JPS58168243A - 半導体ウエ−ハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの処理方法Info
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- JPS58168243A JPS58168243A JP5199782A JP5199782A JPS58168243A JP S58168243 A JPS58168243 A JP S58168243A JP 5199782 A JP5199782 A JP 5199782A JP 5199782 A JP5199782 A JP 5199782A JP S58168243 A JPS58168243 A JP S58168243A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明゛Ｏ技衝分野〕 □本発明は、半
導体つ、−ハＣ）Ｊｌａ聰方法の改良に関す・る、
− 〔発明の技術的背景とその問題点〕 −従来、半導
体素子、 ＬＩＥ用シリコンウ、ニハ績晶内の微少欠陥
や不純物★吸収することを１的として、特定の欠陥消減
点を形成させる丸めに各種の手法が用いられている。こ
れらＯｑＰ法の１つとして、デバイス製造プロセスで地
Ｉｌされるウェーハ表面とは反対側Ｏつ、−ハ裏画に適
轟な損傷を与えることＫよ抄、デバイス領−’ａｍに暴
鯵響會及ばす積層欠陥および転位などＯ複合的な欠陥を
減少させられることが認識されて−る。 ゛ ？１−ハ畠ＷＩＫ績傷゛會与える手段としては、ナン・
ドブラスト、傘−エンダ・ラップ研磨等によ鎗消減点と
１に□番損傷を機械的に形成する方法が多層されている
。′ とζろで、半導体つ、−ハの裏面に機械的な損傷を□總
□ζす作徴はり、−ハ表面の最終鏡面仕上げ研磨−に行
゛１わね＃ｆ１にらない。これは、つ、−６１画の債画
□研磨Ｉ Ｋ ？−＝−ハ裏面に損傷を与え゛る工＠會
朽゛うと、童工＠によりり、−ノ・貴−に損傷を与える
虞れがあるか゛らである・まえ、り、−ハ裏画に損傷を
与える工場を行った後は、諌工１１によシ析出し九つ、
−ハ屑等を完４１に除去し壜けれにならない。ζＯ大め
、裏面加工中加工後の洗浄作秦時間の増加および加工作
秦時めつ、−ハ砿損による歩留低下はつ、−ハ纒造コス
トを増加させる大＊１ｍ因となっている。
導体つ、−ハＣ）Ｊｌａ聰方法の改良に関す・る、
− 〔発明の技術的背景とその問題点〕 −従来、半導
体素子、 ＬＩＥ用シリコンウ、ニハ績晶内の微少欠陥
や不純物★吸収することを１的として、特定の欠陥消減
点を形成させる丸めに各種の手法が用いられている。こ
れらＯｑＰ法の１つとして、デバイス製造プロセスで地
Ｉｌされるウェーハ表面とは反対側Ｏつ、−ハ裏画に適
轟な損傷を与えることＫよ抄、デバイス領−’ａｍに暴
鯵響會及ばす積層欠陥および転位などＯ複合的な欠陥を
減少させられることが認識されて−る。 ゛ ？１−ハ畠ＷＩＫ績傷゛會与える手段としては、ナン・
ドブラスト、傘−エンダ・ラップ研磨等によ鎗消減点と
１に□番損傷を機械的に形成する方法が多層されている
。′ とζろで、半導体つ、−ハの裏面に機械的な損傷を□總
□ζす作徴はり、−ハ表面の最終鏡面仕上げ研磨−に行
゛１わね＃ｆ１にらない。これは、つ、−６１画の債画
□研磨Ｉ Ｋ ？−＝−ハ裏面に損傷を与え゛る工＠會
朽゛うと、童工＠によりり、−ノ・貴−に損傷を与える
虞れがあるか゛らである・まえ、り、−ハ裏画に損傷を
与える工場を行った後は、諌工１１によシ析出し九つ、
−ハ屑等を完４１に除去し壜けれにならない。ζＯ大め
、裏面加工中加工後の洗浄作秦時間の増加および加工作
秦時めつ、−ハ砿損による歩留低下はつ、−ハ纒造コス
トを増加させる大＊１ｍ因となっている。
本発明の目的は、半導体つ、 −／’０裏画に損傷を与
えることによｐ結晶内Ｏ黴小欠陥中不義物岬を１収させ
ることがで龜、かクラ、１−ハ調造コストの低減化をは
か）得る半導体つ、−への＃＆場方法を提供することＫ
ある・ 〔発ｌｌｌ０概畳〕 本発−は、半導体り、−八を加工部層するに―シ、り８
−ハ表面を鏡曹研轡する工場と、つ８−ハ裏１１に損傷
を与え為工場とを岡崎に行うようにした方法である。
えることによｐ結晶内Ｏ黴小欠陥中不義物岬を１収させ
ることがで龜、かクラ、１−ハ調造コストの低減化をは
か）得る半導体つ、−への＃＆場方法を提供することＫ
ある・ 〔発ｌｌｌ０概畳〕 本発−は、半導体り、−八を加工部層するに―シ、り８
−ハ表面を鏡曹研轡する工場と、つ８−ハ裏１１に損傷
を与え為工場とを岡崎に行うようにした方法である。
本発明によれｄ１亭導体つ、−Ｊｐ−ｏｌ［ｅｃ＊成さ
れる損傷により績晶内Ｏ黴小欠陥中不純物等を徴収する
ことがで勤るＯで、該つ、−／＼を用−て形成する半導
体デバイス０＊＊向上をはかり得る。まえ、クエー７Ｓ
