JPS58207634A - 目合わせ装置 - Google Patents

目合わせ装置

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Publication number
JPS58207634A
JPS58207634A JP57091044A JP9104482A JPS58207634A JP S58207634 A JPS58207634 A JP S58207634A JP 57091044 A JP57091044 A JP 57091044A JP 9104482 A JP9104482 A JP 9104482A JP S58207634 A JPS58207634 A JP S58207634A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
temperature
electrodes
supporting base
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57091044A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP57091044A priority Critical patent/JPS58207634A/ja
Publication of JPS58207634A publication Critical patent/JPS58207634A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は目合わせ算光装置のウエーノ・支持台構造に関
する。
従来、目合わせ露光装置のウエーノ・支持台は、金属材
料で構成はね、温度調節機能が付加されていないのが通
例であった。
従来の目合わせ露光装置のウエーノ・支持台に温度調節
機能を付加するには、ヒーターを支持台に埋め込む必要
かあるが、ヒーターを支持台に埋め込むと、支持台のＭ
各種も大とくな１１温度調節も精変よ〈行えｔ「いとい
ら欠点があった。
本発明は上翼ｅ従来技術の欠点を改ルし、目合わせ館光
装置のウェーハ支持台を高精度に温度調節する事が可能
なウェーハ支持台構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明σ゛・基本的な構成は
、目合わせ装ｆＫ於て、半導体ウェーハ支持台表面には
、少なくとも半導体への通電を可能にする２つＪＵ上の
電極が形成きれて成る事を特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による目合せ装置の支持台の一笑流側を
示す要部の断面構造である。
セラミックからｔｒる支持台１には真空チャックのため
の通気孔２が形成ばね、表面の中心部電接（ＡｕヌＶｉ
Ａｇメッキ電ｆｉｔｉ）３とそのリード線４、および表
面の端部周辺電接５とそのリード線６が形成され、Ｓｉ
つニーハフが支持台に、真空チャックされると共に電極
３及び５にそＪ・裏面が接−触し、電ｉｆ！ｉ３，５間
に通電することにより半導体自体の自己抵抗で加熱きれ
てウェーハ温度が制’ｌ！１−Ｊれる。
制御のための温度検知センサー８に設置はれてウェーハ
７の裏面と接触し、リード紳９により外部電気回路へ導
かれ、フィードバックがかけられて温Ｉｆ調節される。
本構成、ｒり目合わせ装置の支持台による半導体ウェー
ハのｍ昨調節においては、支持台へは電極形成のみでｍ
く、熱容量を小ジくとることかでと高い精實の温度調節
が可能となり、かつ支持台への水冷機構の組み込みも＠
ｘ、とゾ「る。この様に半導体ウェー・・の高″Ｉ＃を
度湛度制御が可ｉｐとな乙ことは、Ｉｔエーハの熱膨張
を制御して高精度の目合わせを回部とする効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に−よる目合わせ装置の支持台構造の一
実施例の要部を示す断面ツ１である。 １・・・・・・支持台基板 ２・・・・・・真空チャック孔 ３．５・・・・・・電極 ４．６．９・・・・・・リード系中 ８・・・・・・温度センサー ７・・・・・・半導体ウェーノ・ Ｊ！Ｊ上 出願人　株式会社　諏訪ＮＩ舎 代理人　弁理士　第上　務 ′門１゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーノー支持台表面には、少なくとも半導体へ
    の通電を可能にする２つ以上の電極が形成ばれて成る事
    を特徴とする目合わせ装置。
JP57091044A 1982-05-28 1982-05-28 目合わせ装置 Pending JPS58207634A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57091044A JPS58207634A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 目合わせ装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP57091044A JPS58207634A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 目合わせ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58207634A true JPS58207634A (ja) 1983-12-03

Family

ID=14015498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57091044A Pending JPS58207634A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 目合わせ装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS58207634A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0320297A2 (en) * 1987-12-10 1989-06-14 Canon Kabushiki Kaisha Method of temperature control of a wafer on a chuck

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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