JPS58163432A - プラズマ化学気相成長装置 - Google Patents
プラズマ化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS58163432A JPS58163432A JP4680582A JP4680582A JPS58163432A JP S58163432 A JPS58163432 A JP S58163432A JP 4680582 A JP4680582 A JP 4680582A JP 4680582 A JP4680582 A JP 4680582A JP S58163432 A JPS58163432 A JP S58163432A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- electrode
- flat plate
- flat
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発−の技術分野
本発aa、プラズマ化学気相成長(CVD)装置の改真
に関する。
に関する。
Ql)allO’It
グツズffCVD法は通常の減圧CVD法に比べ低温で
lN161fc長速fが得られ、且つ厚さ、組成等の分
布が一様な成長層が得られ易いので、近時太陽属珪化物
層の形成等に多く用いられるようになって来た。
lN161fc長速fが得られ、且つ厚さ、組成等の分
布が一様な成長層が得られ易いので、近時太陽属珪化物
層の形成等に多く用いられるようになって来た。
(e) 従来技術と問題点
農1図社従来高融点金属珪化物層例えばタングステン・
シリサイド(WSt)層を形成する際に用いていた、被
!A!基板を搭載する電極上に均等に成長ガスvtvL
人する機能を持つプラズマCVD鋏皺を示した4のであ
る。即ち該プラズマCVD装*a、真空排気口lを有す
る金属銅の気管反応客器2内の下部に加熱手R3を具備
し、上面に被麩!1lilk板4を搭載し得る平板状下
部電極5が直かに配設されてお如、又鋏平板状下部電極
5の上部にこれと対向して平板状対向電&6が、気密絶
縁体7を介して気v!1反応客器2の外部に導出され九
電偽支持管8によりて支持配設された構造を有していた
。そして前記電極支持管8と平板状対向電極6の内部と
は連続し丸中空状に形成されておp1平板状対向電極6
の下面に前記中空域に通ずる複数のガス流入孔9が分配
形成されておシ、成長ガス及び中ヤリア・ガス線電極支
持管8、平板状対向電&6の中空域からなるガス通路及
び皺ガス流入孔9を介して気密容器2内の平板状下部電
Iksの上面に均等に注下されるようKなっていた。
シリサイド(WSt)層を形成する際に用いていた、被
!A!基板を搭載する電極上に均等に成長ガスvtvL
人する機能を持つプラズマCVD鋏皺を示した4のであ
る。即ち該プラズマCVD装*a、真空排気口lを有す
る金属銅の気管反応客器2内の下部に加熱手R3を具備
し、上面に被麩!1lilk板4を搭載し得る平板状下
部電極5が直かに配設されてお如、又鋏平板状下部電極
5の上部にこれと対向して平板状対向電&6が、気密絶
縁体7を介して気v!1反応客器2の外部に導出され九
電偽支持管8によりて支持配設された構造を有していた
。そして前記電極支持管8と平板状対向電極6の内部と
は連続し丸中空状に形成されておp1平板状対向電極6
の下面に前記中空域に通ずる複数のガス流入孔9が分配
形成されておシ、成長ガス及び中ヤリア・ガス線電極支
持管8、平板状対向電&6の中空域からなるガス通路及
び皺ガス流入孔9を介して気密容器2内の平板状下部電
Iksの上面に均等に注下されるようKなっていた。
このような従来装置を用いて被処理基板4上に例えばタ
ングステン嗜シリナイド(WSl)層を形成するKIi
しては、前記電極支持管8内のガス通路から、所定量の
〜ノシラン(81Ha)+6弗化タングステン(WF・
)からなる成長ガスとキャリア・ガス例えばアルゴン(
Ar )が、平板状対向電極6の中空域及びガス流入孔
9を介して気密反応容82内に送シ込壕れ、真空排気口
1から所定の真空排気を行って皺容#S2内を0.1−
数(Torr)K保り良状態で平板状下部電極5と平板
状対向電極6関に高周波電力(RF)を印加して、両電
極間にArプンズ−rpを発生させ、該プラズマPによ
cm長ガスを反応せしめてWSi層を被処理基板4上に
成長させしかし上記従来の装置に於ては、成長ガスが通
過する平板状対向電極5及び電極支持管8の中空域に1
電極及び支持管を形成している金属面が直かに表出して
いるために、[中空域内にプラズマP領域が嬌びて米て
、該中空域内で成長ガスが反応し、皺中空域内に4W8
1が生成する。その良め特に断面積の小さい電極支持管
8の中空域内にWSiが堆積してガス流量を変化させ、
遂KFi該中空域が詰まってガスの供給が断たれ、成長
が不可能になるという現象が生ずる0 この現象の丸め、内径4(mm)程度の電極支持管8を
ガス尋人管として用い九従来の装置に於ては、100〜
200(A/優〕程度の比較的低戒長遮緻でWSlを成
長する際でも、安定した成長条件を確保できる時間が5
