩφと反応
してフッ化カルシウムが生成し１．濾材６の表面被膜に
結晶として析出する。このとき濾材６は被処理水によっ
て下部および中間１箱は流動し、上部は磁石４およびス
クリーン５ｅこよって形成された磁場のため固定し、そ
Ｊ【ぞれｌ／、１尾層６ａ及び流動層５１＋を形成して
いる。フッ化カルノウｌ、の析出にともない被処理水中
のフッ素ｄ Ｉｆは低減されて処理水として晶析槽３か
らライン７に流出する。
カルシウム２および濾）ｒ４６σ）表面種ＩＩφと反応
してフッ化カルシウムが生成し１．濾材６の表面被膜に
結晶として析出する。このとき濾材６は被処理水によっ
て下部および中間１箱は流動し、上部は磁石４およびス
クリーン５ｅこよって形成された磁場のため固定し、そ
Ｊ【ぞれｌ／、１尾層６ａ及び流動層５１＋を形成して
いる。フッ化カルノウｌ、の析出にともない被処理水中
のフッ素ｄ Ｉｆは低減されて処理水として晶析槽３か
らライン７に流出する。
晶析槽内のＰ Ｈは３〜１２とする必要があり。
好ましく−７〜９とする。この理由は、７ソ化力ルンウ
ムはＰＨ〉３であれば生成されるが、ＰＨが１２を越え
ると金属水酸化物が発生し、フッ死力ルノウム以外のス
ケールが生成されて余剰汚泥知を増加させるからである
。また放流水のＰＨ規制値が通常５８〜８６であるとこ
ろから、ＰＨを予め７〜９とすれば晶析反応後ＰＨ調整
を１゜なくて済むという利やがある。被処理水の通水倍
率が増加するにともない、処理水のフレ素濃度が増加す
る可能性がある場合は新しい源側をライン７から補光し
ながら槽内の濾材（ａ［晶）を連続的又は断続的にライ
／８から排出する。
ムはＰＨ〉３であれば生成されるが、ＰＨが１２を越え
ると金属水酸化物が発生し、フッ死力ルノウム以外のス
ケールが生成されて余剰汚泥知を増加させるからである
。また放流水のＰＨ規制値が通常５８〜８６であるとこ
ろから、ＰＨを予め７〜９とすれば晶析反応後ＰＨ調整
を１゜なくて済むという利やがある。被処理水の通水倍
率が増加するにともない、処理水のフレ素濃度が増加す
る可能性がある場合は新しい源側をライン７から補光し
ながら槽内の濾材（ａ［晶）を連続的又は断続的にライ
／８から排出する。
晶析槽内の濾材濃度は５０〜４００ ＆／ｌの範囲で調
整する。
整する。
このような方法において、濾ｌの表面被膜上で被処理水
のＦ−は次のように反ｌしする。
のＦ−は次のように反ｌしする。
■ＣａＣＯ３被ｊ良の場合 初期反応は次のとあ−９で
ある。
ある。
る。
ついで上記のＣｌ１Ｆ２結晶は表面被膜上で種晶として
作用し。
作用し。
Ｃ１１２＋＋２Ｆ″→（ｌＦ２
（添加かじ→ム）
で表わされる被処理水からのフッ化力ルンウム晶析反応
を促進し１表１５、面被膜」−にソッ化力Ａンウム結晶
群を発生せしめる。
を促進し１表１５、面被膜」−にソッ化力Ａンウム結晶
群を発生せしめる。
濾材の表面被膜がすでにフッ化カル／ウムからなってい
る場合上記０．■の初期反応はなく。
る場合上記０．■の初期反応はなく。
直ちにフッ化カルシウム結晶群が表面被膜上Ｖこ析出す
る。
る。
ＣａＦ２の晶析速度は次式で表わされる。
−ｄｔ ＝ Ｋ （ｃ−ｃ”）２ ・・・・・
・・・・（］）ここにに二品析速度足数 （１／ｌｎｆ
／−ＩＩ ）Ｋは種晶表面積Ａと種晶濃度Ｃｄに 比例する。１ｆｌｌち に区Ａ、 Ａ区Ｃｄ 、’、 Ｋｔ＋Ｃｄｔ：経過時
間（Ｈ） Ｃ：ｔ＝ｔのときのド濃度 ＣＭｇ／ｌ）ｃ”： ｔ
＝ｃｏノときのＦ濃度ＣＩｎ９／ｌ）上記（１）式で判
るように晶析速度は種晶濃度と種晶表面積に比例する。
・・・・（］）ここにに二品析速度足数 （１／ｌｎｆ
／−ＩＩ ）Ｋは種晶表面積Ａと種晶濃度Ｃｄに 比例する。１ｆｌｌち に区Ａ、 Ａ区Ｃｄ 、’、 Ｋｔ＋Ｃｄｔ：経過時
間（Ｈ） Ｃ：ｔ＝ｔのときのド濃度 ＣＭｇ／ｌ）ｃ”： ｔ
＝ｃｏノときのＦ濃度ＣＩｎ９／ｌ）上記（１）式で判
るように晶析速度は種晶濃度と種晶表面積に比例する。
つ１り種晶固有の表面積が太きｌ八もの程、即ち粒子径
が小であればある程有利で３種晶濃度が高ければ置い程
有利である。
が小であればある程有利で３種晶濃度が高ければ置い程
有利である。
本方法では１種晶固有の表面積を大きくとれるとともＶ
Ｃ１稙晶濃度を従来方法にくらべて１０〜４１１倍茜め
ることができるので、装置の小型化が計れるとともに、
低濃度Ｆ含有廃水でも晶析速度を篩める効果があり、さ
らに高濃度ド含有廃水でもＣａＦ２ ａｔ晶上に析出し
、液中を浮遊するＣａＦｚ倣結晶全結晶せしめることが
少ない。
Ｃ１稙晶濃度を従来方法にくらべて１０〜４１１倍茜め
ることができるので、装置の小型化が計れるとともに、
低濃度Ｆ含有廃水でも晶析速度を篩める効果があり、さ
らに高濃度ド含有廃水でもＣａＦ２ ａｔ晶上に析出し
、液中を浮遊するＣａＦｚ倣結晶全結晶せしめることが
少ない。
また本方法では１種晶は晶析槽の土部に設けられた磁石
およびスクリーンの磁界によってヌクリーン近傍に薄ｌ
−に集まり固疋層となっている。
およびスクリーンの磁界によってヌクリーン近傍に薄ｌ
