JPS5817935B2 - 液晶表示素子の電極形成方法 - Google Patents
液晶表示素子の電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5817935B2 JPS5817935B2 JP51046559A JP4655976A JPS5817935B2 JP S5817935 B2 JPS5817935 B2 JP S5817935B2 JP 51046559 A JP51046559 A JP 51046559A JP 4655976 A JP4655976 A JP 4655976A JP S5817935 B2 JPS5817935 B2 JP S5817935B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- liquid crystal
- crystal display
- substrates
- formation method
- Prior art date
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示素子の電極形成方法に関するものであ
る。
る。
一般に電界効果型液晶表示素子は少なくとも一方がガラ
ス基板で、その上に透明電極パターンを形成し、この透
明電極を含めてガラス基板全面にわたって透明絶縁膜を
設け、このガラス基板から一定間隔はなして上記透明電
極を有する基板を対向配置し、両基板の周縁部を封着剤
で封止し、両基板間に液晶を注入したのち注入孔を封孔
処理して形成される。
ス基板で、その上に透明電極パターンを形成し、この透
明電極を含めてガラス基板全面にわたって透明絶縁膜を
設け、このガラス基板から一定間隔はなして上記透明電
極を有する基板を対向配置し、両基板の周縁部を封着剤
で封止し、両基板間に液晶を注入したのち注入孔を封孔
処理して形成される。
この透明絶縁膜は一般に有機シリコンを主成分とする溶
質をエタノールを主成分とする溶媒中に溶かした溶液を
回転塗布したのち焼成して形成しているが焼成条件が一
定でないと透明絶縁膜のはがれやクラックの発生がはげ
しく絶縁膜の特性が一定しない。
質をエタノールを主成分とする溶媒中に溶かした溶液を
回転塗布したのち焼成して形成しているが焼成条件が一
定でないと透明絶縁膜のはがれやクラックの発生がはげ
しく絶縁膜の特性が一定しない。
この焼成は通常２段に分けて連続的あるいは断続的に行
なわれる。
なわれる。
第１段の焼成は塗布された絶縁膜から溶媒を蒸発させる
ために行なわれるがこの温度が一定でないと絶縁膜の表
面のみが固化し、溶媒が十分に蒸発せず、このため、第
２段の焼成工程において絶縁膜のはがれ、クラックなど
が生じる結果となる。
ために行なわれるがこの温度が一定でないと絶縁膜の表
面のみが固化し、溶媒が十分に蒸発せず、このため、第
２段の焼成工程において絶縁膜のはがれ、クラックなど
が生じる結果となる。
本発明は以上のような事情に鑑みなされたもので、絶縁
膜の溶媒を完全に蒸発させるとともに、絶縁膜のはがれ
、クラックなどが生じないような絶縁膜の焼成条件を得
ようとするものである。
膜の溶媒を完全に蒸発させるとともに、絶縁膜のはがれ
、クラックなどが生じないような絶縁膜の焼成条件を得
ようとするものである。
以下、本発明の詳細な説明
絶縁膜の焼成工程のうち第１段の焼成工程は溶媒の蒸発
のために行なわれるが、本発明者等の実験の結果８０℃
以下の温度で焼成しても絶縁膜の表面のみが固化し、溶
媒が十分に蒸発せず、このため第２段の焼成工程におい
て絶縁膜のはがれ、クラックなどが生じる結果となる。
のために行なわれるが、本発明者等の実験の結果８０℃
以下の温度で焼成しても絶縁膜の表面のみが固化し、溶
媒が十分に蒸発せず、このため第２段の焼成工程におい
て絶縁膜のはがれ、クラックなどが生じる結果となる。
また、２００゜Ｃ以上の温度で第１段の焼成を行なうと
この段階で絶縁膜のはがれを生じてしまうことが明らか
となつた。
