JPS58190813A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPS58190813A JPS58190813A JP7075982A JP7075982A JPS58190813A JP S58190813 A JPS58190813 A JP S58190813A JP 7075982 A JP7075982 A JP 7075982A JP 7075982 A JP7075982 A JP 7075982A JP S58190813 A JPS58190813 A JP S58190813A
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- Japan
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- gas
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- gaseous
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえば電子複写機などに備えらハる感光体を
成膜する成膜装置に関する。
成膜する成膜装置に関する。
従来、電子写真装置用の感光体としてｉＪ、 Ｓｅ 。
Ｓｅ −Ｔｅ、 Ｓｅ −Ａｓ系、ｃｄ８、有機光導電
体（０゜ｐ、ｃ ）などが用いられてきた。しかしなが
ら、上記Ｓｅ系の感光体は耐熱性、耐摩耗性、上記ｃｄ
ｓは安全性、上記ｏ、ｐ、ｃは耐湿、寿命にそれぞれ問
題があった。そこで、近年、これらの問題点の生じない
アモルファスシリコン（以後、ａ−８ｔと記す）が電子
写真用の感光体として注目をあびてきた。このａ ８
１感光体の成膜装置としてはたとえば第１図および第２
図に示すようなものが知られている。すなわち、この装
置はチェンバー１内を図示しないロータリーボンノ拡散
ポンプを用いて１０””６）−ルの真空とし、このとき
、シースヒータ４をオンするとともにｋｌなどのドラム
状の導電性基板３を回転させてこれを均一的に２００〜
３５０℃の温度に加熱する。
体（０゜ｐ、ｃ ）などが用いられてきた。しかしなが
ら、上記Ｓｅ系の感光体は耐熱性、耐摩耗性、上記ｃｄ
ｓは安全性、上記ｏ、ｐ、ｃは耐湿、寿命にそれぞれ問
題があった。そこで、近年、これらの問題点の生じない
アモルファスシリコン（以後、ａ−８ｔと記す）が電子
写真用の感光体として注目をあびてきた。このａ ８
１感光体の成膜装置としてはたとえば第１図および第２
図に示すようなものが知られている。すなわち、この装
置はチェンバー１内を図示しないロータリーボンノ拡散
ポンプを用いて１０””６）−ルの真空とし、このとき
、シースヒータ４をオンするとともにｋｌなどのドラム
状の導電性基板３を回転させてこれを均一的に２００〜
３５０℃の温度に加熱する。
ついで、排気系をメカニカルプースタボンゾ５とロータ
リーポンプ６に切シ換える同時にザスノヤイプ９からＳ
ｉＨ４ガスまたはＳ ＩＨ４とＢ２Ｈ６との混合ガスを
導入し、また、ザスノヤイｆ８から０２ガスを導入する
。この状態からバルブ７が開となり、チェンバー１内に
Ｓｒ Ｈ４またＳ ＩＨ４とＢ２Ｈ６の混合ガスまたは
０２ガスが導入される。つぎに、ように排気バルブ１２
を用いて調整したのち、円筒状のノズル管兼対向電極２
に電源１３から１３．５６ ＭＨｚａのラジオフレクエ
ンシーパワー（高周波電力）を２５〜５００Ｗ印加する
ことによって導電性ドラム状基板３と対向電極２０間に
５ＩＨ４、Ｂ２Ｈ６，０２のプラズマ状態を形成させ、
これによシ成膜を開始するようになっている。
リーポンプ６に切シ換える同時にザスノヤイプ９からＳ
ｉＨ４ガスまたはＳ ＩＨ４とＢ２Ｈ６との混合ガスを
導入し、また、ザスノヤイｆ８から０２ガスを導入する
。この状態からバルブ７が開となり、チェンバー１内に
Ｓｒ Ｈ４またＳ ＩＨ４とＢ２Ｈ６の混合ガスまたは
０２ガスが導入される。つぎに、ように排気バルブ１２
を用いて調整したのち、円筒状のノズル管兼対向電極２
に電源１３から１３．５６ ＭＨｚａのラジオフレクエ
ンシーパワー（高周波電力）を２５〜５００Ｗ印加する