〔時間〕@度の短時間であった。
ングステン嗜シリナイド(WSl)層を形成するKIi
しては、前記電極支持管8内のガス通路から、所定量の
〜ノシラン(81Ha)+6弗化タングステン(WF・
)からなる成長ガスとキャリア・ガス例えばアルゴン(
Ar )が、平板状対向電極6の中空域及びガス流入孔
9を介して気密反応容82内に送シ込壕れ、真空排気口
1から所定の真空排気を行って皺容#S2内を0.1−
数(Torr)K保り良状態で平板状下部電極5と平板
状対向電極6関に高周波電力(RF)を印加して、両電
極間にArプンズ−rpを発生させ、該プラズマPによ
cm長ガスを反応せしめてWSi層を被処理基板4上に
成長させしかし上記従来の装置に於ては、成長ガスが通
過する平板状対向電極5及び電極支持管8の中空域に1
電極及び支持管を形成している金属面が直かに表出して
いるために、[中空域内にプラズマP領域が嬌びて米て
、該中空域内で成長ガスが反応し、皺中空域内に4W8
1が生成する。その良め特に断面積の小さい電極支持管
8の中空域内にWSiが堆積してガス流量を変化させ、
遂KFi該中空域が詰まってガスの供給が断たれ、成長
が不可能になるという現象が生ずる0 この現象の丸め、内径4(mm)程度の電極支持管8を
ガス尋人管として用い九従来の装置に於ては、100〜
200(A/優〕程度の比較的低戒長遮緻でWSlを成
長する際でも、安定した成長条件を確保できる時間が5
〔時間〕@度の短時間であった。
そして艶に前記ガス通路内に堆積したWSlはその除去
が容器でなく、そのためにに置の休止時間が長引き、作
業効率や処理効率が着しく損われるという間層があった
。
が容器でなく、そのためにに置の休止時間が長引き、作
業効率や処理効率が着しく損われるという間層があった
。
(d) 発明O1!的
本発明の目的は、対向電極面を介して均等に成長ガスを
供給する方式の平行平板証グツズ!気相成−jl装置に
於て成長ガス供給通路内にプラズマが観びるのを防止す
る構造を提供し、上記間層点を除去することKある。
供給する方式の平行平板証グツズ!気相成−jl装置に
於て成長ガス供給通路内にプラズマが観びるのを防止す
る構造を提供し、上記間層点を除去することKある。
(・) 発−の構成
ルち本発明は、プラズマ化学気相成長穀量に於て、被処
理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体から
なシ複数のガス流入孔が前記平板状下部電極に面して配
設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段と、皺
ガス尋人手段に於ける少なくとも平板状ガmνに機い、
且つ骸平板状領域に於ける前記ガス導入手段Oガス流入
孔J郁領域にガス流通孔を有する対向電極とが、真空排
気手段を有する気密反応容器内に配設されてなることを
特番とする。
理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体から
なシ複数のガス流入孔が前記平板状下部電極に面して配
設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段と、皺
ガス尋人手段に於ける少なくとも平板状ガmνに機い、
且つ骸平板状領域に於ける前記ガス導入手段Oガス流入
孔J郁領域にガス流通孔を有する対向電極とが、真空排
気手段を有する気密反応容器内に配設されてなることを
特番とする。
(f) 発@O爽施例
以下本発明を一爽振例について、jIII!!図に示す
装置の壁部11r向図を用いて詳mlK説−する〇本発
明のプラズマ化学気相成長(CVD)装置は例えば#!
2図に示すように、真9.排気口1を鳴する金属製の気
密反応容器z内の下部に、加熱手段3を具備し、上面に
被処理基板4を搭載し得る従来と同様な構造の平板状下
部1!極5が直かに配設される。そして骸平板状下部電
Ik5の上部に、例えば石英等の絶縁体からなシ、内部
が中空で、複数のガス流入孔9′が前記平板状下部電極
5に面して配設され圧平板状ガス流入部10aと、駄平
板状ガス流入910aを支持し、且つ該ガス流入部10
mの中空領域と中空部が接続する支持管10bからなる
ガス導入手段10が配設される。そして骸ガス導入手段
100表面に、アル?=り構成るいはスリ テンレス等の金属からな11ガス導入手段10に於ける
平板状ガス流入部10a上をすガス流入孔9′の下 妻部領域にガス流通孔11を鳴する平板状部12mで機
い、史に例えばガス導入手段10をその支持管10bの
部分まで包み込んで、該ガス導入手段1゜K11l定さ
れた対向電1112が設けられる0なお同図に於て7は
戴置絶縁体、13はガスフットである0 上記実施例に示した本発明の構造を有するグツズ−VC
VD装置、祉対向電極12が、被数のガス流入孔9′が
形成された平板状ガス流入部10mを有する絶縁体から
なるガス導入手段10の外11に、腋ガス導入手段10
を包むように形成されている。
装置の壁部11r向図を用いて詳mlK説−する〇本発
明のプラズマ化学気相成長(CVD)装置は例えば#!
