JPS58162833A - 光センサ - Google Patents
光センサInfo
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- JPS58162833A JPS58162833A JP4608582A JP4608582A JPS58162833A JP S58162833 A JPS58162833 A JP S58162833A JP 4608582 A JP4608582 A JP 4608582A JP 4608582 A JP4608582 A JP 4608582A JP S58162833 A JPS58162833 A JP S58162833A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
- G01J1/0448—Adjustable, e.g. focussing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0204—Compact construction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮影用又は結像用レンズが被写体を所定の結像
面に鮮明に結像する合焦状態にあるか否かを精度良く検
出し得る光センサに関するものである。
面に鮮明に結像する合焦状態にあるか否かを精度良く検
出し得る光センサに関するものである。
一般に、カメラ、テレビカメラあるいは内視鏡等の光学
機器を用いて、被写体あるいは被検体を光学的に鮮明に
ｌｉＩｗ！あるいは撮影する場合、結像（側ルンズ系を
調節して合焦位置に設定しなければならないことがしば
しばある。この場合結像レンズ系が合焦位置にあるか否
か、つまり被写体が結像面に鮮明に結像されているか否
かを検出する手段として、充電変換機能を有する光セン
サが広く用いられている。
機器を用いて、被写体あるいは被検体を光学的に鮮明に
ｌｉＩｗ！あるいは撮影する場合、結像（側ルンズ系を
調節して合焦位置に設定しなければならないことがしば
しばある。この場合結像レンズ系が合焦位置にあるか否
か、つまり被写体が結像面に鮮明に結像されているか否
かを検出する手段として、充電変換機能を有する光セン
サが広く用いられている。
例えば、特開昭５６−１２８９２３号公報に開示されて
いるようにスプリットプリズムを使用する手段において
は、少なくとも上下台２個以上の微小な光センサを必要
とし、一定レベル以上の精度を必要とする場合には、前
記光センサを多数配設すると共に、それらの出力信号を
比較して合焦点であるか否かを検出する回路系が複雑と
なり、特に生産数の少ない製品においては、高価となる
という内題がある。
いるようにスプリットプリズムを使用する手段において
は、少なくとも上下台２個以上の微小な光センサを必要
とし、一定レベル以上の精度を必要とする場合には、前
記光センサを多数配設すると共に、それらの出力信号を
比較して合焦点であるか否かを検出する回路系が複雑と
なり、特に生産数の少ない製品においては、高価となる
という内題がある。
さらに特開昭５６−１２５７１３号公報に開示されてい
るように、光源を点滅して被写体に投光し、１Ｊ区闇に
おける出力信号を点灯区間における出力信号から差し引
くことにより、上記光ＩＩ以外の外光の影響を軽減し、
被写体が暗い場合、及び暗い撮影光学系の場合において
も、合焦か否かを検出できる合焦検出装置があるが、構
成が複雑となるため、このｇｌ置を設けた装置が高価に
なるという問題かある。
るように、光源を点滅して被写体に投光し、１Ｊ区闇に
おける出力信号を点灯区間における出力信号から差し引
くことにより、上記光ＩＩ以外の外光の影響を軽減し、
被写体が暗い場合、及び暗い撮影光学系の場合において
も、合焦か否かを検出できる合焦検出装置があるが、構
成が複雑となるため、このｇｌ置を設けた装置が高価に
なるという問題かある。
本発明は上述した点にかんがみてなされたもので、被写
体側に投光する開口部を受光面に形成した光センサにお
いて、開口部に発光部を該発光部の前端が受光面と略等
しくするか若しくは突出させるように配設したり、発光
部を開口部の前端より後方に埋設する場合には開口部側
壁に遮光部材を配設することにより、暗電流成分を少な
くして合焦状態を精度良く検出し得る光センサを提供す
ることを目的とする。
体側に投光する開口部を受光面に形成した光センサにお
いて、開口部に発光部を該発光部の前端が受光面と略等
しくするか若しくは突出させるように配設したり、発光
部を開口部の前端より後方に埋設する場合には開口部側
壁に遮光部材を配設することにより、暗電流成分を少な
くして合焦状態を精度良く検出し得る光センサを提供す
ることを目的とする。
以下、本発明を具体的に説明する。
第１図は本発明の第１寅施例を示す。同図において、撮
影用又は結像用のレンズ１は被写体２を図示しないフィ
ルム面等所定のく位置の）結像面←結像するよう構成さ
れており、上記所定の結像面と共役となる光軸３上の位
置４には第１実施例の光センサ５が配設されている。
影用又は結像用のレンズ１は被写体２を図示しないフィ
ルム面等所定のく位置の）結像面←結像するよう構成さ