ことによって導電性ドラム状基板３と対向電極２０間に
５ＩＨ４、Ｂ２Ｈ６，０２のプラズマ状態を形成させ、
これによシ成膜を開始するようになっている。
しかしながら、従来においては、ノズル管２を一重管構
としていたため、各噴出孔２ａ・・・でのガス圧が大き
く変化し、基板３上のアモルファスシリコン層の膜厚が
不均一になる不都合があった。また、従来においては学
に噴出孔２ａ・・・からガスを噴出させる構造であった
ため、成膜終了後にＮ２で・ヤーンするときサス・ぐイ
ブ９の中に残留していた５１０２の白い粉が急激なＮ２
の圧力で直接基板２に噴き付けられ第３図に示すように
白い粉１０を利殖させてしまう欠点があった。
としていたため、各噴出孔２ａ・・・でのガス圧が大き
く変化し、基板３上のアモルファスシリコン層の膜厚が
不均一になる不都合があった。また、従来においては学
に噴出孔２ａ・・・からガスを噴出させる構造であった
ため、成膜終了後にＮ２で・ヤーンするときサス・ぐイ
ブ９の中に残留していた５１０２の白い粉が急激なＮ２
の圧力で直接基板２に噴き付けられ第３図に示すように
白い粉１０を利殖させてしまう欠点があった。
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的
とするところはノズル管からの噴出ガス圧を均一化する
とともに基板にガ゛スを直接噴き付けないようにした成
膜装置全提供しようとするものである。
とするところはノズル管からの噴出ガス圧を均一化する
とともに基板にガ゛スを直接噴き付けないようにした成
膜装置全提供しようとするものである。
本発明はノズル管を多重管構造とし、ノズル管の最も基
板に対向する管体のガス噴出孔にガスの噴出方向を管体
の内周面に沿うように変化させるガイド部を設けたもの
である。
板に対向する管体のガス噴出孔にガスの噴出方向を管体
の内周面に沿うように変化させるガイド部を設けたもの
である。
以下、本発明の一実施例を第４図および第５図にもとづ
いて説明する。図中２１は円板状のペースで、このペー
ス２ノの上面部には真空チャンバー２２が設けられてい
る。また、上記チャンバー２２の内底中央部にはターン
テーブル２３が設けられ、このターンテーブル２３上に
はドラム状の導電性の基板２４が載置されている。上記
基板２４内にはシースヒータ２５が挿入されている。そ
して、上記チャンバー２２内には上記基板２４を囲繞す
るようにノズル管２６が設けられこのノズル管２６は内
ｉｔ＋および外側の管体２７．２Ｂからなる２重管構造
をなしている。上記管体２７．２８は多数の連通孔２９
を介して連通されるとともに内側の管体２７の内周面に
は多数のガス噴出孔３０が穿設され、これら、連通孔２
９・・・とガス噴出孔３゜・・・は同心の中心に対し異
なった角度で配設されている。また、上記連通孔２９・
・・の直径は上記一５− ガス噴出孔３ｏ・・・の直径よシ小とされ、上記連通孔
２９の直径は１■〜５論、上記ガス噴出孔３０の直径は
１ｃｒｎ〜４ｃ１ｎとされている。また、上記内側の管
体２７のガス噴出孔３ｏ・・・にはそれぞれガイド部３
１が設けられ、これら１４１部３１・・・によ如、上記
ガス噴出孔３ｏ・・・から噴出されるガスの噴出方向を
上記内側の管体２７の内周面に沿うように変化させるよ
うになっている。また、上記ノズル管２６には電源３４
が接続され対向電極を兼ねている。一方、上記ノズル管
２６の下部側には第１のガス導入管３２が接続され、こ
の第１のガス導入管３２の開閉弁３２＆の流出側には第
２のガス導入管３３が接続されている。上記第１のガス
導入管３２により５ＩＨ４またはＳ ｉＨ４とＢ２Ｈ６
の混合ガスが供給され、上記第２のガス導入管３３から
はｏ２ガスが導入されるようになっている。
いて説明する。図中２１は円板状のペースで、このペー
ス２ノの上面部には真空チャンバー２２が設けられてい
る。また、上記チャンバー２２の内底中央部にはターン
テーブル２３が設けられ、このターンテーブル２３上に
はドラム状の導電性の基板２４が載置されている。上記
基板２４内にはシースヒータ２５が挿入されている。そ
して、上記チャンバー２２内には上記基板２４を囲繞す
