JPS58163432A - プラズマ化学気相成長装置 - Google Patents
プラズマ化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58163432A JPS58163432A JP4680582A JP4680582A JPS58163432A JP S58163432 A JPS58163432 A JP S58163432A JP 4680582 A JP4680582 A JP 4680582A JP 4680582 A JP4680582 A JP 4680582A JP S58163432 A JPS58163432 A JP S58163432A
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- JP
- Japan
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- gas
- electrode
- flat plate
- flat
- vapor deposition
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発−の技術分野
本発ａａ、プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置の改真
に関する。
に関する。
Ｑｌ）ａｌｌＯ’Ｉｔ
グツズｆｆＣＶＤ法は通常の減圧ＣＶＤ法に比べ低温で
ｌＮ１６１ｆｃ長速ｆが得られ、且つ厚さ、組成等の分
布が一様な成長層が得られ易いので、近時太陽属珪化物
層の形成等に多く用いられるようになって来た。
ｌＮ１６１ｆｃ長速ｆが得られ、且つ厚さ、組成等の分
布が一様な成長層が得られ易いので、近時太陽属珪化物
層の形成等に多く用いられるようになって来た。
（ｅ） 従来技術と問題点
農１図社従来高融点金属珪化物層例えばタングステン・
シリサイド（ＷＳｔ）層を形成する際に用いていた、被
！Ａ！基板を搭載する電極上に均等に成長ガスｖｔｖＬ
人する機能を持つプラズマＣＶＤ鋏皺を示した４のであ
る。即ち該プラズマＣＶＤ装＊ａ、真空排気口ｌを有す
る金属銅の気管反応客器２内の下部に加熱手Ｒ３を具備
し、上面に被麩！１ｌｉｌｋ板４を搭載し得る平板状下
部電極５が直かに配設されてお如、又鋏平板状下部電極
５の上部にこれと対向して平板状対向電＆６が、気密絶
縁体７を介して気ｖ！１反応客器２の外部に導出され九
電偽支持管８によりて支持配設された構造を有していた
。そして前記電極支持管８と平板状対向電極６の内部と
は連続し丸中空状に形成されておｐ１平板状対向電極６
の下面に前記中空域に通ずる複数のガス流入孔９が分配
形成されておシ、成長ガス及び中ヤリア・ガス線電極支
持管８、平板状対向電＆６の中空域からなるガス通路及
び皺ガス流入孔９を介して気密容器２内の平板状下部電
Ｉｋｓの上面に均等に注下されるようＫなっていた。
シリサイド（ＷＳｔ）層を形成する際に用いていた、被
！Ａ！基板を搭載する電極上に均等に成長ガスｖｔｖＬ
人する機能を持つプラズマＣＶＤ鋏皺を示した４のであ
る。即ち該プラズマＣＶＤ装＊ａ、真空排気口ｌを有す
る金属銅の気管反応客器２内の下部に加熱手Ｒ３を具備
し、上面に被麩！１ｌｉｌｋ板４を搭載し得る平板状下
部電極５が直かに配設されてお如、又鋏平板状下部電極
５の上部にこれと対向して平板状対向電＆６が、気密絶
縁体７を介して気ｖ！１反応客器２の外部に導出され九
電偽支持管８によりて支持配設された構造を有していた
。そして前記電極支持管８と平板状対向電極６の内部と
は連続し丸中空状に形成されておｐ１平板状対向電極６
の下面に前記中空域に通ずる複数のガス流入孔９が分配
形成されておシ、成長ガス及び中ヤリア・ガス線電極支
持管８、平板状対向電＆６の中空域からなるガス通路及
び皺ガス流入孔９を介して気密容器２内の平板状下部電
Ｉｋｓの上面に均等に注下されるようＫなっていた。
このような従来装置を用いて被処理基板４上に例えばタ
ングステン嗜シリナイド（ＷＳｌ）層を形成するＫＩｉ
しては、前記電極支持管８内のガス通路から、所定量の
〜ノシラン（８１Ｈａ）＋６弗化タングステン（ＷＦ・
）からなる成長ガスとキャリア・ガス例えばアルゴン（
Ａｒ ）が、平板状対向電極６の中空域及びガス流入孔
９を介して気密反応容８２内に送シ込壕れ、真空排気口
１から所定の真空排気を行って皺容＃Ｓ２内を０．１−
