JPS58190089A - 複数の独立した波長をもつ半導体レ−ザの製造方法及びこの方法によつて作られたレ−ザ - Google Patents
複数の独立した波長をもつ半導体レ−ザの製造方法及びこの方法によつて作られたレ−ザInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背逍
本発明は、複数の独立しまた波長をもつ半導体レーデの
１に！遣方法及びこの方法により得られるレーザに係る
。本発明け、光学的な遠隔通信の分野に利用される。
１に！遣方法及びこの方法により得られるレーザに係る
。本発明け、光学的な遠隔通信の分野に利用される。
本発明の技術分野は、テープ又はＩＪ 、ｙンの形態の
接合部を有するいわゆる２重へテロ構造の半導体レーデ
である。２皿へテロ構造は、単結晶基体上に付着された
半導体層の積層体によって作られる。基体から始まって
、一般的に、閉じ込め層、活性層、第２の閉じ込め層、
電気接触層、及びこｆ′Ｌを檀９金属被膜がある。
接合部を有するいわゆる２重へテロ構造の半導体レーデ
である。２皿へテロ構造は、単結晶基体上に付着された
半導体層の積層体によって作られる。基体から始まって
、一般的に、閉じ込め層、活性層、第２の閉じ込め層、
電気接触層、及びこｆ′Ｌを檀９金属被膜がある。
０．８ないし０．９μｍ の間で放射するレーザの場合
には、これらの層がＧａ 、−、ＡノｘＡＳ とｂう
合金で作られそして基体がＧａＡｓ で作られる。
には、これらの層がＧａ 、−、ＡノｘＡＳ とｂう
合金で作られそして基体がＧａＡｓ で作られる。
１．６ないＬ １ 、６５μｍ の間で放射するレーデ
の場合には、レーザがＧａ１−ｘｌｎｘＡＳ、−ｙＰｙ
で作られそして基体がｌｎＰで作られる。
の場合には、レーザがＧａ１−ｘｌｎｘＡＳ、−ｙＰｙ
で作られそして基体がｌｎＰで作られる。
こ９らのレーデでは、活性部を約１０μｍ 巾及び３０
０μｍ長官のリボンに減少することによって連続作動が
借られる。このリボンは、活性のままでなければならな
い領域のいずれかの側に光子を当てることによって得ら
れる。
０μｍ長官のリボンに減少することによって連続作動が
借られる。このリボンは、活性のままでなければならな
い領域のいずれかの側に光子を当てることによって得ら
れる。
これらの半導体レーデの主な利用分野は、オプチカルフ
、アイパ式の遠隔通信システムである。このようなシス
テムの伝送容量を高めるために、波長マルチプレクス作
動が最も頻繁に使用されている。通常用因られるやり方
は、色々な波長で放射するレーデを光学マルチプレクサ
を介して１本のオプチカルファイバに接続することより
成る。
、アイパ式の遠隔通信システムである。このようなシス
テムの伝送容量を高めるために、波長マルチプレクス作
動が最も頻繁に使用されている。通常用因られるやり方
は、色々な波長で放射するレーデを光学マルチプレクサ
を介して１本のオプチカルファイバに接続することより
成る。
本発明は、それ自体で多数の波長の放射を発生できるよ
うなレーデを製造する方法を提供して、このようなレー
ザをマルチプレクサ々しで同じオプチカルファイバに接
続できるようにすることに向けられる。
うなレーデを製造する方法を提供して、このようなレー
ザをマルチプレクサ々しで同じオプチカルファイバに接
続できるようにすることに向けられる。
米国特許第４．３１８，０５８号には、特にその第４図
を参照しで、溝で分離された多数のレーデをもつ装置に
ついて説明されている。これらのレーザ１は、一般に、
基体と、閉じ込め層と、活性のＡ ｔＸ Ｇ ａ １−
ｘ Ａｓ 層とを有し、Ｘの大きさはレーザごとに異
なる。
を参照しで、溝で分離された多数のレーデをもつ装置に
ついて説明されている。これらのレーザ１は、一般に、
基体と、閉じ込め層と、活性のＡ ｔＸ Ｇ ａ １−
ｘ Ａｓ 層とを有し、Ｘの大きさはレーザごとに異
なる。
父、上記特許には、このような装置を製造する方法も説
明されている。組成の異なる活性層を得るために、スロ
ット付きのマスクを有する装置が使用され、スロットを
通［２て分子エピタキシー成長が行なわハ、る。これに
