JPS58166547A - 情報記録用媒体 - Google Patents
情報記録用媒体Info
- Publication number
- JPS58166547A JPS58166547A JP57049112A JP4911282A JPS58166547A JP S58166547 A JPS58166547 A JP S58166547A JP 57049112 A JP57049112 A JP 57049112A JP 4911282 A JP4911282 A JP 4911282A JP S58166547 A JPS58166547 A JP S58166547A
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- JP
- Japan
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- film
- hydride
- hydrogen
- thin film
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- Prior art date
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザ光等のエネルギービームによって所定の
基板上に設けられた薄膜から成る記録用材料に、たとえ
ば映倫や音声信□号の情報を記録することを可能にする
情報記録用媒体に関するものである。
基板上に設けられた薄膜から成る記録用材料に、たとえ
ば映倫や音声信□号の情報を記録することを可能にする
情報記録用媒体に関するものである。
近年、基板上に設けられた金属薄膜にレーザ光等によっ
て情報の書き込みを行なう情報記録方式が注目されてい
る。この種の記録方式は、レーザ光等の加工用ビームの
熱的エネルギーによって金属薄膜に穴またけ凹部を形成
することによって行なうものである。この金属薄膜は、
厚さが１００〜１０００人でガラスやプラスチックなど
の基板上へ蒸着法等で付着されている。
て情報の書き込みを行なう情報記録方式が注目されてい
る。この種の記録方式は、レーザ光等の加工用ビームの
熱的エネルギーによって金属薄膜に穴またけ凹部を形成
することによって行なうものである。この金属薄膜は、
厚さが１００〜１０００人でガラスやプラスチックなど
の基板上へ蒸着法等で付着されている。
従来用いられていた膜の代表的なものとしてＴｅ系材料
がある。Ｔｅは融点が４５０Ｃと低く、しかも熱電導率
が悪いのでレーザビーム等を照射したとき容易に溶融蒸
発し、穴をあけることができる。しかし、Ｔｅ系材料の
薄膜は感度が十分高くはなく、さらに、’ｌ’ｅ、３６
．Ａｌｌなどは毒性の強い元素であシ、取扱上の注意が
必要である。
がある。Ｔｅは融点が４５０Ｃと低く、しかも熱電導率
が悪いのでレーザビーム等を照射したとき容易に溶融蒸
発し、穴をあけることができる。しかし、Ｔｅ系材料の
薄膜は感度が十分高くはなく、さらに、’ｌ’ｅ、３６
．Ａｌｌなどは毒性の強い元素であシ、取扱上の注意が
必要である。
蛾近、経時変化の少ない情報記録媒体の開発を目的とし
て硅化物薄膜やＢ−８ｉ薄膜を用いる方法などが提案さ
れているが（例えば、Ａｐｐｔ、 ｐｈｙｓ。
て硅化物薄膜やＢ−８ｉ薄膜を用いる方法などが提案さ
れているが（例えば、Ａｐｐｔ、 ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ４０ （１９８２）Ｐ８など）、これらの材料
薄膜に起伏もしくは穴を形成するためにＩＩｉ４０ｍＷ
以上の高エネルギービームを照射することが必要であり
、記録装置の構造が複雑化、大型化したり、高速記録し
難いという問題点が残されている。
薄膜に起伏もしくは穴を形成するためにＩＩｉ４０ｍＷ
以上の高エネルギービームを照射することが必要であり
、記録装置の構造が複雑化、大型化したり、高速記録し
難いという問題点が残されている。
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたも
のであり、経時変化が少なくて、しかも比較的低いエネ
ルギービームで情報の記録ができる情報記録用媒体を提
供するものである。
のであり、経時変化が少なくて、しかも比較的低いエネ
ルギービームで情報の記録ができる情報記録用媒体を提
供するものである。
情報記録の基本原理は均一な表面の薄膜に、エネルギー
ビーム等をあてて穴、凹部、凸部を形成したり、あるい
は膜の光学特性などを変化させてエネルギービームを照
射しない部分に対して変化を持たせるところにある。本
発明では、この薄膜材料としてガスを発生させる物質、
例えば全域の水素化物を使用し、エネルギービームを照
