JPS58175882A - 光周波数掃引型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
光周波数掃引型半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS58175882A JPS58175882A JP57057268A JP5726882A JPS58175882A JP S58175882 A JPS58175882 A JP S58175882A JP 57057268 A JP57057268 A JP 57057268A JP 5726882 A JP5726882 A JP 5726882A JP S58175882 A JPS58175882 A JP S58175882A
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- semiconductor
- frequency
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体レーデが発振出力するレーデ光の光周波
数を同期信号に同期させて正確に掃引することのできる
光周波数掃引型半導体レーデ装置に関する。
数を同期信号に同期させて正確に掃引することのできる
光周波数掃引型半導体レーデ装置に関する。
近時、半導体レーデが発振出力するレーデ光を用いた光
へテロゲイン通信勢の光通信や、高精度計測の為の光応
用針側が注目されている。
へテロゲイン通信勢の光通信や、高精度計測の為の光応
用針側が注目されている。
これらの光通信や光応用計測は上記レーデ光の光周波数
を有効に利用したものでＴｏシ、この為、前記半導体レ
ーデの発振出力レーデ光の光周波数を安定に制御するこ
とが必要となる。
を有効に利用したものでＴｏシ、この為、前記半導体レ
ーデの発振出力レーデ光の光周波数を安定に制御するこ
とが必要となる。
ところが半導体レーデの光周波数は、その動作温度や注
入電流量によって大きく依存する。
入電流量によって大きく依存する。
そこで従来より、例えば第１図に示すようにして、半導
体レーデの光周波数安定化制御が行めれ１いる。即ち、
半導体レーデ１の温度を温度安定化装置２により安定化
し、この状態での上記半導体レーデ１の発振出力光をビ
ーム・ス！れによって光周波数・電圧変換された出力情
報を積分子Ｂｇを通して注入−流制御装置９に帰還して
いる。この負帰還レーデによる制御により１前記半導体
レーデ１への注入電流量を町変し、その光周波数の一定
化・安定制御がなされている。
体レーデの光周波数安定化制御が行めれ１いる。即ち、
半導体レーデ１の温度を温度安定化装置２により安定化
し、この状態での上記半導体レーデ１の発振出力光をビ
ーム・ス！れによって光周波数・電圧変換された出力情
報を積分子Ｂｇを通して注入−流制御装置９に帰還して
いる。この負帰還レーデによる制御により１前記半導体
レーデ１への注入電流量を町変し、その光周波数の一定
化・安定制御がなされている。
このようにし″ｃＯ１来一般に半導体レーデの光調＃Ｉ
Ｌ数の安定化がなされるが、前述し九光応用針＃＃岬に
Ｔｏ−）ては、貴に上記光周波数を一定の条件のもとて
安定に掃引することがｍすれる・この場合、前記注入電
流量Ｉ４１鋏置ｔよｐ、第２図（、）に示す如き掃引信
号を加え、これＫよって半導体レーデ１への注入電流量
を可変してその発振光周波数の掃引が行われる。
Ｌ数の安定化がなされるが、前述し九光応用針＃＃岬に
Ｔｏ−）ては、貴に上記光周波数を一定の条件のもとて
安定に掃引することがｍすれる・この場合、前記注入電
流量Ｉ４１鋏置ｔよｐ、第２図（、）に示す如き掃引信
号を加え、これＫよって半導体レーデ１への注入電流量
を可変してその発振光周波数の掃引が行われる。
ところが、上記掃引備考の繰返し周期が一定期信号Ｋｒ
１１期して不ＩＩＩＬ則に胸練畝掃引せんとすると、掃
引開始光周波数にずれが生じる。
１１期して不ＩＩＩＬ則に胸練畝掃引せんとすると、掃
引開始光周波数にずれが生じる。
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、半導体レーデの発振出力光周波
数を、外部よシ任意に与えられる同期信号に同期させて
所定に１且つ精度良く掃引することのできる実用性の高
い光周波７準掃引型半導体レーデ装置を提供することに
あるＯ 掃引終了時から次の掃引が開始される迄の期間に上記半
導体レーデの発振光周波数をサングル検出し、これを所
望値と比較して前記半導体レーデのバイアスを制御する
ことによって、同期従って本発明によれば、半導体レー
デのノ４イアスがその非掃引時に制御されて発振光周波
数が一定となるべく駒整されるので、外部から任定に且
つ簡易に光周波数掃引することが可能となシ、その実用
的利点は多大である。
の目的とするところは、半導体レーデの発振出力光周波
数を、外部よシ任意に与えられる同期信号に同期させて
所定に１且つ精度良く掃引することのできる実用性の高
い光周波７準掃引型半導体レーデ装置を提供することに
あるＯ 掃引終了時から次の掃引が開始される迄の期間に上記半
導体レーデの発振光周波数をサングル検出し、これを所
