JPS58164747A

JPS58164747A - 磁性合金

Info

Publication number: JPS58164747A
Application number: JP58035726A
Authority: JP
Inventors: バラグル・ア−ル・ブイ・ラマナン
Original assignee: Allied Chemical Corp
Current assignee: Allied Corp
Priority date: 1982-03-04
Filing date: 1983-03-04
Publication date: 1983-09-29
Also published as: EP0088244A1; EP0088244B1; US4439253A; CA1222648A; DE3368445D1; JPH0324043B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は飽和誘導の高い、Ｍｓを含有するＣ０を基礎材
料とした１、磁気歪がゼロに近い金属ガラスに関する。

ガラス質金属合金（金属ガラス）は長範囲の秩序性がな
い準安定物質である。これらはこの技術分野でよく行な
われる処理法を使って超急冷するととにより都合よく溶
融物から製造される。そのような金属ガラスおよびそれ
らの製法の例は米国特許第３，８５６，５１３号、第４
．０６″１７３２号および第４．１４２，５７１号に明
らかにされている。

これらの特許には、すぐれたソフトな磁性を有する金属
ガラスについ゛て記載されている。そのような特性の一
つである飽和磁気歪（λ、）は、消磁状態から飽和状態
へ磁化した磁性材料に生じる長さにおける分数変化率に
、−するものである。ディ゛１′Ｘメンジョンのない量であるλ、／の値は１通常長さにお
ける分数変化率としＣＦＦ襲で引用する。以後、λ、は
単に“磁気歪“と呼ぶ。

磁気歪が小さい（ゼロに近い）強磁性合金は米国特許第
４，０５８，０７　！１号で明らかにされている。

この特許では、磁気歪がゼロに近い金属ガラスにおいて
高透磁率と高飽和誘導とが組合わさると非常に多種の用
途、広い周波数域にわたるＩｆＮＣ磁気記倚ヘツｙ、に
使用されることが見出されると説明し【いる。

磁気歪がゼロに近くそして高飽和誘導のマンガン含有金
属ガラスは、１９８０年１２月１２日公告の西ドイツ特
許公開明細書路＆０２１．５３６号および１９８１年１
月７日公告のヨーロッパ特許出願第０．０２１，１０１
号で明らかｋされている。

これらの特許出願は、マンガンが存在すると結晶化温度
が強磁性キエリ一温度より高い金属ガラスが生じる傾向
にあることを教示している。上記の特許出願に示されて
いる好ましい組成は第１図において平行斜線！域、点線
および黒い点で表わし【ある。

高い透磁率（振動数１１ＣＨｚおよび誘導レベル　　　
　　１α０１テスラでｓ、ｏｏｏより上）を有する磁気
歪がゼロに近い金属ガラスについて今までに報告された
飽和誘導の最高値は約１００エンニー／１１または１テ
スラ■である。新しい用途、たとえば金属テープを用い
た記鎌ヘッ、ト０、には飽和誘導が１Ｔより高い磁性材
料が要求される。他の用途、たとえばスイッチ−モーｒ
の電源では、１Ｔより高い飽和誘導が電子部品の小型化
め要求を受は入れるためには必要である。

本発明は、少なくとも７０ｔ！ｈがガラス質であり、ゼ
ロに近い磁気歪と高い透磁率と高い飽和誘導とを組合わ
せて持つ磁性合金を提供するものである。

本発明のガラス質金属合金をｔ式（Ｏｓ、Ｆ＊、−、］、、、（］ｈ＋、、Ｍｅ／、−、
８ｊ、（式中、“６゛は約０．９０〜０．９９であり、
“ｂ゛は約２〜６原子唾であり、“Ｃ“は約１４〜２０
原子％でありモしてｄ°は０〜約７原子冬であり、但し
、存在する最小のＢは１０原子係である）で表わされる
組成を有する。　ＱａおよびＦ−のうちの少なくとも一
種は一部、８．４原子もまでのニッケルで置換しうる。

元素Ｔｉ、　Ｚｒ、　Ｈｆ、　Ｖ、Ｎｈ、Ｔａ、Ｑｙ、
Ｍａ、Ｗ、　Ｒｕ、Ｐｄ、　Ｏｓ、Ｚｓ、　Ａｎ、　Ｇ
ｇ、ａＳ、ｐｂおよびＢｊのうちの一種を１原子鳴まで
、あるいはＣを２原子係までは、合金の磁性を実質的に
損５ことなく存在させ５る。これらのガラス質合金は磁
気歪値が約−Ｉ　ＰＰ寓〜＋５　ｐｐｍで＝０．０１’
ｒの誘導レベルを生じる１ＫＨｚ　　の振動数の場で測
定した透磁率値が５０００より高いかまたはほば等しく
、そして飽和誘導値が１０９Ｔより高いかまたは郷しい
０本発明の金属ガラスは、特Ｋ１８気記碌ヘツｒ材料と
して使用するのに適している。

