JPH01276777A - 位置検出用半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体素子の表面に照射された入射光ビーム
によって、被検物等の位置検出を行う位置検出用半導体
装置及びその製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 半導体ビーム位置検出用素子（以下Ｐ、Ｓ、Ｄ。

：　Ｐｏ５ｉｔｉｏｎ　５ｅｎｓｉｔｉｖｅ　Ｄｅｔｅ
ｃｔｏｒという）は、半導体素子表面に照射された入射
ビームの位置検出を主たる機能とする半導体センサの一
種である。

Ｐ、Ｓ、Ｄ、による光ビーム位置検出の原理は半導体表
面における“Ｌａｔｅｒａｌ　Ｐｈｏｔｏ　Ｅｆｆｅｃ
ｔ”を利用したもので、その概略は以下の通りである。

即ち、この素子に入射してくる光のエネルギーによって
半導体素子の中に電流が生成され、この電流が、素子端
部に同一極性の部分に少なくとも２つ以上設けられた電
極へ向かって流れる際に、その電流の大きさが電極まで
の距離に反比例して決まるため、発生する光電流の大き
さを各電極において別々に測り、簡単な演算を行えば、
入射光ビームの位置を知ることができる。

入射光ビームの位数を知る目的に従来から使用されてき
たのは、ビデオカメラ等でおなじみのＣＣＤやＭＯ３型
イメージセンサなどの固体撮像素子である。しかし、こ
れらのものは数十五個から数百刃側の検出素子（画素）
を持ち、それを順次走査して信号を取出すため、■信号
読出し回路が複雑、■検出速度か走査速度（フレーム時
間）により決定されそれ以上の時間分解能が得られない
、■画素間に不感領域がある、■位置分解能か画素の大
きさで決定される、などの問題かある。

また、通常、複雑な信号処理回路と数十万、数百万の画
素を同一チ・ノブ上に形成するので製造も難しく、また
、チップ間の素子特性のバラツキか製品要求仕様の条件
の厳しい応用分野での予備部品安定供給などを難しくし
ている。

これに対し、Ｐ、Ｓ、Ｄ、は走査を行わずに１個の検出
素子により、照射された光の位置を検出する方法であっ
て、近年多く用いられるようになった。

第４図（ａ）は従来のＰ、Ｓ、Ｄ、を説明するための平
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。

第４図において、低濃度のｎ−型半導体ウェハｌの第１
面にｐ型層２の正方形３の部分を形成し、この正方形３
を受光面とし、このＰ型の正方形３の端部の対向する２
辺に沿って高濃度のｐ３領域４．５を形成し、ｐ４領域
４．５の表面に金属電極７，８を設けて出力電極とし、
この電極以外の正方形３からなる第１面の少なくともｐ
−ｎ接合部に透明な絶縁層６が形成されている。そして
、ｎ−型半導体ウェハｌの第１面の裏側にｎＩ層９を形
成し、このｎ０層９の一部に電極１０が設けである。

したがって、ｐ型の正方形３の電極のない２辺１１．１
２はｐ−ｎ接合面が形成されているから、正方形３の外
側の比抵抗が実質的に無限と考えて、受光した光による
光電流は１１．１２を越えて外側のｎ領域へ電流が流れ
ることはない。そして、第１面に表れるｐ−ｎ接合は透
明な絶縁層６によって保護されているので、リーク電流
は生しない。

この結果、第４図（ａ）、（ｂ）のＰ、Ｓ、Ｄ。

は受光面の中心を原点０とし、電極のない２辺１１．１
２に平行にＸ軸を、電極７，８に平行にＹ軸をとり、電
極７と８の間隔を２Ｌとすると。

受光面の点Ｑ（ｘ、ｙ）に点状の光が入射したとき、各
電極７，８に流れる電流Ｉ７．ＩＱはＩ、＋１．＝Ｉ。

とすると、 Ｉ　ｙ　＝　Ｉ　ｏ　　（１ｘ／　Ｌ）　／　２Ｉ６＝
１．（１＋ｘ／Ｌ）／２ となり、 Ｉａ　−Ｉ７　＝　Ｉｏ　　”　ｘ／　Ｌｘ＝Ｌ　（Ｉ
ａ　　　Ｉ７　）／Ｉ。