望値と比較して前記半導体レーデのバイアスを制御する
ことによって、同期従って本発明によれば、半導体レー
デのノ４イアスがその非掃引時に制御されて発振光周波
数が一定となるべく駒整されるので、外部から任定に且
つ簡易に光周波数掃引することが可能となシ、その実用
的利点は多大である。
成因であり、第４図（畠）〜（・）ｉｉその作用を１明
する為の動作波形図でおる。第３図において、１１Ｖｉ
半導体レーデであシ、温度安定化装置１２によりその温
度安定化が図られている。しかし工半尋体レーデ１１が
発振出力するレーず光は、九爛波数検出値ｔ１３によシ
受光され、その先ＩＩＩｔＪ波数が検出されている。そ
して、この光綱波数検出装置１３は、上記検出した光周
波数に相当した、例えは電圧信号を発生するものとなっ
ている。尚、この光周波数検出装置１３については、例
えば前述した第１図に示すようこの光周波数検出装置１
３によｐ検出された前記半導体レーデ１１の発振出力光
周波数に和尚した電圧信号は、後述するサングル・ホー
ルド回路（ｓ／ａ）１４に与えられると共に、注入電１
１の発振、光周波数を可変するものである。
する為の動作波形図でおる。第３図において、１１Ｖｉ
半導体レーデであシ、温度安定化装置１２によりその温
度安定化が図られている。しかし工半尋体レーデ１１が
発振出力するレーず光は、九爛波数検出値ｔ１３によシ
受光され、その先ＩＩＩｔＪ波数が検出されている。そ
して、この光綱波数検出装置１３は、上記検出した光周
波数に相当した、例えは電圧信号を発生するものとなっ
ている。尚、この光周波数検出装置１３については、例
えば前述した第１図に示すようこの光周波数検出装置１
３によｐ検出された前記半導体レーデ１１の発振出力光
周波数に和尚した電圧信号は、後述するサングル・ホー
ルド回路（ｓ／ａ）１４に与えられると共に、注入電１
１の発振、光周波数を可変するものである。
一方、同期掃引発振器Ｊ ｇ Ｆｉ、外部より与えられ
る同期信号に同期して、光周波数の掃引信号を発生し、
上記掃引信号を同期回路１１に供給すると共に前記注入
電流制御装置１５に供給している。注入電流制御装置１
５／ｄ、との掃引信号を受けて前記半導体レーデ１１に
対する注入電流量を可変して、発振光周波数の可変掃引
を行わしめる。また前記同期回路１１は、同期掃引発振
器１ｄに与えられる同期信号、および同期掃引発振器１
σが出力する掃引終了信号を受けてサングル・ホールド
信号を生成し、ｔＩＩ記サングル・ホールド回路１４を
駆動するものである。これによってサンプル・ホールド
回路Ｊ４ｉｊ、掃引終了時点から、次の同期信号が与え
られて掃引が開始される迄の期間、前記光測予め設定さ
れ九電圧値（所望とする光周波数に相癲する）１＃とを
比較し、その比較結果を前記注入電流制御装置１１ｉＫ
与えるよう罠なって見られる所定の光周波数と一致する
ように動作する。
る同期信号に同期して、光周波数の掃引信号を発生し、
上記掃引信号を同期回路１１に供給すると共に前記注入
電流制御装置１５に供給している。注入電流制御装置１
５／ｄ、との掃引信号を受けて前記半導体レーデ１１に
対する注入電流量を可変して、発振光周波数の可変掃引
を行わしめる。また前記同期回路１１は、同期掃引発振
器１ｄに与えられる同期信号、および同期掃引発振器１
σが出力する掃引終了信号を受けてサングル・ホールド
信号を生成し、ｔＩＩ記サングル・ホールド回路１４を
駆動するものである。これによってサンプル・ホールド
回路Ｊ４ｉｊ、掃引終了時点から、次の同期信号が与え
られて掃引が開始される迄の期間、前記光測予め設定さ
れ九電圧値（所望とする光周波数に相癲する）１＃とを
比較し、その比較結果を前記注入電流制御装置１１ｉＫ
与えるよう罠なって見られる所定の光周波数と一致する
ように動作する。
このように注入電流制御装置Ｊｊｅｉ、光周波数検出装
置１３によシ検出され九光周波数の情報に従ってこれを
モニタし、安定化すると共に、信号によって起動される
掃引時には同期掃引発振器ｌ−の出力する掃引信号を受
けて、前記半導体レーデ１１の光周波数を掃引するよう
になり１いる。
置１３によシ検出され九光周波数の情報に従ってこれを
モニタし、安定化すると共に、信号によって起動される
掃引時には同期掃引発振器ｌ−の出力する掃引信号を受
けて、前記半導体レーデ１１の光周波数を掃引するよう
になり１いる。
かくしてこのように構成された装置によれば、今、第４
図←）Ｋ示す如く同期信号が入力されると、これに同期
して同期掃引発振器１６は同図（ｂ）に示すように掃引
信号を発生する。この掃引き掃引終了／４ルス傷号を発
生し１いる。仁の掃引終了・臂ルス信号および前記同期
信号を受けて苧作する同期回路Ｉ ＦＵ、例えば７リツ
！フロ′ツグ等によ）構成され、！ｓ４図（ｄ）に示す
ようＫ、１つの周波数掃引が終了した時点から、次の周
波数掃引が開始される時点オでの期間、サングル信号を
発生している。そして、掃引期間であるサングル信号間
を、これをホールド信号としている。しかし１、このサ
ングル信号期間には、サングル・ホールド回路１４を介
して半導体レーデ１１の光周波数情報が比＠＠１ａに入
力され、この比較結果による注入電流制御装置１５の負
帰還制御によりて半導体レーデ１１のバイアスが制御さ
