JPS58162832A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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- JPS58162832A JPS58162832A JP4608482A JP4608482A JPS58162832A JP S58162832 A JPS58162832 A JP S58162832A JP 4608482 A JP4608482 A JP 4608482A JP 4608482 A JP4608482 A JP 4608482A JP S58162832 A JPS58162832 A JP S58162832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- type semiconductor
- hole
- optical axis
- receiving surface
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B3/00—Focusing arrangements of general interest for cameras, projectors or printers
- G03B3/10—Power-operated focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明け、受光面に合焦検出用の透過窓を有し、透過宮
部の側部を蔽光部材又−Ｆｉ該遺光部材と同勢の機能を
有する部材を配設することＫより、暗電流成分管束くし
て合焦検出を精度よく行い得る光センサに＠するもので
ある。
部の側部を蔽光部材又−Ｆｉ該遺光部材と同勢の機能を
有する部材を配設することＫより、暗電流成分管束くし
て合焦検出を精度よく行い得る光センサに＠するもので
ある。
一般に１内視鏡、カメラ、テレビカメフ豐ＬＪ光学観察
装蕾及び光学撮影装置においては、被写体を鮮明に撮影
Ｃｌ１Ｎ察も含めて用いている。）できるように、任意
の被写体距離に対し、装置の撮影用あるいは結儂用光学
系の結儂位置がフィルム面勢の結像面に鮮明に＊儂して
いる合焦状ｉｌＫあるか否かを検出できる合焦検出手段
が広く設けらねている。
装蕾及び光学撮影装置においては、被写体を鮮明に撮影
Ｃｌ１Ｎ察も含めて用いている。）できるように、任意
の被写体距離に対し、装置の撮影用あるいは結儂用光学
系の結儂位置がフィルム面勢の結像面に鮮明に＊儂して
いる合焦状ｉｌＫあるか否かを検出できる合焦検出手段
が広く設けらねている。
従来の合焦検出手段は、被写体が暗い場合ある帖は暗い
撮影光学系ｆｒ使用する場合においてけ、一般に受光素
子による検出出力が小さくなり、焦点検出が殆んど不可
能〆なる場合がある。
撮影光学系ｆｒ使用する場合においてけ、一般に受光素
子による検出出力が小さくなり、焦点検出が殆んど不可
能〆なる場合がある。
このため、特公昭４９−１９８１０号公報に開示されて
いるように、一定形状のビームを被写体に向けて照射す
る手段を設けたものがあるが、照射手段を撮影レンズ系
とは独立した光学系を使用しているため、一つの光路で
撮影を行なわなければならない内視鏡等Ｋｔｄ応用し亀
い。
いるように、一定形状のビームを被写体に向けて照射す
る手段を設けたものがあるが、照射手段を撮影レンズ系
とは独立した光学系を使用しているため、一つの光路で
撮影を行なわなければならない内視鏡等Ｋｔｄ応用し亀
い。
又％８１８５６−１２８９２３号公報に開示されている
ようにスプリットプリズム管使用する手段においては、
一定レベル以上の精度を必蚤とする場合Ｋｌｆｉ、前記
受光素子を多数配設すると共に、それらの出力信号を比
較して合焦か否か門検出する回路系が１１！緒となり、
％に生産数の少ない製品においては、高価となるという
問題がある。
ようにスプリットプリズム管使用する手段においては、
一定レベル以上の精度を必蚤とする場合Ｋｌｆｉ、前記
受光素子を多数配設すると共に、それらの出力信号を比
較して合焦か否か門検出する回路系が１１！緒となり、
％に生産数の少ない製品においては、高価となるという
問題がある。
さらに％開１ｉ８５６−１２５７１３号公報Ｋｆｊ１４
示されているように１光源を点滅して被写体に投光し、
消灯区間における出方信号を点灯区間における出力信号
から差・し引くことにより、上記光源以外の外光の影響