より、活性Ｉ―の×の割合を例えば次第に増加すること
ができる。
明されている。組成の異なる活性層を得るために、スロ
ット付きのマスクを有する装置が使用され、スロットを
通［２て分子エピタキシー成長が行なわハ、る。これに
より、活性Ｉ―の×の割合を例えば次第に増加すること
ができる。
発明の概費
本発明の目的は、複数の波長を有するレーザを製造する
方法であって、公知の方法よりも簡単々方法を提供する
ことである。従って、本発明は、第１の組成をもつ活性
層を有した第１の２重へテロ構造体をエピタキシー成長
によって作り、これにより得た第１の２Ｍへテロ構造体
を、ストリップの形態の開口をもつマスクを通して、基
体に向ってエツチングし、エツチングされた部分で分離
された第１の２１へテロ構造体のストリップが基体上に
存在するようにし、 第２の組成をもつ活性１−を有した第２の２重へテロ構
冶体を上記のエツチングされた部分に成長させ、 上記第１のへテロ構造体と第２のへゾロ構造体との間に
電気接触層まで尚を形成し、そして上記溝に光子を当て
るという方法に係る。
方法であって、公知の方法よりも簡単々方法を提供する
ことである。従って、本発明は、第１の組成をもつ活性
層を有した第１の２重へテロ構造体をエピタキシー成長
によって作り、これにより得た第１の２Ｍへテロ構造体
を、ストリップの形態の開口をもつマスクを通して、基
体に向ってエツチングし、エツチングされた部分で分離
された第１の２１へテロ構造体のストリップが基体上に
存在するようにし、 第２の組成をもつ活性１−を有した第２の２重へテロ構
冶体を上記のエツチングされた部分に成長させ、 上記第１のへテロ構造体と第２のへゾロ構造体との間に
電気接触層まで尚を形成し、そして上記溝に光子を当て
るという方法に係る。
月１下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図に示されたレーザは単結晶の半導体基体１０を備
え、その下面にはアースされた金属被膜］２が付着され
ており、そして基体１０上には、第１の閉じ込め層１３
と、活性層】４と、第２の閉じ込め層１６と、電気接触
層１８と、更に金属被膜２０とが設けられている。
え、その下面にはアースされた金属被膜］２が付着され
ており、そして基体１０上には、第１の閉じ込め層１３
と、活性層】４と、第２の閉じ込め層１６と、電気接触
層１８と、更に金属被膜２０とが設けられている。
活性層１４の左部分の組成は右部分の組成と異なる。従
って、例えば、左部分の場合には組成が（Ｇａ、−ｘＡ
ｌｘＡＳ）であり、一方、右部分の場合には（Ｇａ 、
−、Ａ１ ｘ Ａｓ ）であり、Ｘ及びｙは１より小さ
く、アルミニウムの組成を表わ１−ている。例えば、左
部分に対してｘ ＝ Ｏと［−（この場合この層はＱａ
Ａｓとなる）ぞして右部分に対してｙ＝０．０５と１”
る（こｔＬ １ｄＧａｏ 、 ９５ Ａｊｏ 、ｏ５
Ａｓに相当する）ことができる。当然のことながら、そ
の他の組合・ぜも考えらハる。
って、例えば、左部分の場合には組成が（Ｇａ、−ｘＡ
ｌｘＡＳ）であり、一方、右部分の場合には（Ｇａ 、
−、Ａ１ ｘ Ａｓ ）であり、Ｘ及びｙは１より小さ
く、アルミニウムの組成を表わ１−ている。例えば、左
部分に対してｘ ＝ Ｏと［−（この場合この層はＱａ
Ａｓとなる）ぞして右部分に対してｙ＝０．０５と１”
る（こｔＬ １ｄＧａｏ 、 ９５ Ａｊｏ 、ｏ５
Ａｓに相当する）ことができる。当然のことながら、そ
の他の組合・ぜも考えらハる。
この構造体には、金属被膜２０並びに層１８及び１６を
盲通し７て活性層１４まで溝２４が形成さねる。これは
、２つの独立し７た電荷注入領域各々Ａ及びＢを画成す
る。従って、このレーザけ、２つの給市接峠体２６Ａ及
び２６Ｂを有しているが、アース接触部１２４ゴーっで
ある。
盲通し７て活性層１４まで溝２４が形成さねる。これは
、２つの独立し７た電荷注入領域各々Ａ及びＢを画成す
る。従って、このレーザけ、２つの給市接峠体２６Ａ及
び２６Ｂを有しているが、アース接触部１２４ゴーっで
ある。
各々のｌ／−ザの活性領軟を画成するテープなめしけリ