れており、上記所定の結像面と共役となる光軸３上の位
置４には第１実施例の光センサ５が配設されている。
上記光センサ５は板状。のＮ形半導％６の上に薄いＰ形
半導体７■が形成され、このＰＮ接合面にはり一ド纏８
，８を介して電池９及び抵抗１０の直列回路が接続され
、上記電池９によつてＰ形半導体７■側が負となるよう
に逆方向にバイアスされており、上記ＰＮ接合面に光が
入射されると、その光量に応じてＰＮ接合面隅間光ｍｍ
が流れ、その光量は抵抗１０両端の電圧を測定すること
により（又は抵抗１０を流れる電流自体を測定しても良
い。）、合焦か否かを検出できるように構成されている
。
半導体７■が形成され、このＰＮ接合面にはり一ド纏８
，８を介して電池９及び抵抗１０の直列回路が接続され
、上記電池９によつてＰ形半導体７■側が負となるよう
に逆方向にバイアスされており、上記ＰＮ接合面に光が
入射されると、その光量に応じてＰＮ接合面隅間光ｍｍ
が流れ、その光量は抵抗１０両端の電圧を測定すること
により（又は抵抗１０を流れる電流自体を測定しても良
い。）、合焦か否かを検出できるように構成されている
。
上記ＰＮ接合面の中央には透孔１１が形成され、この透
孔１１には複写体２側に合焦検出用に投光するためのＬ
ＥＤ等の発光部材１２が嵌入するように埋設しである。
孔１１には複写体２側に合焦検出用に投光するためのＬ
ＥＤ等の発光部材１２が嵌入するように埋設しである。
上記発光部材１２の（発光する輝点部分の）前端は受光
面の前端面と面一か、又は受光面の前端面より突出する
よう形成され、又、発光部材１２の側部は絶縁性の遮光
部材で形成されていて、発光部材１２から発光された光
が直接受光面側に麿れないように構成されている。
面の前端面と面一か、又は受光面の前端面より突出する
よう形成され、又、発光部材１２の側部は絶縁性の遮光
部材で形成されていて、発光部材１２から発光された光
が直接受光面側に麿れないように構成されている。
上記発光部材１２を透孔１１に埋設したＮ形半導体６板
（層）の裏面は接着剤等で遮光を着ねる基板１３に取り
付けられている。上記基板１３はＮ形半導体６■を厚く
すれば遮光膜を塗布したものでも代用できる。
（層）の裏面は接着剤等で遮光を着ねる基板１３に取り
付けられている。上記基板１３はＮ形半導体６■を厚く
すれば遮光膜を塗布したものでも代用できる。
このように構成された第１実施例の光センサ５の動作は
次のようになる。
次のようになる。
上記のように配設された光学系において、図示しないリ
ード−等で供給された電力により、発光部材１２は発光
し、この光は発光部材１２前錫からレンズ１を経て被写
体２側に投光される。
ード−等で供給された電力により、発光部材１２は発光
し、この光は発光部材１２前錫からレンズ１を経て被写
体２側に投光される。
被写体２に投光された光は、その一部が該被写体２で反
射されて再びレンズ１を経て光センサ５側に戻る。この
場合被写体２に対してレンズ１が合焦状態又は合焦位置
ｘＯにあれば、上記の反射光の結像位置は細い実線で示
すように所定の結像面と共役な位置４となるので、ＰＮ
結合で形成された受光面には光が届かず、光センサ５の
Ｐ形半導体７及びＮ形半導体ａｌｌには殆ど電流が流れ
ず、暗電流成分のみとなるので、この時の抵抗１０両端
の出力端の電圧ｖＯは第２図に示すように殆ど零となる
。
射されて再びレンズ１を経て光センサ５側に戻る。この
場合被写体２に対してレンズ１が合焦状態又は合焦位置
ｘＯにあれば、上記の反射光の結像位置は細い実線で示
すように所定の結像面と共役な位置４となるので、ＰＮ
結合で形成された受光面には光が届かず、光センサ５の
Ｐ形半導体７及びＮ形半導体ａｌｌには殆ど電流が流れ
ず、暗電流成分のみとなるので、この時の抵抗１０両端
の出力端の電圧ｖＯは第２図に示すように殆ど零となる
。
一方、上記被写体２に対し、例えばレンズ１が符号１′
で示すように合焦位置ｘＯから前方（図示では左方向）
にずれている場合−（その位置をＸ′で示す）には、被
写体２で反射された光は受光面より前方の位置力すでに
収束虜となり、その後拡間するので、拡開した光が受光
面に達することになυ。従って、光センサ５のＰ形半導
体７層及びＮ形半導体６闇には上記受光面に入射された
光量に応じた光電流が流れることになる。
で示すように合焦位置ｘＯから前方（図示では左方向）
にずれている場合−（その位置をＸ′で示す）には、被
写体２で反射された光は受光面より前方の位置力すでに
収束虜となり、その後拡間するので、拡開した光が受光
面に達することになυ。従って、光センサ５のＰ形半導
体７層及びＮ形半導体６闇には上記受光面に入射された
光量に応じた光電流が流れることになる。
従って、第２図に示すように上記合焦位置ｘＯより、は
るかに大きな出力電圧Ｖ′となる。
るかに大きな出力電圧Ｖ′となる。
上記とは逆にレンズ１が合焦位置から後方にずれた場合
には、集光点は受光面より漬方位置となるので、この場
合にも受光面に光が届き、その光量に応じた光電流が流
れることになる。
には、集光点は受光面より漬方位置となるので、この場
合にも受光面に光が届き、その光量に応じた光電流が流
れることになる。
従って、第２図に示すように合焦位置ｘＯの時、光セン
