JPS58206098A - 点灯回路 - Google Patents
点灯回路Info
- Publication number
- JPS58206098A JPS58206098A JP9009282A JP9009282A JPS58206098A JP S58206098 A JPS58206098 A JP S58206098A JP 9009282 A JP9009282 A JP 9009282A JP 9009282 A JP9009282 A JP 9009282A JP S58206098 A JPS58206098 A JP S58206098A
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- Japan
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- voltage
- circuit
- filament
- capacitor
- lighting
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- Pending
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- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、螢光放電管の点灯回路に係り、特に従来の点
灯管に代わって使用される半導体点灯回路の改良に関す
るものである。
灯管に代わって使用される半導体点灯回路の改良に関す
るものである。
一般に、螢光数11W全点灯するには螢光放電管のフィ
ラメントを予熱した後、その両端に高電圧パルス(以下
キック電圧と言う)を印加し、点灯後は予熱電流を流す
回路を開いておくことが必要である。点灯管による螢光
放電管の点灯方式は安価にその機能を得ることができる
ので広く用いられているが、点灯に要する時間が長いこ
と、寿命が短いこと、真暗な場所では動作しにくくなる
こと等の欠点があるので動作が早く、長寿命という利点
のある半導体素子を利用した半導体点灯回路が採用され
るようになってきた。
ラメントを予熱した後、その両端に高電圧パルス(以下
キック電圧と言う)を印加し、点灯後は予熱電流を流す
回路を開いておくことが必要である。点灯管による螢光
放電管の点灯方式は安価にその機能を得ることができる
ので広く用いられているが、点灯に要する時間が長いこ
と、寿命が短いこと、真暗な場所では動作しにくくなる
こと等の欠点があるので動作が早く、長寿命という利点
のある半導体素子を利用した半導体点灯回路が採用され
るようになってきた。
第1図に半導体点灯回路の従来の一例を示す接続図であ
り、図において、lは商用交流11碑(以下AC′wL
源と貰う)、2は安定器、3は螢光放電’Its 3
a* 3 bはそのフィラメント、4は開閉器、5
は非直線性誘電体素子、6は)’N1’Nスイッチ、7
.8は整流ダイオード、9は抵抗器である。非直線性誘
電体7子5ば、その充1!電荷が7子固有の値に達する
と充[電流が零になる一種のコンデンサである。
り、図において、lは商用交流11碑(以下AC′wL
源と貰う)、2は安定器、3は螢光放電’Its 3
a* 3 bはそのフィラメント、4は開閉器、5
は非直線性誘電体素子、6は)’N1’Nスイッチ、7
.8は整流ダイオード、9は抵抗器である。非直線性誘
電体7子5ば、その充1!電荷が7子固有の値に達する
と充[電流が零になる一種のコンデンサである。
第1図回路の動作を説明すると、開閉器4が閉じられ、
フィラメント3a側に正の電圧が印加されるAC1l源
lの極性において、PNPNスイッチ6に、印加電圧が
そのブレークオーバ電圧以上になればターンオンし、安
定器2、フィラメント3a。
フィラメント3a側に正の電圧が印加されるAC1l源
lの極性において、PNPNスイッチ6に、印加電圧が
そのブレークオーバ電圧以上になればターンオンし、安
定器2、フィラメント3a。
PNPNスイッチ6、整流ダイオード7、フイラメン)
3b、開閉器4を通じて電流が流れ、フィラメント3a
、3bが予熱される。この予熱電流は、安定器2のイン
ダクタンスによりAC電源lの電圧位相より遅れている
。次にフィラメント3b側に正の電圧が印加される逆の
半サイクルに、PNPへスイッチ6がオフし電流位相が
遅れているため直に非直鞠性誘電体累子5に電圧が印加
され充i[電流が流れるが、その光電電荷は前記同有櫃
に達すると充tii流はしゃ断される。この電流しゃ断
により、安定52にそのインダクタンスト電流減少率に
より決まる高電圧を発生し、それが螢光放電w3のフィ
ラメント3a、3blSJ]VCキツク電圧として印加
