JPS58172207A - 窒化けい素の製造方法 - Google Patents
窒化けい素の製造方法Info
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- JPS58172207A JPS58172207A JP57054179A JP5417982A JPS58172207A JP S58172207 A JPS58172207 A JP S58172207A JP 57054179 A JP57054179 A JP 57054179A JP 5417982 A JP5417982 A JP 5417982A JP S58172207 A JPS58172207 A JP S58172207A
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- silicon
- silicon nitride
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- metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は窒化けい拳の製造方法、特には強度、耐熱性、
化学的安定性にすぐれた、物性のバラツキの少ない窒化
けい素の製造方法に関するものである。
化学的安定性にすぐれた、物性のバラツキの少ない窒化
けい素の製造方法に関するものである。
窒化けい素、炭化けい素、ジルコニアは最近注目されて
いるセラミックス材料であり、これは耐熱性、耐蝕性で
強度も大きく、クリープ変形も受けにくいことから、省
エネルギーを1指したガスタービンエンジン、ジ−イル
エンジンやメカニカルシール、サーマルリアクター、セ
ンサーナトへの利用が検討されており、すでに一部には
その実用化も進められているが、特に電化けい素はセラ
ミックスの最大の欠点とされている熱シヨツク性がすぐ
れており、この焼結体は熱膨張率が小さく、一般耐熱合
金の利用域をこえる1000℃以上でも安定であり゛、
高強度性を示すということから注目されている。
いるセラミックス材料であり、これは耐熱性、耐蝕性で
強度も大きく、クリープ変形も受けにくいことから、省
エネルギーを1指したガスタービンエンジン、ジ−イル
エンジンやメカニカルシール、サーマルリアクター、セ
ンサーナトへの利用が検討されており、すでに一部には
その実用化も進められているが、特に電化けい素はセラ
ミックスの最大の欠点とされている熱シヨツク性がすぐ
れており、この焼結体は熱膨張率が小さく、一般耐熱合
金の利用域をこえる1000℃以上でも安定であり゛、
高強度性を示すということから注目されている。
そして、この窒化けい素の製造方法については、1)金
属けい素を直接酸化する方法、2)四塩化けい素とアン
モニアを気相反応させる方法、3)四塩化けい素とアン
モニアを溶媒存在下で液相反応させる方法、4)ニ酸化
けい素を還元窒化する方法が知られているが、上記した
ような特性をもつ焼結体の製造はこれらの方法で得た窒
化けい素粉末に焼結助剤としてマグネシウム、アルミニ
ウム、イツトリウムなどの金属の酸化物または窒化物を
ボールミル、へンマーミルなどの混合機中で混合したの
ち、常圧または100〜700 Kl/dの加圧下に1
500〜1900℃で焼結し、成形品とするという方法
が一般的とされている。しかし、この方法で作られる焼
結体は、それが窒化けい素粉末と上記した焼結助剤の混
合、焼き固めという方法で作られるものであるため、こ
れには原料中に含まれていた不純物の偏在、焼結助剤の
不均一分散、大粒子の混入によりそれが不均質性を:1 もつものになるという不一があり、これによってその焼
結体の強度の低下、物性のバラツキが生じるという欠点
があった。
属けい素を直接酸化する方法、2)四塩化けい素とアン
モニアを気相反応させる方法、3)四塩化けい素とアン
モニアを溶媒存在下で液相反応させる方法、4)ニ酸化
けい素を還元窒化する方法が知られているが、上記した
ような特性をもつ焼結体の製造はこれらの方法で得た窒
化けい素粉末に焼結助剤としてマグネシウム、アルミニ
ウム、イツトリウムなどの金属の酸化物または窒化物を
ボールミル、へンマーミルなどの混合機中で混合したの
ち、常圧または100〜700 Kl/dの加圧下に1
500〜1900℃で焼結し、成形品とするという方法
が一般的とされている。しかし、この方法で作られる焼
結体は、それが窒化けい素粉末と上記した焼結助剤の混
合、焼き固めという方法で作られるものであるため、こ
れには原料中に含まれていた不純物の偏在、焼結助剤の
不均一分散、大粒子の混入によりそれが不均質性を:1 もつものになるという不一があり、これによってその焼
結体の強度の低下、物性のバラツキが生じるという欠点
があった。
本発明はこれらの不利、欠点を解決した窒化けい素の製
造方法に関するものであり、これはへロゲン化けい素、
窒素の水素化物および沸点が180状を 心1t<は融点が90℃以上である金属ノ・ロゲン化物
とt液相で反応させ、この反応生成物を焼成することを
特徴とするものである。
造方法に関するものであり、これはへロゲン化けい素、
窒素の水素化物および沸点が180状を 心1t<は融点が90℃以上である金属ノ・ロゲン化物
とt液相で反応させ、この反応生成物を焼成することを
特徴とするものである。
これを説明すると、本発明者らは特に強度低下がなく、
物性のバラツキの少ない窒化けい素焼給体の取得方法に
ついて種々検討の結果、ハロゲン化けい素と窒素の水素
化物との液相反応による窒化けい素の製造時に、この反
応系に金属へロゲン化物を添加すれば、けい素置化物の
