JPS5817275B2 - 改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料 - Google Patents
改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料Info
- Publication number
- JPS5817275B2 JPS5817275B2 JP54045985A JP4598579A JPS5817275B2 JP S5817275 B2 JPS5817275 B2 JP S5817275B2 JP 54045985 A JP54045985 A JP 54045985A JP 4598579 A JP4598579 A JP 4598579A JP S5817275 B2 JPS5817275 B2 JP S5817275B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solderability
- alloy plating
- soldering performance
- improved soldering
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
集積回路あるいは大規模集積回路用のリードフレーム材
料には普通Ｋｏｖａｒ（Ｎｉ ： ２８〜２９ ％ 。
料には普通Ｋｏｖａｒ（Ｎｉ ： ２８〜２９ ％ 。
Ｃｏ ：１７〜１８％ 、 Ｍｎ ：０．２％ 、残部
：Ｆｅ）または４２Ａｌｌｏｙ（Ｎｉ ：４２％ 、残
部：Ｆｅ）等の商品名で市販されている鉄族金属合金が
用いられている。
：Ｆｅ）または４２Ａｌｌｏｙ（Ｎｉ ：４２％ 、残
部：Ｆｅ）等の商品名で市販されている鉄族金属合金が
用いられている。
リードフレームと集積回路素子とを電気配線する過程で
は通常４００°Ｃ程度に加熱されるため、Ｋｏｖａｒや
４２ＡＩｌｏｙ等の材料表面に強固な酸化被膜が形成さ
れ、素材そのままでは半田付けが困難となる場合が多い
。
は通常４００°Ｃ程度に加熱されるため、Ｋｏｖａｒや
４２ＡＩｌｏｙ等の材料表面に強固な酸化被膜が形成さ
れ、素材そのままでは半田付けが困難となる場合が多い
。
そこで、従来はあらかじめＫｏ−ｖａｒ 、 ４２ＡＩ
Ｉｏｙ等の材料上にＡｕめっき、通常はＡｇめつきを
施こす方法が採用されている。
Ｉｏｙ等の材料上にＡｕめっき、通常はＡｇめつきを
施こす方法が採用されている。
このようなＡｕあるいはＡｇめつき層の表面には４００
℃程度の加熱では酸化被膜は殆んど出来ないので半田付
作業は容易である。
℃程度の加熱では酸化被膜は殆んど出来ないので半田付
作業は容易である。
近時、主として低コスト化の要請からこのような高価の
めつき層に代る低価格めっき層が要求され、いくつかの
試みがなされている。
めつき層に代る低価格めっき層が要求され、いくつかの
試みがなされている。
例えば、Ｓｎめっき、Ｐｂ−８ｎ合金めつき（半田めっ
き）等がある。
き）等がある。
しかし、Ｓｎめっきはホイスカー（俗称ネコのヒゲ）の
発生を伴ない、回路の短絡事故を起すおそれがあり、加
熱後の半田付性がＡｇめつきに比して非常に劣る。
発生を伴ない、回路の短絡事故を起すおそれがあり、加
熱後の半田付性がＡｇめつきに比して非常に劣る。
Ｐｂ−８ｎ合金めつきもこの半田付性の点で好ましい材
料ではない。
料ではない。
また、この問題を困難にしているものに、フラックスの
問題がある。
問題がある。
酸化被膜を溶解するような強力な腐蝕性のフラックスを
使用すると、多少表面が酸化していても半田付けは可能
であるが、例えば電子機器用にこのような強力フラック
スを使用すると、その残留物が絶縁部分の電気絶縁性を
低下させ、また必要部分以外の部位をも腐蝕して機器全
体の信頼度を損なうという問題を生じさせる。
使用すると、多少表面が酸化していても半田付けは可能
であるが、例えば電子機器用にこのような強力フラック
スを使用すると、その残留物が絶縁部分の電気絶縁性を
低下させ、また必要部分以外の部位をも腐蝕して機器全
体の信頼度を損なうという問題を生じさせる。
そのため、電子機器用には電導性や腐蝕性の殆んどない
ロジンフラックスの使用を余儀なくされている。
ロジンフラックスの使用を余儀なくされている。
本発明者等は、上記問題の解決を目的として、４００℃
程度に加熱された後でも、酸化被膜がロジンフラックス
で容易に除去でき、かつ半田付性のよい合金めっき層に
ついて探索した。
程度に加熱された後でも、酸化被膜がロジンフラックス
で容易に除去でき、かつ半田付性のよい合金めっき層に
ついて探索した。
主とじてＳｎ 、Ｐｂ系合金めっきを各種試験した結果
、５ｎ−Ｃｕ合金めつきが特にすぐれていることが見出
された。
、５ｎ−Ｃｕ合金めつきが特にすぐれていることが見出
