JPS58196005A - インダクタおよびその製造方法 - Google Patents
インダクタおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS58196005A JPS58196005A JP7802782A JP7802782A JPS58196005A JP S58196005 A JPS58196005 A JP S58196005A JP 7802782 A JP7802782 A JP 7802782A JP 7802782 A JP7802782 A JP 7802782A JP S58196005 A JPS58196005 A JP S58196005A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- thin film
- metal thin
- inductor
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F21/00—Variable inductances or transformers of the signal type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はテレビチューナ等のＶＨＦ、ＵＨＦに適するイ
ンダクタおよびその製造方法に関する。
ンダクタおよびその製造方法に関する。
テレビチューナは、チップ化した電子部品をセラミック
基板上に載せて自動半田付は装置により組立てられてい
るが、チェーナのインダクタについては、電線を中空に
巻回したものを使用しているため、巻き弛みに起因して
不定形であることから、組立工程では人手により上記基
板の取付穴に挿入している。またインダクタのインダク
タンス調整についても、巻回した線と線との間隔を人手
により変更して調整している。
基板上に載せて自動半田付は装置により組立てられてい
るが、チェーナのインダクタについては、電線を中空に
巻回したものを使用しているため、巻き弛みに起因して
不定形であることから、組立工程では人手により上記基
板の取付穴に挿入している。またインダクタのインダク
タンス調整についても、巻回した線と線との間隔を人手
により変更して調整している。
このためコイルの取付工程や調整工程を自動化しようと
してもコイルの形状が変形し、かつ調整〔発明の目的〕 本発明は、上記問題点を解決するもので、（ａ） 自
動挿入機により基板に自動的に取付けることができ、 −）インダクタンス調整を簡単に行うことができる インダクタおよびその製造方法を提供することを目的と
する。
してもコイルの形状が変形し、かつ調整〔発明の目的〕 本発明は、上記問題点を解決するもので、（ａ） 自
動挿入機により基板に自動的に取付けることができ、 −）インダクタンス調整を簡単に行うことができる インダクタおよびその製造方法を提供することを目的と
する。
（発明の要旨）
本発明の第一の特徴は、電線を螺旋状に巻回してコイル
を形成するコイル形成工程と、このコイルを誘電損失の
小さい高分子材料でモールド体に成型するモールド体成
型工程と、このモールド体の側面の一部分に金属薄膜を
形成する金属薄膜形成工程と、この金属薄膜の面積を変
更して上記コイルのインダクタンス調整を行う調整工程
とを含むインダクタの製造方法にある。
を形成するコイル形成工程と、このコイルを誘電損失の
小さい高分子材料でモールド体に成型するモールド体成
型工程と、このモールド体の側面の一部分に金属薄膜を
形成する金属薄膜形成工程と、この金属薄膜の面積を変
更して上記コイルのインダクタンス調整を行う調整工程
とを含むインダクタの製造方法にある。
なお上記コイル形成工程ではこのコイルにより生じる磁
束の一部が金属＊＊を貫通するようにコイルが形成され
ることが好ましい。
束の一部が金属＊＊を貫通するようにコイルが形成され
ることが好ましい。
また上記モールド体成型工程ではモールド体の側面の一
部に平坦部が形成され二上記金属薄膜形成工程では金属
薄膜がモールド体の上記平坦部に形成されることが好ま
しい。
部に平坦部が形成され二上記金属薄膜形成工程では金属
薄膜がモールド体の上記平坦部に形成されることが好ま
しい。
また上記金属薄膜形成工程ではセラミック基板の表面に
金属薄膜が蒸着もしくはスパッタリングされ、このセラ
ミック基板がモールド体の側面に形成された平坦部の上
に接着されることが好ましい。
金属薄膜が蒸着もしくはスパッタリングされ、このセラ
ミック基板がモールド体の側面に形成された平坦部の上
に接着されることが好ましい。
また上記高分子材料はポリスチロールであることが好ま
しい。
しい。
また上記金属薄膜の材質はアルミニウムであることが好
ましい。
ましい。
さらに本発明の第二の特徴は、誘電損失の小さい高分子
材°料でモールド体に成型されたコイルと、このモール
ド体の側面の一部分に形成された金属薄膜とを備え、上
記コイルにより生じる磁束の一部が上記金属薄膜を貫通
するｊうに構成されたインダクタにある。
材°料でモールド体に成型されたコイルと、このモール
ド体の側面の一部分に形成された金属薄膜とを備え、上