サ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小 ７（極小）の
光電流値における出力電圧ＶＯとなり、この合焦状態か
らずれると、受光面を照らす光量に応じた（暗電流値よ
り大きい）電流が流れ、抵抗１０両端には合焦状態から
前後にわずかにずれた場合にも合焦状態における出力電
圧Ｖｏより、はるかに大きな出力電圧が出力されること
になる。
サ５の出力端間は暗電流と呼ばれる最小 ７（極小）の
光電流値における出力電圧ＶＯとなり、この合焦状態か
らずれると、受光面を照らす光量に応じた（暗電流値よ
り大きい）電流が流れ、抵抗１０両端には合焦状態から
前後にわずかにずれた場合にも合焦状態における出力電
圧Ｖｏより、はるかに大きな出力電圧が出力されること
になる。
このように発光部材１２の輝点又は複数の１１６の前端
が受光面の前端部と等しいか又は前方に突出するように
設けであるので、被写体２偶に投光される以前に受光面
に光が濃れて暗電流成分を嵩上げして合焦状態か否かの
検出を困難にする原因をＳ消しである。従って合焦検出
を精度よく行うことができる。
が受光面の前端部と等しいか又は前方に突出するように
設けであるので、被写体２偶に投光される以前に受光面
に光が濃れて暗電流成分を嵩上げして合焦状態か否かの
検出を困難にする原因をＳ消しである。従って合焦検出
を精度よく行うことができる。
第３図は１２実施例を示す。
同図において、１２実施例の光センサ２１は、Ｎ形半導
体６板に薄いＰ形半導体７１１を形成したＰＮ接合面の
中央にはＮ形半導体６板側に拡−する透孔２２がＮ形半
導体６板側をエツチング面としてエツチング処理等によ
って形成されている。
体６板に薄いＰ形半導体７１１を形成したＰＮ接合面の
中央にはＮ形半導体６板側に拡−する透孔２２がＮ形半
導体６板側をエツチング面としてエツチング処理等によ
って形成されている。
この透孔２２側局面には絶縁膜（図示略）を塗布してＰ
Ｎ接合面の′ｉｌＪ＃Ｉを防止して、又は透孔２２側週
面に露呈する部分がＮ形半導体６板のみとなるよう形成
し、透孔２２１１１周面及びＮ形半導体６板裏面には金
属を蒸着等して形成した遮光膜２３が形成されている。
Ｎ接合面の′ｉｌＪ＃Ｉを防止して、又は透孔２２側週
面に露呈する部分がＮ形半導体６板のみとなるよう形成
し、透孔２２１１１周面及びＮ形半導体６板裏面には金
属を蒸着等して形成した遮光膜２３が形成されている。
上記Ｎ形半導体６板は遮光膜２３を設けた裏面側を透孔
２３に臨む位置に凹部２４が形成され、遮光？兼ねる基
板２５に接着剤等で取付けられている。
２３に臨む位置に凹部２４が形成され、遮光？兼ねる基
板２５に接着剤等で取付けられている。
上記凹部２４にはＬＥＤ等の発光部材１２が収容されて
いる。
いる。
このように構成された光センサ２１においては、透孔２
２を形成したＰＮ接合素子の取り付は基板２５の凹部に
発光部材１２を収容し、この発光部材１２の光が被写体
２に投光される際、直接発光部材１２から受光面にもれ
て暗電流成分が大きくならないように、透孔２２側局面
を覆うように金属蒸着等による遮光膜２３が形成されて
いる。
２を形成したＰＮ接合素子の取り付は基板２５の凹部に
発光部材１２を収容し、この発光部材１２の光が被写体
２に投光される際、直接発光部材１２から受光面にもれ
て暗電流成分が大きくならないように、透孔２２側局面
を覆うように金属蒸着等による遮光膜２３が形成されて
いる。
この第２実施例の動作は、第１実施例と略同様となる。
従って第１実施例と同様に合焦検出を精度良く行うこと
ができる。
ができる。
この第２実施例において、透孔２２は受光面となる前面
側の径が後端側より小さく形成されているのは、合焦点
を精度良く検出するためのものであって、第１実施例の
場合よりも合焦検出する場合の精度を向上できる可能性
を有する。第１実施例のようにＰＮ接合素子の前面と裏
面側との径を等しくする実施例も本発明の範鴫に入るも
のである。
側の径が後端側より小さく形成されているのは、合焦点
を精度良く検出するためのものであって、第１実施例の
場合よりも合焦検出する場合の精度を向上できる可能性
を有する。第１実施例のようにＰＮ接合素子の前面と裏
面側との径を等しくする実施例も本発明の範鴫に入るも
のである。
尚、上記第２実施例における遮光１１２３としては、金
属のＭ着によるものでなく、遮光塗料を塗布しても良い
。この場合、絶縁性塗料であれば、透孔２２側部にＰ形
半導体７及びＮ形半導体６が露呈している場合にも直接
塗布できることになる。
属のＭ着によるものでなく、遮光塗料を塗布しても良い
。この場合、絶縁性塗料であれば、透孔２２側部にＰ形
半導体７及びＮ形半導体６が露呈している場合にも直接
塗布できることになる。
第２実施例において、発光部材１２は第３図に示すもの
に限らす透孔２２内に一部又は透孔２２より前面に突出
するよう設けても良い。
に限らす透孔２２内に一部又は透孔２２より前面に突出
するよう設けても良い。
以上述べた各実施例において、透孔１１．２２の形状は
円状又は角状等あるいはスリット状等でも良い。
円状又は角状等あるいはスリット状等でも良い。
尚、本発明は暗い被写体２に対しては、合焦検出を行う