他の用途は、特殊な磁気増幅器、スイッチング電源等に
おけるものである。

本発明の好ましい具体例についての以下の詳細な説明お
よび添付の図面を参照することにより、本発明はさらに
十分ＶＣＷＪ解され、モしてさらに本発明の利点が明ら
かになるであろう。

第１図は１本発明の好ましい一ノセル）　Ｃ０ｅ）。

マンガン（Ｍｓ）および鉄（Ｆ−）含有金属ガラスの遷
移金属含有量を斜交平行線領域で示した三成分図であり
、平行斜線領域、点線および黒点は従来の組成を示して
いる。

第２図は本発明の組成物の遷移金属（ＴＭ）、硼素■お
よび珪素（８ｉ）含有量を示す（斜交平行紳領絨）三成
分図であり、平行斜線領域および黒点は従来の組成であ
る。

本発明では、少なくとも約７０％がガラス質である金属
ガラスを提供し、そしてゼロに近い磁気歪と高い透磁率
と高い飽和誘導との組合せを提供する０本発明のガラス
質金属合金は式 ”’ｇ”１−８〕１゜。−（Ａｒ、）’％ｈＢｅ−ｄＳ
’ｄ　　（式中、−ａ”は約０．９０〜（Ｌ９９であり
、“ｂ“は約２〜６原子曝であり、′Ｃ“は約１４〜２
０原子優であり、そして“ｔＬ＃　は０〜約７原子鳴で
あり、但し存在する最小のＢは１０原子鴫である）で表
わされる組成を有する。０−およびＦ−のうちの少なく
とも一種は一部、８．４原子、鴫までのニッケルで置換
してもよい。元素Ｔｉ％Ｚｒ％Ｈｆ、Ｖ％Ｎｂ、Ｔｇ％
　Ｏｒ、Ｍｅ、Ｗ、Ｒｓ、ＰＩｔ、　、０酪、Ｚｓ、ｋ
ｌ、Ｇｙ。

８％、ＰｈおよびＢｉのうちのいずれか一種を１原子優
まで、あるいはＣを２原子唾までは、合金の磁性を実質
的に損５ことなく存在させうる。これらのガラス質合金
は磁気歪値が約−１ｐｐｗｎ〜＋５Ｐｐ鶏で、０．０１
Ｔの誘導レイルを生じる１１Ｇ（χの振動数の場で測定
したときの透磁率値が５０００より高いかまたははぼ等
しく、そして飽和誘導値がｔｏ９Ｔより高いかまたは等
しい。

前節に示した式で表わされる磁性合金は、これとは別に
、式：　Ｏｓ＝ＦｇｊＭ＊％ｈＢｉ８−（式中、ｍ８１
″は約６７〜８３原子鴫であり、′ｊ°は約α８〜８．
５原子唾であり、１に°は約２−６原子鴫であり、ｓ！
“　は約１０〜２０原子爆であり、モして″襲°　は０
〜約７原子冬である）で表わすことができる。ＩＩＩＩ
定の元素比が合金の磁性に及ぼす効果は、前節で示した
ような下に記した文字“Ｃｏ、“ｂ゛、“Ｃｏ　および
“ｄｏを使う式の方がよく強調されるので１本明細書お
よび特許請求の範囲では以後このような式を使用する。

ガラス中のマンゴ８ン、の存在は、ガラスの結晶化温度
をそれらの各強１性キエリ一温度より高いレベルｋまで
高めるので好ましい、これｋより、二次加工熱温度によ
る磁性の最適化が容易になる。

よく知られているよ５ｋ、磁場の存在下、強磁性キュ号
廿温度に近い温度での磁性ガラスの磁気アニール、すな
わち熱アニール、は一般に性質を改良する。結晶化温度
がアニール温度より高ければ。

合金のガラス質的性質が保持されるであろう。そのよう
な温度の基準はマンガンを含有しない磁気歪がゼロに近
い金属ガラスには存在しない。

本発明は、上記のようなすぐれたソフトな磁性を有し、
そして結晶化によって得られるそのよ５な特性を損うこ
となく容易にアニールされる、金属ガラスを提供するも
のである。

本発明の金属ガラスの例には、［Ｇ（１＆９　ｚｓＦａ
。、。７−８゜−Ｍｓ！Ｂ、、８＝、、〔０’Ｏｎ！５
”ｕ７１’ｌ＠”４”ｌ　４Ｓ’　２　’ｒ”ｕｓ”Ｑ
Ｊ！！〕７１１−”４Ｂ１３”！！　’　〔Ｃ’＆、？
”Ｌ。、〕７７８Ｍ％４ＢｌｊｌＳｉｌｉ＋’（”ａＪ
７”＆＠Ｂ”２８”４Ｂ１！”＠’〔Ｃ’ｕｌ”０４１
３７１１Ｍ１％４ＢＩＳ”Ｉ　’　”’ａｌｌ”（ＬＨ
〕７１Ｂ”４−Ｂｔｓ’早Ｃ′ｙｕｓ”ｕｓ”−ｍ”ｘ
ｍ”ｓ、〔Ｃ’ａＪｏ”Ｑ、１゜”ａ１ｏ〕ｇｏ”ｇ”
ｘｓ　・［０’ｕｓ”＆ｘｅ”ｔｔｏ〕ｓｘ”ｓ”ｓｓ
　・”’ｕｏ”ａｔ−檀ｘｅ〕ｓ＃４Ｂｔｏ”４および
〔Ｃ’（Ｌ１１？ＩＳ”Ｌ。！ｌｉ〕？ｌＩ”４”ｌＢ
ｍｌ”Ｓ　　がある。