射した際にその水素化物が水素を発生して変質する現象
を利用することをその特徴としている。すなわち、水素
はある橿の金属中に多量に溶解する。Ｉ［１，ＩＶ。
ビーム等をあてて穴、凹部、凸部を形成したり、あるい
は膜の光学特性などを変化させてエネルギービームを照
射しない部分に対して変化を持たせるところにある。本
発明では、この薄膜材料としてガスを発生させる物質、
例えば全域の水素化物を使用し、エネルギービームを照
射した際にその水素化物が水素を発生して変質する現象
を利用することをその特徴としている。すなわち、水素
はある橿の金属中に多量に溶解する。Ｉ［１，ＩＶ。
Ｖ族の遷移金属、■族のＰｄ、希土類金属は発熱反応に
よって安定な水素化物を形成し、金属原子１個あ九りの
水素原子数は２〜３にも達する。例えば、ＴＩＨＸ、Ｚ
ｒＨＸ、ＨｆＨＸ、ＶＨＸ、ＮｂＨＸ。
よって安定な水素化物を形成し、金属原子１個あ九りの
水素原子数は２〜３にも達する。例えば、ＴＩＨＸ、Ｚ
ｒＨＸ、ＨｆＨＸ、ＶＨＸ、ＮｂＨＸ。
ＴａＨＸでＪ”ｔＯ，ｌ？！４２の範囲の濃度範囲を示
す。
す。
また、水素化合物の安定化を目的に合金化が行なわれ、
ＬａＮｉ、ＨＸ 、 ＺｒＮ１Ｈｘ、 ＴｉＦｅＨＸな
どの材料も知られている。これらの材料は水素貯Ｖ材料
として一般的に知られているものが該当する。
ＬａＮｉ、ＨＸ 、 ＺｒＮ１Ｈｘ、 ＴｉＦｅＨＸな
どの材料も知られている。これらの材料は水素貯Ｖ材料
として一般的に知られているものが該当する。
以）、本発明を図面でもって説明する。第１図に水素化
物薄膜を用いた情報記録の方法を示す。
物薄膜を用いた情報記録の方法を示す。
まず、第１図（ａ）に示すように基板ｌ上に水素化物Ｍ
ＨＸ（Ｍ：金属）の薄膜２をｔｏｏ人〜１μ程度付着さ
せる。この薄膜付着方法としては、水素を含む雰囲気中
で金属Ｍをスノ（ツタ法や蒸着法で飛ばすと基板上で水
素化物ＭＨＸが形成される方法などを用いれば良い。水
素化物ＭＨＸを直接に基板にスパッタ蒸着しても良い。
ＨＸ（Ｍ：金属）の薄膜２をｔｏｏ人〜１μ程度付着さ
せる。この薄膜付着方法としては、水素を含む雰囲気中
で金属Ｍをスノ（ツタ法や蒸着法で飛ばすと基板上で水
素化物ＭＨＸが形成される方法などを用いれば良い。水
素化物ＭＨＸを直接に基板にスパッタ蒸着しても良い。
ついで、（ｂ）に示すように水素化物薄膜表面を保護膜
３でコーティングする。
３でコーティングする。
保護膜としてはポリエチレンなどのプラスチック膜が望
ましいが、５ｓｏｔ、ＡムＯ１などの酸化物膜、ｓ ｔ
、ｏｅなどの半導体元素膜、Ａｔ。
ましいが、５ｓｏｔ、ＡムＯ１などの酸化物膜、ｓ ｔ
、ｏｅなどの半導体元素膜、Ａｔ。
Ｎｉ、Ｃｒなどの金属膜でも良い。あるいはプラスチッ
クと金属膜の積層膜のよう彦複合膜でも良い。この保護
膜は水素化物薄膜が空気中の水蒸気などと反応して変質
するのを防ぐ役目を果す。情報の書き込みは、レーザー
ビーム等のエネルギービームをこの二層膜に照射するこ
とによって行なう。水素化物薄膜がエネルギービームに
よって加熱されると、 ２ ・ 一へ４ＨＸ −＋ −Ｍ＋Ｈ，（ｇａｓ）Ｘ
Ｘ の反応式に従って水素が放出される。同時に水素化物も
変質するので膜の体積変化も起こる。上記の化学反応は
数百度以下の比較的低温領域で起こる。発生した水素お
よび膜の変質によって、通常その上のプラスチックなど
の膜が突出し、第１図′（Ｃ）に示すような凸部４が形
成される。この凸部は一個の情報に対応する。凸部の高
さ等の形状は、ＭＨＸにおけるＸの値、あるいはエネル
ギービームの強変を変えることによって調整することが
可能である。水素を発生させるために必要な加熱温度も
、同様にＸの値を変えるか、あるいは合金化してＭＭ’
ＨＸ（Ｍ’ ：＠２金属元素）水素の放出特性を変え
るさとによって自由に制御することができる。Ｔ ｉＨ
ｘｅ Ｚ ’ Ｈ” ｍ Ｌ ａ Ｎ’６ Ｈｘ＊ Ｔ
’ Ｐ ｅＨｘｅＶＨＸ、ＮｂＨＸ、ＴａＨＸ、Ｍｇ
ｔＮＩＨＸ、ＰｄＨＸなどの水素化合物から水素を発生
させるためには、通常２００〜４００Ｃの瞬間加熱で十
分である。また上記水素化物の熱伝導度は金属に比べて
小さい。
クと金属膜の積層膜のよう彦複合膜でも良い。この保護
膜は水素化物薄膜が空気中の水蒸気などと反応して変質
するのを防ぐ役目を果す。情報の書き込みは、レーザー
ビーム等のエネルギービームをこの二層膜に照射するこ
とによって行なう。水素化物薄膜がエネルギービームに
よって加熱されると、 ２ ・ 一へ４ＨＸ −＋ −Ｍ＋Ｈ，（ｇａｓ）Ｘ
Ｘ の反応式に従って水素が放出される。同時に水素化物も
変質するので膜の体積変化も起こる。上記の化学反応は
数百度以下の比較的低温領域で起こる。発生した水素お
よび膜の変質によって、通常その上のプラスチックなど
の膜が突出し、第１図′（Ｃ）に示すような凸部４が形