るようにノズル管２６が設けられこのノズル管２６は内
ｉｔ＋および外側の管体２７．２Ｂからなる２重管構造
をなしている。上記管体２７．２８は多数の連通孔２９
を介して連通されるとともに内側の管体２７の内周面に
は多数のガス噴出孔３０が穿設され、これら、連通孔２
９・・・とガス噴出孔３゜・・・は同心の中心に対し異
なった角度で配設されている。また、上記連通孔２９・
・・の直径は上記一５− ガス噴出孔３ｏ・・・の直径よシ小とされ、上記連通孔
２９の直径は１■〜５論、上記ガス噴出孔３０の直径は
１ｃｒｎ〜４ｃ１ｎとされている。また、上記内側の管
体２７のガス噴出孔３ｏ・・・にはそれぞれガイド部３
１が設けられ、これら１４１部３１・・・によ如、上記
ガス噴出孔３ｏ・・・から噴出されるガスの噴出方向を
上記内側の管体２７の内周面に沿うように変化させるよ
うになっている。また、上記ノズル管２６には電源３４
が接続され対向電極を兼ねている。一方、上記ノズル管
２６の下部側には第１のガス導入管３２が接続され、こ
の第１のガス導入管３２の開閉弁３２＆の流出側には第
２のガス導入管３３が接続されている。上記第１のガス
導入管３２により５ＩＨ４またはＳ ｉＨ４とＢ２Ｈ６
の混合ガスが供給され、上記第２のガス導入管３３から
はｏ２ガスが導入されるようになっている。
なお、第１図に示した部分と同一部については同一番号
を符してその説明を省略する。
を符してその説明を省略する。
しかして、上述した構成において、成膜時には図示しな
いロータリーポンプ、拡散ポンプが用いられてチャンバ
ー２２内が１０”−６−二の真空状態にされる。このと
き、シースヒータ２５がオンされるとともにターンテー
ブル２３が回転されてドラム状の基板２４が均＝に２０
０〜３５０℃に加熱される。ついで、排気系をメカニカ
ルブースターポンプ５とロータリーポンプ６に切換える
と同時に第１のガス導入管３２を介して５ｔ）（４ガス
またはＳｉＨ４とＢ２Ｈ６との混合ガスを導入し、さら
に、第２のガス導入管３３を介して０２ガスを導入させ
る。この５ＩＨ４ガスまたは５ＩＨ４とＢ２Ｈ６との混
合ガスと０２ガスは矢印で示すようにまず、外側の管体
２８内に導入されて上昇し、その途中連通孔２９から内
側の管体２７内に流出され、さらに、この内側の管体２
７のガス噴出孔２９から噴出され、この噴出されたＳＩ
を含むガスの噴出方向はガイド部３１・・・によシ内側
の管体２７の内周面に沿うよう変化されて噴出される。
いロータリーポンプ、拡散ポンプが用いられてチャンバ
ー２２内が１０”−６−二の真空状態にされる。このと
き、シースヒータ２５がオンされるとともにターンテー
ブル２３が回転されてドラム状の基板２４が均＝に２０
０〜３５０℃に加熱される。ついで、排気系をメカニカ
ルブースターポンプ５とロータリーポンプ６に切換える
と同時に第１のガス導入管３２を介して５ｔ）（４ガス
またはＳｉＨ４とＢ２Ｈ６との混合ガスを導入し、さら
に、第２のガス導入管３３を介して０２ガスを導入させ
る。この５ＩＨ４ガスまたは５ＩＨ４とＢ２Ｈ６との混
合ガスと０２ガスは矢印で示すようにまず、外側の管体
２８内に導入されて上昇し、その途中連通孔２９から内
側の管体２７内に流出され、さらに、この内側の管体２
７のガス噴出孔２９から噴出され、この噴出されたＳＩ
を含むガスの噴出方向はガイド部３１・・・によシ内側
の管体２７の内周面に沿うよう変化されて噴出される。
一方、このときにはチャンバー気パルプ１２を開いて調
整するとともに対向電極を兼ねるノズル管２６に電源３
４から１３．５６ＭＩ（ｚｓのラジオフレクエンシーパ
ワ＝（Ｒ，Ｆ 、Ｐｏｗｅｒ ）を２５〜５００Ｗ印加
する。これによシ、導電性の基板２４と対向電極（ノズ
ル管２６）との間にＳｉ■Ｉ４、Ｂ２Ｈ６，０２のプラ
ズマ状態が形成され基板２４にアモルファスシリコン層
が成膜されることになる。
整するとともに対向電極を兼ねるノズル管２６に電源３
４から１３．５６ＭＩ（ｚｓのラジオフレクエンシーパ
ワ＝（Ｒ，Ｆ 、Ｐｏｗｅｒ ）を２５〜５００Ｗ印加
する。これによシ、導電性の基板２４と対向電極（ノズ
ル管２６）との間にＳｉ■Ｉ４、Ｂ２Ｈ６，０２のプラ