された。
そして合金中のＣｕ含有率は１０重量係以下がよく、特
に８重量φ以下、さらに好ましくは３重量係以下の５ｎ
−Ｃｕ合金めつき層はＡｇめつき層に遜色のない優秀な
加熱後半田付性を示すことが判明した。
に８重量φ以下、さらに好ましくは３重量係以下の５ｎ
−Ｃｕ合金めつき層はＡｇめつき層に遜色のない優秀な
加熱後半田付性を示すことが判明した。
このような安価にして効果の大きいＳ ｎ −Ｃｕ合金
めつきの出現は電子機器材料の低コスト化に寄与すると
ころ極めて犬である。
めつきの出現は電子機器材料の低コスト化に寄与すると
ころ極めて犬である。
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
実施例 Ｉ
Ｋｏｖａｒ板上に各種の単独および合金めっき１０μの
厚さに施してから大気中で１分間所定の温度で加熱した
。
厚さに施してから大気中で１分間所定の温度で加熱した
。
その後、ＭＩＬ−８ＴＤ−２０２（７メリ力軍用規格）
の方法に準拠し、試片にロジンフラックスを塗布後２３
５°Ｃの溶融半田槽（半田組成Ｓｎ ：Ｐｂ＝６ ：
４ ）中に２５．４ｍｍ／秒の速度で浸漬し、５秒間静
置してから再び２５．４ｍｍ／秒の速度で引揚げて冷却
した。
の方法に準拠し、試片にロジンフラックスを塗布後２３
５°Ｃの溶融半田槽（半田組成Ｓｎ ：Ｐｂ＝６ ：
４ ）中に２５．４ｍｍ／秒の速度で浸漬し、５秒間静
置してから再び２５．４ｍｍ／秒の速度で引揚げて冷却
した。
冷却後の試片の半田付性を調べた結果は次表の通りであ
る。
る。
表中、○印は全表面が良好に半田付けされたもの、△印
は約８０係以上の表面積が半田付けされ、しかも微細に
均一であって、実用上差支えないと判断されたもの、Ｘ
印はそれ以外のもので、半田の乗らない部分が多く、実
用性がないと判断された試料である。
は約８０係以上の表面積が半田付けされ、しかも微細に
均一であって、実用上差支えないと判断されたもの、Ｘ
印はそれ以外のもので、半田の乗らない部分が多く、実
用性がないと判断された試料である。
表に示す通り、Ｃｕを８重量係以下、とくに３重量係以
下含有した５ｎ−Ｃｕ合金めつき層は、Ａｇめつき層に
劣らない良好な加熱後半田付性を示した。
下含有した５ｎ−Ｃｕ合金めつき層は、Ａｇめつき層に
劣らない良好な加熱後半田付性を示した。
尚、５ｎ−Ｃｕ合金めつきは酒石酸錫−青化銅浴、錫酸
−青化銅浴その他の合金めっき浴から電着させることが
出来るが、浴組成によってその性能が左右されることは
なかった。
−青化銅浴その他の合金めっき浴から電着させることが
出来るが、浴組成によってその性能が左右されることは
なかった。
実施例 ２
電着面積０．４ｄｍ２（５ＣｒｒＬＸ ４ＣｒｒＬＸ両
面）で、厚さ０．３ｍｍのＫｏｖａｒ板をカソードとし
、アノードに同寸法の黒鉛板にアノードバッグを被せた
ものを用い、次の浴組成と条件で５ｎ−Ｃｕ合金めっき
を行なった。
面）で、厚さ０．３ｍｍのＫｏｖａｒ板をカソードとし
、アノードに同寸法の黒鉛板にアノードバッグを被せた
ものを用い、次の浴組成と条件で５ｎ−Ｃｕ合金めっき
を行なった。
約２５分間通電し、試片に１０μの厚さに電着させた合
金めっき層をＸ線マイクロアナライザーで分析した結果
、Ｃｕ含有率は１．１重量係であった。
金めっき層をＸ線マイクロアナライザーで分析した結果
、Ｃｕ含有率は１．１重量係であった。
この試片を実施例１と同方法によって４００°Ｃにおけ
る加熱後半田付性を調べたところ、試片全面に平滑に半
田が乗っており、極めて優れた半田付性を示した。
る加熱後半田付性を調べたところ、試片全面に平滑に半
田が乗っており、極めて優れた半田付性を示した。
上記浴組成で、ＣｕＣＮを３ ｇ／ｌ、にしたところ、
Ｓ ｎ −Ｃｕ合金めっき層のＣｕ含有率は２．６重量
係であった。
Ｓ ｎ −Ｃｕ合金めっき層のＣｕ含有率は２．６重量
係であった。
この試片の加熱後半田付性を同様にして調べ、はぼ同様
の結果を得た。
の結果を得た。
さらに上記浴組成でＣｕＣＮを６ ｇ／ｌとしたところ
、５ｎ−Ｃｕ合金めつき層のＣｕ含有率は１０．８重量
係であった。
、５ｎ−Ｃｕ合金めつき層のＣｕ含有率は１０．８重量
係であった。
この試片は３５０°Ｃでの加熱後半田付性は良好であっ
たが、４００℃での加熱後半田付性では、半田がやや斑
点模様に乗っており、４００℃加熱後では半田付性が充
分でないことを示した。
たが、４００℃での加熱後半田付性では、半田がやや斑
点模様に乗っており、４００℃加熱後では半田付性が充
分でないことを示した。
Claims (1)
- １ 加熱処理に供される金属表面上に、Ｓｎ中に８重量
係以下のＣｕを含む５ｎ−Ｃｕ合金めっき層を施こして