記コイルにより生じる磁束の一部が上記金属薄膜を貫通
するｊうに構成されたインダクタにある。
以下実施例図面に基づいて詳しく説明する。
第１図〜第５図は本発明実施例インダクタの構造を示す
図である０本実施例のインダクタは、まず電線を複数回
（この例では７回）頓旋状に巻回してコイル１を形成す
る。このコイルｌの形状は第３図に破線で示すように上
側面が平坦になっている。１ａはこのコイル１のリード
線である。
図である０本実施例のインダクタは、まず電線を複数回
（この例では７回）頓旋状に巻回してコイル１を形成す
る。このコイルｌの形状は第３図に破線で示すように上
側面が平坦になっている。１ａはこのコイル１のリード
線である。
次いでこのコイルｌを誘電損失の小さい高分子材料であ
るポリスチロールで、リード線１ａのみ突出するように
モールドしモールド体２を成型する。このモールド体２
は、前記コイル１をほぼ一定の肉厚で固め、このモール
ド体２のコイルｌの上側面に相応する位置に平坦部が形
成される。
るポリスチロールで、リード線１ａのみ突出するように
モールドしモールド体２を成型する。このモールド体２
は、前記コイル１をほぼ一定の肉厚で固め、このモール
ド体２のコイルｌの上側面に相応する位置に平坦部が形
成される。
次にこのモールド体２の平坦部には、金属薄膜であるア
ルミニウム１１１Ｉ３が形成されたセラミック基板４が
接着される。このアルミニウムＩｍ！３は、あらかじめ
セラミック基板４の表面にほぼＨ字状に蒸着されている
。このアルミニウム膜３をＨ字状にするのは、コイルｌ
のＱ特性を低下させないためである。
ルミニウム１１１Ｉ３が形成されたセラミック基板４が
接着される。このアルミニウムＩｍ！３は、あらかじめ
セラミック基板４の表面にほぼＨ字状に蒸着されている
。このアルミニウム膜３をＨ字状にするのは、コイルｌ
のＱ特性を低下させないためである。
第６図はこのセラミック基板４上のアルミニウム１ｌＩ
３とコイル１との間の浮遊容量（ストレイキャパシティ
）を示す等個目略図である。
３とコイル１との間の浮遊容量（ストレイキャパシティ
）を示す等個目略図である。
次にこのセラミック基板４の接着されたインダクタは、
図外の自動挿入機によりテレビチューナの基板の取付穴
に自動的に挿入される。このときインダクタはモールド
体２によりコイルｌが固形化しているので、コイルｌが
変形されることな（挿入される。
図外の自動挿入機によりテレビチューナの基板の取付穴
に自動的に挿入される。このときインダクタはモールド
体２によりコイルｌが固形化しているので、コイルｌが
変形されることな（挿入される。
最後にこのチューナ５に取付けられたインダクタのイン
ダクタンス調整を行う、具体的にはチューナ５に一部レ
ベルで一定周波数のキャリアを入力し、チューナ５の出
力に出力レベルを自動監視する装置を接続して、その出
力レベルが所定値より大きくなるまで自動的にアルミニ
ウム１１１３の面積を減少させる。すなわち第７図に示
すようにチューナ５に取付けられたインダクタのアルミ
ニウム膜３に、レーザ光線装置６よりレーザ光線を照射
して、インダクタが最適なインダクタンス特性を具備す
るように、アルミニウム１１１３の面積を第４図の面積
から第５図の面積に減少させる。
ダクタンス調整を行う、具体的にはチューナ５に一部レ
ベルで一定周波数のキャリアを入力し、チューナ５の出
力に出力レベルを自動監視する装置を接続して、その出
力レベルが所定値より大きくなるまで自動的にアルミニ
ウム１１１３の面積を減少させる。すなわち第７図に示
すようにチューナ５に取付けられたインダクタのアルミ
ニウム膜３に、レーザ光線装置６よりレーザ光線を照射
して、インダクタが最適なインダクタンス特性を具備す
るように、アルミニウム１１１３の面積を第４図の面積
から第５図の面積に減少させる。
第８図は本発明の別の実施例インダクタの外観斜視図で
ある。この例では６字状のアルミニウム１１１３はその
一方の面積が広く形成され、コイル１は第９図に示すよ
うにその一方の螺旋。端１ｂが直角に折曲げられ上記広
い面積のアルミニウム膜３に対向するように構成される
。
ある。この例では６字状のアルミニウム１１１３はその
一方の面積が広く形成され、コイル１は第９図に示すよ
うにその一方の螺旋。端１ｂが直角に折曲げられ上記広
い面積のアルミニウム膜３に対向するように構成される
。
このように構成されたインダクタでは、螺旋端１ｂより
生じる磁束の一部が上記アルミニウム膜３を貫通するた
め、このアルミニウム１１３に渦電流が発生する。従っ
てこのアルミニウム１１１３の面積を前述の方法により
減少すれば、実効的にインダクタのインダクタンス調整
を行うことができる。
生じる磁束の一部が上記アルミニウム膜３を貫通するた
め、このアルミニウム１１３に渦電流が発生する。従っ
てこのアルミニウム１１１３の面積を前述の方法により
減少すれば、実効的にインダクタのインダクタンス調整
を行うことができる。
なお、上記例ではインダクタの端子としてリード線１ａ
を投ける例を示したが、リード線１ａの代りにモールド
体２の両側面に銀箔等を接着してもよい。
を投ける例を示したが、リード線１ａの代りにモールド