ボンは、光子衝撃によって閉じ込め層及び接触層の抵抗
率を高めることにより一改的なやり方で帝られる。こｈ
らは第１図では斜線の付された領域２８Ａ及び２８Ｂ′
″ｒ″ある。＃４２４があるために、光子衝軍により、
上記溝の縁には絶縁領域が生じ、特に、活性層には領域
３０が生じ、こねけ異なった組成をもつ活性Ｉ曽の２つ
の部分間に分離を与える・更に、２つの活性チャンネル
３２Ａ及び３２Ｂは独立した別々の波長をλ 及びλ８
の２つの放射３４Ａ及び３４Ｂを各々発生する。
ボンは、光子衝撃によって閉じ込め層及び接触層の抵抗
率を高めることにより一改的なやり方で帝られる。こｈ
らは第１図では斜線の付された領域２８Ａ及び２８Ｂ′
″ｒ″ある。＃４２４があるために、光子衝軍により、
上記溝の縁には絶縁領域が生じ、特に、活性層には領域
３０が生じ、こねけ異なった組成をもつ活性Ｉ曽の２つ
の部分間に分離を与える・更に、２つの活性チャンネル
３２Ａ及び３２Ｂは独立した別々の波長をλ 及びλ８
の２つの放射３４Ａ及び３４Ｂを各々発生する。
例えば、各リボンの巾は１０μｍである。形成はれた溝
は、最小巾が１０μｍ例えば５０μｍでなけねばならな
い。波長の差は数百オングストロームである。ＧａＡｓ
及びＧａＯ，９５”０．０５ＡＳ のような活性
層組成の場合には、波長が各々０．８９師及びｏ、ｓｓ
μｍである。２つのレーザのスレッシュホールド電流は
５０及び６０ ｍＡ である。
は、最小巾が１０μｍ例えば５０μｍでなけねばならな
い。波長の差は数百オングストロームである。ＧａＡｓ
及びＧａＯ，９５”０．０５ＡＳ のような活性
層組成の場合には、波長が各々０．８９師及びｏ、ｓｓ
μｍである。２つのレーザのスレッシュホールド電流は
５０及び６０ ｍＡ である。
本発明によるレーザから放射！さｈた２本の光線を、コ
ア１径５０μｍの多モードファイバに導入する際の問題
は、主として、２本の光線を分離している距離にある。
ア１径５０μｍの多モードファイバに導入する際の問題
は、主として、２本の光線を分離している距離にある。
これら２本の光線が早槓構造体から出て来る時には、こ
の距離が非常に小さく、溝の巾にはソ相当する。この距
離が約１０μｍの場合には、この導入中の結合損失が約
３ ｄＢ である。
の距離が非常に小さく、溝の巾にはソ相当する。この距
離が約１０μｍの場合には、この導入中の結合損失が約
３ ｄＢ である。
このよう々レーザを完全放射モジュールに用込た場合に
は、集積装置のレーデにしはしｒＩ−ｆ組合わされる光
検出器の選択に問題が生じる（ １９８０年１０り’
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌａｔｔｅｒｓ ’ 第１１
４５員Ｔ、Ｐ、ＬＥＥ氏等著の論文参照）。シリコンホ
トダイオードを用いた場合には、当然、光学的なデマル
チプレクサを用いることが必要となり、この場合にもモ
ジュールが複雑化さ九ると共に、そのコストも高くなる
。本発明によれば、前記の２重レーザと２つのフィード
バックホトダイオードとを示す第２図に示されたように
、検出器を構造体に一体化させるのが好ましい。
は、集積装置のレーデにしはしｒＩ−ｆ組合わされる光
検出器の選択に問題が生じる（ １９８０年１０り’
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌａｔｔｅｒｓ ’ 第１１
４５員Ｔ、Ｐ、ＬＥＥ氏等著の論文参照）。シリコンホ
トダイオードを用いた場合には、当然、光学的なデマル
チプレクサを用いることが必要となり、この場合にもモ
ジュールが複雑化さ九ると共に、そのコストも高くなる
。本発明によれば、前記の２重レーザと２つのフィード
バックホトダイオードとを示す第２図に示されたように
、検出器を構造体に一体化させるのが好ましい。
第２図に示されたレーデは、２重へテロ構造体の一端付
近で２つのリボンに垂直な方向に接触層及び閉じ込め層
に作られた鴻４０を有している。
近で２つのリボンに垂直な方向に接触層及び閉じ込め層
に作られた鴻４０を有している。
この溝は、化学的なエツチング又はイオン加工によって
得られる。その巾は典型的に約２０ミクロンである。上