この段階で絶縁膜のはがれを生じてしまうことが明らか
となつた。
なお焼成時間は５分以上であった。ところで、第２段の
焼成工程は有機の膜質を無機の膜質に変化させるために
行なわれ、この第２段の焼成工程において膜は高抵抗の
絶縁膜となる。
焼成工程は有機の膜質を無機の膜質に変化させるために
行なわれ、この第２段の焼成工程において膜は高抵抗の
絶縁膜となる。
そして、一般に液晶表示素子の抵抗は１×１０−６Ω−
儒以上が要求され、これ以下では直流電流が流れ、界面
における電気化学反応が生じ、早期配向劣化が生じる。
儒以上が要求され、これ以下では直流電流が流れ、界面
における電気化学反応が生じ、早期配向劣化が生じる。
本発明者の実験によれば４５０℃の温度での焼成では抵
抗値は５Ｘ１０４〜１×１０９Ω−ぼ、４７０℃では５
Ｘ１．０６〜３×１０８Ω−ぼ、５００℃では１×１０
７〜１×１０８Ω−αであった。
抗値は５Ｘ１０４〜１×１０９Ω−ぼ、４７０℃では５
Ｘ１．０６〜３×１０８Ω−ぼ、５００℃では１×１０
７〜１×１０８Ω−αであった。
従って、４７０℃以上の温度で第２段の焼成を行なえば
求める抵抗値を有する絶縁膜が確実に得られる。
求める抵抗値を有する絶縁膜が確実に得られる。
なお、焼成時間は１０分間以上であった。
ここで、絶縁膜の形成に用いたシリカフィルム溶液の合
成反応について附言すると以下のようになる。
成反応について附言すると以下のようになる。
（１） ５ｉｃｄ４＋４ＣＨ３Ｃ００Ｉ＋−＋５ｉ（Ｏ
ＣＯＣＨ３）４＋４Ｈｃｌ一般式で表わすと （Ｓ １ｃ１４＋ ＲｏＣ００Ｈ−＋Ｓ ｔ （ＯＣＯ
Ｒｌ） ４ ＋ ４ Ｈｃｌ ）Ｒ１＝ＣｎＨ２ｎ−＋
−１１≦ｎ≦５ （２）Ｓｌ（ＯＣＯＣＨ３）＋Ｃ２Ｈ５０Ｈ−＋５ｌ（
ＯＣ２Ｈ５）４＋ＣＨ３ＣＯ０Ｈ 一般式で表わすと （Ｓｒ（ＯＣＯＲｔ） ＋ Ｒ２０Ｈ−＋５ｔ（ＯＲ２
）＋＋Ｒ１Ｃ０ＯＨ〕 Ｒ２＝ Ｃｎ Ｒ２ｎ ＋ １ １≦ｎ≦４このような
合成反応を経て得られるシリカフィルム溶液中には主反
応外でＣ７＋ Ｒ２０が不純物として出て来て、特に０
１分が存在すると抵抗値を低下させるため、前述したよ
うに第２段目の焼成工程において０１分を蒸発させて目
的とする抵抗値を得るようにする必要があるわけである
。
ＣＯＣＨ３）４＋４Ｈｃｌ一般式で表わすと （Ｓ １ｃ１４＋ ＲｏＣ００Ｈ−＋Ｓ ｔ （ＯＣＯ
Ｒｌ） ４ ＋ ４ Ｈｃｌ ）Ｒ１＝ＣｎＨ２ｎ−＋
−１１≦ｎ≦５ （２）Ｓｌ（ＯＣＯＣＨ３）＋Ｃ２Ｈ５０Ｈ−＋５ｌ（
ＯＣ２Ｈ５）４＋ＣＨ３ＣＯ０Ｈ 一般式で表わすと （Ｓｒ（ＯＣＯＲｔ） ＋ Ｒ２０Ｈ−＋５ｔ（ＯＲ２
）＋＋Ｒ１Ｃ０ＯＨ〕 Ｒ２＝ Ｃｎ Ｒ２ｎ ＋ １ １≦ｎ≦４このような
合成反応を経て得られるシリカフィルム溶液中には主反
応外でＣ７＋ Ｒ２０が不純物として出て来て、特に０
１分が存在すると抵抗値を低下させるため、前述したよ
うに第２段目の焼成工程において０１分を蒸発させて目
的とする抵抗値を得るようにする必要があるわけである
。
なお、以上の説明においては市販されているシリカフィ
ルム溶液たとえばスピンオンガラス（商品名）を透明絶
縁膜として用いた場合を例にして説明したため、溶媒と
してはエタノールを主成分とし、有機シリコンを溶質と
しているが、本発明はこれに限定されることなく溶媒と
しては他の低級脂肪酸層を主成分とするものを用いても
よい。
ルム溶液たとえばスピンオンガラス（商品名）を透明絶
縁膜として用いた場合を例にして説明したため、溶媒と
してはエタノールを主成分とし、有機シリコンを溶質と
しているが、本発明はこれに限定されることなく溶媒と
しては他の低級脂肪酸層を主成分とするものを用いても
よい。
以上の説明から明らかなように本発明によれば絶縁膜の
第１段の焼成工程においては８０°Ｃ〜２００°Ｃの温
度において５分間焼成するため、溶媒を完全に蒸発させ
ることができ第２段の焼成工程においては４７０℃以上
の温度で１０分間以上焼成するため、高抵抗の無機の膜
質に変化させることができる。
第１段の焼成工程においては８０°Ｃ〜２００°Ｃの温