本発明のガラス質金属のいくつかにニッケルが存在する
ことは、磁性に実質的に影響がない場合、ガラス系中の
；ノξルトの正味含有量を減少させることができるので
、好ましいことである。コバルトに高いコストがかかる
ことを考えると、ニッケルをガラス系に導入することで
、ガラス金属は経済的にさらに有望視されることになる
。

上記の他の元素を少量添加すると、これらの金属合金に
対するガラス形成が容易になる。

前述のよ５に、磁性材料のある用途（たとえば。

磁気記帰ヘツｒ）には、高い透磁率と高い飽和誘導との
組合せが要求される。

強磁性材料の透磁率は加えた磁場に対する誘導の比率で
ある。このように定義される透磁率は“有効°透磁率と
しても知られている。この有効透磁率は加えた磁場の振
動数および磁気材料中に得られる誘導レイルの両者によ
って変化する。誘導が０．０１Ｔとなる１ＫＨｚの振＃
数の場で得られる透磁率の値は通常、種々の磁性材料の
比較のための基準に考えられており、そしてこの値は従
つて磁気材料に引用される一般的な値である。材料を磁
気記碌ヘツｒｌｃ用いる場合、透磁率が高いはと入力信
号によう【生じた場に対する応答を高めることになる。

高保磁率の磁性粒子を含む金属テープの出現で、記録ヘ
ラｒ材料において飽和誘導が高ければ高いはとより効率
的に信号がテープに配置され、従って得られる記借の質
が改曳される。その結果、磁気記録ヘラｒに使用りよう
とする合金には、高透磁率と高飽和誘導との組合せが必
要である。本発明のガラス質金属合金のアニール後の透
磁率は、上記のように１ＫＨ２および０．０１　Ｔで測
定した場合少なくともｓ、ｏｏｏである。アニール条件
を適当に選んだ本発明に関するガラスの多くは、透磁率
が１２．０００をかなり越えている。

本発明のガラスの式（０’ｇＦａ　ｌ、、、、］　ｔ　
ｏｏ−（４＋Ｃ＞＆′ｈ−Ｂ、−ｔＦ３ｓ４では、“ｈ
−Ｌａ２〜６原子鴫で変えるように規定する゛、この範
囲外のＭ％含有量では、飽和誘導が１．０９　Ｔより低
いレイルに低下することになり、このようなレベルは上
記のような種−の用途には不適当である。これは表！で
説明されている。“Ｃｏ　の値は約１４〜２０の範囲に
規定した。“Ｃｏ　の値が１４原子鴫より下であると、
ガラス質合金は一貫して製造することができない。

”ｅ−の値が２０原子嶋より上であると、飽和誘導が１
．０９７より下に低下する。このような飽和誘導の低下
は、“ｄ“が７原子優より大となるときにも生じる。こ
れらの特徴を表１で例によって示す。

表１組成が本発明の範囲外であるときに得られる飽和誘導、
Ｂ５、の減少を説明している従来の金属ガラスの例０本
発明のガラスで得られるＢ、値を表置〜■に挙げる。

、１′ 嶋組　成（原子Ｔｏ）　　　　　飽和誘導７０．５−４．
５−０　−１０　−１５　−　０．６５７４．２−４．
８−０　−１［Ｌ５−１０．５−　１．０３′８０．８
−２．８−３．４−　８　−　５　−　０．９８゜６９
．５−１−４．５−１５−１０　　０．７５７１．５−
０　−６　−１４　−　８゜５　　０．９５”７０　−
２　−６　−１８　−　４　　　ｏ、９９＋　　ＩＴ＝
１０ＡＧ）［８９／ｅｅの値を質量密度とした。

××　この組成は従来のものから％に教示されたもので
はない。

第１図には、金属ガラス中の全遷移金属含有量の百分率
として表わした、元素Ｏａ　１ＭｓおよびＦｇ　の金属
ガラス中の含有量を示す。Ｏａ、ＭｓおよびＦａ　の原
子鴫の合計であると定義したガラス中の全遷移金属含有
量は、前卸に示した式では“（１００−Ｃ）“原子鴫に
等しい。