記の加工により、レーデのミラーの一方が画成されると
共に（他方のミラーは、前面例えばへき開面によって構
成される）、２つのダイオ−Ｐ４２Ａ及び４２Ｂが画成
され、その一方−逆極性にされたーは検出器として働く
ことができる。
得られる。その巾は典型的に約２０ミクロンである。上
記の加工により、レーデのミラーの一方が画成されると
共に（他方のミラーは、前面例えばへき開面によって構
成される）、２つのダイオ−Ｐ４２Ａ及び４２Ｂが画成
され、その一方−逆極性にされたーは検出器として働く
ことができる。
検出器に結合される光の量は＃１４０の巾によつ１
て左右される。この巾が２０μｍであって最小限の好ま
しさの場合には（レーデが半角２０の対称的な回転を有
するモード）、検出器に２ Ｑ ｄＢ の結合効率が得
られる。虹に、レーデ波長における活性層の吸収が約１
００ｃｍ−’である時には、１００μｍ長さの検出器に
よって検出される電力が放射器の初期電力に比して−２
５ｄＢ であり、この値はレーデにフィードバックを
確立するのに充分なものである・ この構造体を製造する方法の一例を以下に説明する。
しさの場合には（レーデが半角２０の対称的な回転を有
するモード）、検出器に２ Ｑ ｄＢ の結合効率が得
られる。虹に、レーデ波長における活性層の吸収が約１
００ｃｍ−’である時には、１００μｍ長さの検出器に
よって検出される電力が放射器の初期電力に比して−２
５ｄＢ であり、この値はレーデにフィードバックを
確立するのに充分なものである・ この構造体を製造する方法の一例を以下に説明する。
２重組成の活性層は、次の２つの工程でエピタキシー成
長を実行することによって得ることができる。
長を実行することによって得ることができる。
第１工程ニ
一般のプロセスに従い、第１のエピタキシー成長を行な
って２１へテロ構造体を形成し、これを成る間隔でエツ
チングして、基体１０上にストリップＡ％ Ａ′等をも
つ第３図の構造体を得る。ストリップＡ１＾１等はエツ
チングされ１ま た領域で分離さｈており、活性層の第１組成に相当する
。
って２１へテロ構造体を形成し、これを成る間隔でエツ
チングして、基体１０上にストリップＡ％ Ａ′等をも
つ第３図の構造体を得る。ストリップＡ１＾１等はエツ
チングされ１ま た領域で分離さｈており、活性層の第１組成に相当する
。
第２工程：
このようにして得たエツチングされた部分に、上記第１
のものとは異なる活性層をもつ第２の２重へテロ構造体
を成長させ、第４図に示したように、上記ストリップＡ
Ａｌ 間の間隔を埋める領域Ｂ、Ｂ’を得る。次いで
この装置を切断し、２１へテロ構造体の対人Ｂ％ＡＩＢ
Ｉ、等を得る。
のものとは異なる活性層をもつ第２の２重へテロ構造体
を成長させ、第４図に示したように、上記ストリップＡ
Ａｌ 間の間隔を埋める領域Ｂ、Ｂ’を得る。次いで
この装置を切断し、２１へテロ構造体の対人Ｂ％ＡＩＢ
Ｉ、等を得る。
第１の２重へテロ構造体をエツチングする場合には、窒
化シリコン（Ｓｌ、Ｎ４）で作られたマスクを用いるこ
とができ、このマスクは８００ｃにおいて良好なマスキ
ング効率を有しており、第２の２′ｋＬヘテロ構造体の
エピタキシーパスを汚染することがない。エピタキシー
の吸収後のｌ縁作用Ｉは、第１の２重へテロ構造体に画
成され九すがンを方向く０〒１〉に向けそして基体を非
常にわずかにエツチングすることによって減少される。
化シリコン（Ｓｌ、Ｎ４）で作られたマスクを用いるこ
とができ、このマスクは８００ｃにおいて良好なマスキ
ング効率を有しており、第２の２′ｋＬヘテロ構造体の
エピタキシーパスを汚染することがない。エピタキシー
の吸収後のｌ縁作用Ｉは、第１の２重へテロ構造体に画
成され九すがンを方向く０〒１〉に向けそして基体を非
常にわずかにエツチングすることによって減少される。
エピタキシー操作のシーケンスは次の通シである。
−液体エピタキシーによって第１の２ｆｆｉへテロ構造
体を作シ、 −方向を＜１００＞にとり、 −５１５Ｎ４１−を付着し、 −ｆプラズマ加工装置よって５１５Ｎ４′ｔｌ−エツチ
ングして方向く０〒１〉に平行な開口を画成し、−Ｈ２