から、位置座標Ｘは ｘ−Ｌ　（Ｉａ　　Ｉ７　）／　（Ｉａ　＋Ｉ７　）か
ら求められる。

また、第４図のＰ、Ｓ、Ｄ、はｎ−型半導体ウェハ１の
ｎ“層９に電極７，８の辺とは異なる対向する２辺に電
極を設けて、ｙ座標を求めることにより、２次元光位置
検出器として機能する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来の位置検出用半導体装置は、半導体結
晶の欠陥、製造工程中の熱サイクルによる損傷及び不純
物（汚染物）の存在に起因する結晶欠陥等が原因でリー
ク電流等が発生したり、また結晶に欠陥かあると、均一
な抵抗層が形成できないので、光ビーム位置の充分に高
精度な検出ができないという問題があった。

また、上述の問題を改善するため、半導体基板上に堆請
されたエピタキシャル層内にｐ−ｎ接合を形成し、この
ｐ−ｎ接合に逆バイアス電圧を印加して空乏層を形成し
光電流を検出すると、ｐ−ｎ接合では空乏層の幅に限界
があるため、波長の長い光は吸収される光の量が少なく
受光面から反対側の面に通過してしまうため、光電流と
しての電気エネルギーへの変換が充分に行われない。そ
の結果、短波長の光に対する位置検出精度は高くなるか
、長波長の光に対する位置検出精度は極めて低いという
問題があった。

この発明はかかる従来の課題を解決するためになされた
もので、簡単な装置で、位置検出精度が高く、幅広い波
長域にわたって位置検出をすることのてきる位置検出用
半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、この出願の第一番目及び
第三番目の発明は接地用の電極を有する第一導電型半導
体基板２１と、この第一導電型半導体基板２１の上面（
第１面）に埋込まれた第二導電型層２２と、前記第一導
電型半導体基板２１及び第二導電型層２２の前記第１面
上に形成された真性半導体層２３と、この真性半導体層
２３の中心部に形成された長方形の第一導電型層２４と
、前記第一導電型半導体基板２１の周辺端部の前記第１
面から前記真性半導体層２３の上面（第２面）に達する
領域に設けられた少なくとも１回りの領域の第一導電型
領域２５と、前記第一導電型半導体基板２１に埋込まれ
た第二導電型層２２の前記第１面の周辺端部から前記真
性半導体層２３の前記第２面に達する領域に設けられた
１回りの低抵抗の第二導電型領域２６と、前記長方形の
第一導電型層２４の前記第２面における端部の対向する
２辺に設けられ、この長方形の第一導電型層２４に接触
する１対の電極２７．２８と、前記１回りの低抵抗の第
二導電型領域２６における前記第２面上の端部の対向す
る２辺てあって、前記第一導電型層２４上の１対の電極
２７．２８を結ぶ線に対して直交する方向に、前記低抵
抗の第二導電型領域２６に接触する１対の電極２９゜３
０とをそれぞれ具備したもの及びその製造方法であり、
第二番目及び第四番目の発明は絶縁性基板３１と、この
絶縁性基板３１の表面に積層された半導体の第二導電型
層と３２、この第二導電型層３２の上面（第１面）上に
形成された真性半導体層３３、この真性半導体層３３の
中心部に形成された長方形の第一導電型層３４と、第二
導電型層３２の前記第１面の周辺端部から前記真性半導
体層３３の上面（第２面）に達する領域に設けられた１
回りの低抵抗の第二導電型領域３５と、前記長方形の第
一導電型層３４の上面（第２面）上における端部の対向
する２辺に設けられ、この長方形の第一導電型層３４に
接触する１対の電極３６．３７と、前記１回りの低抵抗
の第二導電型領域３５における前記第２面上の端部の対
向する２辺であって、前記第一導電型層３４上の１対の
電極３６．３７を結ぶ線に対して直交する方向に、前記
低抵抗の第二導電型領域３５に接触する１対の電極３８
．３９とをそれぞれ具備したもの及びその製造方法であ
る。

［作用コ 従来の装置では、波長の短い光に対しては２乃至３Ｉｉ
ｓのｐ−ｎ接合層で吸収してしまうにも拘らず、波長の
長い光てあれば１５ｇｍ以上の厚みのｐ　−ｎ接合層を
要するという弊害があった。しかし、この発明では上記
の手段を有することにより、真性半導体層か空乏層とし
ての働きをするので、この空乏層の厚みを制御すること
により、短波長から長波長までの幅広い波長域の光を全
て吸収して光電流として検出することかできる。また、
この幅広い波長域の光の検出精度を上げると共にエピタ
キシャル成長によって形成して、欠陥の少ない結晶によ
って１位置検出精度も向上する。