−に集まり固疋層となっている。
−カスクリーンから下刃に離ｉするにつれで磁界は弱ま
り、 ｉ！晶は下方から上方に流れる被処理水によって
流動（、でいる。従って濾材の抜出［１をスクリーンの
下＠ｌｌｌ ＶＣ形成された簿い固足層６ｍよりやや下
方に設けでおけば、若干の被処理水とともに古い濾材を
連続的又は断続的に引き抜ける。また源側が下方では流
動していることから０例えばポンプなどで十分な押込圧
力さえあれば、新しい濾材をライン７から連続的又は１
１．ｌＩ続的に注入することができる。
り、 ｉ！晶は下方から上方に流れる被処理水によって
流動（、でいる。従って濾材の抜出［１をスクリーンの
下＠ｌｌｌ ＶＣ形成された簿い固足層６ｍよりやや下
方に設けでおけば、若干の被処理水とともに古い濾材を
連続的又は断続的に引き抜ける。また源側が下方では流
動していることから０例えばポンプなどで十分な押込圧
力さえあれば、新しい濾材をライン７から連続的又は１
１．ｌＩ続的に注入することができる。
さらに晶析槽上部が磁場にエリ固足層となっているため
、 ＣａＦ２の微結晶をも濾過できるという第１１点が
ある。
、 ＣａＦ２の微結晶をも濾過できるという第１１点が
ある。
なお、晶析槽への濾材注入［］は、晶析槽の１：方であ
ればどこでもよ＜、 ｉた濾材抜出し１は固定槽６ｇの
血下旬近に設けることが望ましい。
ればどこでもよ＜、 ｉた濾材抜出し１は固定槽６ｇの
血下旬近に設けることが望ましい。
さらＶこ第２図に示すように、濾材層をｒｋ夕ＩＨＣ抜
数段設りでもよい。これは被処理水中にＣａＦ２晶伯反
応の■害物質が多いため特に様相濃度を高めたいときに
用い石。即ち第１図の装置ｗに比べて流動ｇ６ｂの様相
濃度を約２〜３倍高められる。
数段設りでもよい。これは被処理水中にＣａＦ２晶伯反
応の■害物質が多いため特に様相濃度を高めたいときに
用い石。即ち第１図の装置ｗに比べて流動ｇ６ｂの様相
濃度を約２〜３倍高められる。
以上実施例に工って詳述したように１本発明方法によれ
ば０次のような長所がある。
ば０次のような長所がある。
（１）晶析槽下部お工ひ中間部でＶｉ纏拐が流動しなが
ら、１部では磁場により固定されているために槽内にａ
＃材を保持でき９種晶としての詩材濃度を著しく高めら
れ、装置の小型化がはかれる。また、晶析槽上部が固定
層となってＣａＦ２の微結晶を逃さず濾過できる。
ら、１部では磁場により固定されているために槽内にａ
＃材を保持でき９種晶としての詩材濃度を著しく高めら
れ、装置の小型化がはかれる。また、晶析槽上部が固定
層となってＣａＦ２の微結晶を逃さず濾過できる。
（２）晶析槽下部および中間部では濾材が流動している
ので、ａ＊、Ｕの排出および補充が、被処理水を通水中
でもロエ能であり、被処理水の通水を停止することなく
、肥大化した種晶を連続的又は断続的に入れ換えること
ができる。これによって被処理水の通水知に関係なく処
理水中のフッ素濃度が低レベルで安定して（ｂられる。
ので、ａ＊、Ｕの排出および補充が、被処理水を通水中
でもロエ能であり、被処理水の通水を停止することなく
、肥大化した種晶を連続的又は断続的に入れ換えること
ができる。これによって被処理水の通水知に関係なく処
理水中のフッ素濃度が低レベルで安定して（ｂられる。
（３） ＣａＦ２結晶は、従来の沈澱法とは異なりち花
な固形物質であるためスラッジの発生量は惨めて少ない
。
な固形物質であるためスラッジの発生量は惨めて少ない
。
（４）僧、内の濾過作用によすＣｓ＋Ｆ２微結晶が生成
しても処理水中４ＣＣａＦ２として漏出することを防止
できる。そのため被処理水のフッ素濃度が妥足して得ら
れる。
しても処理水中４ＣＣａＦ２として漏出することを防止
できる。そのため被処理水のフッ素濃度が妥足して得ら
れる。
従来方法のＣａＦ２４１１体ｍｔ過法と本発明との処理
比較例をＩＡ１表ＶＣ示した。
比較例をＩＡ１表ＶＣ示した。
第 １ 表
１）通水ｆｈ率＝通水−（４／充てん４７１１Ｉ；（ｌ
Ｊ２） ＰＩ（−”８．５． Ｃａ／Ｆ＝５添加３
）７〜３５７２シネの活性炭にＣｓＦ２を担持させたも
の。
Ｊ２） ＰＩ（−”８．５． Ｃａ／Ｆ＝５添加３
）７〜３５７２シネの活性炭にＣｓＦ２を担持させたも
の。
水のｆｌｆｌ留時間は３０分間（全間遠１１１Ｆ：５ｖ
−ｚ １／ｈ ）。
−ｚ １／ｈ ）。
４）６０−２００メツシｓ−のマグネタイト（Ｆ’ｅ５
０４ ）にＣａＦ ２を担持濱せたもの。
０４ ）にＣａＦ ２を担持濱せたもの。
磁場は０５〜＋（Ｑａ）。水の滞留時間は１０分間（空
間速度５Ｖ＝６１／ｈ）。
間速度５Ｖ＝６１／ｈ）。
第１図は本発明方法の一実施例を示すフローチャート、
第２図Ｆｉ本発明方法の別の実施例を示すフローチャー
トである ３・・・・・・・・・晶析槽、４・・・・・・・・磁石
、５・・・−・−・・・金繕スク１１−：／、６ｍ・・
・・・・・・・固定層、 ６ｂ・・・・ｔ・・・・流
動層。 垢ｌ囚 第２閃
第２図Ｆｉ本発明方法の別の実施例を示すフローチャー
トである ３・・・・・・・・・晶析槽、４・・・・・・・・磁石