される。次の牛サイクルでは同様に予熱電流が流れ、フ
ィラメント3a、3bが加熱され、次の半サイクルでキ
ック[Ltが印加されるという動作を繰返し、螢光放電
管3は、フィラメン)3a、3bの加熱と共にその始動
電圧が低下し、キック電圧の印加により点灯する。点灯
後は、螢光放tf3の管電圧が)’N)’Nスイッチ6
のブレークオーバ電圧より低いので、)’INPNスイ
ッチ6は動作しないので予熱電流は流れず、以後点灯を
継続する。
3b、開閉器4を通じて電流が流れ、フィラメント3a
、3bが予熱される。この予熱電流は、安定器2のイン
ダクタンスによりAC電源lの電圧位相より遅れている
。次にフィラメント3b側に正の電圧が印加される逆の
半サイクルに、PNPへスイッチ6がオフし電流位相が
遅れているため直に非直鞠性誘電体累子5に電圧が印加
され充i[電流が流れるが、その光電電荷は前記同有櫃
に達すると充tii流はしゃ断される。この電流しゃ断
により、安定52にそのインダクタンスト電流減少率に
より決まる高電圧を発生し、それが螢光放電w3のフィ
ラメント3a、3blSJ]VCキツク電圧として印加
される。次の牛サイクルでは同様に予熱電流が流れ、フ
ィラメント3a、3bが加熱され、次の半サイクルでキ
ック[Ltが印加されるという動作を繰返し、螢光放電
管3は、フィラメン)3a、3bの加熱と共にその始動
電圧が低下し、キック電圧の印加により点灯する。点灯
後は、螢光放tf3の管電圧が)’N)’Nスイッチ6
のブレークオーバ電圧より低いので、)’INPNスイ
ッチ6は動作しないので予熱電流は流れず、以後点灯を
継続する。
一般に、点灯に委する時間は1秒以内であるが、第1図
に示した半導体点灯回路は、予熱電流の流れた次の半サ
イクルからキック電圧全印加するので、フィラメント3
a3bが充分予熱されないまま始動する形になるので、
フィラメントに塗布さttている熱電子放出材料を劣化
させやすく、螢光放電管自体の埒命VC恕影41を与え
るおそれがある。
に示した半導体点灯回路は、予熱電流の流れた次の半サ
イクルからキック電圧全印加するので、フィラメント3
a3bが充分予熱されないまま始動する形になるので、
フィラメントに塗布さttている熱電子放出材料を劣化
させやすく、螢光放電管自体の埒命VC恕影41を与え
るおそれがある。
本発明の目的は、螢光放電前のフィラメントが充分予熱
されないまま、高1比のキック亀圧で放電を開始するこ
とによる、放m管の寿命短縮の欠点のない半導体点灯回
路を提供するにある。
されないまま、高1比のキック亀圧で放電を開始するこ
とによる、放m管の寿命短縮の欠点のない半導体点灯回
路を提供するにある。
本発明の点灯回路では、予じめ設定さiまたフィラメン
トの予熱時間の経過後キック電圧が印加されるようにし
て放電を開始させるので、螢光放電管の熱陰極温度が低
いままで、無理に高電圧を印加して熱電子放出材料を劣
化させる従来必点灯回路の欠点が除去される。
トの予熱時間の経過後キック電圧が印加されるようにし
て放電を開始させるので、螢光放電管の熱陰極温度が低
いままで、無理に高電圧を印加して熱電子放出材料を劣
化させる従来必点灯回路の欠点が除去される。
つきに本発明を実施例により説明する。
第2図は本発明の一実施例の回路接続図である。
図において、第1図で説明した従来例の構成v!!素の
他に、Pゲートサイリスタ10.足電圧ダイオ−)”
l 1%MLJS型電界効果トランジスタ(M(JS
F E i’という)12のドレイ、ン基板間のPへ伊
もで形成される等価タイオード(並列タイメートという
)12b1および抵抗19を含み第1の一方向性スイツ
チング回′Nrを形成しており、整流ターイオード14
、コンデンサ16および17、PへPトランジスタ15
.抵抗22とを含み、フィラメント電流を電圧Vc変換
しり;持する採知回路をル成L %M(JSFET l
2のトランジスタ部12aと整流ダイオード23で第
2の一方向性スイツチング回路を形成している。また、
ヘゲートサイリスタ13と抵抗20により、保持回路の
保持電圧を初期化する回路を形成する。
他に、Pゲートサイリスタ10.足電圧ダイオ−)”
l 1%MLJS型電界効果トランジスタ(M(JS
F E i’という)12のドレイ、ン基板間のPへ伊
もで形成される等価タイオード(並列タイメートという
)12b1および抵抗19を含み第1の一方向性スイツ
チング回′Nrを形成しており、整流ターイオード14
、コンデンサ16および17、PへPトランジスタ15
.抵抗22とを含み、フィラメント電流を電圧Vc変換
しり;持する採知回路をル成L %M(JSFET l
2のトランジスタ部12aと整流ダイオード23で第
2の一方向性スイツチング回路を形成している。また、