ＳＯ４％Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏを１：８：１の比で含む２
℃の酸性溶液によりマスクを通して第１の２重へテロ構
造体を化学的にエツチングし、−６０℃のアンモニア性
酸によって第１の２重へテロ構造体の基体を化学的にエ
ツチングし、−メタノールで洗浄し、 −エツチングされた領域に第２の２重へテロ構造体をエ
ピタキシー成長させ。
体を作シ、 −方向を＜１００＞にとり、 −５１５Ｎ４１−を付着し、 −ｆプラズマ加工装置よって５１５Ｎ４′ｔｌ−エツチ
ングして方向く０〒１〉に平行な開口を画成し、−Ｈ２
ＳＯ４％Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏを１：８：１の比で含む２
℃の酸性溶液によりマスクを通して第１の２重へテロ構
造体を化学的にエツチングし、−６０℃のアンモニア性
酸によって第１の２重へテロ構造体の基体を化学的にエ
ツチングし、−メタノールで洗浄し、 −エツチングされた領域に第２の２重へテロ構造体をエ
ピタキシー成長させ。
−プラズマ加工装置を用いて窒化物マスクをエツチング
すると共にフッ化水素酸でエツチングする。
すると共にフッ化水素酸でエツチングする。
これらの操作を行なった時には、次いで、２つのレーザ
間に絶縁をとることが必要となる。このため、Ｈ２ＳＯ
４、Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏを１：８：１の割合で含む２℃
の酸性溶液を用いて２つの２重へテロ構造体Ａと日との
間で化学的なエツチングを行なうことにより、先ず初め
に縛２４を形成する。
間に絶縁をとることが必要となる。このため、Ｈ２ＳＯ
４、Ｈ２Ｏ２及びＨ２Ｏを１：８：１の割合で含む２℃
の酸性溶液を用いて２つの２重へテロ構造体Ａと日との
間で化学的なエツチングを行なうことにより、先ず初め
に縛２４を形成する。
ｐ型接触層の金属被膜２０（一般にＴＩ −Ａｕ ）を
先ずエツチングする。これは化学的なエツチングプロセ
ス中マスクとして働く。溝付近のレーザの外観が第５図
に断面図で示されている。
先ずエツチングする。これは化学的なエツチングプロセ
ス中マスクとして働く。溝付近のレーザの外観が第５図
に断面図で示されている。
次いで、矢１：１３５０で示石れた光子衝撃（２００に
ｅＶ 、 １０１５ｆｆｉ−２） を行なって、２
つの閉じ込め領域間の電気絶縁性を良くすると共に、２
つのレーザを光学的に絶縁する。
ｅＶ 、 １０１５ｆｆｉ−２） を行なって、２
つの閉じ込め領域間の電気絶縁性を良くすると共に、２
つのレーザを光学的に絶縁する。
ミラーの化学的なエツチングに用いられるマスクも被膜
２０のＴ１−＾Ｕであυ、エツチング溶液は前記したも
のと同じである。
２０のＴ１−＾Ｕであυ、エツチング溶液は前記したも
のと同じである。
第１図は多数の波長をもつレーデを示す図、第２図はフ
ィードバックホトダイオードが組合わされた本発明によ
るレーザを示す図、 第３図は本発明による製造方法の第１工程を示５ す図、 第４図は本発明による製造方法の別の工程を示す図、そ
Ｌ７て 第５図は形成された溝の付近におけるレーザの細部を示
す図である。 １（１・・・単結晶の半導体基体、１２・・・金属被膜
、１３・・・閉じ込め層、１４・・・活性ｊ−１１６・
・・第２の閉じ込めｌ−１１８、接触１−１２０・・・
金属被膜、２４・・・溝、２６Ａ、２６Ｂ・・・給を接
続体、３２Ａ。 ３２Ｂ・・・活性チャンネル、３４Ａ、３４Ｂ・・・放
射、４０・・・溝、４２＾、４２Ｂ・・・ダイオード６ 第１頁の続き ■出 願 人 ジャン・リウ フランス国９４２３０カカン・アベ ニュー・ド・う・デイヴイジオ ン・レフレール２５ ４５０−
ィードバックホトダイオードが組合わされた本発明によ
るレーザを示す図、 第３図は本発明による製造方法の第１工程を示５ す図、 第４図は本発明による製造方法の別の工程を示す図、そ
Ｌ７て 第５図は形成された溝の付近におけるレーザの細部を示
す図である。 １（１・・・単結晶の半導体基体、１２・・・金属被膜