を軽減し、被写体が暗い場合、及び暗い撮影光学系の場
合においても、合焦か否かを検出できる合焦検出装置が
あるが、構威が複雑となるため、との装置を設けたａｔ
が高価になるという問題がある。
示されているように１光源を点滅して被写体に投光し、
消灯区間における出方信号を点灯区間における出力信号
から差・し引くことにより、上記光源以外の外光の影響
を軽減し、被写体が暗い場合、及び暗い撮影光学系の場
合においても、合焦か否かを検出できる合焦検出装置が
あるが、構威が複雑となるため、との装置を設けたａｔ
が高価になるという問題がある。
本発明は上述した点に鑑みてなされたもので、任意の距
離にある被写体からの光を撮影光学系を経てフィルム面
等の結像面と共役となる位置近傍に配設される合焦検出
用の光センサにおいて、被写体＠に投光される合焦検出
用の開口部の儒ＩＩＫ遍光部材會配設したり、開口部に
嵌入さする透明部材の置部！！−に屈折率の小さいクラ
ッド層あるいは達光膜を形成したり、開口部の投光用光
源伸周端に連光部材を内１１４に突出するよう般社るこ
とにより、投光用の光源の光が直接受光面に入射しない
ようにしたり、合焦状ｓＫおける光が開口部＠部から受
光面に漏れないようにして暗電流酸分を少くし、合焦検
出を精度良く行い得る光センサを提供すること全目的と
する。
離にある被写体からの光を撮影光学系を経てフィルム面
等の結像面と共役となる位置近傍に配設される合焦検出
用の光センサにおいて、被写体＠に投光される合焦検出
用の開口部の儒ＩＩＫ遍光部材會配設したり、開口部に
嵌入さする透明部材の置部！！−に屈折率の小さいクラ
ッド層あるいは達光膜を形成したり、開口部の投光用光
源伸周端に連光部材を内１１４に突出するよう般社るこ
とにより、投光用の光源の光が直接受光面に入射しない
ようにしたり、合焦状ｓＫおける光が開口部＠部から受
光面に漏れないようにして暗電流酸分を少くし、合焦検
出を精度良く行い得る光センサを提供すること全目的と
する。
以下図ｆＴｉを参照して本発明全具体的に説明する。
！１図及び第２図は本発明の第１実施例に係り、第１図
は第１実施例を示し、第２図はレンズの位置に対して第
１実施例の出方特性を示す特性図である。
は第１実施例を示し、第２図はレンズの位置に対して第
１実施例の出方特性を示す特性図である。
第１図において撮影用又は結像用のレンズ１＃ｉ被写体
２を（図示しない フィルム−面等所定の結像面に結像
するよう構成されており、上記所定の結像面と共役とな
る光軸３上の位置４に＃ｉｍｌ実論例の光センサ５が配
設されてぃゐ。
２を（図示しない フィルム−面等所定の結像面に結像
するよう構成されており、上記所定の結像面と共役とな
る光軸３上の位置４に＃ｉｍｌ実論例の光センサ５が配
設されてぃゐ。
上記光センサ５は前面がＰ形半導体６とされ、円盤状の
Ｐ形半導体６の裏面側及び側周を覆６ようＫＮ形半導体
７￥ｒ接合してＰＮ接合面に光が照射されると、その照
射された光量に応じて光電流が流れる受光面が形成され
（図示してないが、通常ＰＮ接合面にはＰ形半導体６１
１が負となるように抵抗を介して逆バイアスされ、該抵
抗両端が出力端とされたり、抵抗を流れる電流値を検出
あるいけ増幅して出方電流とされたりする。）、さらＫ
Ｎ形半導体７の裏面は連光を兼ねる金属等を用いた基板
８に接着剤等て取）付けられている。
Ｐ形半導体６の裏面側及び側周を覆６ようＫＮ形半導体
７￥ｒ接合してＰＮ接合面に光が照射されると、その照
射された光量に応じて光電流が流れる受光面が形成され
（図示してないが、通常ＰＮ接合面にはＰ形半導体６１
１が負となるように抵抗を介して逆バイアスされ、該抵
抗両端が出力端とされたり、抵抗を流れる電流値を検出
あるいけ増幅して出方電流とされたりする。）、さらＫ
Ｎ形半導体７の裏面は連光を兼ねる金属等を用いた基板
８に接着剤等て取）付けられている。
上記ＰＮ接合面の中央を通り、その裏面側〇基板８を買
ぬ〈透孔９には、例えば０ 、ｌ ［騙３以下の薄肉で
遮光性のパイプ１０が嵌装され、該パイプ１ＯＫＦｉ透
明なガラス棒１１＃嵌入されている。上記パイプ１０に
よって透孔９の側部側から光が受光面に漏れるのが防止
されている。
ぬ〈透孔９には、例えば０ 、ｌ ［騙３以下の薄肉で
遮光性のパイプ１０が嵌装され、該パイプ１ＯＫＦｉ透
明なガラス棒１１＃嵌入されている。上記パイプ１０に
よって透孔９の側部側から光が受光面に漏れるのが防止
されている。
、上記パイプ１０は、透孔９細部ＫＰ形半導体−及びＮ
形半導体７が露呈する場合にはＰＮ接合面と短絡しない