体２の両側面に銀箔等を接着してもよい。
また金属薄膜の材質はアルミニウムに限らず、コイルと
の間に浮遊容量を生じるものであれば他の金属でもよい
、また金属薄膜の接着方法は、セラミック基板に蒸着す
る方法に限らず、スパッタリングにより形成する方法、
あるいはセラミック基板を用いずに、モールド体２の平
坦部に金属溶融液を直接塗布する方法等によってもよい
。
の間に浮遊容量を生じるものであれば他の金属でもよい
、また金属薄膜の接着方法は、セラミック基板に蒸着す
る方法に限らず、スパッタリングにより形成する方法、
あるいはセラミック基板を用いずに、モールド体２の平
坦部に金属溶融液を直接塗布する方法等によってもよい
。
また高分子材料は、誘電損失の小さいものであれば、ポ
リスチロールに限らず、他の材料でもよい。
リスチロールに限らず、他の材料でもよい。
また金属薄膜の面積を減少してインダクタンス特性を調
整する方法は、レーザ光線によらずに、金属薄膜をマイ
クロトーチや薬品を用いて熔融する方法、機械的に削り
取る方法１、あるいは電磁誘導法等によってもよい、ま
た金属薄膜の面積は減少に限らず、金属熔融液を塗布す
□る等の方法を用いて、この面積を増大させてインダク
タンス調整を行うこともできる。
整する方法は、レーザ光線によらずに、金属薄膜をマイ
クロトーチや薬品を用いて熔融する方法、機械的に削り
取る方法１、あるいは電磁誘導法等によってもよい、ま
た金属薄膜の面積は減少に限らず、金属熔融液を塗布す
□る等の方法を用いて、この面積を増大させてインダク
タンス調整を行うこともできる。
さらに第二の実施例で示した螺旋端１ｂの傾斜角度は直
角に限らず、その磁束の一部が金属薄膜３を貫通する角
度であれば、緩い角度でもよい。
角に限らず、その磁束の一部が金属薄膜３を貫通する角
度であれば、緩い角度でもよい。
以上述べたように、本発明によれば、コイルを高分子材
料でモールドし、そのモールド体の一部に金属薄膜を形
成し、この金属薄膜の面積を変更してインダクタンス調
整を行うように製造することにより、 （ａｌ コイルが固形化するため、自動挿入機を用い
てインダクタを自動的に取付けることができ、 伽） インダクタンス調整が金属薄膜の面積の変更によ
り可能であるため、自動制御により調整することができ
、 （Ｃ１究極的に、インダクタの取付工数およびそのイン
ダクタンス特性の調整工数を大幅に減少し得る 優れたインダクタを製造することができる。
料でモールドし、そのモールド体の一部に金属薄膜を形
成し、この金属薄膜の面積を変更してインダクタンス調
整を行うように製造することにより、 （ａｌ コイルが固形化するため、自動挿入機を用い
てインダクタを自動的に取付けることができ、 伽） インダクタンス調整が金属薄膜の面積の変更によ
り可能であるため、自動制御により調整することができ
、 （Ｃ１究極的に、インダクタの取付工数およびそのイン
ダクタンス特性の調整工数を大幅に減少し得る 優れたインダクタを製造することができる。
第１図は本発明一実施例インダクタの外観斜視図。
第２図はその中央縦断面図。
０
第３図はその側面図。
第４図および第５図はその平面図。
第６図は金属薄膜とコイルとの間の浮遊容量を示す等個
目略図。 第７図はインダクタのインダクタンス調整を示す図。 第８図は本発明の別の実施例インダクタの外観斜視図。 第９図はそのコイルの外観斜視図。 １−・−コイル、１ ａ −リード線、１ ｂ−蝮旋端
、２−モールド体、３・・−アルミニウム１ｉ４−セラ
ミック基板、５・・−チェーナ、６・・−レーザ光線装
置。 特許出願人 株式会社 東 通 ７．−１代理人 弁
理士 井 出 直 孝 ゛・：１弓１゛、ｆ １ 第２図 第３図 第６図
目略図。 第７図はインダクタのインダクタンス調整を示す図。 第８図は本発明の別の実施例インダクタの外観斜視図。 第９図はそのコイルの外観斜視図。 １−・−コイル、１ ａ −リード線、１ ｂ−蝮旋端
、２−モールド体、３・・−アルミニウム１ｉ４−セラ
ミック基板、５・・−チェーナ、６・・−レーザ光線装
置。 特許出願人 株式会社 東 通 ７．−１代理人 弁
理士 井 出 直 孝 ゛・：１弓１゛、ｆ １ 第２図 第３図 第６図
Claims (7)
- （１） 電線を螺旋状に巻回してコイルを形成するコ
イル形成工程と、 このコイルを誘電損失の小さい高分子材料でモールド体
に成型するモールド体成型工程と、このモールド体の側
面の一部分に金属１膜を形成する金属薄膜形成工程と、 この金属薄膜の面積を変更して上記コイルのインダクタ
ンス調整を行う調整工程と を含むインダクタの製造方法。 - （２） コイル形成工程ではこのコイルにより生じる
磁束の一部が金属薄膜を貫通するようにコイルが形成さ
れる ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のイン
ダクタの製造方法。 - （３） モールド体成型工程ではモールド体の側面の
一部に平坦部が形成され、 金属＊＊形成工程では金属薄膜がモールド体の上記平坦
部に形成される ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第（