、１３・・・閉じ込め層、１４・・・活性ｊ−１１６・
・・第２の閉じ込めｌ−１１８、接触１−１２０・・・
金属被膜、２４・・・溝、２６Ａ、２６Ｂ・・・給を接
続体、３２Ａ。 ３２Ｂ・・・活性チャンネル、３４Ａ、３４Ｂ・・・放
射、４０・・・溝、４２＾、４２Ｂ・・・ダイオード６ 第１頁の続き ■出 願 人 ジャン・リウ フランス国９４２３０カカン・アベ ニュー・ド・う・デイヴイジオ ン・レフレール２５ ４５０−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｆｉ＋ 第１の組成を４つ活性層を有した第１の２重
へテロ構造体をエピタキシー成長によって作す、とわに
より得た第１の２重へテロ構造体を、ストリップの形態
の開口をもつマスクを通して、基体に向ってエツチング
し、エツチングされた部分で分離された第１の２重へテ
ロ構造体のストリップが基体上に存在するようにし、第
２の組成をもつ活性層を有した第２の２１へテロ構造体
を上記のエツチングされた部分に成長させ、 上記第１のへテロ構造体と第２のへテロ構造体との間に
電気接触層まで溝を形成し、そして上記溝に光子を当て
ることを特徴とする複数の波長をもつレーザの製造方法
。 （２） 酸性溶液により窒化シリコンマスクを介して
上記第１の２Ｎへテロ構造体をエツチングする特許請求
の範囲第ｆｉ１項に記載の方法。 （３） 上記溝の形成に対し、電気接触部である上部
金ＰＡ被膜を先ずエツチングし、このエツチングされた
接触部を化学的なエツチングプロセス中にマスクとして
用いる特許請求の範囲第（１）項に記載の方法。 （４） 開口が方向く０〒１〉に平行に配置されたマ
スクを介して上記第１の２ｍへテロ構造体をエツチング
する特許請求の範囲第ｉ１ｊ項に記載の方法０ （５） 上記２重へテロ構造体の少なくとも１つの面
に対して化学的なエツチングを行なってレーデ−のミラ
ーの１つを得、この時のマスクに金属の電気接触被膜に
よって構成される％＃’ＦＭ求の範囲第（１）項に記載
の方法。 （６）特許請求の範囲第ｆｌ）項に記載の方法によって
得た複数の波長をもつ半導体レーザであって、このレー
デは２重へテロ構造体及びリボンを有する形式のもので
あり、２重へテロ構造体は、電気接触部が股”けられた
基体と、この基体上に付層された第１の閉じ込め層と、
この給１の閉じ込め層を作り活性層と、この活性層を覆
う第２の閉じ込め層と、他の層を」二にのせる金属被膜
によって４１われだＴ電気接触層とで形成され、上記リ
ボンは光子衝撃を受けた２つの側部領域によって画成さ
れ、これら領域は上記接触層及び上記閉じ込め層の１部
分を】由Ｌ２て帆びてｂるような半導体レーデにおいて
、上記活性層はその平面内に組成の異なる少なくとも２
つの領域を有し、各領域はその組成により決捷る波長で
放射するレーデを画成し、このように画成され／こ別々
のレーザは、上記活性層と平らになるように上記接触層
及び閉じ込め層に形成さハた溝によって互いに電気的に
絶縁され、こノ１により各レーデはそれ自体の電気接触
層を鳴しているがぞの基体ｔゴ他のレーザと共通であり
、上自己の別々のレーザは上記島の下に配置された活性
層の領域によって反いに光学的に絶縁され、上記領域は
各リボンを画成するように光子衝撃を受けていることを
特徴とする半導体レーデ。 （７） 更に、上記２重へテロ構造体の一方の端の付
近で且つ上記接触層及び閉じ込め層内に、上記りがンに
垂直に形成された溝を備え、この溝と上記端との間にあ
る２重へテロ構造体の１部分は上ｌ己１ノーザに一体化
さｆまた検出ダイオードを構成する特許請求の範囲第（
（））項に記載の半導体レーザ。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|
| JPS58190089A true JPS58190089A (ja) | 1983-11-05 |
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Country Status (6)
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