ズマ状態が形成され基板２４にアモルファスシリコン層
が成膜されることになる。
本発明は以上説明したように、ノズル管を多重管構造と
し、その各管体を連通孔を介して連通ずるとともに基板
に最も対向する管体に、ガス噴出孔を穿設したから、ガ
スは複数の管体を通過しそのガス圧が均等化されてから
基板に噴出すれ、アモルファスシリコン層の膜厚を均一
に成形することができる。また、ノズル管のガス噴出孔
から噴出されるガスの噴出方向をガイド部により管体の
長手方向に沿うように変化させて噴出させるようにした
から、成膜終了後にＮ２で・ヤージしても直接基板に噴
き付けられることがなく、ＳｉＯ２が基板に付着すると
いった虞れもないという効果を奏するものである。
し、その各管体を連通孔を介して連通ずるとともに基板
に最も対向する管体に、ガス噴出孔を穿設したから、ガ
スは複数の管体を通過しそのガス圧が均等化されてから
基板に噴出すれ、アモルファスシリコン層の膜厚を均一
に成形することができる。また、ノズル管のガス噴出孔
から噴出されるガスの噴出方向をガイド部により管体の
長手方向に沿うように変化させて噴出させるようにした
から、成膜終了後にＮ２で・ヤージしても直接基板に噴
き付けられることがなく、ＳｉＯ２が基板に付着すると
いった虞れもないという効果を奏するものである。
第１図乃至第３図は従来例を示すもので、第１図は成膜
装ｆ′に：示す縦断面図、第２図はその横断面図、第３
図は成膜状態をボす説明図、第４図は本発明の一実施例
である成膜装置を示す縦断面図、第５図は第４図中ｖ−
ｖｉに沿って示す断面図である。 ２４・・・基板、２６・・・ノズル９．２７．２８・・
・管体、２９・・・連通孔、３０・・・ガス噴出孔、３
ノ・・・ガイド部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦９− 第１図 ム 第２ 図 ２ ４ １ ９ 〆 ７ ５ｉＨ４ ２ −７ 第５図 ２９ 手続補正書 昭和 年５７．ｉ２）賜 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−７０７５９号 ？ 発明の名称 成 膜 装 置 ：３． 補正を寸゛る渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電１気株式会社４、代理人 ５．１発袖正 ゆゎ 、 （’′ｔ″゛ ） ７、 ？Ｉｌｉ正の内容 （１１明細書第６負２付目に記載した１−・・・２９Ｑ
）直径は１１１１１１１〜５ ｍｎ＋ Ｊ ｋ 「−２
９の直径はｌ ｃＴｎ〜４ｃＩｎ」と訂正する。 （２）明細書第６負３付目に記載した「３０の直径は１
ｃｎｌ〜４ｃＩｎＪを［３０の直径は１ｎＴ１１〜５■
ｏｎ Ｊと訂正する。 ＝ ２− ６３−
装ｆ′に：示す縦断面図、第２図はその横断面図、第３
図は成膜状態をボす説明図、第４図は本発明の一実施例
である成膜装置を示す縦断面図、第５図は第４図中ｖ−
ｖｉに沿って示す断面図である。 ２４・・・基板、２６・・・ノズル９．２７．２８・・
・管体、２９・・・連通孔、３０・・・ガス噴出孔、３
ノ・・・ガイド部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦９− 第１図 ム 第２ 図 ２ ４ １ ９ 〆 ７ ５ｉＨ４ ２ −７ 第５図 ２９ 手続補正書 昭和 年５７．ｉ２）賜 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭５７−７０７５９号 ？ 発明の名称 成 膜 装 置 ：３． 補正を寸゛る渚 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電１気株式会社４、代理人 ５．１発袖正 ゆゎ 、 （’′ｔ″゛ ） ７、 ？Ｉｌｉ正の内容 （１１明細書第６負２付目に記載した１−・・・２９Ｑ
）直径は１１１１１１１〜５ ｍｎ＋ Ｊ ｋ 「−２
９の直径はｌ ｃＴｎ〜４ｃＩｎ」と訂正する。 （２）明細書第６負３付目に記載した「３０の直径は１
ｃｎｌ〜４ｃＩｎＪを［３０の直径は１ｎＴ１１〜５■
ｏｎ Ｊと訂正する。 ＝ ２− ６３−
Claims (3)