成される。この凸部は一個の情報に対応する。凸部の高
さ等の形状は、ＭＨＸにおけるＸの値、あるいはエネル
ギービームの強変を変えることによって調整することが
可能である。水素を発生させるために必要な加熱温度も
、同様にＸの値を変えるか、あるいは合金化してＭＭ’
ＨＸ（Ｍ’ ：＠２金属元素）水素の放出特性を変え
るさとによって自由に制御することができる。Ｔ ｉＨ
ｘｅ Ｚ ’ Ｈ” ｍ Ｌ ａ Ｎ’６ Ｈｘ＊ Ｔ
’ Ｐ ｅＨｘｅＶＨＸ、ＮｂＨＸ、ＴａＨＸ、Ｍｇ
ｔＮＩＨＸ、ＰｄＨＸなどの水素化合物から水素を発生
させるためには、通常２００〜４００Ｃの瞬間加熱で十
分である。また上記水素化物の熱伝導度は金属に比べて
小さい。
これらの事実は、低エネルギービームで容易に情報の記
録ができることを示すものである。即ち、情報の書き込
み感度が良い。さらに、上記化合物は室温で安定に存在
するので、長期間保存しても膜質の変化はほとんど起ら
ない。この様な特徴は、経時変化が少なくてしかも比較
的低いエネルギービームで情報の記録ができる情報記録
用媒体として最適なものである。
録ができることを示すものである。即ち、情報の書き込
み感度が良い。さらに、上記化合物は室温で安定に存在
するので、長期間保存しても膜質の変化はほとんど起ら
ない。この様な特徴は、経時変化が少なくてしかも比較
的低いエネルギービームで情報の記録ができる情報記録
用媒体として最適なものである。
また、ここでは水素化物薄膜表面をプラスチックなどの
保論膜で覆った場合について述べたが、水素化物薄膜が
湿気などに対して安定で変質し難′い場合はこの保護膜
を省いて屯良い。
保論膜で覆った場合について述べたが、水素化物薄膜が
湿気などに対して安定で変質し難′い場合はこの保護膜
を省いて屯良い。
以下、実施例によって本発明を詳述する。
実施例 １
本実施例は、Ｔｉ ｐｅ）（Ｘ水素化物薄膜を用いた情
報記録用媒体に関する。基板として直径３０ｍ１厚さ１
ｍの透明ガラス円板を側石した。１０−１〜ｔｏ−”ｒ
ｏｒｒ ）Ａｒ−ｓ％Ｈ１雰囲気中で’ｌ’ｊｐｅ合金
を基板にスパッタ蒸着した。蒸着の過程で雰囲気中のＨ
３が合金と反応し、基板上にはＴｉＦ−Ｈｘ膜が形成さ
れた。膜厚は約０．３μｍとした。この膜の成分を分析
したところ、ｘ＃０．３であることが分った。ついで’
ｌ’１ｐｅ）（ｘ膜の上を厚さ約１μｍのポリエチレン
膜で被覆した。
報記録用媒体に関する。基板として直径３０ｍ１厚さ１
ｍの透明ガラス円板を側石した。１０−１〜ｔｏ−”ｒ
ｏｒｒ ）Ａｒ−ｓ％Ｈ１雰囲気中で’ｌ’ｊｐｅ合金
を基板にスパッタ蒸着した。蒸着の過程で雰囲気中のＨ
３が合金と反応し、基板上にはＴｉＦ−Ｈｘ膜が形成さ
れた。膜厚は約０．３μｍとした。この膜の成分を分析
したところ、ｘ＃０．３であることが分った。ついで’
ｌ’１ｐｅ）（ｘ膜の上を厚さ約１μｍのポリエチレン
膜で被覆した。
ついでこの円板を記録書き込み装置に取りつけ情報の記
録を行なった。円板をｔ ｓ ｏ ｏ ｒｐｍで回転さ
せながら、記録用のレーザビームのヘッドを上記核種薄
膜面上から一定の距離を保って接近させた。水素化物薄
膜面上において約０．８μｍφに絞った波長４８８０人
のアルフイレーザ光をパルス状に照射して情報の記録を
行なった。約１２ｍＷのレーザパワーで水素化物薄膜か
ら水素が発出し、ポリエチレン膜に高さ約０，５μｍ短
径約１μｍの突起が形成された。またこのときのレーザ
エネルギー感ｆは１．ＯｎＪ／μｍ３であった。これら
の値は従来のＴＣ系記録材料の値より優れている。
録を行なった。円板をｔ ｓ ｏ ｏ ｒｐｍで回転さ
せながら、記録用のレーザビームのヘッドを上記核種薄
膜面上から一定の距離を保って接近させた。水素化物薄
膜面上において約０．８μｍφに絞った波長４８８０人
のアルフイレーザ光をパルス状に照射して情報の記録を
行なった。約１２ｍＷのレーザパワーで水素化物薄膜か
ら水素が発出し、ポリエチレン膜に高さ約０，５μｍ短
径約１μｍの突起が形成された。またこのときのレーザ
エネルギー感ｆは１．ＯｎＪ／μｍ３であった。これら
の値は従来のＴＣ系記録材料の値より優れている。
情報を記録し九円板を０−６００の繰り返し加熱試験に
供し九。１０４回の加熱サイクルの後の膜質の変化によ
って生ずるエラー発生率はｚ□−１１以下であり、記録
情報は良好に保たれていることが確認された。
供し九。１０４回の加熱サイクルの後の膜質の変化によ
って生ずるエラー発生率はｚ□−１１以下であり、記録
情報は良好に保たれていることが確認された。
実施例 ２
本実施例は各種の水素化合物の評価に関するものであり
、情報の書き込みを行なうのに必要なレーザ光のパワー
、レーザエネルギー感度、および０−６０Ｃの１０’回
繰り返し加熱試験後のエラー発生率の比較を行なったも