場合発光部材１２から被写体２側に投光し、該被写体２
１１で反射された光を光センサ５゜２１で受光し、受光
面に届く光量を測定することにより１合焦検出を行う口
とができるのみに限らず、明るい被写体２に対しては発
光部材１２から投光しないで（もちろん投光して上述の
ように合焦検出を行っても良い）、被写体２周囲の外光
を用い、その光が受光面に届く光量を測定して合焦検出
を行っても良い。
場合発光部材１２から被写体２側に投光し、該被写体２
１１で反射された光を光センサ５゜２１で受光し、受光
面に届く光量を測定することにより１合焦検出を行う口
とができるのみに限らず、明るい被写体２に対しては発
光部材１２から投光しないで（もちろん投光して上述の
ように合焦検出を行っても良い）、被写体２周囲の外光
を用い、その光が受光面に届く光量を測定して合焦検出
を行っても良い。
又、発光部材１２から被写体２側に投光を行って合焦か
否かを検出する場合には、可視領域のＬＥＤの発光素子
でも良いし、可視領域以外、例えば赤外領域の発光素子
を用いれば、暗電流成分の原因になる一部の外光の影響
を軽減できてより有利である。
否かを検出する場合には、可視領域のＬＥＤの発光素子
でも良いし、可視領域以外、例えば赤外領域の発光素子
を用いれば、暗電流成分の原因になる一部の外光の影響
を軽減できてより有利である。
この場合受光する光センサ５，２１として、上記の波長
の光に対する感光特性の優れたものが望ましいことは当
然である。
の光に対する感光特性の優れたものが望ましいことは当
然である。
又、上述に゛おける各実施例において、ＰＮ接合面によ
って受光面が形成しであるが、この例に限らず三極構造
のフォトトランジスタ又はＣｄＳ。
って受光面が形成しであるが、この例に限らず三極構造
のフォトトランジスタ又はＣｄＳ。
Ｃｄ Ｓｅ等照射される光によって抵抗値の興る光半導
体ならば本発明に適用できる。
体ならば本発明に適用できる。
尚、発光部材１２を発光させる場合、特定の周波数でパ
ルス状に発光させ、受光する側でその周波数成分のみを
取り出すように交流結合とすれば、外光による影響を軽
減できる。
ルス状に発光させ、受光する側でその周波数成分のみを
取り出すように交流結合とすれば、外光による影響を軽
減できる。
以上述べたように本発明によれば、合焦検出用発光部材
を受光面に形成した孔部に、発光部材の輝点が受光面に
等しいか若しくは前方に突出させて配設するか、孔部内
側又は後方に発光部材を配設するようにしであるので、
発光部材からの光が直接受光面に個れることが防止され
て、暗電流成分を少な（し、合焦検出を精度良く行うこ
とができるという利点を有する。
を受光面に形成した孔部に、発光部材の輝点が受光面に
等しいか若しくは前方に突出させて配設するか、孔部内
側又は後方に発光部材を配設するようにしであるので、
発光部材からの光が直接受光面に個れることが防止され
て、暗電流成分を少な（し、合焦検出を精度良く行うこ
とができるという利点を有する。
第１図及び第２図は本発明に係り、第１図は第１寅論例
を示す説明図、１２図はＩ１１寅施例を用いて合焦検出
する際のレンズの位置とその場合における出力特性を示
す特性図、第３図はＭ２２寅論を示す説明図である。 １・・・レンズ、 ２・・・被写体、 ３・・・光軸、
５゜２１・・・光センサ、 ６・・・Ｎ形半導体、
７・・・Ｐ形半聯り、 １０・・・抵抗、 １１．２２
・・・透孔、１２・・・発光部材、 １３．２５・・・
基板、 ２３・・・遮光膜、 ２４・・・凹部。 ど− 第１頁の続き ０発 明 者 宮崎敦之 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 高橋進 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 中村川明 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 石川明文 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内
を示す説明図、１２図はＩ１１寅施例を用いて合焦検出
する際のレンズの位置とその場合における出力特性を示
す特性図、第３図はＭ２２寅論を示す説明図である。 １・・・レンズ、 ２・・・被写体、 ３・・・光軸、
５゜２１・・・光センサ、 ６・・・Ｎ形半導体、
７・・・Ｐ形半聯り、 １０・・・抵抗、 １１．２２
・・・透孔、１２・・・発光部材、 １３．２５・・・
基板、 ２３・・・遮光膜、 ２４・・・凹部。 ど− 第１頁の続き ０発 明 者 宮崎敦之 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 高橋進 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 中村川明 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内 ０発 明 者 石川明文 東京都渋谷区幡ケ谷２丁目４３番 ２号才リンパス光学工業株式会 社内
Claims (1)
- 撮影用又は結像用レンズによって、被写体の光学像が所
定の結像面に鮮明に結像されるか否かを、被写体側から