第１図と第２図は共に組成範囲を限定するものとして見
なければならないので、“ｂ゛が２〜３．５原子鴫であ
りおよび／または“ａｏがα９０〜０，９６であるガラ
スは第１図に示す黒い点を含まない領域に入る。第２図
で示すように、本発明の組成物は従来のものを含まない
。第２図に示すように、本発明やガラスは従来のガラス
よりもＢとＳｉ　を合せた含有量が少な′％、）０本発
明のガラス中に存在するＢおよびｆ３ｉ　の合計量が減
少すると、ガラスが提供する飽和誘導値は高（なる。

いくつかの用途に対しては、磁気歪がわずかにプラスの
材料を使用するのが好ましい。たとえば、磁気歪がゼロ
の合金よりも高飽和誘導または高強磁性キュリー温−の
、磁気歪が小さい合金は、温度に伴５誘導の変化割合が
より小さいことが好ましい用途に使−しうる。そ、のよ
うな磁気歪がゼロに近い合金は、“−゛が約０．９０〜
０．９６の範３囲で得られる。これらの金属ガラスの磁
気歪？絶対値は約＋ｓ　ｐｐｗｔより小さい（すなわち
磁気歪は約＋　ｓ　ｐｐｍ−＋１　ｐｐｍである）、こ
れらのガラスの例を衣用に示す。

磁気歪がゼロに近いガラスの中で、好ましい組成物は“
Ｃ“　が約１４〜１８原子唾のときに生じる。これらの
ガラスで◆−蔭飽和誘導はｔ２Ｔに近いかまたはこれよ
り高い。これは特に、“Ｃ“が約１６〜１８１Ｘ子鴫で
あり、そして“ｄｏが０〜約５原子婆であるときの場合
である。衰運にはこれらのガラスの例が含まれている。

表１磁気歪値が約÷５　ｐｐｓ〜＋　Ｉ　ＦＦＩＩＮの、式
［Ｑａ、Ｉ−”、−ａ３、ｏｏ−（ｂ＋ｃ）Ｍ”ｈＢｃ
４Ｓ’ｄ　（式中、“６°は約０．９０〜０．９６であ
る）で表わされるガラスの０．９２５　−４　−　２０
　−　５　、、、、、　　ｔ１２０．９２５−　４　−
　１９　−　５　、、ｔ１５０．９２５−２−１８−５
　、１２２０．９２５−４−１８−５　’□゛ｔ２５０．９２５　
−　４　−　１８−　２′　　”□１３１０．９２５−
　４　−　１６−　２　　　’Ｌ５５０．９３５　−　
４　−　１８−　５　　１３１０．９５　−４−１８−
５　　１２５本発明の磁気歪がゼロに近い合金は、ニッケルのコノル
トー鉄錯体への導入、すなわち（３８またはＦｇ　また
は両者のＮｉＫよる置換、Ｋよっても得られる。８．４
原子係までのニッケルをこの置換を行なうために添加し
うる。少量のＮｉ　を前記のように添加したガラスの例
は”？！Ｌ。ｓ　Ｆ　ｇ　ＬｊｘＮ”　％、−８１　Ｂ
”　５　　である、このガラスは飽和誘導が約１．１２
Ｔそして磁気歪値か峰ぼゼｏ　ｐｐｗｎである。多量の
ニッケルを基礎となるＯｓ−Ｆｇ−Ｍｓ−Ｂ−８ｉ系に
導入した例を表ＩＫ示す。この表は、多量のニッケルで
置換した好ましい組成範囲を示す。この好ましい組成範
囲では、ガラスは式”’ａＪＯ”０．１０”（ＬＩＯ〕
ｓＭ”ｙＢｚ−、ｓ　’　ｗ　（式中、“ｒは１００−
　（３１＋りに等しく、約７８〜８４原子鴫であり、“
ｙ“は約２〜５原子優であり、“２“は約１４〜１８原
子鳴であり、そして・・ｈ−は０〜約５原子係である）
で表わされる。−遺の各組成は飽和誘導が１１．２Ｔに近いかまたはこれより高いことを明示し　　
　　　　　（ている。従って、これらの表面の組成は好
ましいものである。

表面式〔Ｃ’ａｇｏ”　ｈｌｏ”　ａｉｏ］７’ｙＢｚ−ｓ
ｓＳ’＊　で表わされるガラスの飽和誘導。磁気歪値は
約＋５　ｐｐｍａ−８０−２−１８−０１，１５８２−２−１６−０１，２６８０−２−１８−４１２５８１−３−１６−Ｏｔ２４８１−３−１６−４　　　　１３０８０−４−１６−０−　　　１．２５８０−４−１６−２　　　　１．３１８２−４−１４−２　　　　　ｔ２４８２−４−１４−４　　　　１３３７Ｂ−４−１８−５’Ｌ１４８４−２−１４−４　　　　　’Ｌ１１＋　“Ｘ゛　は
１００−（ｙ＋ｚ）Ｋ等しい。