なる改良された半田付は性能を有するリードフレーム材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54045985A JPS5817275B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54045985A JPS5817275B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55138093A JPS55138093A (en) | 1980-10-28 |
| JPS5817275B2 true JPS5817275B2 (ja) | 1983-04-06 |
Family
ID=12734450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54045985A Expired JPS5817275B2 (ja) | 1979-04-17 | 1979-04-17 | 改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817275B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4605533A (en) * | 1985-04-19 | 1986-08-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Lead frame coated with aluminum as a packaging material in integrated circuits |
-
1979
- 1979-04-17 JP JP54045985A patent/JPS5817275B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55138093A (en) | 1980-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100309229B1 (ko) | 납석출 땜납과 납땜된 물품 | |
| US4829553A (en) | Chip type component | |
| KR100272682B1 (ko) | 납땜 방법 | |
| JP4873332B2 (ja) | リードフレーム及びこの製造方法、この疲労特性の向上方法、これを用いた電子部品及び電子デバイス | |
| JP3229239B2 (ja) | 電着浴 | |
| JPH02163331A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 | |
| JPS5817275B2 (ja) | 改良された半田付け性能を有するリ−ドフレ−ム材料 | |
| JP3402228B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置 | |
| JPS594493B2 (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JP2878754B2 (ja) | アルミニウム合金製電子電気機器導電部品 | |
| RU2041783C1 (ru) | Припой для пайки преимущественно меди и сплавов на основе меди | |
| JP3657874B2 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
| JPS61198507A (ja) | 電子部品用複合材料及びその製造方法 | |
| JPH02213004A (ja) | アルミニウム合金製電子電気機器導電部品 | |
| JPS6393835A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JP2001043745A (ja) | フラットケーブル | |
| JP2682226B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH0324244A (ja) | フレキシブルプリント用銅合金圧延箔 | |
| JPH0674463B2 (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| JP3906584B2 (ja) | 電子部品用リード | |
| JPS6342393A (ja) | 銅または銅合金線条体の錫または錫合金メツキ方法 | |
| JPS6157379B2 (ja) | ||
| JPS6325078B2 (ja) | ||
| JPH0218375B2 (ja) | ||
| JPH0362960A (ja) | 半導体チップキャリア用端子ピン |