絶縁性部材で形成された郵、絶縁性部材を外周ｍＫＩ！
！布あるいはコーティングした導電性部材で形成される
。一方、透孔９俳部ＫＮ形半導体７層Ｃ又はＰＭ導体６
層）のみの場合には導電性部材を用いることができる（
これは他の実施例についても同様である。）このように
構威さｔまた光センサ５は、合焦検出に使用される場合
上記ガラス棒１１の中心軸が光軸３上に位置し、上記Ｐ
Ｎ接合面の（光軸３上における）位置が結像面と一共役
となる位置４となるよう配設され、上記ガラス棒１１後
方の光ｌＩａ上に合焦検出用に被写体２＠に投光される
光源１２が配設される。
形半導体７が露呈する場合にはＰＮ接合面と短絡しない
絶縁性部材で形成された郵、絶縁性部材を外周ｍＫＩ！
！布あるいはコーティングした導電性部材で形成される
。一方、透孔９俳部ＫＮ形半導体７層Ｃ又はＰＭ導体６
層）のみの場合には導電性部材を用いることができる（
これは他の実施例についても同様である。）このように
構威さｔまた光センサ５は、合焦検出に使用される場合
上記ガラス棒１１の中心軸が光軸３上に位置し、上記Ｐ
Ｎ接合面の（光軸３上における）位置が結像面と一共役
となる位置４となるよう配設され、上記ガラス棒１１後
方の光ｌＩａ上に合焦検出用に被写体２＠に投光される
光源１２が配設される。
上記第１実珈例の動作は次のように邊る。
光６１１２の光は第１実施例の光センサ５の透孔９に嵌
装されたパイプ１０にさらに嵌装されたガラス棒１１を
通り、ガラス棒１１前面カラ撮影用レンズ１を経て罰方
の被写体２＠に投光される。被写体２に投光された光は
、その一部が該被写体２で反射されて再びレンズ１を経
て光センサ５＠に戻る。この場合被写体２に対してレン
ズｌが合焦状態又は合焦位置にあれば、上記の反射光の
結像位置は細い実線で示すように所定の結像面と”共役
な位置４となるので、ＰＮｍ合で形成された受光面には
光が届かず、光センサ５のＰ形半導体６及びＮ形半導値
７間には殆んど電流が流れず殆んど零である。
装されたパイプ１０にさらに嵌装されたガラス棒１１を
通り、ガラス棒１１前面カラ撮影用レンズ１を経て罰方
の被写体２＠に投光される。被写体２に投光された光は
、その一部が該被写体２で反射されて再びレンズ１を経
て光センサ５＠に戻る。この場合被写体２に対してレン
ズｌが合焦状態又は合焦位置にあれば、上記の反射光の
結像位置は細い実線で示すように所定の結像面と”共役
な位置４となるので、ＰＮｍ合で形成された受光面には
光が届かず、光センサ５のＰ形半導体６及びＮ形半導値
７間には殆んど電流が流れず殆んど零である。
一方、上記被写体２に対し、例えばレンズｌが符号１′
で示すように合焦位置から前方にずれている場合ＷＣｄ
、着写体２で反射された光は受光面より前方の位置です
でに収束点となり、その後拡開するので受光面に光が達
することになる。従って、光センサ５のＰ形半導体６層
及びＮ形半導体７関には上記受光面に入射された光量に
応じた光電流が流れることになる。
で示すように合焦位置から前方にずれている場合ＷＣｄ
、着写体２で反射された光は受光面より前方の位置です
でに収束点となり、その後拡開するので受光面に光が達
することになる。従って、光センサ５のＰ形半導体６層
及びＮ形半導体７関には上記受光面に入射された光量に
応じた光電流が流れることになる。
上記とは逆にレンズ１が合焦位置から彼方にずれた場合
ＫＦｉ、集光する位置は受光面より彼方位置とな為ので
、この場合にも受光面に光が届き、その光量に応じた光
電流が流れることになる。
ＫＦｉ、集光する位置は受光面より彼方位置とな為ので
、この場合にも受光面に光が届き、その光量に応じた光
電流が流れることになる。
従って、第２図に示すように合焦位置Ｘ。の時、光セン
サ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小（４ｉｉ小）の
光電流Ｉｏとなり、この合焦状態からずれると、例えば
第１図のレンズ１′の位置Ｘ′においてはその時の光電
流■′で示すように受光面を照らす光１ｉｌｙ応じた（
暗電流Ｉｏより大きい）光電流が流することＫなる。
サ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小（４ｉｉ小）の
光電流Ｉｏとなり、この合焦状態からずれると、例えば
第１図のレンズ１′の位置Ｘ′においてはその時の光電
流■′で示すように受光面を照らす光１ｉｌｙ応じた（
暗電流Ｉｏより大きい）光電流が流することＫなる。