約＋５　ｐｐｓ〜＋１　ｐｐｖｐｈ　の磁気歪値を有す
る、磁気歪がゼロに近いガラスは、１原子鴫までの元素
Ｔｉ％Ｚｒ、　Ｈｆ、Ｖ、　Ｎｂ、　Ｔａ、ＯｒｌＭｅ
、　Ｗ、　Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｍ、Ｚｓ、　Ａｊ、Ｇ−１Ｓ
ｓ、　Ｐｈ　およびＢｉ　Ｉ）いずれか一種、あるいは
２ＭＡ子鴫までのＣを基礎となるＣｏ−１ｒｇ−ＭｓＣ
ｏ−１ｒ系に導入すると得られる。

このようなガラスにおける飽和誘導は、約ｔＩＴより高
い。これらのガラスの例を表Ｗに示す。

表Ｗ少量の微貴金属または炭素を基礎となるＯａ−Ｆｇ−Ｍ
％−Ｂ−８ｊ系に導入した、本発明のガラスの飽和誘導
の例。下記の例における磁気歪値は約＋１ｐｐｗｈ〜−
１ｐｐｗｈである。

ＣＯ−ｔ　＠、ＯｓＦｇ　ｔｏ　５Ｍ５ａＺｒａｓＢｔ
　１ＢＳ’　ｓ　　　　　１１３Ｃｏ？＆０！！”　ｔ
ｏｓ”ＭｓＢｌｔｓＳ’ｓ　　　　　ｔ１０００７４０
５”　１．１！ｉ”４ｖ（Ｌ！ｉＢｌ　１５Ｓ’ｆｉ　
　　　　”２６ＧＯ？６．０！ｉ”ＬＩＩＭ”４Ｎｂ＠
、５ＢＩＬ！！ＳｉＳ　　　　　”２０ＣＯｔ　ｔｏ　
ｓ”　ＩＪ　ＳＭｆ＆４”６．５Ｂ１　ｔｓＳ’　ｓ　
　　　　’　１　’Ｑ（１？□。５”Ｌ、５’ル、Ｍ＃
ｆ、ｓＢ　１１５８Ｌ　ｓ　　　　　ｔ１６”’７Ｎ０
１Ｓ”１．１１５”４”（Ｌ！！”１１！！”５　　　
　１．””？ＩＬ。５”１．ｉｌ！！”％４”（Ｌ！ｉ
Ｂ１！＋５”！ｉ　　　・　１．１２ＣＯＴ　＆Ｏ！Ｓ
”　Ｌｌｌ　Ｉｔ”４”（ＬｆｉＢｌ　！ｍｓ”　Ｉｔ
　　　　　１．２’”’？＆０！ｉ”ＬＩＳ”４”’（
ＬＩＳ”１１！＄”！ｉ　　　　　ｔ２２ＣＯｎｏ！Ｉ
ｔ”ｉｌｌ！＋”４”（ＬＩｉＢｌｔ！１ＳｉＳ　　　
　　１１７０°７　＆Ｏ！ＩＦａ　Ｌｌｌ　ｓＭ％ａＲ
＊ｓ　Ｂｔ　ｚＳ＠　ｓ　　　　　　ｔ１６”？ＮＯ！
ｉ”Ｌｉ１Ｂ”４”ＩＢ１！ＳｉＢ　　　　　　１１８
”８０！ｉ”１１！ｉ”４Ｂｌｌ”Ｓ０２”Ｘ　磁気歪
値は約＋５　ｐｐｍ〜＋Ｉ　ＰＰ襲である。

他の用途、たとえば磁気記録ヘラｒ、には、磁気歪値が
ゼロに近いことが必須である。そのようなガラス、すな
わち磁気歪値が約＋Ｉ　ＦＦ”〜−１ＰＰ鶏のガラスは
、“Ｇ“の値が約０．９６〜０．９９で得られる。これ
らのガラスの中で、“１“の値が最も好ましい範囲は約
、α９７〜０．９８であり。

それらの磁気歪値は約＋０．５　ｐｐｍ　〜−０，５ｐ
ｐｍである。“ａ“　の値の約Ｑ、０１までの変化は、
コノルト含有量の少なくとも、ｒ：　Ｑ、　８原子係の
変化にほぼ相当することが、ここでわかるであろう、こ
れらのガラスの例を表Ｖに示す。

表Ｖ磁気歪値が約＋Ｉ　ＰＰ”　〜−Ｉ　ＦＦ”の１式［Ｃ
ｓ、−”１−ａ’１０Ｇ−（Ａ＋ｅ）’％ｈ”ｅ−ｄＳ
ｉｄで表わされるガａ−４−クーｄ０．９６−４−１８−５　　１２３０．９７−４−１８−６　　１１８０．９７５−４−１８−５　　１２５０．９７５−４−１８−６　　　’Ｌ２６０．９８５−
４−１８−６　　１１５コノ之ルトに富んだ、磁気歪がゼロの系においては、コ
バルト対鉄含有量の比、すなわち（ｇ／（１−Ｇ））、
は磁気歪の値を決定的にコントロールする。Ｍ％を含有
するガラ“鷹の系に対しては、この比を約゛４．゛３５〜４０で変５件させると磁気歪がゼロとなる。

