JPS58192849A - テトラリン誘導体の製造方法 - Google Patents
テトラリン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58192849A JPS58192849A JP7394082A JP7394082A JPS58192849A JP S58192849 A JPS58192849 A JP S58192849A JP 7394082 A JP7394082 A JP 7394082A JP 7394082 A JP7394082 A JP 7394082A JP S58192849 A JPS58192849 A JP S58192849A
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- Japan
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は式（１）で示される新規な光学活性またはラセ
ミのテトラリン誘導体ならびにその製造方法に関するも
のである。
ミのテトラリン誘導体ならびにその製造方法に関するも
のである。
式ｉｌｌで示される化合物は医薬、農薬等の中間厚−料
として有用な化合物である。
として有用な化合物である。
本発明はまた式（１）で示される光学活性またはラセミ
のテトラリン誘導体の製造方法をも提供するものである
。すなわち光学活性またはラセミの４−（２−メチル−
１−プロペニル）−５゜５−ジメチル−テトラヒドロ−
２−フラノン、４４パイロ７ンを７リーデルクラフツ触
媒の存在下芳香族エーテルと反応させることを特徴とす
る式ｆｉ＋で示される化合物の製造方法である。
のテトラリン誘導体の製造方法をも提供するものである
。すなわち光学活性またはラセミの４−（２−メチル−
１−プロペニル）−５゜５−ジメチル−テトラヒドロ−
２−フラノン、４４パイロ７ンを７リーデルクラフツ触
媒の存在下芳香族エーテルと反応させることを特徴とす
る式ｆｉ＋で示される化合物の製造方法である。
本発明者らはバイロンンと芳香族エーテルを７リーデル
クラフツ触媒の存在下に反応させることにより、式１１
）で示される新規化合物を一段で高収率で製造する方法
を開発した。芳香族エーテルトシてはアニソール、フェ
ニルエチルエーテル、ノエニルプロピルエーテル、フェ
ニルブチルエーテル等のアルコキノ置換ベンゼ／を用い
る。
クラフツ触媒の存在下に反応させることにより、式１１
）で示される新規化合物を一段で高収率で製造する方法
を開発した。芳香族エーテルトシてはアニソール、フェ
ニルエチルエーテル、ノエニルプロピルエーテル、フェ
ニルブチルエーテル等のアルコキノ置換ベンゼ／を用い
る。
（Ａｌ （Ｅｌ
本反Ｆｔ３を促進するに有効なルイス酸としては、塩化
アルミニウム、塩化凧二鉄などの一般にフリ−デルクラ
７〕反応に用いるものを使用する０用いる量は通常２倍
乃至８倍当量、好ましくは２倍乃至２４倍当量である。
アルミニウム、塩化凧二鉄などの一般にフリ−デルクラ
７〕反応に用いるものを使用する０用いる量は通常２倍
乃至８倍当量、好ましくは２倍乃至２４倍当量である。
本発明方法は溶媒を用いなくとも実施できるか本反しく
を本質的に阻害しない溶媒を用いて行うこともできる。
を本質的に阻害しない溶媒を用いて行うこともできる。
このような溶媒としては塩化メナレン、ノクロロエタン
等が挙けられる。
等が挙けられる。
反応温度は通常−２０℃から芳香族エーテルの沸点下で
充分である。
充分である。
上記反応式において化合物囚を優位に生成させるには反
応温ｆを下げる方が好ましく、その温度は一１０℃乃至
８０℃が実際的である。
応温ｆを下げる方が好ましく、その温度は一１０℃乃至
８０℃が実際的である。
反応時間は反応条件によりて異なるが、通常５分から１
０時間で目的を達することができる。
０時間で目的を達することができる。
反応の進行度は反ｗ５液の一部を採取し、ガスクロマト
グラフィー、階層クロマトグラフィー等の分析手段によ
って知ることができる。
グラフィー、階層クロマトグラフィー等の分析手段によ
って知ることができる。
本反応において光学活性パイロ７ンを用いれば生成する
式ｉ１１で示される化合物も光学活性を有し、光学活性
は保持さ扛る〇 一般に生物活性化合物は、そのキラリティにより活性に
差が現われる。このため光学活性化合物を製造する技＃
ｒ開発することは重要な意義を壱する。本発明の化合物
は、所望により光学活性体として得られることになる。
式ｉ１１で示される化合物も光学活性を有し、光学活性
は保持さ扛る〇 一般に生物活性化合物は、そのキラリティにより活性に
差が現われる。このため光学活性化合物を製造する技＃
ｒ開発することは重要な意義を壱する。本発明の化合物
は、所望により光学活性体として得られることになる。
かかる点からも本発明は格別の特＆を有するものである
。
。
本発明の方法で用いる原料のパイロ７ノは、餉酸の加熱
開裂反ｆ３ （Ｂｏｔｙｕ ｌ（ａｇａｋｕ 、 ｌ
５ 、 １（１９５０））によりて、あるいは２．５−
７メチ、ルー２．４−へキサジエンを酸化してモノエポ
キサイドとし、ナトリウム化マロン峻エステルと反応さ
せた後加水分解する方法（Ｔｅｔｒａ−ｈｅｄｒｏｎ
Ｌｅｔｔｅｒｓ 、１８４５−１８４６（１９７８）◆
によって得られる。また光学活性なパイロノンは光学活
性な菊酸を加熱することにより合成することができる（
Ａｇｒ 、 Ｂｉｏｌ 、 （！ｈｅｍ、、 ８４．
１１１５（１９７０））。
開裂反ｆ３ （Ｂｏｔｙｕ ｌ（ａｇａｋｕ 、 ｌ
５ 、 １（１９５０））によりて、あるいは２．５−