2図に示すように、真9.排気口1を鳴する金属製の気
密反応容器z内の下部に、加熱手段3を具備し、上面に
被処理基板4を搭載し得る従来と同様な構造の平板状下
部1!極5が直かに配設される。そして骸平板状下部電
Ik5の上部に、例えば石英等の絶縁体からなシ、内部
が中空で、複数のガス流入孔9′が前記平板状下部電極
5に面して配設され圧平板状ガス流入部10aと、駄平
板状ガス流入910aを支持し、且つ該ガス流入部10
mの中空領域と中空部が接続する支持管10bからなる
ガス導入手段10が配設される。そして骸ガス導入手段
100表面に、アル?=り構成るいはスリ テンレス等の金属からな11ガス導入手段10に於ける
平板状ガス流入部10a上をすガス流入孔9′の下 妻部領域にガス流通孔11を鳴する平板状部12mで機
い、史に例えばガス導入手段10をその支持管10bの
部分まで包み込んで、該ガス導入手段1゜K11l定さ
れた対向電1112が設けられる0なお同図に於て7は
戴置絶縁体、13はガスフットである0 上記実施例に示した本発明の構造を有するグツズ−VC
VD装置、祉対向電極12が、被数のガス流入孔9′が
形成された平板状ガス流入部10mを有する絶縁体から
なるガス導入手段10の外11に、腋ガス導入手段10
を包むように形成されている。
嘗い換えるとガス流入機能を有する対向電Ikの内面が
絶縁体で#IIi機され九構造を有している。
絶縁体で#IIi機され九構造を有している。
上記実施例O装置を用い、彼処1基板上KWSI層を成
長せしめるKa次のように行う。
長せしめるKa次のように行う。
即ち平板状下部電極5上に被l&通基板4を平置搭載し
、ガス導入手段1Gの支持管10bかも平板状ガス流入
部10m、ガス流入孔9′、及び対内電極111のガス
流通孔11を介して気管反応容IIz内に、IFII、
ttf 10〜30(CC/1))81&、1G(CC
/分〕WFa1100 G (pcZ分)Arの混合ガ
スからなる成長ガスを流入し、所望の臭突排気を行りて
該反応答H@2内を緻(Torr) 8Mlの減圧状態
とする。そして被旭履り&板4を150〜450(℃)
に昇温し良状態で平板状電極Sと対向電極12関k例え
ば1356(MHz ) ・0.1〜0.5 (W/a
+) s度の高周波パワーを印加し、両電極間に通常よ
シ高密度のグツズiP′を発生させ、該プラズマP’に
よp成長ガスの反応を促進せしめて、被処理基板4上に
例えば400〜10 G (A/分〕徊度の高成長適度
でWB2層の成長を行う。(図中、RFは高周波電源、
Gは接地)上記実施例の!!ttK11に′Ca、装置
内への成長ガス及びキャリア・ガスの導入が、対向電極
12の内IIK形成されている絶縁体のガス導入手段に
よってなされておp1ガス通路が対向電極から電気的に
絶縁されている。従って電極間に上記のような高**プ
フズマP′を発生させて為速成長を行う際にも、内径の
小さいガス導入手段100支持管10b内普でプラズマ
P′が嬌びゐことが表く、鋏支持管Rob内でowsi
o成長反応社防止される。
、ガス導入手段1Gの支持管10bかも平板状ガス流入
部10m、ガス流入孔9′、及び対内電極111のガス
流通孔11を介して気管反応容IIz内に、IFII、
ttf 10〜30(CC/1))81&、1G(CC
/分〕WFa1100 G (pcZ分)Arの混合ガ
スからなる成長ガスを流入し、所望の臭突排気を行りて
該反応答H@2内を緻(Torr) 8Mlの減圧状態
とする。そして被旭履り&板4を150〜450(℃)
に昇温し良状態で平板状電極Sと対向電極12関k例え
ば1356(MHz ) ・0.1〜0.5 (W/a
+) s度の高周波パワーを印加し、両電極間に通常よ
シ高密度のグツズiP′を発生させ、該プラズマP’に
よp成長ガスの反応を促進せしめて、被処理基板4上に
例えば400〜10 G (A/分〕徊度の高成長適度
でWB2層の成長を行う。(図中、RFは高周波電源、
Gは接地)上記実施例の!!ttK11に′Ca、装置
内への成長ガス及びキャリア・ガスの導入が、対向電極
12の内IIK形成されている絶縁体のガス導入手段に
よってなされておp1ガス通路が対向電極から電気的に
絶縁されている。従って電極間に上記のような高**プ
フズマP′を発生させて為速成長を行う際にも、内径の
小さいガス導入手段100支持管10b内普でプラズマ
P′が嬌びゐことが表く、鋏支持管Rob内でowsi
o成長反応社防止される。
(ロ)発明の効果
以上II!ML九ように本発明のプラズマCVD輌置に
於て祉ガス供給通路内にプラズマが形成されるのが防止
される。従ってガス供給通路内に反応生成物が描積する
ことが防止されゐので、ガス供給量が安定し、長時間に
わ九つ 安定した化学気相成長を行うことができる0又
電極関Klにam度プツズマを発生させて成長へ応を促
進することも可能に1にるので、従来に比べ4〜5〔倍
〕1!度の高成長速度が得られるC なお本発明のプラズマCVD錬11社、上記実施例ニ示
したタングステン・シリサイド層以外の層を気相成長さ
せる際にも有効である。
於て祉ガス供給通路内にプラズマが形成されるのが防止
される。従ってガス供給通路内に反応生成物が描積する
ことが防止されゐので、ガス供給量が安定し、長時間に
わ九つ 安定した化学気相成長を行うことができる0又
電極関Klにam度プツズマを発生させて成長へ応を促
進することも可能に1にるので、従来に比べ4〜5〔倍
〕1!度の高成長速度が得られるC なお本発明のプラズマCVD錬11社、上記実施例ニ示
したタングステン・シリサイド層以外の層を気相成長さ
せる際にも有効である。
第11JFi従来のプラズマ化学気相成長装置の資部断
面図で、第2図線本発明の一実施例に於ける簀S断Wl
1図である。 図に於て、1は真空排気口、2は気管反応!!器、3社