い。

マンガンを含有しない従来のガラスでは、この比　　　
　。

は約１４〜１６である。　Ｑｓおよび／またはＦ−のＮ
ｉ　での置換はこの比に大きな影響を与えない。

たとえば、ガラＸ　Ｏ’　ｙ　ｔｏ　ｓＦ’　ｔｏ　ｚ
Ｎ’　ｚＭＢｓ　Ｂｔ　ｓ　Ｓ’　ｓ（鉄に対するコノ
ζシトの比は約３９）は磁気歪がゼａ　ｐｐｗｈである
。

磁気歪値が極めて小さく、“ａ“が約０．９６〜０．９
９である組成物に対しては、好ましい“ｂ。

の値は約３〜５原子優であり、好ましい“Ｃ″の値は約
１６〜１８原子係であり、そして好ましい“ｄ”　　の
値は約２〜６原子係である。“α°、′ｂ“、−Ｃ′″
　および“ｄ′″　がこれらの好ましい値である組成物
は明らかに高飽和誘導であり（約１１５Ｔより高い）、
高透磁率であり（約１１，０００より高い）、磁気歪が
極めて小さく（約＋〇、　５　ｐｐｗｈ〜−ｏ、　ｓ　
ｐｐｍ）１．：結晶化温度が比較的高く（約７００Ｋ）
そして結晶化温度と強磁性キュリ一温度との間隔が比較
的大きい（約３０〜５０Ｋ）ことを示している。上述の
ように、本発明のガラスによって得られる結晶化温度と
強磁性キュリ一温度とが離れていることによって、アニ
ール手順を最適化するのが容易となる。そのような金属
ガラスの典型的な例には〔Ｃ’（Ｌ１１？”（ＬＯ８〕
？ｌｌ”４８１！１Ｓｉ５、〔Ｃ’（Ｌｌｌ”（ＬＯ！
〕７１１”４ＢｌｌＳｉ＠’　〔Ｃ’（Ｌｉｌ？”（Ｌ
Ｏ１〕７１−Ｍ５４Ｂ１．Ｓｊ、および［Ｏａ　＆ｅ　
５Ｆ−０！］？１１”４Ｂ１ｍ”１がある。

本発明がさらによ（理解されるよ）に、以下に実施例を
示す０本発明の原理および実施の説明のために示した特
定の方法１条件、材料、割合および記載のデータは典型
的なものであり、本発明の範囲を限定するものとして考
えるべきではない。

実施例１　試料の製造試料番号１〜２５とするガラス質金属合金を、Ｎａｒａ
ｚｉｗｇｋａ＠の米国特許第４．１４２．５７１号の教
示する方法に従って、溶融物から急冷（約１０＠Ｖ＃）
　　１．た。典型的には厚みが２５〜５０簡そして幅が
０．３〜２．５儂の得られたリボンは、有意の結晶化度
でないことをＯｓ−にαを使用するＸ線回折法および熱
量法によって調べた。

２６　　磁気測定透磁率は標準法を使い閉磁気路（ＧＬａｚａｄ　−菖ａ
ｇ＊ｇｔ＊ｅ　−ｐａｔＡ）　　）ロイＰ試料で測定し
た。

トロイｒ試料はガラス質金属合金の連続状のリボンをボ
ビン（外径的４１）Ｋ巻きつけることによって作った。

各試料は２〜１０Ｉｉのリボンを有していた。絶縁した
第一の巻線（ｇｓｓｈｓｙ＃）　（少なくとも３よりな
る）および第二の巻ｌＩ（少なくとも４５よりなる）を
トロイｒｖｃ適用した。

モーメント、Ｍ、を市販の振動試料磁力計（プリンスト
ン・アプライｒ・リサーチ）で測定した。

リボンをいくつかの正方形（約２ｍＸ２ｍ）に切った。

これらはこれらのノーマルな方向にランダムに配向して
おり、これらの平面は０〜約７００ＡＡ／ＩＩ　Ｋ変化
させて加える場に平行である。測定した質量密度を使っ
て１次に誘導、Ｂ、を計算した。加えた場、Ｈｌを・約
５００　ＡＶＷＩ−〜７００　ＡＡ則にあてはめて、飽
和誘導、　Ｂ、　、を得た。弐゛中。

αおよびβはある定数である。

強磁性キエリ一温度を誘導法を使って測定した。

２０に７分の通常の走査速度で、差動熱量針を使用して
結晶化温度を測定した。

磁気歪の測定は、リボンの二個所の短い長さの間を結合
した（イーストマン−９１０セメント）金属歪ゲージ（
ＢＬＨエレクトｐニクス）を用いた。

リボンつ軸とゲージの軸は平行であった０次にＲｇｗｉ
ａｗ　ｏｆ　Ｓｅ１ｇ＊ｔｉｆｉｚ　Ｘｓｚｔｒｕｍａ
ｎｔｚ、第５１巻、第５８２頁（１９８０）Ｋ記載の方
法を使って磁気歪を測定した。