れる。これによシ、半導体レーデ１１の発振光周波数は
、次の掃引が開始される時点ＫＦｉ、第４図（・）に示
すように所望とする画周波数に一定化制御される。そし
て、この−電化制御された光周波数よ）、前記掃引信号
を受けて光周波数掃引が行われるととＫなる。
図←）Ｋ示す如く同期信号が入力されると、これに同期
して同期掃引発振器１６は同図（ｂ）に示すように掃引
信号を発生する。この掃引き掃引終了／４ルス傷号を発
生し１いる。仁の掃引終了・臂ルス信号および前記同期
信号を受けて苧作する同期回路Ｉ ＦＵ、例えば７リツ
！フロ′ツグ等によ）構成され、！ｓ４図（ｄ）に示す
ようＫ、１つの周波数掃引が終了した時点から、次の周
波数掃引が開始される時点オでの期間、サングル信号を
発生している。そして、掃引期間であるサングル信号間
を、これをホールド信号としている。しかし１、このサ
ングル信号期間には、サングル・ホールド回路１４を介
して半導体レーデ１１の光周波数情報が比＠＠１ａに入
力され、この比較結果による注入電流制御装置１５の負
帰還制御によりて半導体レーデ１１のバイアスが制御さ
れる。これによシ、半導体レーデ１１の発振光周波数は
、次の掃引が開始される時点ＫＦｉ、第４図（・）に示
すように所望とする画周波数に一定化制御される。そし
て、この−電化制御された光周波数よ）、前記掃引信号
を受けて光周波数掃引が行われるととＫなる。
かくし１本装置によれば、例えば同期信号が与えられる
タイイング任意で不規則でＴｏ−）たとしても、この同
期信号に同期して所定の光周波数よシ半導体レーデ１１
の発振光周波数を掃引することができる。しかも、非掃
引期間における半導体レーデ１１の光周波数のサンｌリ
ングと、これによるバイアス調整と云う簡易な制御によ
って、光周波数掃引開始時の発振光周波数を安定化制御
する−ことが可能となる。そしてまし得る。また、任意
の同期信号に同期させて半導体レーデ１１の発振光周波
数を安定に掃引することができるので、その実用的利点
は絶大である。
タイイング任意で不規則でＴｏ−）たとしても、この同
期信号に同期して所定の光周波数よシ半導体レーデ１１
の発振光周波数を掃引することができる。しかも、非掃
引期間における半導体レーデ１１の光周波数のサンｌリ
ングと、これによるバイアス調整と云う簡易な制御によ
って、光周波数掃引開始時の発振光周波数を安定化制御
する−ことが可能となる。そしてまし得る。また、任意
の同期信号に同期させて半導体レーデ１１の発振光周波
数を安定に掃引することができるので、その実用的利点
は絶大である。
尚、本発明は上記した一施例に限定されるものではない
４１ｐＨえば半導体レーデ１１の発振光周波数を検出す
る光ｍｓ数検出嫉装１１とし又は前述し圧覚共振器を用
い九４０に代え１、第５図に示すように、光周波数の確
定している局部発振用半導体レーデ２１の出力光と、掃
引制御される半導体レーデ１１の一力光とを光ミクサ２
２によシ混合し、そのビート信号光を光検出器２３によ
シ検出するようにしｔもよい。そし１ビ一ト信号の周波
数成分をｆ／ｖ （周波数・電圧）変換器ｊｔ４ｔ−介
して抽出して、その光周波数に和尚し圧電圧信号を得る
ようにし又もよを逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ること１ が可能である。
４１ｐＨえば半導体レーデ１１の発振光周波数を検出す
る光ｍｓ数検出嫉装１１とし又は前述し圧覚共振器を用
い九４０に代え１、第５図に示すように、光周波数の確
定している局部発振用半導体レーデ２１の出力光と、掃
引制御される半導体レーデ１１の一力光とを光ミクサ２
２によシ混合し、そのビート信号光を光検出器２３によ
シ検出するようにしｔもよい。そし１ビ一ト信号の周波
数成分をｆ／ｖ （周波数・電圧）変換器ｊｔ４ｔ−介
して抽出して、その光周波数に和尚し圧電圧信号を得る
ようにし又もよを逸脱しない範囲で種々変形して実施す
ること１ が可能である。
第１図は従来の半導体レーデ光周波数安定化装置の一カ
を示す概略構成図、第２図（、） （ｂ）は従来装置に
おける掃引信号と掃引光周波数との関係を示す図、第３
図は本発明の一実施例装置の概略構成図、第４図（ａ）
〜（・）Ｆｉ実施例装置の作用を１ｉ５２Ｉｊ１１する
為の動作波形図、第５図は光周波数検出装置の一構成例
を示す図である。 １１・・・半導体レーデ、１２・・・温度安定化装置、
１３・・・光周波数検出装置、１４・・・サンプル・ホ
ールド回路、１５・・・注入電流制御装置、１６・・・
同期掃引発振器、ｌｒ・・・同期回路、１８・・・比較
器、１＃・・・基準電圧。
を示す概略構成図、第２図（、） （ｂ）は従来装置に
おける掃引信号と掃引光周波数との関係を示す図、第３
図は本発明の一実施例装置の概略構成図、第４図（ａ）
〜（・）Ｆｉ実施例装置の作用を１ｉ５２Ｉｊ１１する
為の動作波形図、第５図は光周波数検出装置の一構成例
を示す図である。 １１・・・半導体レーデ、１２・・・温度安定化装置、
１３・・・光周波数検出装置、１４・・・サンプル・ホ
ールド回路、１５・・・注入電流制御装置、１６・・・
同期掃引発振器、ｌｒ・・・同期回路、１８・・・比較
器、１＃・・・基準電圧。
Claims (3)
- （１）半導体レーデ索子と、この半導体レーデ素子が出