生成と同時にこの金属へロゲン化物が金属窒化物として
生成し。
物性のバラツキの少ない窒化けい素焼給体の取得方法に
ついて種々検討の結果、ハロゲン化けい素と窒素の水素
化物との液相反応による窒化けい素の製造時に、この反
応系に金属へロゲン化物を添加すれば、けい素置化物の
生成と同時にこの金属へロゲン化物が金属窒化物として
生成し。
これらの反応生成物を焼成して得られる粉体は、この金
属窒化物が液相反応系で生成されるものであるため、そ
れがこの反応系では凝集せず、夛プミクロン単位で窒化
けい素中に均一分散されること、したがってこの反応後
、これを焼成して得られた金属窒化物を含む窒化けい素
を焼結すれば従来品において指摘されていた強度低下、
物性の/(ラツキなどの欠点のない窒化けい素焼納品の
得られることを見出して本発明を完成させた。
属窒化物が液相反応系で生成されるものであるため、そ
れがこの反応系では凝集せず、夛プミクロン単位で窒化
けい素中に均一分散されること、したがってこの反応後
、これを焼成して得られた金属窒化物を含む窒化けい素
を焼結すれば従来品において指摘されていた強度低下、
物性の/(ラツキなどの欠点のない窒化けい素焼納品の
得られることを見出して本発明を完成させた。
本発明の方法で始発材料とされるへロゲン化番すい素と
しては四塩化けい素、モノクロロシラン、ジクロロシラ
ン、トリクロロンラン、メチルトリクロロシラン、ジメ
チルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、モノク
ロロジVラン、ジクロロシラン、トリクロロジレラン、
四フッ化シラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジ
クロロシラン、四ブロムシラン、メチルトリブロムシラ
ンなどが例示されるが、これらの中ではトツクロロνラ
ンの水素還元による半導体用高純度シリコン多結晶を製
造する際に副生する四塩化けい素、金属けい素とメチル
クロライドの反応によるメチルクロロンラン類の合成時
(;生成されるメチルトリクロロシランを使用すること
が経済的1二は有利とされる。また、この窒素の水素化
物としてはアンモニア、ヒドラジyなどが挙げられるが
、取扱いの容具性、安全性および経済性の面からはアy
そニアとすることがよい。
しては四塩化けい素、モノクロロシラン、ジクロロシラ
ン、トリクロロンラン、メチルトリクロロシラン、ジメ
チルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、モノク
ロロジVラン、ジクロロシラン、トリクロロジレラン、
四フッ化シラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジ
クロロシラン、四ブロムシラン、メチルトリブロムシラ
ンなどが例示されるが、これらの中ではトツクロロνラ
ンの水素還元による半導体用高純度シリコン多結晶を製
造する際に副生する四塩化けい素、金属けい素とメチル
クロライドの反応によるメチルクロロンラン類の合成時
(;生成されるメチルトリクロロシランを使用すること
が経済的1二は有利とされる。また、この窒素の水素化
物としてはアンモニア、ヒドラジyなどが挙げられるが
、取扱いの容具性、安全性および経済性の面からはアy
そニアとすることがよい。
他方、本発明の方法で使用される金属へロゲン化物はそ
の沸点が180℃以上であるか、あるいは融点が90℃
以上のものとされる。これはこの金属へロゲン化物が前
記したへロゲン化けい素と窒素の水素化物との反応によ
るけい素置化物の生成時にこの窒素の水素化物と反応し
て金属窒化物となり、これがその反応生成物の焼成によ
り焼結時の焼結助剤となるのであるが、沸点が180℃
以下あるいは融点が90℃以下の金属へロゲン化物から
得られる金属窒化物はその融点が低く、このように融点
の低いものを焼結助剤とすると得られる窒化けい素焼給
体の耐熱性が低下してしまうので、これを沸点180℃
以上あるいは融点90℃以上のものとし、この窒化によ
って得られる金属音化物をその融点が1800〜300
0℃のものとする必要があるからである。
の沸点が180℃以上であるか、あるいは融点が90℃
以上のものとされる。これはこの金属へロゲン化物が前
記したへロゲン化けい素と窒素の水素化物との反応によ
るけい素置化物の生成時にこの窒素の水素化物と反応し
て金属窒化物となり、これがその反応生成物の焼成によ
り焼結時の焼結助剤となるのであるが、沸点が180℃
以下あるいは融点が90℃以下の金属へロゲン化物から
得られる金属窒化物はその融点が低く、このように融点
の低いものを焼結助剤とすると得られる窒化けい素焼給
体の耐熱性が低下してしまうので、これを沸点180℃
以上あるいは融点90℃以上のものとし、この窒化によ
って得られる金属音化物をその融点が1800〜300
0℃のものとする必要があるからである。
本発明の方法はまづ、上記したノ為ロゲン(ヒ6す%、
%素および金属ハロゲン化物を窒素の水素(ヒ物と専反
応させるのであるが、この反応は金属〕10ゲy化物Y
ガス化する必要のない液相で行なわれる。
%素および金属ハロゲン化物を窒素の水素(ヒ物と専反
応させるのであるが、この反応は金属〕10ゲy化物Y
ガス化する必要のない液相で行なわれる。
この液相反応はベンゼン、トルエン、キシレン。
ヘプタン、ヘキサノ、ペンタンなどの溶媒中で行なわれ
るが、これはノ\ロゲン化けい素または窒素の水素化合
物が液化される温度以下で行なってもよい。この反応は
低温でも進行するが溶媒共存下の液相反応を行なう場合
には20〜150℃の加温下で行なうことがよい。本発