数（Ｔｏｒｒ）Ｋ保り良状態で平板状下部電極５と平板
状対向電極６関に高周波電力（ＲＦ）を印加して、両電
極間にＡｒプンズ−ｒｐを発生させ、該プラズマＰによ
ｃｍ長ガスを反応せしめてＷＳｉ層を被処理基板４上に
成長させしかし上記従来の装置に於ては、成長ガスが通
過する平板状対向電極５及び電極支持管８の中空域に１
電極及び支持管を形成している金属面が直かに表出して
いるために、［中空域内にプラズマＰ領域が嬌びて米て
、該中空域内で成長ガスが反応し、皺中空域内に４Ｗ８
１が生成する。その良め特に断面積の小さい電極支持管
８の中空域内にＷＳｉが堆積してガス流量を変化させ、
遂ＫＦｉ該中空域が詰まってガスの供給が断たれ、成長
が不可能になるという現象が生ずる０ この現象の丸め、内径４（ｍｍ）程度の電極支持管８を
ガス尋人管として用い九従来の装置に於ては、１００〜
２００（Ａ／優〕程度の比較的低戒長遮緻でＷＳｌを成
長する際でも、安定した成長条件を確保できる時間が５
〔時間〕＠度の短時間であった。
ングステン嗜シリナイド（ＷＳｌ）層を形成するＫＩｉ
しては、前記電極支持管８内のガス通路から、所定量の
〜ノシラン（８１Ｈａ）＋６弗化タングステン（ＷＦ・
）からなる成長ガスとキャリア・ガス例えばアルゴン（
Ａｒ ）が、平板状対向電極６の中空域及びガス流入孔
９を介して気密反応容８２内に送シ込壕れ、真空排気口
１から所定の真空排気を行って皺容＃Ｓ２内を０．１−
数（Ｔｏｒｒ）Ｋ保り良状態で平板状下部電極５と平板
状対向電極６関に高周波電力（ＲＦ）を印加して、両電
極間にＡｒプンズ−ｒｐを発生させ、該プラズマＰによ
ｃｍ長ガスを反応せしめてＷＳｉ層を被処理基板４上に
成長させしかし上記従来の装置に於ては、成長ガスが通
過する平板状対向電極５及び電極支持管８の中空域に１
電極及び支持管を形成している金属面が直かに表出して
いるために、［中空域内にプラズマＰ領域が嬌びて米て
、該中空域内で成長ガスが反応し、皺中空域内に４Ｗ８
１が生成する。その良め特に断面積の小さい電極支持管
８の中空域内にＷＳｉが堆積してガス流量を変化させ、
遂ＫＦｉ該中空域が詰まってガスの供給が断たれ、成長
が不可能になるという現象が生ずる０ この現象の丸め、内径４（ｍｍ）程度の電極支持管８を
ガス尋人管として用い九従来の装置に於ては、１００〜
２００（Ａ／優〕程度の比較的低戒長遮緻でＷＳｌを成
長する際でも、安定した成長条件を確保できる時間が５
〔時間〕＠度の短時間であった。
そして艶に前記ガス通路内に堆積したＷＳｌはその除去
が容器でなく、そのためにに置の休止時間が長引き、作
業効率や処理効率が着しく損われるという間層があった
。
が容器でなく、そのためにに置の休止時間が長引き、作
業効率や処理効率が着しく損われるという間層があった
。
（ｄ） 発明Ｏ１！的
本発明の目的は、対向電極面を介して均等に成長ガスを
供給する方式の平行平板証グツズ！気相成−ｊｌ装置に
於て成長ガス供給通路内にプラズマが観びるのを防止す
る構造を提供し、上記間層点を除去することＫある。
供給する方式の平行平板証グツズ！気相成−ｊｌ装置に
於て成長ガス供給通路内にプラズマが観びるのを防止す
る構造を提供し、上記間層点を除去することＫある。
（・） 発−の構成
ルち本発明は、プラズマ化学気相成長穀量に於て、被処
理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体から
なシ複数のガス流入孔が前記平板状下部電極に面して配
設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段と、皺
ガス尋人手段に於ける少なくとも平板状ガｍνに機い、
且つ骸平板状領域に於ける前記ガス導入手段Ｏガス流入
孔Ｊ郁領域にガス流通孔を有する対向電極とが、真空排
気手段を有する気密反応容器内に配設されてなることを
特番とする。
理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体から
なシ複数のガス流入孔が前記平板状下部電極に面して配
設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段と、皺
ガス尋人手段に於ける少なくとも平板状ガｍνに機い、
且つ骸平板状領域に於ける前記ガス導入手段Ｏガス流入
孔Ｊ郁領域にガス流通孔を有する対向電極とが、真空排
気手段を有する気密反応容器内に配設されてなることを
特番とする。