２）項記載のインダクタの製造方法。 - （４）金属薄膜形成工程ではセラミック基板の表面に金
属＊＊が蒸着もしくは、スパッタリングされ、このセラ
ミック基板がモールド体の側面に形成された平坦部の上
に接着される ことを特徴とする特許請求の範囲第（３）項記載のイン
ダクタの製造方法。 - （５）高分子材料はポリスチロールであることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項ないし第（４項のいずれ
かに記載のインダクタの製造方法。 - （６） 金属薄膜の材質はアルミニウムであることを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項ないし第（５）項
のいずれかに記載のインダクタの製造方法。 - （７）誘電損失の小さい高分子材料でモールド体に成型
されたコイルと、 このモールド体の側面の一部分に形成された金属薄膜と
を備え、 上記コイルにより生じる磁束の一部が上記金属薄膜を貫
通するように構成されたインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802782A JPS58196005A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | インダクタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802782A JPS58196005A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | インダクタおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196005A true JPS58196005A (ja) | 1983-11-15 |
Family
ID=13650323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7802782A Pending JPS58196005A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | インダクタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196005A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388311A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品及びその電気的特性調整方法 |
| EP0694932A1 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Plessey Semiconductors Limited | Inductor device |
| EP0694933A1 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Plessey Semiconductors Limited | Trimmable inductor structure |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP7802782A patent/JPS58196005A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0388311A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-12 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品及びその電気的特性調整方法 |
| JPH0561763B2 (ja) * | 1989-08-31 | 1993-09-07 | Taiyo Yuden Kk | |
| EP0694932A1 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Plessey Semiconductors Limited | Inductor device |
| EP0694933A1 (en) * | 1994-07-29 | 1996-01-31 | Plessey Semiconductors Limited | Trimmable inductor structure |
| GB2292015B (en) * | 1994-07-29 | 1998-07-22 | Plessey Semiconductors Ltd | Trimmable inductor structure |
| US6005466A (en) * | 1994-07-29 | 1999-12-21 | Mitel Semiconductor Limited | Trimmable inductor structure |
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