JPS58197272A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS58197272A JPS58197272A JP7942882A JP7942882A JPS58197272A JP S58197272 A JPS58197272 A JP S58197272A JP 7942882 A JP7942882 A JP 7942882A JP 7942882 A JP7942882 A JP 7942882A JP S58197272 A JPS58197272 A JP S58197272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- inert gas
- rotary table
- prescribed
- partition plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3464—Sputtering using more than one target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、スパッタリング装置に関する。
従来、例えば、第１図（Ａ）及び同図（Ｂｌに示すスパ
ッタリング装置が使用されている。図中１は、排気管２
を介して図示しない排気機構に接続されたチャンバーで
ある。チャンバー１内の底部には、回転テーブル３が回
転自在に設けられている。回転テーブル３の上方の空間
領域は、仕切板４によって三つの室に仕切られている。
ッタリング装置が使用されている。図中１は、排気管２
を介して図示しない排気機構に接続されたチャンバーで
ある。チャンバー１内の底部には、回転テーブル３が回
転自在に設けられている。回転テーブル３の上方の空間
領域は、仕切板４によって三つの室に仕切られている。
仕切板４で仕切られた領域内には、回転テーブル３に対
向するようにしてターゲット５がチャンバー１に取付け
られている。また、チャンバー１の底部には、不活性ガ
ス供給管６の先端部が、電磁弁７、ニードル弁８を介し
てその開口端をチャンバー１内に臨むようにして取付け
られている。
向するようにしてターゲット５がチャンバー１に取付け
られている。また、チャンバー１の底部には、不活性ガ
ス供給管６の先端部が、電磁弁７、ニードル弁８を介し
てその開口端をチャンバー１内に臨むようにして取付け
られている。
而して、このように構成されたスパッタリング装置Ｐは
、回転テーブル３上に被処理体である半導体ウェハ９を
載置し、所定の回転数で回転させながら不活性ガス供給
管６からチャンバー１内に不活性ガスを供給すると共に
、排気管２よりこれを排気して所定の減圧状態を保持し
て、ターゲット５と回転テーブル３間でプラズマ放電を
行って半導体ウェハ９上に所望の薄膜を形成している。
、回転テーブル３上に被処理体である半導体ウェハ９を
載置し、所定の回転数で回転させながら不活性ガス供給
管６からチャンバー１内に不活性ガスを供給すると共に
、排気管２よりこれを排気して所定の減圧状態を保持し
て、ターゲット５と回転テーブル３間でプラズマ放電を
行って半導体ウェハ９上に所望の薄膜を形成している。
仕切板４は、チャンバー１内を所定の空間領域に仕切っ
て、空間領域ごとに種類の異なるターゲート５を設けて
スパッタリングの際に他の空間領域内に他のスパッタリ
ング元素がまわり込むのを防止し、所望の元素の薄膜形
成ができるようにしている。しかしながら、チャンバー
１内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給管６は、１
箇所に１個設けられているだけであり、しかも、排気管
２の開口部もチャンバー１の底部の所定位置に形成され
ているため、空間領域内の減圧状態は、排気管２の開口
部の近傍では十分に減圧された状態を呈し、開口部から
離間するに従って不十分な減圧状態となる。また、ター
ゲット５の種類に応じて空間領域内の減圧状態を設定す
ることは、不可能である。その結果、半導体ウェハ９の
表面に均一な膜厚の薄膜を形成できない欠点があった。
て、空間領域ごとに種類の異なるターゲート５を設けて
スパッタリングの際に他の空間領域内に他のスパッタリ
ング元素がまわり込むのを防止し、所望の元素の薄膜形
成ができるようにしている。しかしながら、チャンバー
１内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給管６は、１