（ｆ） 発＠Ｏ爽施例
以下本発明を一爽振例について、ｊＩＩＩ！！図に示す
装置の壁部１１ｒ向図を用いて詳ｍｌＫ説−する〇本発
明のプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置は例えば＃！
２図に示すように、真９．排気口１を鳴する金属製の気
密反応容器ｚ内の下部に、加熱手段３を具備し、上面に
被処理基板４を搭載し得る従来と同様な構造の平板状下
部１！極５が直かに配設される。そして骸平板状下部電
Ｉｋ５の上部に、例えば石英等の絶縁体からなシ、内部
が中空で、複数のガス流入孔９′が前記平板状下部電極
５に面して配設され圧平板状ガス流入部１０ａと、駄平
板状ガス流入９１０ａを支持し、且つ該ガス流入部１０
ｍの中空領域と中空部が接続する支持管１０ｂからなる
ガス導入手段１０が配設される。そして骸ガス導入手段
１００表面に、アル？＝り構成るいはスリ テンレス等の金属からな１１ガス導入手段１０に於ける
平板状ガス流入部１０ａ上をすガス流入孔９′の下 妻部領域にガス流通孔１１を鳴する平板状部１２ｍで機
い、史に例えばガス導入手段１０をその支持管１０ｂの
部分まで包み込んで、該ガス導入手段１゜Ｋ１１ｌ定さ
れた対向電１１１２が設けられる０なお同図に於て７は
戴置絶縁体、１３はガスフットである０ 上記実施例に示した本発明の構造を有するグツズ−ＶＣ
ＶＤ装置、祉対向電極１２が、被数のガス流入孔９′が
形成された平板状ガス流入部１０ｍを有する絶縁体から
なるガス導入手段１０の外１１に、腋ガス導入手段１０
を包むように形成されている。
装置の壁部１１ｒ向図を用いて詳ｍｌＫ説−する〇本発
明のプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置は例えば＃！
２図に示すように、真９．排気口１を鳴する金属製の気
密反応容器ｚ内の下部に、加熱手段３を具備し、上面に
被処理基板４を搭載し得る従来と同様な構造の平板状下
部１！極５が直かに配設される。そして骸平板状下部電
Ｉｋ５の上部に、例えば石英等の絶縁体からなシ、内部
が中空で、複数のガス流入孔９′が前記平板状下部電極
５に面して配設され圧平板状ガス流入部１０ａと、駄平
板状ガス流入９１０ａを支持し、且つ該ガス流入部１０
ｍの中空領域と中空部が接続する支持管１０ｂからなる
ガス導入手段１０が配設される。そして骸ガス導入手段
１００表面に、アル？＝り構成るいはスリ テンレス等の金属からな１１ガス導入手段１０に於ける
平板状ガス流入部１０ａ上をすガス流入孔９′の下 妻部領域にガス流通孔１１を鳴する平板状部１２ｍで機
い、史に例えばガス導入手段１０をその支持管１０ｂの
部分まで包み込んで、該ガス導入手段１゜Ｋ１１ｌ定さ
れた対向電１１１２が設けられる０なお同図に於て７は
戴置絶縁体、１３はガスフットである０ 上記実施例に示した本発明の構造を有するグツズ−ＶＣ
ＶＤ装置、祉対向電極１２が、被数のガス流入孔９′が
形成された平板状ガス流入部１０ｍを有する絶縁体から
なるガス導入手段１０の外１１に、腋ガス導入手段１０
を包むように形成されている。
嘗い換えるとガス流入機能を有する対向電Ｉｋの内面が
絶縁体で＃ＩＩｉ機され九構造を有している。
絶縁体で＃ＩＩｉ機され九構造を有している。
上記実施例Ｏ装置を用い、彼処１基板上ＫＷＳＩ層を成
長せしめるＫａ次のように行う。
長せしめるＫａ次のように行う。
即ち平板状下部電極５上に被ｌ＆通基板４を平置搭載し
、ガス導入手段１Ｇの支持管１０ｂかも平板状ガス流入
部１０ｍ、ガス流入孔９′、及び対内電極１１１のガス
流通孔１１を介して気管反応容ＩＩｚ内に、ＩＦＩＩ、
ｔｔｆ １０〜３０（ＣＣ／１））８１＆、１Ｇ（ＣＣ
／分〕ＷＦａ１１００ Ｇ （ｐｃＺ分）Ａｒの混合ガ
スからなる成長ガスを流入し、所望の臭突排気を行りて
該反応答Ｈ＠２内を緻（Ｔｏｒｒ） ８Ｍｌの減圧状態
とする。そして被旭履り＆板４を１５０〜４５０（℃）
に昇温し良状態で平板状電極Ｓと対向電極１２関ｋ例え
ば１３５６（ＭＨｚ ） ・０．１〜０．５ （Ｗ／ａ
＋） ｓ度の高周波パワーを印加し、両電極間に通常よ
シ高密度のグツズｉＰ′を発生させ、該プラズマＰ’に
よｐ成長ガスの反応を促進せしめて、被処理基板４上に
例えば４００〜１０ Ｇ （Ａ／分〕徊度の高成長適度
でＷＢ２層の成長を行う。（図中、ＲＦは高周波電源、
Ｇは接地）上記実施例の！！ｔｔＫ１１に′Ｃａ、装置
内への成長ガス及びキャリア・ガスの導入が、対向電極