上記第１笑施例においては、投光される場合透孔９の＠
部Ｊ１１ｉｉｌｉを覆うように遮光性のパイプｌＯが嵌
装されているので、光源１２による光が被写体２ Ｉｌ
ｌ Ｋ投光される以前に直接ＰＮ接合面に入射されるこ
とは殆んど完全に防止されるので、上記パイプ１Ｇが設
けられてない場合に比べ大幅に改善されて第２図に示す
ように暗電流Ｉｏの値は殆んど零となる。従って出力電
流のレベルから合焦か否かの検出が容易に−する。
部Ｊ１１ｉｉｌｉを覆うように遮光性のパイプｌＯが嵌
装されているので、光源１２による光が被写体２ Ｉｌ
ｌ Ｋ投光される以前に直接ＰＮ接合面に入射されるこ
とは殆んど完全に防止されるので、上記パイプ１Ｇが設
けられてない場合に比べ大幅に改善されて第２図に示す
ように暗電流Ｉｏの値は殆んど零となる。従って出力電
流のレベルから合焦か否かの検出が容易に−する。
尚、上記艙１実施例において、ガラス棒１１又は透明な
棒部材を設けない場合においても略同様に＠能すること
になる。又、Ｐ形半導体６とＮ形半導体７とを入れかえ
て形成しても良い（この場合には前記とは逆極性にバイ
アスする）。
棒部材を設けない場合においても略同様に＠能すること
になる。又、Ｐ形半導体６とＮ形半導体７とを入れかえ
て形成しても良い（この場合には前記とは逆極性にバイ
アスする）。
第３図は第２実施例を示す。
同図においては、光センサ２１は上記第１実施例と同様
に％Ｐ形半導体６と、該Ｐ形半導体−の裏面及びその側
周を覆うようＫＮ形半導体７が接合されて受光面が形成
され、中央部Ｋｉｄ透孔９が形成されている。
に％Ｐ形半導体６と、該Ｐ形半導体−の裏面及びその側
周を覆うようＫＮ形半導体７が接合されて受光面が形成
され、中央部Ｋｉｄ透孔９が形成されている。
との実施例においては上記Ｎ形半導体７の裏面及び透孔
９の１ｌｌｌ ｇ Ｋ ｕそれぞれ遮光性の金属を蒸着
した金属膜２２．２３がコーティングして取如付けてあ
り、光＋１１２の光が直Ｉ！Ｎ形半導体７を経て受光面
に届くのを遣ぎつ九如、透孔９儒−を経て受光面に漏れ
るのを遣ぎるようＫしである。上記金属膜２２．２３と
同様に連光する物質、例えば塗料を塗布しても良い。こ
の実施例においては第１図に示す場合とＪｌ、透孔会側
周向にはＮ形半導体７層のみが露呈し″ている。
９の１ｌｌｌ ｇ Ｋ ｕそれぞれ遮光性の金属を蒸着
した金属膜２２．２３がコーティングして取如付けてあ
り、光＋１１２の光が直Ｉ！Ｎ形半導体７を経て受光面
に届くのを遣ぎつ九如、透孔９儒−を経て受光面に漏れ
るのを遣ぎるようＫしである。上記金属膜２２．２３と
同様に連光する物質、例えば塗料を塗布しても良い。こ
の実施例においては第１図に示す場合とＪｌ、透孔会側
周向にはＮ形半導体７層のみが露呈し″ている。
この第２実施例の動作は、上記第１実施例と略同様であ
る。
る。
第４図は第３実施例を示す。
同図において、第３実施例の光センナ３１け、第１図に
示す第１実Ｍ、 ｆＩ Ｋおける透孔９に薄肉のパイプ
１０をｉＦＬ装し力いで、ガラス棒１１の１１１１部の
表ｆｆＪＫ金属蒸着膜３２をコーティングしたガラス棒
（符号３３で示す。）を嵌装して形成しである（但［７
図示においては透孔９側周面Ｋ ｕ Ｎ形半導体７層が
露呈するようＫしである）。
示す第１実Ｍ、 ｆＩ Ｋおける透孔９に薄肉のパイプ
１０をｉＦＬ装し力いで、ガラス棒１１の１１１１部の
表ｆｆＪＫ金属蒸着膜３２をコーティングしたガラス棒
（符号３３で示す。）を嵌装して形成しである（但［７
図示においては透孔９側周面Ｋ ｕ Ｎ形半導体７層が
露呈するようＫしである）。
この場合においても上記金属蒸着膜３２によって直接光
源１２の光か受光面に漏れきいようＫされている。
源１２の光か受光面に漏れきいようＫされている。
尚、上記第３実施例において、金属蒸着膜ｓ２を設けな
いで、ガラス棒１１を屈折率の大きい物質を用いて形成
し、その側部型面側を屈折率の小さいクラッド層を形成
することにより、光源１２からガラス棒１１を経て被写
体２＠に投光される際、ガラス棒１１＠壁を、経て受光
面側に漏りないようＫすることもできる。
いで、ガラス棒１１を屈折率の大きい物質を用いて形成
し、その側部型面側を屈折率の小さいクラッド層を形成
することにより、光源１２からガラス棒１１を経て被写
体２＠に投光される際、ガラス棒１１＠壁を、経て受光
面側に漏りないようＫすることもできる。
上記第３実施例の機能は第１実施例と同様である。
第Ｓ図＆！第４実施例を示す。
岡ｌ１ＩＫ示すように１第４実施例の光センナ−１は、