ｌｌｌｉｉ０１１面研−およ（びつ、−／・裏＠Ｃ）機
械的ＩＫ″傷形成を同時に行うので、ウェノ・−裏面加
工に起因する加工ＩＩ闘シよび洗浄処理時間の増大を招
くこともなく、さらにり、−ハｌｌ１ｉｉＫ損傷を与え
る等の不都合も未然に防止することかで龜る。し九がっ
て、つ８−ハ蟲面の損傷欅＠中損傷！Ｉｆを均一にでき
ると共に、加工のための作業時間短縮および加工歩留餘
向上をはかり得る。これ罠より、ウェーハ製造コストの
大幅な低減化をはかり得ると貴う効果を奏する。
れる損傷により績晶内Ｏ黴小欠陥中不純物等を徴収する
ことがで勤るＯで、該つ、−／＼を用−て形成する半導
体デバイス０＊＊向上をはかり得る。まえ、クエー７Ｓ
ｌｌｌｉｉ０１１面研−およ（びつ、−／・裏＠Ｃ）機
械的ＩＫ″傷形成を同時に行うので、ウェノ・−裏面加
工に起因する加工ＩＩ闘シよび洗浄処理時間の増大を招
くこともなく、さらにり、−ハｌｌ１ｉｉＫ損傷を与え
る等の不都合も未然に防止することかで龜る。し九がっ
て、つ８−ハ蟲面の損傷欅＠中損傷！Ｉｆを均一にでき
ると共に、加工のための作業時間短縮および加工歩留餘
向上をはかり得る。これ罠より、ウェーハ製造コストの
大幅な低減化をはかり得ると貴う効果を奏する。
なお、参考写真１．１はそれぞれ本発明つ。
−ハと従来つ、−ハとＯ熱処ｍシよび工、テンｒ後にり
、−ハ１ｌＩｉＫ狐われた微小欠陥の量を比較しえ顕微
鏡写真で参る・参考写真１は本発１１によ勤皇１ｉＫＩ
Ｉ械的損傷を形成し九シリコンウ、−ハ０１１１１を示
し、参考写真２は裏ｗＫ機械釣韻傷會滲威し亀いシリコ
ンク、−へのａｍを示し工いる・ζＯ萼真からも裏面損
傷の番るつｓ −”では、微小欠陥がはとんと徴収され
ていることが嘴る。
、−ハ１ｌＩｉＫ狐われた微小欠陥の量を比較しえ顕微
鏡写真で参る・参考写真１は本発１１によ勤皇１ｉＫＩ
Ｉ械的損傷を形成し九シリコンウ、−ハ０１１１１を示
し、参考写真２は裏ｗＫ機械釣韻傷會滲威し亀いシリコ
ンク、−へのａｍを示し工いる・ζＯ萼真からも裏面損
傷の番るつｓ −”では、微小欠陥がはとんと徴収され
ていることが嘴る。
〔発＠Ｏ夷−例１
第１−は本発ｌｉ〇一実施例に使用し九り、−へ加工魁
３１１６１１置ＯＩ！略構成を示す断−閣で参る。
３１１６１１置ＯＩ！略構成を示す断−閣で参る。
図中１は円板状の上Ｉリッジ、盤であり、このポリ、シ
、盤ｌの下面には人工皮質或ｉは繊維質のＩリッシング
シート２が貼か付けられている。Ｓは上−リッタａ Ｉ
ＩＩ Ｊに対向配置され九下−り、シ、盤であり、この
下４リッジａ ｆｌｔ ｘの上面にはｈｔ２ｏ、 、ダ
イヤモンド或い１１１Ｇ２の１〜３０（ａｍ）の粒径を
有する砥粒を固定させ九シート４が貼ｐ付けられてｉる
。シリコンク、−ハ５は、第２１１１に示す如く外周に
ねじ部が形成され九円濶゛状のり、−ハキャリアｇＫ＠
持されて各ＩすＶシ、盤Ｊｕ１間に３秋配置されゐ、り
。
、盤ｌの下面には人工皮質或ｉは繊維質のＩリッシング
シート２が貼か付けられている。Ｓは上−リッタａ Ｉ
ＩＩ Ｊに対向配置され九下−り、シ、盤であり、この
下４リッジａ ｆｌｔ ｘの上面にはｈｔ２ｏ、 、ダ
イヤモンド或い１１１Ｇ２の１〜３０（ａｍ）の粒径を
有する砥粒を固定させ九シート４が貼ｐ付けられてｉる
。シリコンク、−ハ５は、第２１１１に示す如く外周に
ねじ部が形成され九円濶゛状のり、−ハキャリアｇＫ＠
持されて各ＩすＶシ、盤Ｊｕ１間に３秋配置されゐ、り
。
−ハ中ヤリアＩの外周には内周イア１および外周ギアＣ
が螺合されている。そして、外周イアａｔ図中ム方向に
、内周イアｒを図中１方向に回転させることによって、
り、−ハキャリアＣに保持されえり、−ハＩは■中矢印
Ｃ方内に回転し遊１運動をするものとなっている。
が螺合されている。そして、外周イアａｔ図中ム方向に
、内周イアｒを図中１方向に回転させることによって、
り、−ハキャリアＣに保持されえり、−ハＩは■中矢印
Ｃ方内に回転し遊１運動をするものとなっている。
このような装置を用い、次の（１）〜（＠条件で３枚の
シリコンウエーハ５の−ｌｌＮ５Ｐよび裏ＩＩＯ研磨を
行った。
シリコンウエーハ５の−ｌｌＮ５Ｐよび裏ＩＩＯ研磨を
行った。
（１）研磨濠：ムＡ、Ｏ，、５１１０□の微細砥粒或い
はコロイド状のｌ１１０□の黴粒液 （２）上−り、シ、盤ＷＡＩｉ数： ２０〜４００ ｒ
ｐｒｍ（３）下Ｉす、シ、盤回転数： ５〜１００ｒ
１００ｒｐ内周ギア、外周イア回転数＝１０〜４Ｏｒｐ
ｍ（５）研磨時間：３〜６０分 （旬つェーハ単位面積蟲りの研磨圧： ５０〜５００１７ｃｄ” かくして得られ九シリコンウェーハ５は、その表面が鏡
面研磨されると共に、裏面に機械的損傷が形−されえも
のでめり九。すなわち、シリ”ヘ コンウェーハＩＣ）１１面および裏面を同時に加工処理
することができ、シリコンウェーハ５の加工時間の大幅
１に短縮化をはかり得え。また、シリコンウェーハ５の