箇所に１個設けられているだけであり、しかも、排気管
２の開口部もチャンバー１の底部の所定位置に形成され
ているため、空間領域内の減圧状態は、排気管２の開口
部の近傍では十分に減圧された状態を呈し、開口部から
離間するに従って不十分な減圧状態となる。また、ター
ゲット５の種類に応じて空間領域内の減圧状態を設定す
ることは、不可能である。その結果、半導体ウェハ９の
表面に均一な膜厚の薄膜を形成できない欠点があった。
本発明は、被処理体の表面に所望の薄膜を均一な膜厚で
容易に形成するこ々ができるスパッタリング装置を提供
することをその目的とするものである。
容易に形成するこ々ができるスパッタリング装置を提供
することをその目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明は、チャンバー内の仕切板で区切られた空間領域
ごとに不活性ガス供給管を設けて、空間領域内のターゲ
ットの種類等を考慮して所定の減圧状態を空間領域ごと
に容易に設定できるようにし、被処理体の表面に所望の
薄膜を均一な膜厚で形成できるようにしたスパッタリン
グ装置である。
ごとに不活性ガス供給管を設けて、空間領域内のターゲ
ットの種類等を考慮して所定の減圧状態を空間領域ごと
に容易に設定できるようにし、被処理体の表面に所望の
薄膜を均一な膜厚で形成できるようにしたスパッタリン
グ装置である。
〔発明の実施伊１〕
第２図（Ａ）及び同図叫を参照して本発明の一実施例に
ついて説明する。図中２０は、チャンバーである。チャ
ンバー２０の底部には排気管２１が接続されている。排
気管２１は、図示しない排気機構に接続されている。チ
ャンバー２０内には、回転テーブル２２が回転自在に設
けられている。回転テーブル２２の上方の空間領域は、
例えば約１２０度の開き角で突き合わされた仕切板２３
で区切られている。この区切られた空間領域内のチャン
バー２０にはターゲット２４が、回転テーブル２２の表
面に対向するようにして取付けられている。また、各々
の空間領域の回転テーブル２４の下方には、不活性ガス
供給管２５のガス噴出部２５ａが設けられている。不活
性ガス供給管２５他端部は、チャンバー２０の底部を貫
挿して外部に導出され、二ドル弁２６、電磁弁２７を順
次介して図示しないガス源に接続されている。ガス噴出
部２５ａは、例えば第３図に示す如く、供給管２５ｂの
先端部を環状に形成し、回転テーブル２２に対向する周
面に多数個のガス噴出口２５ｃを有している。ガス噴出
部２５ａの形状、ガス噴出口２５ｃの数等は、仕切板２
３で区切られた空間領域内の減圧状態を所定値に設定す
るものであり、ターゲット２４の種類、排気管２１の開
口部２Ｊａの距離に応じて適宜設定するのが望才しい。
ついて説明する。図中２０は、チャンバーである。チャ
ンバー２０の底部には排気管２１が接続されている。排
気管２１は、図示しない排気機構に接続されている。チ
ャンバー２０内には、回転テーブル２２が回転自在に設
けられている。回転テーブル２２の上方の空間領域は、
例えば約１２０度の開き角で突き合わされた仕切板２３
で区切られている。この区切られた空間領域内のチャン
バー２０にはターゲット２４が、回転テーブル２２の表
面に対向するようにして取付けられている。また、各々
の空間領域の回転テーブル２４の下方には、不活性ガス
供給管２５のガス噴出部２５ａが設けられている。不活
性ガス供給管２５他端部は、チャンバー２０の底部を貫
挿して外部に導出され、二ドル弁２６、電磁弁２７を順
次介して図示しないガス源に接続されている。ガス噴出
部２５ａは、例えば第３図に示す如く、供給管２５ｂの
先端部を環状に形成し、回転テーブル２２に対向する周
面に多数個のガス噴出口２５ｃを有している。ガス噴出
部２５ａの形状、ガス噴出口２５ｃの数等は、仕切板２
３で区切られた空間領域内の減圧状態を所定値に設定す
るものであり、ターゲット２４の種類、排気管２１の開
口部２Ｊａの距離に応じて適宜設定するのが望才しい。
而して、このように構成されたスパッタリング装置すに
よれば、回転テーブル２２上に被処理体である半導体ウ
ェハ２８を載置し、不活性ガス供給管２５が所定の不活
性ガスをチャンバー２０内に供給する。チャンバー２０
内に供給された不活性ガスは、排気管２１を介して図示
しない排気機構によって排気される。このとき、チャン
バー２０内の各々の空間領域に供給される不活性ガスの
量は、ニードル弁２６と電磁弁２７の弁開度を調節する
ことによって、空間領域に設けられたターゲット２４の
種類、排気管２１の開口部２１ａからの距離を考慮して