１２の内ＩＩＫ形成されている絶縁体のガス導入手段に
よってなされておｐ１ガス通路が対向電極から電気的に
絶縁されている。従って電極間に上記のような高＊＊プ
フズマＰ′を発生させて為速成長を行う際にも、内径の
小さいガス導入手段１００支持管１０ｂ内普でプラズマ
Ｐ′が嬌びゐことが表く、鋏支持管Ｒｏｂ内でｏｗｓｉ
ｏ成長反応社防止される。
、ガス導入手段１Ｇの支持管１０ｂかも平板状ガス流入
部１０ｍ、ガス流入孔９′、及び対内電極１１１のガス
流通孔１１を介して気管反応容ＩＩｚ内に、ＩＦＩＩ、
ｔｔｆ １０〜３０（ＣＣ／１））８１＆、１Ｇ（ＣＣ
／分〕ＷＦａ１１００ Ｇ （ｐｃＺ分）Ａｒの混合ガ
スからなる成長ガスを流入し、所望の臭突排気を行りて
該反応答Ｈ＠２内を緻（Ｔｏｒｒ） ８Ｍｌの減圧状態
とする。そして被旭履り＆板４を１５０〜４５０（℃）
に昇温し良状態で平板状電極Ｓと対向電極１２関ｋ例え
ば１３５６（ＭＨｚ ） ・０．１〜０．５ （Ｗ／ａ
＋） ｓ度の高周波パワーを印加し、両電極間に通常よ
シ高密度のグツズｉＰ′を発生させ、該プラズマＰ’に
よｐ成長ガスの反応を促進せしめて、被処理基板４上に
例えば４００〜１０ Ｇ （Ａ／分〕徊度の高成長適度
でＷＢ２層の成長を行う。（図中、ＲＦは高周波電源、
Ｇは接地）上記実施例の！！ｔｔＫ１１に′Ｃａ、装置
内への成長ガス及びキャリア・ガスの導入が、対向電極
１２の内ＩＩＫ形成されている絶縁体のガス導入手段に
よってなされておｐ１ガス通路が対向電極から電気的に
絶縁されている。従って電極間に上記のような高＊＊プ
フズマＰ′を発生させて為速成長を行う際にも、内径の
小さいガス導入手段１００支持管１０ｂ内普でプラズマ
Ｐ′が嬌びゐことが表く、鋏支持管Ｒｏｂ内でｏｗｓｉ
ｏ成長反応社防止される。
（ロ）発明の効果
以上ＩＩ！ＭＬ九ように本発明のプラズマＣＶＤ輌置に
於て祉ガス供給通路内にプラズマが形成されるのが防止
される。従ってガス供給通路内に反応生成物が描積する
ことが防止されゐので、ガス供給量が安定し、長時間に
わ九つ 安定した化学気相成長を行うことができる０又
電極関Ｋｌにａｍ度プツズマを発生させて成長へ応を促
進することも可能に１にるので、従来に比べ４〜５〔倍
〕１！度の高成長速度が得られるＣ なお本発明のプラズマＣＶＤ錬１１社、上記実施例ニ示
したタングステン・シリサイド層以外の層を気相成長さ
せる際にも有効である。
於て祉ガス供給通路内にプラズマが形成されるのが防止
される。従ってガス供給通路内に反応生成物が描積する
ことが防止されゐので、ガス供給量が安定し、長時間に
わ九つ 安定した化学気相成長を行うことができる０又
電極関Ｋｌにａｍ度プツズマを発生させて成長へ応を促
進することも可能に１にるので、従来に比べ４〜５〔倍
〕１！度の高成長速度が得られるＣ なお本発明のプラズマＣＶＤ錬１１社、上記実施例ニ示
したタングステン・シリサイド層以外の層を気相成長さ
せる際にも有効である。
第１１ＪＦｉ従来のプラズマ化学気相成長装置の資部断
面図で、第２図線本発明の一実施例に於ける簀Ｓ断Ｗｌ
１図である。 図に於て、１は真空排気口、２は気管反応！！器、３社
加熱手段、４は被処理基板、５Ｆｉ平板平板部下極、９
′線ガス流入孔、１０拡ガス尋人手段、１０ｍは平板状
ガス流入部、１０ｂは支持管、１１はガス流通孔、１２
は対向電極、１２ａＵ対肉電極の平板状部 ＰＺＵ高密
度プラズマ、ＲＦは高周波電源、Ｇは接地を示す。 １
面図で、第２図線本発明の一実施例に於ける簀Ｓ断Ｗｌ
１図である。 図に於て、１は真空排気口、２は気管反応！！器、３社
加熱手段、４は被処理基板、５Ｆｉ平板平板部下極、９
′線ガス流入孔、１０拡ガス尋人手段、１０ｍは平板状
ガス流入部、１０ｂは支持管、１１はガス流通孔、１２
は対向電極、１２ａＵ対肉電極の平板状部 ＰＺＵ高密
度プラズマ、ＲＦは高周波電源、Ｇは接地を示す。 １
Claims (1)
- 被処理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体
からな〕複数のガス流入孔が前記平板状下部電４ｋＫ函
して配設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段
と、峡ガス導入手段に於ける少なくとも平板状カス流入
部上を平板状に扱い、且つ該平板状領域に於ける前記ガ
ス導入手段のガス流入孔Ｊ郁領域にガス流通孔を有する
対向電極とが、真空排気手段を有する気密反応容鯵内忙
