JPS58168511A - プラスチックモ−ルド形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１１発明の技術分野 本発明はプラスチックモールド形成方法、詳しくはモー
ルド金型に近接して加熱炉を配置し、プラスチック材を
金型内で短時間の加熱の後前記加熱炉内で引続き加熱硬
化するモールド形成方法に関する。

（１） （２）技術の背景 第１図（ａｌの平面図と（ｂｌの側面図に示す如きリー
ドフレームを用いる半導体集積回路（ＩＣ）が多用され
ている。なおこれらの図において、■はプラスチックモ
ールド、２は半導体チップ（この半導体チップはモール
ド１に覆われて外からは見えない）、３はリード、４は
送り用のクレードルを示ず。なお半導体チップ２の所定
の部分は図示しないボンディングワイヤによりリード３
のそれぞれに接続されている。

かかる半導体ＩＣを製造する工程においてモールド１の
形成のためにモールド装置を用いる。第２図には模式的
にかかるモールド装置金型の下型１１が平面図で示され
、同図において、１２はプラスチックが注入されるカル
、１３は熔融プラスチックに が流れる流路菩当るランナを示し、半導体ＩＣはランナ
１３の両側に対になって配置される。実際の使用におい
てはより多くのランナが形成され、より多くの半導体Ｉ
Ｃに樹脂封止がなされるのであるが、図においてこれら
は簡略化して示した。

（２） 操作においては、モールド装置を模式的に断面図で示す
第３図を参照すると、半導体ＩＣを第２図図示の如く配
置し、金型加圧用プレス１４で加圧した後プラスチック
を注入シリンダ１５から注入し、プラスチックが半ば硬
化した後製品を取り出し、恒温槽にて完全にキュアする
。なお第３図において１１＾は上型を示ず。

（３）従来技術と問題点 前記したプラスチックは注入時の温度が７０〜８０°Ｃ
であり、これが１６０〜１８０“Ｃに加熱された金型内
に１〜２分間程度おかれると半ば硬化する。

というごとは、モールド金型と加圧用プレスを含むモー
ルド装置は、プラスチック注入後は単にプラスチックを
硬化させる加熱のためにのみ用いられ、そのとき１〜２
分の時間が浪費される。これは、モールド装置が非常に
高価であることを計算にいれると、設備のための投資が
十分に活用されていないことを意味する。また作業効率
の見地からも１〜２分の加熱時間はなんら活用されてい
ないことになる。

（３） （４）発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、高価な設備の稼動率
を高めると同時に、プラスチックの完全硬化を、一定室
温におく工程を経ることな〈実施し得るモールド形成方
法を提供するにある。

（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、モールド金型とプレ
スを含むモール１：装置は本来のプラスチック注入作業
にのみ使用し、プラスチックが金型内で取り扱い可能な
程度に、すなわちモールドが変形しない程度に硬化した
後、プラスチックの温度を下げることなく金型に近接し
て設りられた加熱炉に投入してプラスチック硬化を実Ｍ
ｉするモールド形成方法によって達成される。

（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。

第４図には本発明の方法を実施するために用いるモール
ド装置が模式的に断面図で示され、同図において既に図
示したものと同じ部分は同し符号を付して示す。

（４） プラスチック注入シリンダ１３から従来技術の場合と同
様にプラスチックを注入する。このときのプラスチック
材の温度は前記した如り７０〜８０℃である。他方、金
型ずなわち下型１１と上型１１Ａとは１６０〜１８０°
Ｃに加熱されている。このような条件において、プラス
チックは例えば１０〜２０秒で取り扱い可能な程度に、
すなわちモールドが変形しない程度に硬化する。

従来技術においては、前記したプラスチックの硬化に例
えば６０〜９０秒要し、その間中モールド金型とプレス
を含むモールド装置はただプラスチックの硬化のための
用しかなさなかったものである。本願の発明者は、第５
図の線図に示される溶融プラスチックの硬度の経時変化
の特徴に着目した。すなわち、図のグラフのボートの底
またはＵ字の底の如き領域Ａにおいて、プラスチック硬
度は時間が経過してもほとんど変化しない。そして従来
技術においては、プラスチック硬度がこの状態にあると
き６０〜９０秒もの間合−型内に放置されたのである。

モールド装置は現在子方円台の高価な（５） ものであって、そのような高価な装置が場合によっては
２分も遊んだままで放置されることば無駄が多い。

本願の発明者は更に、プラスチックが１６０〜１８０°
Ｃに加熱された金型内に１０〜２０秒置かれると、取り
扱い可能な程度に硬化することに着目した。

そして本発明の方法においては、プラスチック注入後、
１０〜２０秒経過しプラスチックモールドが変形しない
程度の硬さになったところで、プラスチックモールドを
金型から取り出し、室温にて放置することなくモールド
装置の直ぐ近くに配置された加熱炉１６に移す。この加
熱炉１６はプラスチックを注入したときの金型温度（１
６０〜１８０℃）と同程度に加熱しておき、この加熱炉
内で従来金型内で進行したと同様のプラスチックの硬化
を進めるのである。

かかる加熱炉１６は第４図には模式的に示されるが、そ
の内部は１６０〜１８０℃に加熱されれば足りるから公
知の技術で容易に作成し得る。また半導体ＩＣの移動は
、例えば図示しないチャック手段（６） でそれをコンベヤ１フ上にのせ、このコンベヤによって
加熱炉１６内に移す。加熱炉１６内に例えば９０秒おい
てプラスチックが十分に硬化した後半導体ＩＣは従来と
同様恒温槽に移す。かくして、本発明の方法における経
時間係は次式で要約され得るが、この式において左辺は
本発明の方法による場合、右辺は従来技術による場合で
ある。（金型内時間）＋（加熱炉内時間）−（従来の金
型内時間）（力発明の効果 以上、詳細に説明したように、本発明の方法による半導
体ＩＣのモールド形成においては、モールドがモールド
装置の金型内に留まる時間が大幅に短縮されるので、高
価な装置の稼動率を高めつつプラスチックの完全硬化が
実現され、半導体ＩＣ製造の歩留りの向上に効果大であ
る。

なお上記の説明においては半導体ＩＣを例にとったが、
本発明の適用範囲はその場合に限られるものでなく、プ
ラスチックモールド形成のその他のあらゆる場合にも適
用可能である。

【図面の簡単な説明】

（７） 第１図は半導体ＩＣの平面図、第２図はモールド装置金
型の下型の模式的平面図、第３図は従来のモールド装置
の模式的断面図、第４図は本発明の方法を実施するため
に用いるモールド装置と加熱炉の結合システムの模式的
断面図、第５図は溶融プラスチックの硬度と時間との関
係を示す線図である。 １−プラスチックモールド、１１−下型、１１八−上型
、１２−　カル、１３−　ランナ、１４−金型加圧用プ
レス、１５−プラスチック注入シリンダ、１６−加熱炉
、１７−　コンベヤ（８） 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. モールド金型と金型加圧用プレスとから成るモールド装
   置を用いてプラスチックモールドを形成する方法におい
   て、前記モールド装置に近接して加熱炉を設け、該モー
   ルド装置に注入したプラスチック材が変形しない程度に
   硬化するまで前記金型内に留め、しかる後当該プラスチ
   ック材を前記金型とほぼ同じ温度に加熱した加熱炉に移
   して硬化せしめることを特徴とするプラスチックモール
   ド形成方法。