［実施例］ 第１図（ａ）はこの発明の位置検出用半導体装との一実
施例を示す斜視図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−
Ａにおける断面図、同図（ｃ）は同図（ａ）の平面図で
ある。

第１図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）において、２１はｐ型の
半導体基板、２２はこのｐ型の半導体基板２１に埋込ま
れたｎ型層、２３はこのｎ型層２２及びｐ型の半導体基
板２１の上面に形成されたｉ層、２４はこの１層２３内
に形成されたｐ型層、２５はｐ型の半導体基板２１の表
面（ｔ５１面）から１層２３の表面（第２面）に達する
高濃度の２０領域、２６はｐ型の半導体基板２１に埋込
まれたｎ型層２２の第１面から１層２３の表面（第２面
）に達する高濃度のｎ″″″領域７゜２８はｐ型層２４
の表面（第２面）端部に形成された対向するｌ対の電極
、２９．３０は前記Ｊ対の電極２７．２８を結ぶ線と直
交する位置であって、かつＩ’ｍ“領域２６の表面（第
２面）上に形成された１対の電極である。

次に、この第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示した位置
検出用半導体装置の製造方法について２１？明する。

まず、Ｓｌからなるｐ型の半導体基板２１の第１面にイ
オン注入によりｎ型層２２の埋込層を複数個形成し、こ
のｎ型層２２か複数個埋込まれた前記ｐ型の半導体基板
２１の第１面に１層２３をエピタキシャル成長により形
成する。次に、ｐ型の半導体基板２１の周辺端部の第１
面から前記１層２３の第２面に達する少なくとも１回り
の高濃度のｐ１領域２５を複数個設けて分割し、この高
濃度のｐ゛領域２５に分割された複数個の１層２３の第
２面の周辺端部から基板に埋込まれたｎ型層２２に達す
る１回りの高濃度のｎ＋領域２６を熱拡散法により形成
し、この高濃度のｎ６領域２６に囲まれた各１層２３の
第２面の各領域にイオン注入または熱拡散法によって正
方形のｐ型層２４を各々形成する。次に、これら正方形
の各ｐ型層２４の第２面上における各端部の対向する２
辺に正方形のｐ型層２４に接触する１対の電極２７．２
８をそれぞれ形成し、この１対の電極２７．２８を結ぶ
線に対して直交する方向の前記１回りの高濃度のｎ９領
域２６の第２面における対向する２辺に高濃度のｎ０領
域２６に接触する電極２９．３０をそれぞれ形成する。

その後、高濃度のｐ３領域２５の部分を鋸等による機械
的加工、もしくはエツチング等による化学的処理により
各装置に分割する。

次に第１図の位置検出用半導体装置によって被検物の位
置を検出する方法を、第２図を用いて説明する。

第２図（ａ）はこの発明における被検物からの入射光に
よって被検物の位置を検出する際の位置検出用半導体装
置の概略説明図で、同図（ｂ）は同図（ａ）の断面図で
ある。

第２図において、ｐ型層２４とｎ型層２２に逆バイアス
の電圧、即ちｐ型層２４に負電圧を、ｎ型層２２に正電
圧を印加してｐ型層２４の表面（第２面）に被検物から
の光を照射すると、ｐｉｎ接合の１層２３は空乏層とし
ての働きをし、この空乏層の中を光電流が流れる。

今、電極２９．３０に平行にＸ軸、電極２７゜２８に平
行にＹ軸をとり、電極２７．２８間の間隔を２Ｌとする
と、受光面の点Ｑ’（ｘ、。

ｙ、）に点状の光か入射したとき、ｐｉｎ接合の空乏層
の中を流れる光電流はｐ型層２４の各電極２７．２８に
達する。電極２７．２８に流れる電流を１２７．Ｉ２ａ
として、 ｌ０＝Ｉ２？＋Ｉ２８ とすると、 Ｉ２７＝ＩＯ（Ｌ　　Ｘａ　）／２Ｌ、Ｔ２ａ＝Ｉｏ　
　（Ｌ＋ｘ、）／２Ｌ となるから Ｘａ　＝Ｌ　（Ｉ　２７　　Ｉ　２８）　／　（Ｉ　２
７＋　Ｉ　２１りから座標Ｘ１か求められる。