配設されてなることを特徴とするプラズマ化学気相成長
級置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4680582A JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4680582A JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58163432A true JPS58163432A (ja) | 1983-09-28 |
| JPS6151629B2 JPS6151629B2 (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=12757541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4680582A Granted JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58163432A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157969U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-07 | ||
| JPS62157970U (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | ||
| JPS62294437A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Kuraray Co Ltd | シ−ト状物のプラズマ処理装置 |
| JPS6350878U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-06 | ||
| JP2006100305A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asm Japan Kk | プラズマ処理装置 |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4680582A patent/JPS58163432A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62157969U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-07 | ||
| JPH0527493Y2 (ja) * | 1986-03-25 | 1993-07-13 | ||
| JPS62157970U (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | ||
| JPH0527494Y2 (ja) * | 1986-03-28 | 1993-07-13 | ||
| JPS62294437A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Kuraray Co Ltd | シ−ト状物のプラズマ処理装置 |
| JPH0527455B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1993-04-21 | Kuraray Co | |
| JPS6350878U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-06 | ||
| JPH0336520Y2 (ja) * | 1986-09-22 | 1991-08-02 | ||
| JP2006100305A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asm Japan Kk | プラズマ処理装置 |
| JP4572100B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-10-27 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6151629B2 (ja) | 1986-11-10 |
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