明の方法C二おける金属ハロゲン化物の添加量にこの窒
化C二よって得られる金属窒化物が窒化けい素の焼結助
剤となるものであり、この金属窒化物量が少なすぎると
窒化けい素の焼結がむづかしくな懺ハそれが多すぎると
窒化けい素焼給体の耐熱性が低下するので、これはハロ
ゲン化けい素と金属ハロゲン化物の合計量に対しそれが
0.1〜50重量%となる範囲、好ましくは1〜20重
量%の範囲とすることがよい。また、この反応のための
窒素の水素化物の添加量はハロゲン化けい素および金属
ハロゲン化物のすべて忘窒化物とする量であればよいが
、これはその理論量に対し若干過剰とすることがよく、
例えばハロゲン化けい素と金属ハロゲン化物に対し1.
1〜3.0倍モルとすることがよい。
るが、これはノ\ロゲン化けい素または窒素の水素化合
物が液化される温度以下で行なってもよい。この反応は
低温でも進行するが溶媒共存下の液相反応を行なう場合
には20〜150℃の加温下で行なうことがよい。本発
明の方法C二おける金属ハロゲン化物の添加量にこの窒
化C二よって得られる金属窒化物が窒化けい素の焼結助
剤となるものであり、この金属窒化物量が少なすぎると
窒化けい素の焼結がむづかしくな懺ハそれが多すぎると
窒化けい素焼給体の耐熱性が低下するので、これはハロ
ゲン化けい素と金属ハロゲン化物の合計量に対しそれが
0.1〜50重量%となる範囲、好ましくは1〜20重
量%の範囲とすることがよい。また、この反応のための
窒素の水素化物の添加量はハロゲン化けい素および金属
ハロゲン化物のすべて忘窒化物とする量であればよいが
、これはその理論量に対し若干過剰とすることがよく、
例えばハロゲン化けい素と金属ハロゲン化物に対し1.
1〜3.0倍モルとすることがよい。
本発明の方法は例えば上記した溶媒中にハロゲン化けい
素と金属ハロゲン化物を仕込み、ここにアンモニアガス
を吹込んで液相反応させ、ついでこの反応生成物からの
副生物の除去とその安定化を目的としてこれを焼成する
ことにより、これを金属窒化物を含む窒化けい素とする
のであるが、この金属窒化物が凝集することなくサブミ
クロン単位となっているので、ここに得られる窒化けい
素はこの金属窒化物微粉末を均分に配合したものとされ
る。なお、この焼成にこの液相反応による反応生成物を
常法にしたがって、窒素、アンモニア、アルゴンあるい
はこれらのガスと水素ガスとによれば焼結助剤としての
金属窒化物が微粉状で均一分散された窒化けい素粉体が
得られるので、これをついで例えば300fP/cd、
1750℃焼結して得られる窒化けい素焼給体は強度、
耐熱性、化学安定性C二富み、しかも物性に全くバラツ
キのないものになるという著効が与えられる。
素と金属ハロゲン化物を仕込み、ここにアンモニアガス
を吹込んで液相反応させ、ついでこの反応生成物からの
副生物の除去とその安定化を目的としてこれを焼成する
ことにより、これを金属窒化物を含む窒化けい素とする
のであるが、この金属窒化物が凝集することなくサブミ
クロン単位となっているので、ここに得られる窒化けい
素はこの金属窒化物微粉末を均分に配合したものとされ
る。なお、この焼成にこの液相反応による反応生成物を
常法にしたがって、窒素、アンモニア、アルゴンあるい
はこれらのガスと水素ガスとによれば焼結助剤としての
金属窒化物が微粉状で均一分散された窒化けい素粉体が
得られるので、これをついで例えば300fP/cd、
1750℃焼結して得られる窒化けい素焼給体は強度、
耐熱性、化学安定性C二富み、しかも物性に全くバラツ
キのないものになるという著効が与えられる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例
脱水されたトルエン50〇−中に第1表に示したハロゲ
ン化けい素と金属ハロゲン化物を仕込み、液温を30℃
に維持しながらハロゲン化けい素と金属ハロゲン化物の
合計量の1.2モル倍量のアンモニアを5時間にわたっ
て吹込んだ。反応開始後、液はただちに白濁したが、ア
ンモニアの吹き込み終了後もさらに1時間反応を続行し
てから、トルエンをストリップし、ついでこの反応生成
物を10%の水素を混合した窒素ガス雰囲気中において
1500℃で5時間焼成して窒化けい素の粉体とした。
ン化けい素と金属ハロゲン化物を仕込み、液温を30℃
に維持しながらハロゲン化けい素と金属ハロゲン化物の
合計量の1.2モル倍量のアンモニアを5時間にわたっ
て吹込んだ。反応開始後、液はただちに白濁したが、ア
ンモニアの吹き込み終了後もさらに1時間反応を続行し
てから、トルエンをストリップし、ついでこの反応生成
物を10%の水素を混合した窒素ガス雰囲気中において
1500℃で5時間焼成して窒化けい素の粉体とした。
つぎ(二、この粉体を10鵡X50uaX5顛の抗折欅
に成形し、これを300Kp/d、1750℃で1時間
焼結し、この20本についての抗折力を1000℃で測
定し、その耐熱強度についてのバラツキの指標としてそ
の平均値と分散値を求めたところ、その結果は第1表に
示したとおりであった。
に成形し、これを300Kp/d、1750℃で1時間
焼結し、この20本についての抗折力を1000℃で測
定し、その耐熱強度についてのバラツキの指標としてそ
の平均値と分散値を求めたところ、その結果は第1表に
示したとおりであった。
なお、比較のため、金属ハロゲン化物として沸点が13
6℃、融点が一30℃であるTi114を使用したとこ
ろ、得られた焼結体は耐熱強度が34〜/dとわるく、
またこの金属ハロゲン化物を添加せず反応後の窒化けい
素にYO、Al=N3 を添加して焼結したものについて同様に行った抗折力試
験の結果は′@2表に示したとおりであり、これは特に
バラツキの大きいものであった。