同様にＹ軸方向の座標は、逆バイアスされたｐｉｎ接合
を流れる電流を測定することになり、電極２９．３０間
の間隔を２Ｍとし、 Ｉ’ｏ＝１２９＋Ｉ３゜ とすると。

１２９＝Ｉ’Ｏ（Ｍ−ｙａ）／２Ｍ、 ｌ３０＝Ｉ′０　　（Ｍ＋ｙ、）／２Ｍとなるから ３／ａ　＝Ｍ　（Ｉ３ｏ　　Ｉ２９）／　（Ｉ２９＋ｌ
３０）が得られる。

以上のようにして、受光面の点Ｑ’（ｘ、。

ｙａ）が求められ、それにより被検物の位置が検出でき
る。

尚、この際、アース電極３１′をｐ型の半導体基板２１
の裏面から引出したか、高濃度のｐ０領域２５の第２面
（表面）から引出すことにすれば、同一の方向から各電
極の引出線を取出すことがてきる。また、上記各電極か
ら得られた信号電流を処理する信号処理回路は図示して
いないが、各電極から得られる出力電流を電圧に変換し
、その出力を演算して検出する等の公知の処理方法によ
って行うことができる。

第５図は第１図、第２図及び後述する第３図に示すこの
実施例の位置検出装置と第４図に示す従来のＰ、Ｓ、Ｄ
、どの位置検出性能についての比較を行った特性図で、
横軸、縦軸は受光面の座標をそれぞれ５００Ｂずつの間
隔でとり、各点の検出位置の直線性をこの座標上に示し
たもので、（１）〜（１３）の曲線はこの実施例におけ
る位置検出性能を示す特性曲線であり、それ以外の（ａ
）〜（ｍ）の曲線は従来の位置検出性能を示す特性曲線
である。

第５図から明らかなように、この実施例によると、受光
面の中心位置ては精度の高い直線状態を示し、端部に行
くに従ってやや精度が下る程度て、誤差の範囲は０．１
％以内であるのに対し、従来のＰ、Ｓ、Ｄ、は受光面の
中心位置から遠ざかるに従って精度は大きく低下して、
誤差の範囲は数％〜ｌＯ％程度になる。

第６図は本発明のＰ、Ｓ、Ｄ、と、従来例のＰ、Ｓ、Ｄ
、の放射感度スペクトルを示す。本発明のＰ、Ｓ、Ｄ、
は、従来例のＰ、Ｓ、Ｄ、と比べ遜色ない放射感度特性
が得られる。

以上のことから、この実施例の位置検出用半導体装置は
従来のものに比して２桁精度が高く、かつ放射感度特性
が従来のものに比べ遜色なく、広い波長範囲にわたって
位置検出することができることがわかる。

また、前記実施例では基板としてＳ、からなる半導体基
板２１を用いたが、Ｇｅ、Ｇ、Ａ、。

Ｉ　ｎｐ　、　ＣＭＴ　（Ｃｄ、Ｈｘ、Ｔｓ　）もしく
はアモルファスシリコン等を用いてよく、特にＧ、Ａ、
を用いた場合は基板へのリーク電流が少ないという利点
がある。また、Ｐ型の半導体基板に替えてｎ型の半導体
基板にすることも可能で、ｎ型の半導体基板を用いる場
合は位置検出用半導体装置としては前記実施例のように
ｐｉｎｐの装置ではなく、ｎ１ｐｎの装置になり、周辺
の分離領域をｐ＋領域２５に替えてｎ０領域を形成すれ
ばよい。

さらに、半導体基板２１に替えてサファイアのような絶
縁性基板を用いることが可能である。ただ、絶縁性基板
を用いる際は、その絶縁性基板の上に良質な半導体結晶
をエピタキシャル成長により積層することかできるもの
でなけれならない。

そして、絶縁性基板を用いた場合は基板自体が導電層で
はないので、基板へのリーク電流がなくなるという利点
もある。

第３図は他の実施例として絶縁性基板を用いた場合の位
置検出用半導体装置の概略を示す図である。

第３図において、絶縁性基板３１の表面にｎ型層３２を
積層し、このｎ型層３２の第１面に１層３３をエピタキ
シャル成長により形成する。そして、この１層３３の第
２面の周辺端部から前記ｎ型層３２に達する高濃度のｎ
０領域３５を熱拡散法により形成し、このｎゝ領域３５
に囲まれた１層３３の第２面の領域に不純物添加によっ
て正方形のｐ型層３４を形成し、この正方形のｐ型層３
４の第２面（表面）に１対の電極３６．３７（不図示）
を形成し、この１対の電極３６．３７を結ぶ線に対して
直交する方向のｎ３領域３５に接触する１対の電極３８
．３９をそれぞれ形成する。そして、ｐｉｎ接合面に逆
バイアスの電圧を印加して、受光面であるｐ型層３４に
入射した光を電気エネルギーに変換して電流として各電
極３６．３７及び３８．３９から取出して位置検出する
点、及びｐｉｎに替えてｎｉｐにしてよい点は先の実施
例の場合と同じである。