孔部な設けた受光面に届く光膳によって検出する場合に
用いられる光センサにおいて、前記孔部に発光部材を該
発光部材の輝点が受光面に等しいか若しくは突出するよ
う配設するか、又は側周面に遮光膜を形成した孔部内側
若しくは漬方に発光部材を配設することにより、発光部
材の光が直接受光面に濡れないようにしたことを特徴と
する光センサ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608582A JPS58162833A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
| US06/475,292 US4556787A (en) | 1982-03-23 | 1983-03-14 | Photosensor for optical observing or photographing devices |
| EP83301507A EP0089822B1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
| DE8383301507T DE3361379D1 (en) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Focus state detecting device |
| AT83301507T ATE16858T1 (de) | 1982-03-23 | 1983-03-18 | Einrichtung zur scharfstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608582A JPS58162833A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162833A true JPS58162833A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH057688B2 JPH057688B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=12737145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608582A Granted JPS58162833A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162833A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5326105B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2013-10-30 | 有限会社ラルゴ | 光センサデバイス及びこれを用いた糖度計 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS472144U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-24 | ||
| JPS50147342A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS5286345A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-18 | Yamakawa Denshi Kk | Projector and light receiver |
| JPS542104A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Face run-out detector of rotating bodies |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP4608582A patent/JPS58162833A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS472144U (ja) * | 1971-01-23 | 1972-08-24 | ||
| JPS50147342A (ja) * | 1974-05-15 | 1975-11-26 | ||
| JPS5286345A (en) * | 1976-01-13 | 1977-07-18 | Yamakawa Denshi Kk | Projector and light receiver |
| JPS542104A (en) * | 1977-06-07 | 1979-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Face run-out detector of rotating bodies |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057688B2 (ja) | 1993-01-29 |
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