ヘゲートサイリスタ13と抵抗20により、保持回路の
保持電圧を初期化する回路を形成する。
次に第2図の動作について図面を参照して説明する。第
2図において、開閉器4を閉じると、螢光放電管3のフ
イラメン)3a側に正の電圧が印加されるAC[源lの
半サイクル(、その電圧が定111ダイオードllのツ
ェナー電圧よジ大きくなると、PゲートサイリスタlO
にゲート電流が流れオンするので、安定器2フイラメン
)3a。
2図において、開閉器4を閉じると、螢光放電管3のフ
イラメン)3a側に正の電圧が印加されるAC[源lの
半サイクル(、その電圧が定111ダイオードllのツ
ェナー電圧よジ大きくなると、PゲートサイリスタlO
にゲート電流が流れオンするので、安定器2フイラメン
)3a。
Pケートサイリスタ10%抵抗19、並列等価ダイオー
ド12b、 フィラメント3b1開閉器4を通じてiI
流が流れ、フィラメント3a、3bが予熱される。同時
に、抵抗19の電圧降下により整流ダイオード14を通
じてコンデンサ16が充電されるが、このとき、抵抗2
2とトランジス415のエミッタベース、抵抗21−′
t−Aじてコンデンサー7も充電さfしている。このと
き、コンテンサ16の容量に対しコンデンサ17の容t
#′iきわめて大きくしであるのでコンデンサ16の充
電電圧が抵抗19の電圧降下にほとんど追従して増加す
るのに対し、コンデンサ17の充電電圧は徐々に増加す
る。そのために抵抗19の電圧降下がコンデンサ16の
充電電圧よシも低くなる半サイクルの後半においてハ、
トランジス4L5のエミッタペース抵抗21を通じてコ
ンデンサ17の充電電流が流れているので、トランジス
タ15はオンでアtll、コンデンサ16の充篭亀荷は
抵抗1’1通じて放電し半サイクルの終りにはコンデン
サ17の充電電圧とほぼ等しい電圧になる。次に、フィ
ラメント3bfIIIK正の電圧が印加される半サイク
ルにおイ”r、M(J S k’ E T 12 a
ij コンデンサ16の充電電圧が小さいうちはオフで
あplそのドレインソース間亀圧が上昇するため、〜ゲ
ートサイリスタ13は直にオンし、コンデンサ16の電
荷をそのゲートカソード間に放電する。この動作が半サ
イクル毎にくシ返さf1予熱電流が流れてフィラメント
3、a、3bが予加熱されると同時にコンデンサ17へ
の充電も半サイクル毎に行なわれてその充電電圧が増加
し、コンデンサ16の充電残存電圧も大きくなってM(
JSF ETI 2a が導通するゲート電圧になる
ので、フィラメント3bIlllに正の電圧が印加され
る半サイクルにおいて、Mo5FETt2助E導通して
整流ダイオード23全通して電流が流れる0そのドレイ
ン電流が増加すると、ドレインソース間の端子電圧も増
加し、その電圧がコンデンサ16の光電残存1;圧以上
になるとヘグートサイリスタ13のアノードゲートにト
リガ電流が流れるようになってヘゲートサイリスJ13
がオンし、コンデンサ16の電荷をゲートカソード間に
放電するOM(JSFET 12aはゲートソース間の
バイアスが零になるので急速にオフし、その回路電流が
零になるので安定器2にキック電圧を発生り、螢光放電
管ケ点灯する。
ド12b、 フィラメント3b1開閉器4を通じてiI
流が流れ、フィラメント3a、3bが予熱される。同時
に、抵抗19の電圧降下により整流ダイオード14を通
じてコンデンサ16が充電されるが、このとき、抵抗2
2とトランジス415のエミッタベース、抵抗21−′
t−Aじてコンデンサー7も充電さfしている。このと
き、コンテンサ16の容量に対しコンデンサ17の容t
#′iきわめて大きくしであるのでコンデンサ16の充
電電圧が抵抗19の電圧降下にほとんど追従して増加す
るのに対し、コンデンサ17の充電電圧は徐々に増加す
る。そのために抵抗19の電圧降下がコンデンサ16の
充電電圧よシも低くなる半サイクルの後半においてハ、
トランジス4L5のエミッタペース抵抗21を通じてコ
ンデンサ17の充電電流が流れているので、トランジス
タ15はオンでアtll、コンデンサ16の充篭亀荷は
抵抗1’1通じて放電し半サイクルの終りにはコンデン
サ17の充電電圧とほぼ等しい電圧になる。次に、フィ
ラメント3bfIIIK正の電圧が印加される半サイク
ルにおイ”r、M(J S k’ E T 12 a
ij コンデンサ16の充電電圧が小さいうちはオフで
あplそのドレインソース間亀圧が上昇するため、〜ゲ
ートサイリスタ13は直にオンし、コンデンサ16の電
荷をそのゲートカソード間に放電する。この動作が半サ
イクル毎にくシ返さf1予熱電流が流れてフィラメント
3、a、3bが予加熱されると同時にコンデンサ17へ
の充電も半サイクル毎に行なわれてその充電電圧が増加
し、コンデンサ16の充電残存電圧も大きくなってM(