所定値に設定することができる。このようにしてチャン
バー２０内の各々の空間領域の減圧状態を所定値に設定
しておき、この状態でターゲット２４と回転テーブル２
２間でプラズマ放電を行い、スパッタリング処理よって
所定の薄膜を半導体ウェハ２８上に形成する。
よれば、回転テーブル２２上に被処理体である半導体ウ
ェハ２８を載置し、不活性ガス供給管２５が所定の不活
性ガスをチャンバー２０内に供給する。チャンバー２０
内に供給された不活性ガスは、排気管２１を介して図示
しない排気機構によって排気される。このとき、チャン
バー２０内の各々の空間領域に供給される不活性ガスの
量は、ニードル弁２６と電磁弁２７の弁開度を調節する
ことによって、空間領域に設けられたターゲット２４の
種類、排気管２１の開口部２１ａからの距離を考慮して
所定値に設定することができる。このようにしてチャン
バー２０内の各々の空間領域の減圧状態を所定値に設定
しておき、この状態でターゲット２４と回転テーブル２
２間でプラズマ放電を行い、スパッタリング処理よって
所定の薄膜を半導体ウェハ２８上に形成する。
このようにこのスパッタリング装置−３０によれば、チ
ャンバー２０内の空間領域の減圧状態は、各々の不活性
ガス供給管２５のガス噴出部２５ａから不活性ガスを供
給することにより、常に最適値に設定されている。その
結果、処理後の半導体ウェハ２８上の薄膜の膜厚ばらつ
きについて調べたきころ、第４図（Ａ）に示す如く、回
転テーブル２２の回転方向に沿う膜厚の変化は、基準値
の±１０係以内にあり、また、この回転方向と直交する
方向の膜厚値も同図（Ｂ）に示す如く、基準値の±１０
＝１以内にあり極めて均一な膜厚であることが確認され
た。これと比較するために第１図（Ａ）及び同図（Ｂ）
に示す従来のスパッタリング装置１７１０を用いて半導
体ウェハ９上に形成された膜厚の値を調べたところ、第
５図（Ａ）に示す如く、回転テーブル３の回転方向に沿
う膜厚の変化は小さいが、同図（Ｂ）に示す如く、これ
と直交する方向に沿う膜厚値のばらつきは、基準値の±
２０％であり極めて大きいことが確認された。
ャンバー２０内の空間領域の減圧状態は、各々の不活性
ガス供給管２５のガス噴出部２５ａから不活性ガスを供
給することにより、常に最適値に設定されている。その
結果、処理後の半導体ウェハ２８上の薄膜の膜厚ばらつ
きについて調べたきころ、第４図（Ａ）に示す如く、回
転テーブル２２の回転方向に沿う膜厚の変化は、基準値
の±１０係以内にあり、また、この回転方向と直交する
方向の膜厚値も同図（Ｂ）に示す如く、基準値の±１０
＝１以内にあり極めて均一な膜厚であることが確認され
た。これと比較するために第１図（Ａ）及び同図（Ｂ）
に示す従来のスパッタリング装置１７１０を用いて半導
体ウェハ９上に形成された膜厚の値を調べたところ、第
５図（Ａ）に示す如く、回転テーブル３の回転方向に沿
う膜厚の変化は小さいが、同図（Ｂ）に示す如く、これ
と直交する方向に沿う膜厚値のばらつきは、基準値の±
２０％であり極めて大きいことが確認された。
以上説明した如く、本発明に係るスパッタリー・□・・
ング装置によれば、被処理体の表面に所望の薄膜を均一
な膜厚で容易に形成することができる等顕著な効果を従
するものである。
な膜厚で容易に形成することができる等顕著な効果を従
するものである。
第１図（Ａ）は、従来のスパッタリング装置のターゲッ
トと仕切板の配置を示す説明図、同図（Ｂ）は、同スパ
ッタリング装置の断面図、第２図体）は、本発明の一実
施例のスパッタリング装置のターゲットと仕切板の配置
を示す説明図、同Ｊ２は、同実施例の断面図、第３図は
、不活性ガス供給管のガス噴出部の平面図、第４図（Ａ
）及び同図（Ｂｌは、同実施例のスパッタリング装置を
用いて形成された薄膜の膜厚値と被処理体上の位置との
関係を示す膜厚分布特性図１．第５図（Ａ）及び同図（
Ｂ）は、従来のスパッタリング装置を用いて形成された
薄膜の膜厚値と被処理体上の位置との関係を示す膜厚分
布特性図である。 ２０・・・チャンバー、２ノ・・・排気管、２１ａ・・
・開口部、２２・・・回転テーブル、２３・・・仕切板
、２４・・・ターゲット、２５・・・不活性ガス供給管
、２５ａ・・・ガス噴出部、２５ｂ・・・供給管、２５
ｃ・・・ガス噴出口、２６・・・ニードル弁、２７・・
・電磁弁、２８・・・半導体ウェハ、３０・・・スパッ
タリング装置。 第１図 １０（Ａ） （Ｂ） ｗ ５ ４ ５ ′ へ ９ 第２図 （Ａ） （Ｂ） 四 第 （Ａ） 惰力理４私の仇１ オ１ズユ王！ｔオにＬｊつ＜ｆＬ’ｆＬ）ＰＩＬ′ｌ！