加熱手段、4は被処理基板、5Fi平板平板部下極、9
′線ガス流入孔、10拡ガス尋人手段、10mは平板状
ガス流入部、10bは支持管、11はガス流通孔、12
は対向電極、12aU対肉電極の平板状部 PZU高密
度プラズマ、RFは高周波電源、Gは接地を示す。 1
面図で、第2図線本発明の一実施例に於ける簀S断Wl
1図である。 図に於て、1は真空排気口、2は気管反応!!器、3社
加熱手段、4は被処理基板、5Fi平板平板部下極、9
′線ガス流入孔、10拡ガス尋人手段、10mは平板状
ガス流入部、10bは支持管、11はガス流通孔、12
は対向電極、12aU対肉電極の平板状部 PZU高密
度プラズマ、RFは高周波電源、Gは接地を示す。 1
Claims (1)
- 被処理基板が平置搭載される平板状下部電極と、絶縁体
からな〕複数のガス流入孔が前記平板状下部電4kK函
して配設された平板状ガス流入部を有するガス導入手段
と、峡ガス導入手段に於ける少なくとも平板状カス流入
部上を平板状に扱い、且つ該平板状領域に於ける前記ガ
ス導入手段のガス流入孔J郁領域にガス流通孔を有する
対向電極とが、真空排気手段を有する気密反応容鯵内忙
配設されてなることを特徴とするプラズマ化学気相成長
級置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4680582A JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4680582A JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58163432A true JPS58163432A (ja) | 1983-09-28 |
JPS6151629B2 JPS6151629B2 (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=12757541
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4680582A Granted JPS58163432A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | プラズマ化学気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58163432A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62157970U (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | ||
JPS62157969U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-07 | ||
JPS62294437A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Kuraray Co Ltd | シ−ト状物のプラズマ処理装置 |
JPS6350878U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-06 | ||
JP2006100305A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asm Japan Kk | プラズマ処理装置 |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4680582A patent/JPS58163432A/ja active Granted
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62157969U (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-07 | ||
JPH0527493Y2 (ja) * | 1986-03-25 | 1993-07-13 | ||
JPS62157970U (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-07 | ||
JPH0527494Y2 (ja) * | 1986-03-28 | 1993-07-13 | ||
JPS62294437A (ja) * | 1986-06-11 | 1987-12-21 | Kuraray Co Ltd | シ−ト状物のプラズマ処理装置 |
JPH0527455B2 (ja) * | 1986-06-11 | 1993-04-21 | Kuraray Co | |
JPS6350878U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-06 | ||
JPH0336520Y2 (ja) * | 1986-09-22 | 1991-08-02 | ||
JP2006100305A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Asm Japan Kk | プラズマ処理装置 |
JP4572100B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2010-10-27 | 日本エー・エス・エム株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6151629B2 (ja) | 1986-11-10 |
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