JPS5819807Y2 - 反射電子検出器 - Google Patents
反射電子検出器Info
- Publication number
- JPS5819807Y2 JPS5819807Y2 JP1976149701U JP14970176U JPS5819807Y2 JP S5819807 Y2 JPS5819807 Y2 JP S5819807Y2 JP 1976149701 U JP1976149701 U JP 1976149701U JP 14970176 U JP14970176 U JP 14970176U JP S5819807 Y2 JPS5819807 Y2 JP S5819807Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- opening
- sample
- backscattered
- electron beam
- backscattered electron
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、反射電子検出器に関し特に検出出力を大きく
することができる反射電子検出器の構造に関する。
することができる反射電子検出器の構造に関する。
電子顕微鏡においては、試料の表面状態を検出するため
に、試料へ照射した電子ビームが該試料表面において反
射された反射電子を検出することが行なわれる。
に、試料へ照射した電子ビームが該試料表面において反
射された反射電子を検出することが行なわれる。
また、電子ビーム露光装置においては、半導体基板等の
被処理体の表面における露光の基準点−電子め設けられ
た位置決めマークを検出するために該位置決めマーク近
傍へ電子ビームを照射し、その反射電子を検出すること
が行なわれる。
被処理体の表面における露光の基準点−電子め設けられ
た位置決めマークを検出するために該位置決めマーク近
傍へ電子ビームを照射し、その反射電子を検出すること
が行なわれる。
これら試料あるいは被処理体へ電子ビームを照射し、そ
の反射電子を検出する手段として、従来は第１図に示さ
れるような装置を用いていた。
の反射電子を検出する手段として、従来は第１図に示さ
れるような装置を用いていた。
同図ａは、試料あるいは被処理体の表面へ電子ビームが
照射され、反射電子をフォト・ダイオードで検出する状
態を横方向からみた状態を示し、同図すは、これをフォ
ト・ダイオードの上方からみた状態を示す。
照射され、反射電子をフォト・ダイオードで検出する状
態を横方向からみた状態を示し、同図すは、これをフォ
ト・ダイオードの上方からみた状態を示す。
同図において、１１は試料あるいは被処理体１２は電子
ビーム、１３は反射電子、１４−１〜１４−６はフォト
・ダイオードである。
ビーム、１３は反射電子、１４−１〜１４−６はフォト
・ダイオードである。
すなわち、従来の反射電子の検出手段は、反射電子の検
出体として個別のフォト・ダイオードを用い、これを複
数個電子ビーム周囲を囲んで、且つ該電子ビームの到達
点方向の主受光面を向けて配置するものである。
出体として個別のフォト・ダイオードを用い、これを複
数個電子ビーム周囲を囲んで、且つ該電子ビームの到達
点方向の主受光面を向けて配置するものである。
ところがこのような構造によれば検出器であるフォト・
ダイオードは、反射電子の飛ぶ３６０度全てをカバーす
ることが困難であり、また大きな立体角が得られず、そ
の電子検出率を高めて大きな検出出力を得ることができ
ない。
ダイオードは、反射電子の飛ぶ３６０度全てをカバーす
ることが困難であり、また大きな立体角が得られず、そ
の電子検出率を高めて大きな検出出力を得ることができ
ない。
検出器の数を増せばこのような欠点は減らすことができ
ると考えられるが、該検出器は特定の大きさを有するた
め、その機械的支持機構が複雑となり、数の増加にも限
度がある。
ると考えられるが、該検出器は特定の大きさを有するた
め、その機械的支持機構が複雑となり、数の増加にも限
度がある。
更に、試料あるいは被処理体の挿入、取り出しの際に該
検出器へこれらの試料あるいは被処理体が触れ、互いに
破損する恐れも多い。
検出器へこれらの試料あるいは被処理体が触れ、互いに
破損する恐れも多い。
本考案は、このような従来の反射電子検出器の欠点を除
去し、簡単な構成をもって大きな検出出力を得ることの
できる反射電子検出器を提供しようとするものである。
去し、簡単な構成をもって大きな検出出力を得ることの
できる反射電子検出器を提供しようとするものである。
本考案によれば、−導電型を有する半導体装置に該半導
体基板の一方の主面に向って広がる開口が設けられ、該
開口の内周面並びに該半導体基板の一方の主面に接合が
形成され、該半導体基板の一導電型部と反射溝導電型層
とから電極が導出されてなり、前記開口の内周面が試料