力する光周波数を検出してこの光周波数に対応した電気
信号を得る手段と、掃引開始信号に同期して前記半導体
レーデ素子への注入した電気信号をサンプル・ホールド
する手段と、このすングル・ホールドされた値と所定の
基準値とを比較し、その比較結果に従って前記半導体レ
ーデ素子の動作バイアスを可変制御する手段とを具備し
たことを特徴とする光周波数掃引型半導体レーデ装置。 - （２）半導体レーデ索子が出力する光周波数に対応した
電気信号を得る手段は、上記半導体レーデ素子が出力す
るレーデ光を７アブリペロ共振器を介して抽出し、この
抽出光を光検出器で受光し１充電変換してなるものであ
る特許請求の範囲第１項記載の光周波数掃引型半導体レ
ーデ装置。 - （３）半導体レーデ素子が出力する光周波数に対応した
電気信号を得る手段は、上記半導体レーデ素子が出力す
るレーデ光と光周波数が既知の参照光とのピート信号を
検出して求めるものである特許請求の範囲第２項記載の
光周波数掃引型半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057268A JPS58175882A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光周波数掃引型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057268A JPS58175882A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光周波数掃引型半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175882A true JPS58175882A (ja) | 1983-10-15 |
| JPS6351555B2 JPS6351555B2 (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13050778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57057268A Granted JPS58175882A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 光周波数掃引型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175882A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145887A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Yokogawa Electric Corp | 光周波数シンセサイザ・スイ−パ |
| JPS62272614A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 自動周波数選択光ヘテロダイン受信機 |
| JPH01308090A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの発振周波数安定化方法 |
| US5012329A (en) * | 1989-02-21 | 1991-04-30 | Dubner Computer Systems, Inc. | Method of encoded video decoding |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57057268A patent/JPS58175882A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62145887A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Yokogawa Electric Corp | 光周波数シンセサイザ・スイ−パ |
| JPH0513399B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1993-02-22 | Yokogawa Electric Corp | |
| JPS62272614A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 自動周波数選択光ヘテロダイン受信機 |
| JPH01308090A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの発振周波数安定化方法 |
| US5012329A (en) * | 1989-02-21 | 1991-04-30 | Dubner Computer Systems, Inc. | Method of encoded video decoding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351555B2 (ja) | 1988-10-14 |
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