ＰＮ接合釦の中央に形成された透孔９の直１１４２よシ
、Ｎ形半導体７の裏面に設けられえ蔽光板８における透
孔の直径４３の方が小さく表るよう形成されてお如、透
孔９よシ内＠に突出する突縁部に↓って、光源１２から
透孔９を通過するようにして被写体２１／ＵＫ投光され
る光束の範囲αが規制され、Ｎ知受光面側＃ＩＣ漏れな
いようにされている。
ＰＮ接合釦の中央に形成された透孔９の直１１４２よシ
、Ｎ形半導体７の裏面に設けられえ蔽光板８における透
孔の直径４３の方が小さく表るよう形成されてお如、透
孔９よシ内＠に突出する突縁部に↓って、光源１２から
透孔９を通過するようにして被写体２１／ＵＫ投光され
る光束の範囲αが規制され、Ｎ知受光面側＃ＩＣ漏れな
いようにされている。
上記の場合光源１２かもの光を平行な光束が形成される
ように１遣光板８０１ｋｋＫコンデンナレンズ４４を配
設すれば、上記突縁部を内側に突出させる部分を少くで
きる。
ように１遣光板８０１ｋｋＫコンデンナレンズ４４を配
設すれば、上記突縁部を内側に突出させる部分を少くで
きる。
上記第４実施例の機能も第１実施例と同様のものとなる
。
。
尚、上述における各実施例において、受光面に形成した
透孔９を通り、被写体２＠に投光さ九る際、パイプ１０
．金属膜２３．金属蒸着膜３２、クラッド層によって、
光源１２の光が直接受光面＠に漏れるのが防止されるこ
とになる七共に１合焦状態又はこれに充分近い伏動で合
焦とみなす必要があゐ場合において、所定の結會面と共
役な位置４に収束された光かその位置４よりＶ方に拡開
する場合、透孔９の＠１１修かも受光面に漏れるのを防
止する機能をも有するよう構成されている。
透孔９を通り、被写体２＠に投光さ九る際、パイプ１０
．金属膜２３．金属蒸着膜３２、クラッド層によって、
光源１２の光が直接受光面＠に漏れるのが防止されるこ
とになる七共に１合焦状態又はこれに充分近い伏動で合
焦とみなす必要があゐ場合において、所定の結會面と共
役な位置４に収束された光かその位置４よりＶ方に拡開
する場合、透孔９の＠１１修かも受光面に漏れるのを防
止する機能をも有するよう構成されている。
上記後者における漏れは、無視できる場合もあるが、第
５関に示す＃４実施例において必要となる場合には、透
孔９ＩｌｌｌＩＩＫ上述したような連光性のパイプを嵌
装したり、蒸着膜を形成すｔは良い。又け、透孔９の径
を後方に拡開する逃は部を形成しても良い。
５関に示す＃４実施例において必要となる場合には、透
孔９ＩｌｌｌＩＩＫ上述したような連光性のパイプを嵌
装したり、蒸着膜を形成すｔは良い。又け、透孔９の径
を後方に拡開する逃は部を形成しても良い。
尚、上述における各実施例において、透孔９の形状は円
又は円状に限定されるもので危く、角形その他の小孔と
かスリット状の開口部でも良い１、該開口部を投光さす
る光を通す透明部材で覆った透過窓でも良い。
又は円状に限定されるもので危く、角形その他の小孔と
かスリット状の開口部でも良い１、該開口部を投光さす
る光を通す透明部材で覆った透過窓でも良い。
上記合焦検出に使用される光源１２はランプ。
ＬＩＤ等可視領域の光を用いても良いし、赤外領域の光
ＩＩ＃を用いても良い。
ＩＩ＃を用いても良い。
一方、被写体２が明るい場合において、光源１２から投
光せず、周囲の外光によって被写体２１１１から入射さ
れる光によって合焦か否かを検出する場合においても、
透孔９勢の透過窓部の側部を遮光部材で覆うようにしで
あるので、合焦の時その光が透過窓部の鉤部から受光＠
に漏れるのを防止して、暗電流を少くしであるので本発
明は投光する場合はもとより、投光しない場合において
も合焦検出を精度よく行゛う際有効に＠能することにな
る。
光せず、周囲の外光によって被写体２１１１から入射さ
れる光によって合焦か否かを検出する場合においても、
透孔９勢の透過窓部の側部を遮光部材で覆うようにしで
あるので、合焦の時その光が透過窓部の鉤部から受光＠
に漏れるのを防止して、暗電流を少くしであるので本発
明は投光する場合はもとより、投光しない場合において
も合焦検出を精度よく行゛う際有効に＠能することにな
る。
尚、上述の各実施例における受光面は、ＰＮ接合ｉＩＫ
↓りて形成しであるが、ＰＮ接合面にさらに半導体部を
形成して増幅作用を有するフォトトランジスタ構造とす
ることもできるし、ＣｄＢ、ＣｄＢａ 等光によって抵
抗値が異るものでも良い。
↓りて形成しであるが、ＰＮ接合面にさらに半導体部を
形成して増幅作用を有するフォトトランジスタ構造とす