JSF ETI 2a が導通するゲート電圧になる
ので、フィラメント3bIlllに正の電圧が印加され
る半サイクルにおいて、Mo5FETt2助E導通して
整流ダイオード23全通して電流が流れる0そのドレイ
ン電流が増加すると、ドレインソース間の端子電圧も増
加し、その電圧がコンデンサ16の光電残存1;圧以上
になるとヘグートサイリスタ13のアノードゲートにト
リガ電流が流れるようになってヘゲートサイリスJ13
がオンし、コンデンサ16の電荷をゲートカソード間に
放電するOM(JSFET 12aはゲートソース間の
バイアスが零になるので急速にオフし、その回路電流が
零になるので安定器2にキック電圧を発生り、螢光放電
管ケ点灯する。
以上説明したように、本発明による点灯回路は、開閉器
をオンして予熱電流通電後あらかじめ設定し念時間俊に
キック電圧を印加するので、螢光放電管の熱陰極温度が
元分暖まってから高電圧を印加して点灯することになシ
、螢光放電管、点灯回路共に長寿命で、しかも点灯スピ
ードの早い点灯回路を提供できる。
をオンして予熱電流通電後あらかじめ設定し念時間俊に
キック電圧を印加するので、螢光放電管の熱陰極温度が
元分暖まってから高電圧を印加して点灯することになシ
、螢光放電管、点灯回路共に長寿命で、しかも点灯スピ
ードの早い点灯回路を提供できる。
第1図は従来の点灯回路の一例を示す接続回路図、第2
図は本発明の一実施例を示す接続回路図である。 l・・・交流商用電源、2・・・安定器、3・・・螢光
放電管、4・・・開閉器、5・・・非直線性誘電体素子
、6・・・PNPNスイッチs 7− 8− 14.
23・・・整流ダイオード、lO・・・Pケートサイリ
スタ、11・・・定電圧ダイオード%12・・・MUS
型電界効果トランジスタ、13・・・ヘゲートサイリス
タ、15・・・トランジスタ、16.17・・・コンデ
ンサ、18.19゜20.21.22−・・・抵抗。
図は本発明の一実施例を示す接続回路図である。 l・・・交流商用電源、2・・・安定器、3・・・螢光
放電管、4・・・開閉器、5・・・非直線性誘電体素子
、6・・・PNPNスイッチs 7− 8− 14.
23・・・整流ダイオード、lO・・・Pケートサイリ
スタ、11・・・定電圧ダイオード%12・・・MUS
型電界効果トランジスタ、13・・・ヘゲートサイリス
タ、15・・・トランジスタ、16.17・・・コンデ
ンサ、18.19゜20.21.22−・・・抵抗。
Claims (1)
- 交流電源に安定器を通じて接続された螢光放電管を非点
灯時のみ導通させて前記数tgIのフィラメントに予熱
電流を流す第1の一方向性スイッチング回路と、前記予
熱電流を電圧に変換し蓄積保持する保持回路と、前記第
1のスイッチング回路に逆電圧が印加される交流電源の
極性において前記第1のスイッチング回路の動作開始後
所定時間軽過後前記保持電圧により導通する第2の一方
向性スイッチング回路と、前6ピ第2のスイッチング回
路の端子電圧を検知し前記保持回路の保持電圧を初期化
する回路とを備えたことを特徴とする点灯回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9009282A JPS58206098A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 点灯回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9009282A JPS58206098A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 点灯回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58206098A true JPS58206098A (ja) | 1983-12-01 |
Family
ID=13988868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9009282A Pending JPS58206098A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 点灯回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58206098A (ja) |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP9009282A patent/JPS58206098A/ja active Pending
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