Ｌ理体上り仏置
トと仕切板の配置を示す説明図、同図（Ｂ）は、同スパ
ッタリング装置の断面図、第２図体）は、本発明の一実
施例のスパッタリング装置のターゲットと仕切板の配置
を示す説明図、同Ｊ２は、同実施例の断面図、第３図は
、不活性ガス供給管のガス噴出部の平面図、第４図（Ａ
）及び同図（Ｂｌは、同実施例のスパッタリング装置を
用いて形成された薄膜の膜厚値と被処理体上の位置との
関係を示す膜厚分布特性図１．第５図（Ａ）及び同図（
Ｂ）は、従来のスパッタリング装置を用いて形成された
薄膜の膜厚値と被処理体上の位置との関係を示す膜厚分
布特性図である。 ２０・・・チャンバー、２ノ・・・排気管、２１ａ・・
・開口部、２２・・・回転テーブル、２３・・・仕切板
、２４・・・ターゲット、２５・・・不活性ガス供給管
、２５ａ・・・ガス噴出部、２５ｂ・・・供給管、２５
ｃ・・・ガス噴出口、２６・・・ニードル弁、２７・・
・電磁弁、２８・・・半導体ウェハ、３０・・・スパッ
タリング装置。 第１図 １０（Ａ） （Ｂ） ｗ ５ ４ ５ ′ へ ９ 第２図 （Ａ） （Ｂ） 四 第 （Ａ） 惰力理４私の仇１ オ１ズユ王！ｔオにＬｊつ＜ｆＬ’ｆＬ）ＰＩＬ′ｌ！
Ｌ理体上り仏置
Claims (1)
- 排気管を介して排気機構に接続されたチャンバーと、該
チャンバー内に回転自在に設けられた回転テーブルと、
該回転テーブルの上方の空間領域を仕切るように設けら
れた仕切板と、該仕切板で仕切られた空間領域内に前記
回転テーブルに対向して設けられたターゲットと、前記
空間領域の各々に取付けられた不活性ガス供給管とを具
備することを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7942882A JPS58197272A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7942882A JPS58197272A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197272A true JPS58197272A (ja) | 1983-11-16 |
Family
ID=13689598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7942882A Pending JPS58197272A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197272A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100422A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜周期構造を形成するためのｍｂｅ成長方法 |
| JPS60152022A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPS61270813A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPH01301853A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP7942882A patent/JPS58197272A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60100422A (ja) * | 1983-11-07 | 1985-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜周期構造を形成するためのｍｂｅ成長方法 |
| JPS60152022A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Agency Of Ind Science & Technol | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPS61270813A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 分子線エピタキシヤル成長装置 |
| JPH01301853A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
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