７メチ、ルー２．４−へキサジエンを酸化してモノエポ
キサイドとし、ナトリウム化マロン峻エステルと反応さ
せた後加水分解する方法（Ｔｅｔｒａ−ｈｅｄｒｏｎ
Ｌｅｔｔｅｒｓ 、１８４５−１８４６（１９７８）◆
によって得られる。また光学活性なパイロノンは光学活
性な菊酸を加熱することにより合成することができる（
Ａｇｒ 、 Ｂｉｏｌ 、 （！ｈｅｍ、、 ８４．
１１１５（１９７０））。
以上説明した如く、本発明によりて式ｉｌｌで示される
新規化合物及びその製造が可能となるのみならず、光学
活性体として祷ることが可能となる。次に′：５￥施世
」によって本発明の詳細な説明する。
新規化合物及びその製造が可能となるのみならず、光学
活性体として祷ることが可能となる。次に′：５￥施世
」によって本発明の詳細な説明する。
夫 ＆ 例
無水塩化アルミニウム７．８２７ （５４，９ｍｍｏす
ＶＣハイｏ／）４．１９９ （２４，９５ｍｍｏｊ）、
アニソール２．７０９ （２４，９５ｍｍｏ＊ンのエチ
Ｖ７／クロリド溶液（８０％Ｊ）をゆっくり陶工したＯ
徐々に昇温し７０℃で８０分間攪拌した。冷却績希塩陵
ケ加え、廟機層を分液後、苛性ノーダ水酊液で抽出した
。水層を塩酸で酸性とし、酢酸エチルで抽出した。飽和
食塩水で洗浄、芒硝で乾ｇ１！後減圧下溶媒を餉去した
。ノリ力ゲル力ラムでｓ！＆！Ｌ４．８１ Ｌ！（１５
，６ｍｍｏｊ、 ６２．６％）の６及び７−メドキシー
１．１，４．４−テトラメチル−１，２，８，４−テト
ラヒドロナフタレン−２−酢酸を得た。
ＶＣハイｏ／）４．１９９ （２４，９５ｍｍｏｊ）、
アニソール２．７０９ （２４，９５ｍｍｏ＊ンのエチ
Ｖ７／クロリド溶液（８０％Ｊ）をゆっくり陶工したＯ
徐々に昇温し７０℃で８０分間攪拌した。冷却績希塩陵
ケ加え、廟機層を分液後、苛性ノーダ水酊液で抽出した
。水層を塩酸で酸性とし、酢酸エチルで抽出した。飽和
食塩水で洗浄、芒硝で乾ｇ１！後減圧下溶媒を餉去した
。ノリ力ゲル力ラムでｓ！＆！Ｌ４．８１ Ｌ！（１５
，６ｍｍｏｊ、 ６２．６％）の６及び７−メドキシー
１．１，４．４−テトラメチル−１，２，８，４−テト
ラヒドロナフタレン−２−酢酸を得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｊ３） δ（ｐＩ）ｍ）＝ １．０８
、１．１０（Ｓ 、８Ｈ） 。
、１．１０（Ｓ 、８Ｈ） 。
１２６．１．２９，１．８１．１．８４．１．８５ （
Ｓ 、 ９Ｈ） 。
Ｓ 、 ９Ｈ） 。
１．５２−１．７２（２１１、Ｒ）、２．０６−２．４
０（２Ｈ％ｍ）。
０（２Ｈ％ｍ）。
２．６６〜２．７４ （ＩＨｌａ）、６．７０＝７．２
８（４Ｈ％ｍ）。
８（４Ｈ％ｍ）。
１８０ ＮＭ）Ｌスベタトルから
６−メドキシー１．１．４．４− テトラメチル−１、
２，８，４−アトラヒドロナフタレンー２−酢酸と７−
メドキンー１１１．４．４−テトラメチル−１，２，８
，４−テトラヒドロナフタレ／−２−酢酸との比は４６
： ５４であった。
２，８，４−アトラヒドロナフタレンー２−酢酸と７−
メドキンー１１１．４．４−テトラメチル−１，２，８
，４−テトラヒドロナフタレ／−２−酢酸との比は４６
： ５４であった。
Claims (2)
- （１）式（１１で示される光学活性またはラセミのテト
ラリン誘導体。 〔式中、Ｒは６位または７位に置換した低級アルコキシ
ル基を表ワス。〕、。 - （２）光学活性またはラセミの４−（２−メチル−１−
７”ロベニル）−６，５−ジメチルテトラヒドロ−２−
フラノンとアルコキシ置換ベンゼンを７リーデルクラフ
ツ触媒の存在下に反応させることを特徴とする式（Ｉ）
で示される光学活性またはラセミのテトラリン誘導体の
製造方法。 〔式中、Ｒは６位または７位に置換した低級アルコキシ
ル基を表わす。〕
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7394082A JPS58192849A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テトラリン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7394082A JPS58192849A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テトラリン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192849A true JPS58192849A (ja) | 1983-11-10 |
| JPH0413335B2 JPH0413335B2 (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=13532608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7394082A Granted JPS58192849A (ja) | 1982-04-30 | 1982-04-30 | テトラリン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192849A (ja) |
-
1982
- 1982-04-30 JP JP7394082A patent/JPS58192849A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413335B2 (ja) | 1992-03-09 |
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