、５・・・−・−・・・金繕スク１１−：／、６ｍ・・
・・・・・・・固定層、 ６ｂ・・・・ｔ・・・・流
動層。 垢ｌ囚 第２閃
Claims (1)
- カルシウム塩の存在下で表面に不溶性カルシウム塩被膜
を形成させた粉末状又は粒状の磁性体又は磁性体を含む
固形物からなる濾材の層に同濾材層の少なくとも下流部
分を磁場中において固定化させた状態で被処理水を通過
接触せしめ同濾材表面にフッ化カルシウムの結晶を析出
させて被処理水中のフッ素を除去することを特徴とする
フッ素含有廃水の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278182A JPS58207990A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | フツ素含有廃水の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9278182A JPS58207990A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | フツ素含有廃水の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207990A true JPS58207990A (ja) | 1983-12-03 |
| JPH02993B2 JPH02993B2 (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=14063954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9278182A Granted JPS58207990A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | フツ素含有廃水の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207990A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146388A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | Naigai Kagaku Seihin Kk | フツ素イオンの除去方法 |
| WO2013145373A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社 東芝 | 水処理方法 |
| CN103418230A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 北京三聚环保新材料股份有限公司 | 一种负载型无定形羟基氧化铁脱硫剂及其制备方法 |
| JP2014097501A (ja) * | 2014-01-31 | 2014-05-29 | Toshiba Corp | 水処理方法 |
| CN105836866A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-10 | 南昌航空大学 | 稀土金属冶炼高氟废水诱导结晶氟化钙的工艺 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9278182A patent/JPS58207990A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61146388A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-04 | Naigai Kagaku Seihin Kk | フツ素イオンの除去方法 |
| WO2013145373A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社 東芝 | 水処理方法 |
| JP2013208543A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 水処理方法 |
| CN103418230A (zh) * | 2012-05-17 | 2013-12-04 | 北京三聚环保新材料股份有限公司 | 一种负载型无定形羟基氧化铁脱硫剂及其制备方法 |
| JP2014097501A (ja) * | 2014-01-31 | 2014-05-29 | Toshiba Corp | 水処理方法 |
| CN105836866A (zh) * | 2016-06-14 | 2016-08-10 | 南昌航空大学 | 稀土金属冶炼高氟废水诱导结晶氟化钙的工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02993B2 (ja) | 1990-01-10 |
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