試料およびこれらの磁気歪、透磁率、結晶化温度、キエ
リ一温度および飽和誘導の値を以下の表■に示す。

；５、・１′（。

島１１卜表■ 本発明の合金の例およびそれらのソフト磁性組成勧　Ｃｏ−Ｆｍ−Ｎ１−Ｍ易−Ｂ−８４１原子％８２−
２−０−２−１４−．０・重量’１　９２Ｂ−２２−０
−２，１−２９−０２原子鴫８０−２−０−２−１６−
０重量鴫　９２２　−　２２　−　０　−　２２−　５４
　−　０３　原子％　７４　−６　−　０−２　−１３
　−　５重量鳴　８５．７−　α　−〇−２．２−２Ｂ
　−υ４原子％７２２−５Ｂ−０−２−１６−４重量％
　８５４−６．６−　０−２２−５．５　−２３５　原
子％　７１　　−６　−　　０−３　　−１６　−４重
量鳴　８４２−６．７−０　−　易　−五５−２３６　
原子鴫　７５　−８　−　０−５　−１６　−０重量鳴
　・８４Ｊ６−８Ｂ−０−＆２−！ｕ　　−０７原−ｆ
％　　７８．２−（Ｌ８−　０−５　−　１５　−５１
１％　　９０．４−１９−　ロー五２−２．７−２Ｂ８
　原子鴫　７５　−５　−　０−４　−２０　−０重量
％　　８７．７−５．４−　０−４５−４４　−０表■
（続き、）９　ｍ　７η−５Ｂ−０−４−１６−２Ｍｋ％８４４−
話−０−４４−９−１１１０ｊ［？４７０．３−５．７
−　０−４　−１５　−５１１％Ｂ五１−＜Ｌ４−　０
−４４−Ｋｇ　　−２８１１軒唱６７　−邸一　〇−４
５−１６−４Ｍｋ％７９７−９．６−　０−５４）−Ｎ
５　−２２１２ｊＦｉ４７５　−４　−　０−５　−１
０　−６１Ｊ１％ｓｓ、１−４．５−　０−５３−２．
１　−３．２１３ｊｉ？４７３　−４　−　０−５　−
１２　−６町Ｉ％　８４Ａ　−４４−０−５４−２５−
３，３１４Ｎ−Ｆ％７３　−２　−　０−５　−１７　
１脂１％　８６．８−２３−　０−５．５−５．７　−
１７１５Ｊ１７４７１　−４　−　０−５　−１５　−
７１ｔ％８５．５−４５−　０−５５−２８　−５．９
１６膨陽６９　−６　−　０−５　−１８　−２１ｔ％
８２Ｂ−６．８−　０−５４−４．０　−１．１１７Ｗ
ＦＦｑｈ７２Ｂ　−Ｎ５−　０−６　−１２　−６１１
’１８五９−５．８−　０−６．５−２５　−１．３表
■（続き）勧　　Ｃｊｏ　　−Ｆｇ　−Ｎ１−Ｍ語−Ｂ−８ｉ１８
鉦陽７０．５−３．５−　０−６　−１３−７ｍ１１％
８２Ｊ３−３．９−　０−６．６−２Ｂ−３，９１９１
［−Ｍ　６４　−８　−　８−２　−１６−２１Ｊ８７
５．０−８．９−９．３−２２−五４−１．２２０＃Ｆ
％６６４−８．３−８．３−３　’　−１４−０１１％
７５５−８．９−９．４−３．３−２．９−０２１７Ｉ
［−７４６４，８−８，１−８，１−３−１２−４脂１
４７４．１−８．８−９．２−３．２−筋−２２２２Ｗ
Ｅｆ−％６３．２−７．９−７．９−３　−１８−０１
１％　７４．７−８．８−９．５−５．５−３．９−０
２３ｊ１７４６２Ａ　−７，８−７，８−４−１３−５
２４１Ｎ’７４０°ｙａ、＆ｓ”ｔｓｓ”４”ａｓＢｘ
ｔｓＳ’ｓ１１％Ｃ＃ＩＩ　’１．Ｂ”　！Ｌｌ”４３
”　ｌ、。Ｂ１０”！？２５１ＩＥ−％Ｃ０□、。Ｉ”
１４Ｂ’−町ｔＳ＠　ｓＯ＊１ｉ（３１，、。Ｆ＃Ｌ１
Ｍ％４．、Ｂ、Ｅ３ｉＬ８Ｇ、。