さらに、前記第１図、第２図の実施例では分離領域であ
るｐ０領域２５を１回り設けたが、受光面（実施例では
ｐ型層２４）が狭くならない程度に２回り以上設けるこ
とによって、各装置をエツチングもしくは機械加工によ
って切り離す際のクラックやひび割れ等の影響から免れ
ることができる。また、この高濃度のｐ０領域もしくは
ｎ”９ｎ域は基板と同じ導電型であるので、この高濃度
の領域の上面（第２面）から第３の電極を取出すことが
できるために基板の裏側に電極を設ける必要はない。

さらにまた、前記各実施例ではｐ型層２４もしくは３４
を正方形にしたか、正方形に限らず長方形てあっても入
射光に対する位置検出は支障なく行うことがてきる。

尚、半導体基板の軸方位は無指定でＣＺ（チョクラルス
キ）法によって種結晶棒で引き上げるのか、ＦＺ（フロ
ーティング・ゾーン）法で不純物を結晶中に均一に添加
して形成してもよい。

また、この発明のエピタキシャル成長は分子線エピタキ
シャル成長によるか、ＣＶ　Ｄ　（ＣｈｅＩｌｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、高品位
の結晶層を形成している。その結果、アモルファスシリ
コンを用いたＰ、Ｓ、Ｄ、のような抵抗膜によるものと
異なって、高品質の半導体結品を抵抗層として入射光を
光電流に変換し、抵抗分割することにより高精度の位置
検出ケ行うことがてきる。

［発明の効果］ 以上説明したとおりの構成を有することにより、この発
明の位置検出用半導体装置は、エピタキシャル成長によ
ってｉ層を形成しているので、このｉ層の厚みを制御す
ることによってｐ−ｎ接合に逆バイアスをかけたときの
空乏層の厚みを制御することができる。その結果、波長
の長い光が入射しても、この空乏層て吸収して電気エネ
ルギーに変換することができ、短波長から長波長にわた
る幅広い波長域の光に対応することができ、位置検出精
度ははるかに向上した。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）はこの発明の位置検出用半導体装置の一実
施例を示す斜視図、同図（ｂ）は同図（ａ）の線Ａ−Ａ
の断面図、同図（Ｃ）は同図（ａ）の平面図、第２図（
ａ）はこの発明における被検物からの入射光によって被
検物の位置を検出する際の位置検出用半導体装置の概略
説明図、同図（ｂ）は同図（ａ）の断面図、第３図は他
の実施例として絶縁性基板を用いた場合の位置検出用半
導体装置の概略を示す図、第４図（ａ）は従来のｐ、Ｓ
、Ｄを説明するための平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）
のＢ−Ｂ断面図、第５図は第１図、第２図及び第３図に
示すこの実施例のＰ、Ｓ、Ｄ、と第４図に示す従来のＰ
、Ｓ、Ｄ。 との位置検出性部についての比較を行った特性図、第６
図は本発明の実施例のＰ、Ｓ、Ｄ、と第４図に示す従来
のＰ、Ｓ、Ｄ、の放射感度スペクトルを比較した特性図
である。 図中。 ２１：半導体基板 ２２：ｎ型層 ２３：ｉ層 ２４：ｐ型層 ２５：ｐ’″領域 ２６：ｎ＋望城 ２７．２８，２９，３０：電極 ３１′：アース電極 代理人　弁理士　１）北　嵩　晴 （Ｃ） 第１図 （ａ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）第２図 第３図 Ｐｏｓ’＋ｔ’＋ｏｎ　（ｍｍ） 第５０