ることもできるし、ＣｄＢ、ＣｄＢａ 等光によって抵
抗値が異るものでも良い。
以上述べたように本発ｔｊｉ４においては合焦検出のた
め透過窓を経て被写体側に投光される光が、透過窓を通
過する際、透過窓側壁から受光面麹に漏れないようにパ
イプ、金１１ｉｂＭ、金属蒸着膜勢の遮光部材とか該遮
光部材と同等の機能を有するクラッド層あるいは遮光＠
に設けた突縁部等が形成しであるので、暗電流を少くす
ることができ、合焦検出を精度よく行い得ることができ
る。
め透過窓を経て被写体側に投光される光が、透過窓を通
過する際、透過窓側壁から受光面麹に漏れないようにパ
イプ、金１１ｉｂＭ、金属蒸着膜勢の遮光部材とか該遮
光部材と同等の機能を有するクラッド層あるいは遮光＠
に設けた突縁部等が形成しであるので、暗電流を少くす
ることができ、合焦検出を精度よく行い得ることができ
る。
第１図及び第２図１本発明の第１実施例に優り、＆１図
は第１実ｍ例を示す説明図、第２図は第１実施例におけ
るレンズ１の位置に対する出力特性を示す特性図、第３
図は第２実施例を示すト明図、第４図は第３実施例を示
す説明図、第５図は第４実施例を示す説明図である。 ｌ・・・レンズ、 ２・・−被写体、 ３・・・光軸、
５．２１，３１．４１・・・光センサ、 ６，７・・
・半導体、 ８・・・透光板、 ９・・・透孔、 １
０・・・パイプ、 ＩＩ、３３・・・ガフス棒、
１２・・・光源、２２．２３・・・金属膜、 ３２・・
・金属蒸着膜。 第２図 第４図 η 第５図 。 ？ 第１頁の続き ２号才リンパス光学工業株式会 社内 の発 明 者 高橋進 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 中村川明 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 石川明文 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内
は第１実ｍ例を示す説明図、第２図は第１実施例におけ
るレンズ１の位置に対する出力特性を示す特性図、第３
図は第２実施例を示すト明図、第４図は第３実施例を示
す説明図、第５図は第４実施例を示す説明図である。 ｌ・・・レンズ、 ２・・−被写体、 ３・・・光軸、
５．２１，３１．４１・・・光センサ、 ６，７・・
・半導体、 ８・・・透光板、 ９・・・透孔、 １
０・・・パイプ、 ＩＩ、３３・・・ガフス棒、
１２・・・光源、２２．２３・・・金属膜、 ３２・・
・金属蒸着膜。 第２図 第４図 η 第５図 。 ？ 第１頁の続き ２号才リンパス光学工業株式会 社内 の発 明 者 高橋進 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 中村川明 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 石川明文 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内
Claims (1)
- 撮影用又は結儂用レンズによって、被写体の光学曽が所
定の結像面に鮮明に＊ｆｌＮされるか否かを、被写体−
から透過窓部を設けた受光面に達する光量によって検出
する場合に用いられる光センナにおいて、前記透過連部
の側部に蔽光部材、又は透過窓部内に嵌挿される透明部
材の儒部表面側を中央部側より屈折率の小さいクラッド
層、又は透過窓部の端部に内＠に突出する央縁部を形成
することにより、暗電流の軽減を可能にすることを特徴
とする光センサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608482A JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
| US06/475,292 US4556787A (en) | 1982-03-23 | 1983-03-14 | Photosensor for optical observing or photographing devices |
| EP83301507A EP0089822B1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
| DE8383301507T DE3361379D1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
| AT83301507T ATE16858T1 (de) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Einrichtung zur scharfstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608482A JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162832A true JPS58162832A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH057687B2 JPH057687B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12737116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608482A Granted JPS58162832A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782839A (ja) * | 1993-07-17 | 1995-03-28 | Takubo Kogyosho:Kk | 管 柱 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS472144U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-24 | ||
| JPS50147342A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS5286345A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-18 | Yamakawa Denshi Kk | Projector and light receiver |
| JPS5298545A (en) * | 1976-02-10 | 1977-08-18 | Monsanto Co | Organic vapor detector and method of detecting same vapor |
| JPS542104A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Face run-out detector of rotating bodies |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4608482A patent/JPS58162832A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS472144U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-24 | ||
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| JPS5286345A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-18 | Yamakawa Denshi Kk | Projector and light receiver |
| JPS5298545A (en) * | 1976-02-10 | 1977-08-18 | Monsanto Co | Organic vapor detector and method of detecting same vapor |
| JPS542104A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Face run-out detector of rotating bodies |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782839A (ja) * | 1993-07-17 | 1995-03-28 | Takubo Kogyosho:Kk | 管 柱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057687B2 (ja) | 1993-01-29 |
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