のである。
、情報の書き込みを行なうのに必要なレーザ光のパワー
、レーザエネルギー感度、および０−６０Ｃの１０’回
繰り返し加熱試験後のエラー発生率の比較を行なったも
のである。
３０ｍＸ６０＋ｗＸ １■のガラス基板上に、水素を含
む雰囲気中での各種金属、合金のスパッタ、蒸着法、も
しくは原料の水素化物を直接スパッタすることにより、
厚さ約０．５μｍの水素化物薄膜を付着させた。ついで
厚さ約１μｍのポリエチレンフィルムで被覆し九。これ
らの膜について実施例１と同様な手順でその評価を行な
った。結果をまとめて表ＩＶＣ示す。
む雰囲気中での各種金属、合金のスパッタ、蒸着法、も
しくは原料の水素化物を直接スパッタすることにより、
厚さ約０．５μｍの水素化物薄膜を付着させた。ついで
厚さ約１μｍのポリエチレンフィルムで被覆し九。これ
らの膜について実施例１と同様な手順でその評価を行な
った。結果をまとめて表ＩＶＣ示す。
表１より明らかなように、水素化物薄膜を使用すること
によシ、比較的低いエネルギーのビームで容易に情報の
書き込みができ、しかも経時変化の小さい情報記録用媒
体を実現することができる。
によシ、比較的低いエネルギーのビームで容易に情報の
書き込みができ、しかも経時変化の小さい情報記録用媒
体を実現することができる。
この情報記録用媒体は、光ビデオディスク等の応用分野
で有用なものであり、光ビデオディスクの信頼性を向上
ならしめるものである。
で有用なものであり、光ビデオディスクの信頼性を向上
ならしめるものである。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明による情報
記録方式％式％ （ （）
記録方式％式％ （ （）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板およびこれに付着させた情報記録用の薄膜から
なる情報記録用媒体において、上記薄膜がエネルギービ
ームの照射をうけて気体を発生する物質よりなることを
特徴とする情報記録用媒体。 ２、上記薄膜がｍ、ｔｖ、ｖ族の遷移金属、ｐｄ。 もしくは希土類金属から選ばれた少なくとも一つの金属
の水素化物であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の情報記録用媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049112A JPS58166547A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 情報記録用媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57049112A JPS58166547A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 情報記録用媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58166547A true JPS58166547A (ja) | 1983-10-01 |
Family
ID=12821981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57049112A Pending JPS58166547A (ja) | 1982-03-29 | 1982-03-29 | 情報記録用媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58166547A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8794291B2 (en) | 2007-03-21 | 2014-08-05 | Boehler Gmbh | Adhesive tape stamp and method for stamping an adhesive tape section onto an object |
-
1982
- 1982-03-29 JP JP57049112A patent/JPS58166547A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8794291B2 (en) | 2007-03-21 | 2014-08-05 | Boehler Gmbh | Adhesive tape stamp and method for stamping an adhesive tape section onto an object |
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