上面へ対向され、該開口を通して該試料へ電子ビームを
照射可能とされてなる反射電子検出器が提供される。
体基板の一方の主面に向って広がる開口が設けられ、該
開口の内周面並びに該半導体基板の一方の主面に接合が
形成され、該半導体基板の一導電型部と反射溝導電型層
とから電極が導出されてなり、前記開口の内周面が試料
上面へ対向され、該開口を通して該試料へ電子ビームを
照射可能とされてなる反射電子検出器が提供される。
次に本考案を図面をもって詳細に説明する。
第２図は本考案による反射電子検出器を用いて、試料（
被処理体）へ照射された電子ビームの反射電子を検出す
る状態を示している。
被処理体）へ照射された電子ビームの反射電子を検出す
る状態を示している。
同図ａはｂのＸ−Ｘ１断面を示す。
また、Ｃはｂの斜視破断面図である。
同図において２１は資料、２２は電子ビーム、２３は反
射電子、２４は本考案による反射電子検出器である。
射電子、２４は本考案による反射電子検出器である。
すなわち、本考案によれば反射電子検出器２４は半導体
基板２５を基体とし、そこに設けられた開口２６を電子
ビーム２２の通過孔とし、該開口２６の内周面全面にＰ
Ｎ接合２７を配置して該開口内周面全面を反射電子の捕
捉面として構成される。
基板２５を基体とし、そこに設けられた開口２６を電子
ビーム２２の通過孔とし、該開口２６の内周面全面にＰ
Ｎ接合２７を配置して該開口内周面全面を反射電子の捕
捉面として構成される。
このような本考案による反射電子検出器２４は、第３図
ａ ” ｃに示すように（１００）面を主表面とする一
導電型（例えばＮ型）を有するシリコン基板３１に対し
異方性エンチング処理を行なって（１１１）面３２を表
出した開口３３を設げ８１次いで該開口３３内周面並び
にこれに連続する一方の主面に反対導電型（Ｐ型）不純
物を導入して、該開口内周面に連続するＰ−Ｎ接合３４
を形成しす、Ｌかる後絞半導体基板の表裏両面からそれ
ぞれ電極３５．３６を導出して製作することができる。
ａ ” ｃに示すように（１００）面を主表面とする一
導電型（例えばＮ型）を有するシリコン基板３１に対し
異方性エンチング処理を行なって（１１１）面３２を表
出した開口３３を設げ８１次いで該開口３３内周面並び
にこれに連続する一方の主面に反対導電型（Ｐ型）不純
物を導入して、該開口内周面に連続するＰ−Ｎ接合３４
を形成しす、Ｌかる後絞半導体基板の表裏両面からそれ
ぞれ電極３５．３６を導出して製作することができる。
この場合、該半導体基板３１の開口部３３並びに電極取
出し部を除く表面を二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）等の絶
縁皮膜により保護することもできる。
出し部を除く表面を二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）等の絶
縁皮膜により保護することもできる。
本発明によるこのような反射電子検出器を用いれば、該
検出器の開口２６中を通過して試料２１に到達した電子
ビーム２２は反射し、その反射電子２３は３６０度の方
向へ飛散するが、反射電子検出器２４にはこれらの全て
の方向を連続してカバーするようＰＮ接合が形成されて
いるため、反射電子のほとんどを捕捉し、検出すること
ができる。
検出器の開口２６中を通過して試料２１に到達した電子
ビーム２２は反射し、その反射電子２３は３６０度の方
向へ飛散するが、反射電子検出器２４にはこれらの全て
の方向を連続してカバーするようＰＮ接合が形成されて
いるため、反射電子のほとんどを捕捉し、検出すること
ができる。
しかも半導体基板の厚さを充分厚（すれば、検出有効面
積は増大して、大きな立体角をカバーすることができ、
また検出器として機械的強度を向上することができる。
積は増大して、大きな立体角をカバーすることができ、
また検出器として機械的強度を向上することができる。
更に、検出器として単体で構成することができるため、
その機械的支持のための構造並びに電気的出力の導出を
簡単なものとすることができる。
その機械的支持のための構造並びに電気的出力の導出を
簡単なものとすることができる。
第４図は本考案による反射電子検出器を電子ビーム露光
装置へ適用した場合の構造を示す断面概略図である。
装置へ適用した場合の構造を示す断面概略図である。
同図において、４１は例えばランタンへキサポロライド
（ＬａＢ６）結晶からなる電子発生源、４２はグリッド
電極、４３はアノード電極、４４は電子ビーム第１電子
レンズ、４５は第２電子レンズ、４６は偏向電極、４７
は本考案による反射電子検出器、４８は例えば位置決め
マークを有する半導体基板、４９は電子ビームである。
（ＬａＢ６）結晶からなる電子発生源、４２はグリッド
電極、４３はアノード電極、４４は電子ビーム第１電子
レンズ、４５は第２電子レンズ、４６は偏向電極、４７
