JPS58173241U - 配線構造 - Google Patents

配線構造

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Publication number
JPS58173241U
JPS58173241U JP1983051264U JP5126483U JPS58173241U JP S58173241 U JPS58173241 U JP S58173241U JP 1983051264 U JP1983051264 U JP 1983051264U JP 5126483 U JP5126483 U JP 5126483U JP S58173241 U JPS58173241 U JP S58173241U
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JP
Japan
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wiring structure
wiring
electrode wiring
recorded
bonding pad
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Pending
Application number
JP1983051264U
Other languages
English (en)
Inventor
尾形　俊昭
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
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Publication date
Application filed by セイコーエプソン株式会社 filed Critical セイコーエプソン株式会社
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はフェイスダウンボンディング方式を示す図であ
る。第２図は従来のフェイスダウンボンディング方式の
半導体集積回路のポンディングパッドの構造を示す図で
ある。第３図は本考案による半導体集積回路のポンディ
ングパッド及び配線の構造を示す図である。 １．５・・・・・・半導体集積回路、２・・・・・・導
電性接着剤、３・・・・・・回路基板もしくは表示体基
板、４・・・・・・ネサ膜等の回路、６．１１・・・・
・・ＡＩポンディングパッド、７．１３・・・・・・保
護膜、８．１２・・・・・・ポンディングパッド部のＣ
ｒＸＡｇ、　Ａｕ膜、９・・・・・・Ａ＋配線、１０・
・・・・・Ａ１配線上のＣｒ、　Ａｇ、　Ａｕ膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 電極配線がＡ１もしくはＡｌ−３ｉからなる配線構造に
    おいて、該電極配線は、Ｃｒ、　Ａｇ、　Ａｕの多層金
    属膜により被膜されてなる配線構造。
JP1983051264U 1983-04-06 1983-04-06 配線構造 Pending JPS58173241U (ja)

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JPS58173241U true JPS58173241U (ja) 1983-11-19

Family

ID=30061987

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