２　　　＋１．０　　６４４　　６９４　　１．２５　
　７，７００３　　　２３　　７０５　　６８０　　　
ｔ２２　１０，６００４　　　ｔ９　　７；２７　　７
０７　　１．１３　１６．１００５　　　　！１．２　
　７５０　　７１３　　１２１　　８６００６　　　３
Ａ　　６６２　　６９４　　１２４　　５．０００７　
　０．４　　６７１　　６９４　　１２３　　９．８０
０８　　　　ＱＪ３　　７０１　　６９５　　　ｔ２２
　　６，２００９　　２Ｂ　　　６９２　　６８４　　
１．３１　　７，５００１０　　　２．１　　７２８　
　６９５　　１１２　　９．９００．１１　　　４．０
　　　７２６　　　７１８　　　１．２４．　　ス４０
０１２　　４．９　　６６５　　６５４　　１．２４　
　〜釦０１３　　２Δ　　６９１　　６２４　　１．１
９　　８．２００１４　　　　０　　　７２０″　　６
８４　　　１１２　　　　ス５００１５　　２Δ　　７
１９　　６７９　　１１３　　９，１００−１６　　　
１５　　７２６　　６８５　　１１５　　６．６００１
７　　　３．０　　６９５−　　６９１　　　ｔ１９　
　９．１００１８　３．４　７２５．；、６６５　　ｔ
０９　１１，１００１９　　２Ａ　　　６９５　　６７
０　　１２０　　８Ｊ川０２０　　２．１　　６９９”
１“ゝ　６７９　　１１７　６４００２１　　４２　６
８５’　：、　６６６　１３０　１２００２２　２．１
　６８７’□６６５　１２１　９．４００　　　　　　
□２３　５．２　　６９６　　６７４　　１１４　　８
３００２４　　　０　　６８１　　６８１　　　ｔ１６
　　８．８００２５　　α９　　６７５　　６８５　　
　ｔ２１　　６．１００注：ｌ）Ｔ、１は最初の結晶化
温度であり、Ｔｏは強磁性キュリ一温度である。

１１′透磁率′、μ、は約４・ｋＡ／ＷＩ−までの場を
加え、温度約５４０〜６２０Ｋにて＃１０〜３０分間ア
ニールした試料？ｉｌＪ定した・□以上本発明を十分に
詳しく説明してきたが、もちろん、これらに厳密に固執
する必要はなく、かつ特許請求の範囲で定義する本発明
′の一囲内でこの技術分野に熟練した人々が考えつく変
更は可能である。　　　　□

【図面の簡単な説明】

第１−は、本発明の好ましいコバル）　（Ｃｅｊ）、マ
ンガン（Ｍｆ＆）および鉄（Ｆｇ　）含有金属ガラスの
遷移金属含有量、斜交平行線領域で示した三成分図であ
り、平行斜線領域、点線および黒点は従来の組成を示し
ている。　　　　　　　　　　　□第２図は本発明の組
成物の遷移金属（ＴＭ）、硼素（Ｂ）および珪素（３ｉ
）含有量を示す（斜交平行線領域）三成分図であり、平
行斜線領域および黒点は従来の組成である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）少なくとも７０％がガラス質であり、ゼロに近い
磁気歪と高い透磁率と高い飽和誘導とを組合せて持ち、
そして式（０’　、Ｆ　ａ　ｔ　−、］　ｔ。。−（Ａ
ｇｅ）Ｍ％ｂＢｅ−ｄ”ｄ　（式中、“α゛は０．９０
〜０．９９であり、′ｂ゛　は２〜６原子鴫であり、“
Ｃ″は１４〜２０原子鳴であり、そし【“−゛は０〜７
原子鴫であり、但し存在する最小のＢは１０原子曝であ
る）で表わされる、磁性合金。
（２）　　“ａ′″　がａ、９６〜０．９９である、特
許請求の範囲第（１）項記載の磁性合金。
（３）　　“ａ“　がα９７〜０．９８である、特許請
求の範囲第（２）項記載の磁性合金。
（４）　　”ｈ”　　が３〜５原子唾であり、“Ｃ“が
１６〜１８原子優であり、そし′Ｃ“ｄｏが２〜６原子
鴫である、特許請求の範囲第（３）項記載の磁性合金。
（５）元素Ｃ−およびＦ−の５ちの少なくとも一種を一
部、８．４原子鴫までのニッケルで置換した、特許請求
の範囲第（１）項記載の磁性合金。
（６）元素コバルト、鉄およびニッケルをα８０：０．
１０：０．１０の比で存在させる、特許請求の範囲第（
５）項記載の磁性合金。
（７）式［”ａｓｓ”ａｔｏＮｉａｘｏ〕ａ”ｙＢｚ−
ｗＳ’ｓ　　（式中、―ｘ゛　は７８〜８４原子鴫であ
り、′ｙ′″は２〜５原子憾であり、“２°は１４〜１
８原子もであり、そして“Ｗ゛は０〜５原子鴫である）
で表わされる、特許請求の範囲第（６）項記載の磁性合
金。
（８）２原子曝までのｄが存在する。特許請求の範囲第
（１）項記載の磁性合金。
（９）“ｂ“　が３〜５原子鴫であり、′Ｃ“が１６〜
１８原子唾であり、そして“ｄ“が２〜６原子唾である
。特許請求の範囲第（８）項記載の磁性合金。顛　式〔Ｃ’０１７”（ＬＯＩ〕７８”４Ｂｍｌ”１Ｇ
　　を有する特許請求の範囲第（４）項記載の磁性合金
。