は本考案による反射電子検出器、４８は例えば位置決め
マークを有する半導体基板、４９は電子ビームである。
なお、前記実施例においては開口内周面にＰＮ接合ダイ
オードを形成した例を説明したが、これをＰＩＮダイオ
ードとしてもよいことはもちろんである。
オードを形成した例を説明したが、これをＰＩＮダイオ
ードとしてもよいことはもちろんである。
第１図は従来の反射電子検出器の使用状態を示す断面図
及び平面図、第２図は本考案による反射電子検出器の使
用状態を示す断面図、平面図及び斜視断面図、第３図は
本考案による反射電子検出器の製造過程を示す断面図、
第４図は本考案による反射電子検出器を電子ビーム露光
装置に適用した例を示す断面図である。 第１図乃至第４図において、１１，２１．４８は試料（
被処理体）、１２，２２．４９は電子ビーム、１３．２
３は反射電子、１４，２４．４７は反射電子検出器であ
る。
及び平面図、第２図は本考案による反射電子検出器の使
用状態を示す断面図、平面図及び斜視断面図、第３図は
本考案による反射電子検出器の製造過程を示す断面図、
第４図は本考案による反射電子検出器を電子ビーム露光
装置に適用した例を示す断面図である。 第１図乃至第４図において、１１，２１．４８は試料（
被処理体）、１２，２２．４９は電子ビーム、１３．２
３は反射電子、１４，２４．４７は反射電子検出器であ
る。
Claims (1)
- 一導電型を有する半導体再版に該半導体基板の一方の主
面に向って広がる開口が設けられ、該開口の内周面並び
に該半導体基板の一方の主面に接合が形成され、該半導
体基板の一導電型部と反対導導電型層とから電極が導出
されてなり、前記開口の内周面が試料上面へ対向され、
該開口を通して該試料へ電子ビームを照射可能とされて
なることを特徴とする反射電子検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976149701U JPS5819807Y2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 反射電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1976149701U JPS5819807Y2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 反射電子検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5366158U JPS5366158U (ja) | 1978-06-03 |
| JPS5819807Y2 true JPS5819807Y2 (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=28758028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1976149701U Expired JPS5819807Y2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 反射電子検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819807Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11444213B2 (en) | 2017-06-05 | 2022-09-13 | Fondazione Bruno Kessler | Radiation detector and radiation detection apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5117454B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1976-06-02 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5444537Y2 (ja) * | 1974-07-26 | 1979-12-21 |
-
1976
- 1976-11-08 JP JP1976149701U patent/JPS5819807Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5117454B2 (ja) * | 1972-07-28 | 1976-06-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5366158U (ja) | 1978-06-03 |
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