Ｓａ＋は滑らかに鏡面研磨されてお勤、蚊表面Ｋｒｉ損
優等は全く見られなかりえ・ なお、本発明は上述しえ夾施例に＠定される４のではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記シリコンウェーハに遊１
回転を与えることなく、ウェーハの自転のみで研磨を行
うようにしてもよい。を九、シリコンウェーハＫ１１ｌ
らず各種の牛導体りエーへに適用できるのは勿論のこと
である。さらに、第１図および第２図に示した装置は何
ら限定されるものではなく、牛導体ウェーハの表面およ
び裏面にそれぞれ前述した加工処理を同時に施し得る屯
のであればよい・
はコロイド状のｌ１１０□の黴粒液 （２）上−り、シ、盤ＷＡＩｉ数： ２０〜４００ ｒ
ｐｒｍ（３）下Ｉす、シ、盤回転数： ５〜１００ｒ
１００ｒｐ内周ギア、外周イア回転数＝１０〜４Ｏｒｐ
ｍ（５）研磨時間：３〜６０分 （旬つェーハ単位面積蟲りの研磨圧： ５０〜５００１７ｃｄ” かくして得られ九シリコンウェーハ５は、その表面が鏡
面研磨されると共に、裏面に機械的損傷が形−されえも
のでめり九。すなわち、シリ”ヘ コンウェーハＩＣ）１１面および裏面を同時に加工処理
することができ、シリコンウェーハ５の加工時間の大幅
１に短縮化をはかり得え。また、シリコンウェーハ５の
Ｓａ＋は滑らかに鏡面研磨されてお勤、蚊表面Ｋｒｉ損
優等は全く見られなかりえ・ なお、本発明は上述しえ夾施例に＠定される４のではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。例えば、前記シリコンウェーハに遊１
回転を与えることなく、ウェーハの自転のみで研磨を行
うようにしてもよい。を九、シリコンウェーハＫ１１ｌ
らず各種の牛導体りエーへに適用できるのは勿論のこと
である。さらに、第１図および第２図に示した装置は何
ら限定されるものではなく、牛導体ウェーハの表面およ
び裏面にそれぞれ前述した加工処理を同時に施し得る屯
のであればよい・
ｊＩ１図は本発明の一実施例に使用し九ウェーハ加工処
理装置の概略構成を示す断面図、第２図は上記実施例の
要部平面構成を示す模式図である。
理装置の概略構成を示す断面図、第２図は上記実施例の
要部平面構成を示す模式図である。
Claims (1)
- 半導体つ、−ハのｌＩＩ面を鏡面研磨するニーと、腋つ
、−ハの裏面に損傷を与えるｌ−”と°を同時に行うこ
とｔ４１黴とする“半導体つ、−／−の熟思方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199782A JPS58168243A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体ウエ−ハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199782A JPS58168243A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体ウエ−ハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168243A true JPS58168243A (ja) | 1983-10-04 |
Family
ID=12902482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5199782A Pending JPS58168243A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 半導体ウエ−ハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011097055A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを製造するための方法 |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5199782A patent/JPS58168243A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011097055A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Siltronic Ag | 半導体ウェハを製造するための方法 |
| US8685270B2 (en) | 2009-10-28 | 2014-04-01 | Siltronic Ag | Method for producing a semiconductor wafer |
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