- （１）反応室内にＳｉを含むガス全導入し、このガスを
プラズマ状態にして、基板にアモルファスシリコン層を
成膜するものにおいて、多重管構造をなし、上記基板に
対向して設けられ上記ガスを導入するノズル管と、この
ノズル管の各管体を連通させる連通孔と、上記ノズル管
の上記基板に最も近接する管体に穿設されたガス噴出孔
と、このガス噴出孔から噴出されるガスの噴出方向を上
記最も近接する管体の長手方向に沿うように変化させる
ガイド部とを具備してなることを特徴とする成膜装置。 - （２） ノズル管の連通孔をガス噴出孔より大きくシ
、これら連通孔とガス噴出孔を互いに対向しない位置に
配設したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
成膜装置。 - （３） ノズル管の連通孔の直径を１ｃＩｎ〜４０、
ガス噴出孔の直径を１欄〜５ｍとしたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項ｂｒ８載の成膜装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075982A JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075982A JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58190813A true JPS58190813A (ja) | 1983-11-07 |
| JPH049871B2 JPH049871B2 (ja) | 1992-02-21 |
Family
ID=13440752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075982A Granted JPS58190813A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58190813A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0444698A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of and apparatus for preparing oxide superconducting film |
| KR100430104B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2004-05-03 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치 및 그증착방법 |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP7075982A patent/JPS58190813A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0444698A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of and apparatus for preparing oxide superconducting film |
| US5187148A (en) * | 1990-03-02 | 1993-02-16 | Sumitomo Electric Industries | Apparatus for preparing oxide superconducting film |
| KR100430104B1 (ko) * | 2001-09-18 | 2004-05-03 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치 및 그증착방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH049871B2 (ja) | 1992-02-21 |
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