6℃、融点が一30℃であるTi114を使用したとこ
ろ、得られた焼結体は耐熱強度が34〜/dとわるく、
またこの金属ハロゲン化物を添加せず反応後の窒化けい
素にYO、Al=N3 を添加して焼結したものについて同様に行った抗折力試
験の結果は′@2表に示したとおりであり、これは特に
バラツキの大きいものであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 !、 へロゲン化けい素、窒素の水素化物およ”び沸点
が180℃以上もしくは融点が90℃以上である金属へ
ロゲン化物とを液相で反応させ、この反応生成物をつい
で焼成することを特徴とする窒化けい素の製造方法 2、 金属へロゲン化物がアルミニウム、マグネシウム
、ジルコニウム、イツトリウム、ベリツウム、モリブデ
ンのハロゲン化物から選択されたものである特許請求の
範囲111項記載の窒化けい素の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57054179A JPS58172207A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 窒化けい素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57054179A JPS58172207A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 窒化けい素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58172207A true JPS58172207A (ja) | 1983-10-11 |
JPS6156161B2 JPS6156161B2 (ja) | 1986-12-01 |
Family
ID=12963311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57054179A Granted JPS58172207A (ja) | 1982-04-01 | 1982-04-01 | 窒化けい素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58172207A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107908A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-22 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 焼結性に優れた窒化珪素粉末の製造法 |
FR2616768A1 (fr) * | 1987-06-22 | 1988-12-23 | Basf Ag | Nitrure de silicium amorphe en poudre, sa preparation et son utilisation |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53130300A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-14 | Kagaku Gijutsucho Mukizai | Method of synthesizing silicon nitride or silicon imide |
JPS54134098A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-18 | Asahi Glass Co Ltd | Preparing silicon nitride |
-
1982
- 1982-04-01 JP JP57054179A patent/JPS58172207A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53130300A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-14 | Kagaku Gijutsucho Mukizai | Method of synthesizing silicon nitride or silicon imide |
JPS54134098A (en) * | 1978-04-11 | 1979-10-18 | Asahi Glass Co Ltd | Preparing silicon nitride |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59107908A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-22 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 焼結性に優れた窒化珪素粉末の製造法 |
FR2616768A1 (fr) * | 1987-06-22 | 1988-12-23 | Basf Ag | Nitrure de silicium amorphe en poudre, sa preparation et son utilisation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6156161B2 (ja) | 1986-12-01 |
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