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）接地用の電極を有する第一導電型半導体基板２１
   と、この第一導電型半導体基板２１の面（第１面）に埋
   込まれた第二導電型層２２と、前記第一導電型半導体基
   板２１及び第二導電型層２２の前記第１面上に形成され
   た真性半導体層２３と、この真性半導体層２３の中心部
   に形成された長方形の第一導電型層２４と、前記第一導
   電型半導体基板２１の周辺端部の前記第１面から前記真
   性半導体層２３の上面（第２面）に達する領域に設けら
   れた少なくとも１回りの領域の第一導電型領域２５と、
   前記第一導電型半導体基板２１に埋込まれた第二導電型
   層２２の前記第１面の周辺端部から前記真性半導体層２
   ３の前記第２面に達する領域に設けられた１回りの低抵
   抗の第二導電型領域２６と、前記長方形の第一導電型層
   ２４の前記第２面における端部の対向する２辺に設けら
   れ、この長方形の第一導電型層２４に接触する１対の電
   極２７、２８と、前記１回りの低抵抗の第二導電型領域
   ２６における前記第２面上の端部の対向する２辺であっ
   て、前記第一導電型層２４上の１対の電極２７、２８を
   結ぶ線に対して直交する方向に、前記低抵抗の第一導電
   型領域２６に接触する１対の電極２９、３０とをそれぞ
   れ具備したことを特徴とする位置検出用半導体装置。
2. （２）絶縁性基板３１と、この絶縁性基板３１の表面に
   積層された半導体の第一導電型層３２と、この第二導電
   型層３２の上面（第１面）上に形成された真性半導体層
   ３３と、この真性半導体層３３の中心部に形成された長
   方形の第一導電型層３４と、前記第二導電型層３２の前
   記第１面の周辺端部から前記真性半導体層３３の上面（
   第２面）に達する領域に設けられた１回りの低抵抗の第
   二導電型領域３５と、前記長方形の第一導電型層３４の
   上面（第２面）上における端部の対向する２辺に設けら
   れ、この長方形の第一導電型層３４に接触する１対の電
   極３６、３７と、前記１回りの低抵抗の第一導電型領域
   ３５における前記第２面上の端部の対向する２辺であっ
   て、前記第一導電型層３４上の１対の電極３６、３７を
   結ぶ線に対して直交する方向に、前記低抵抗の第二導電
   型領域３５に接触する１対の電極３８、３９とをそれぞ
   れ具備したことを特徴とする位置検出用半導体装置。
3. （３）第一導電型半導体基板２１の上面（第１面）にイ
   オン注入または熱拡散法により第一導電型層２２の埋込
   層を複数個形成し、この第二導電型層２２が複数個埋込
   まれた前記第一導電型半導体基板２１の上面（第１面）
   に真性半導体層２３をエピタキシャル成長により形成し
   、前記第一導電型半導体基板２１の周辺端部の前記第１
   面から前記真性半導体層２３の上面（第２面）に達する
   少なくとも１回りの第一導電型領域２５を複数個設けて
   分割し、この第一導電型領域２５に分割された複数個の
   真性半導体層２３の前記第２面の周辺端部から前記基板
   に埋込まれた第二導電型層２２に達する１回りの低抵抗
   の第一導電型領域２６を熱拡散法により形成し、この低
   抵抗の第二導電型領域２６に囲まれた各真性半導体層２
   ３の前記第２面の各領域にイオン注入または熱拡散法に
   よって長方形の第一導電型層２４を各々形成し、これら
   長方形の各第一導電型層２４の前記第２面上における各
   端部の対向する２辺に前記長方形の第一導電型層２４に
   接触する１対の電極２７、２８をそれぞれ形成し、この
   １対の電極２７、２８を結ぶ線に対して直交する方向の
   前記１回りの低抵抗の第二導電型領域２６の前記第２面
   における対向する２辺に低抵抗の第二導電型領域２６に
   接触する１対の電極２９、３０をそれぞれ形成すること
   を特徴とする位置検出用半導体装置の製造方法。
4. （４）絶縁性基板３１の表面に半導体の第二導電型層３
   ２を積層し、この第二導電型層３２の上面（第１面）に
   真性半導体層３３をエピタキシャル成長により形成し、
   この真性半導体層３３の上面（第２面）の周辺端部から
   前記第二導電型層３２に達する１回りの低抵抗の第二導
   電型領域３５を熱拡散法により形成し、この低抵抗の第
   二導電型領域３５に囲まれた各真性半導体層３３の前記
   第２面の各領域にイオン注入または熱拡散法によって長
   方形の第一導電型層３４を各々形成し、これら長方形の
   各第一導電型層３４の前記第２面における各端部の対向
   する２辺に前記長方形の第一導電型層３４に接触する１
   対の電極３６、３７をそれぞれ形成し、この１対の電極
   ３６、３７を結ぶ線に対して直交する方向の前記１回り
   の低抵抗の第二導電型領域３５の前記第２面における対
   向する２辺に低抵抗の第二導電型領域３５に接触する１
   対の電極３８、３９をそれぞれ形成することを特徴とす
   る位置検出用半導体装置の製造方法。