度において５分間焼成するため、溶媒を完全に蒸発させ
ることができ第２段の焼成工程においては４７０℃以上
の温度で１０分間以上焼成するため、高抵抗の無機の膜
質に変化させることができる。
Claims (1)
- １ 少なくとも一方がガラス基板で、その上に透明電極
を設けさらにこの上に前記透明電極を含んだ透明絶縁膜
を形成した基板を２枚一定間隔はなして対向して設け、
両基板周辺を封着剤で封止し両基板間に液晶を注入して
なる液晶表示素子において、前記透明絶縁膜としてＳ
ｉ （０ＣＯＲＩ ）４’Ｌ＝ＣｎＨ２ｎ＋１ ］く
ｎく５もしくはＳ ｒ （ＯＲ２） ４Ｒ２＝ ＣｎＨ
２ｎ ＋１ １＜ｎ＜４からナル有機シリコンを溶質と
し、エタノールを溶媒とする溶液が塗布焼成されてなり
、この透明絶縁膜はまず８０°Ｃ〜２００℃の温度にお
いて保持時間５分以上焼成され、さらに４７０°Ｃ以上
で保持時間１０分以上で焼成されたことを特徴とする液
晶表示素子の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51046559A JPS5817935B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 液晶表示素子の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51046559A JPS5817935B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 液晶表示素子の電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52130344A JPS52130344A (en) | 1977-11-01 |
| JPS5817935B2 true JPS5817935B2 (ja) | 1983-04-11 |
Family
ID=12750673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51046559A Expired JPS5817935B2 (ja) | 1976-04-26 | 1976-04-26 | 液晶表示素子の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817935B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0142654Y2 (ja) * | 1984-06-11 | 1989-12-13 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131549A (ja) * | 1974-04-04 | 1975-10-17 | ||
| JPS5111595A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | Ekishohyojiban |
-
1976
- 1976-04-26 JP JP51046559A patent/JPS5817935B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50131549A (ja) * | 1974-04-04 | 1975-10-17 | ||
| JPS5111595A (ja) * | 1974-07-19 | 1976-01-29 | Hitachi Ltd | Ekishohyojiban |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0142654Y2 (ja) * | 1984-06-11 | 1989-12-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52130344A (en) | 1977-11-01 |
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